JPS60194031A - 半導体機器のリ−ド材用銅合金 - Google Patents
半導体機器のリ−ド材用銅合金Info
- Publication number
- JPS60194031A JPS60194031A JP5010184A JP5010184A JPS60194031A JP S60194031 A JPS60194031 A JP S60194031A JP 5010184 A JP5010184 A JP 5010184A JP 5010184 A JP5010184 A JP 5010184A JP S60194031 A JPS60194031 A JP S60194031A
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- JP
- Japan
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- alloy
- strength
- lead material
- elongation
- semiconductor device
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体機器におけるリー
ド材用の銅合金で、詳しくハ、従来使用されている０Ｄ
Ａ１９４合金よりも良好な特性を有する半導体機器にお
けるリード材用の銅合金に関する。
ド材用の銅合金で、詳しくハ、従来使用されている０Ｄ
Ａ１９４合金よりも良好な特性を有する半導体機器にお
けるリード材用の銅合金に関する。
半導体機器のリード材には、近年の半導体回路の高密度
化による消費電力の増大によって、高い放熱性（言いか
えると高い導側１がめられておシ、又、実装技術面から
は高強度がめられている。さらに、これらに加え、リー
ド材に対する要求として、伸びが良く曲は加工性が良好
な仁と。
化による消費電力の増大によって、高い放熱性（言いか
えると高い導側１がめられておシ、又、実装技術面から
は高強度がめられている。さらに、これらに加え、リー
ド材に対する要求として、伸びが良く曲は加工性が良好
な仁と。
耐熱性に優れていること、メッキ性が良好なことなどが
挙けられる。
挙けられる。
従来使用されている代表的な半導体機器のリード材とし
てＣＤＡｌ９４合金（Ｃｕ −２，３Ｔｏ Ｆｅ−０，
１％Ｚｎ−０，０３チＰ；合金組、成の％は重ｉ％でろ
シ。
てＣＤＡｌ９４合金（Ｃｕ −２，３Ｔｏ Ｆｅ−０，
１％Ｚｎ−０，０３チＰ；合金組、成の％は重ｉ％でろ
シ。
以下、同じである。）があるが、前記合金は導電率が十
分とは自い難く、また耐熱性、伸びにおいても満足な特
性ではない。
分とは自い難く、また耐熱性、伸びにおいても満足な特
性ではない。
したがって、この出願の発明の目的は、ＣＤＡｌ９４合
金と同等以上の強度を有し、かつこれより優れた電導性
、耐熱性、伸びを有する半導体機器のリード材用の合金
を得ることである。
金と同等以上の強度を有し、かつこれより優れた電導性
、耐熱性、伸びを有する半導体機器のリード材用の合金
を得ることである。
本発明者らは１種々研究の結果、下記のような知見を得
た。即ち、 ■ 特定の組成を有するＣｕ −（：ｒ −Ｚｒ −Ｍ
ｊ’ −２ｎｎ系光合金が上記目的を達成することがで
きる。
た。即ち、 ■ 特定の組成を有するＣｕ −（：ｒ −Ｚｒ −Ｍ
ｊ’ −２ｎｎ系光合金が上記目的を達成することがで
きる。
及び
■ 前記の■の合金に更に３ｉを添加すると１強度と耐
熱性を一層向上させることができる。
熱性を一層向上させることができる。
この出願の発明は、上記知見に基いて発明されたもので
あシ。
あシ。
その第一は。
Ｃｒ ： ０．０５〜０．４１未満。
ｚｒ ： ｏ、ｏ ｒ 〜０．２％。
慶： ｏ、ｏ ｏ ｌ〜０．１２％、
Ｚｎ ： ０．０２〜０．２チ未満
を官有し、残シがＣｕおよび不町避不純物からなる組成
（以上、１１％）を有する半導体機器のリード材用銅合
金であシ。
（以上、１１％）を有する半導体機器のリード材用銅合
金であシ。
その第二は、
Ｃｒ ： ０．０５〜０．４％未満、
Ｚｒ ： ０．０１〜０．２％。
慶： ０．００１〜０．１２チ、
Ｚｎ ： ０．０２〜０．２％未満
を合有し、さらに
Ｓｔ ： ０゜００１〜０．１チ
を含有し、残シがＣｕおよび不町避不純物からなる組成
（以上１重量％）を有する半導体機器のリード材用銅合
金である。
（以上１重量％）を有する半導体機器のリード材用銅合
金である。
次に、この出願の発明の合金における成分添加理由及び
組成範囲を上記のように限定した理由について述べる。
組成範囲を上記のように限定した理由について述べる。
（ａ） Ｃｒ
Ｃｒ含有置が０．０５％未満では、所望の強度と耐熱性
が得られず、０．４％以上では、メッキ性を阻害（加熱
によシメッキ部にふくれが発生）シ、又。
が得られず、０．４％以上では、メッキ性を阻害（加熱
によシメッキ部にふくれが発生）シ、又。
導電率も若干低下するため、 Ｃｒ含有散を０．０５〜
０．４％未満とした。
０．４％未満とした。
（ｂ） Ｚｒ
同様に、Ｚｒ含有鎗が０．０１％未満では、所望の強度
と耐熱性が得られず、０．２％より多いと、メッキ性を
阻害（加熱によりメッキ部にふくれが発生）シ、導電率
も若干低下するためｂ Ｚｒ含有量を０、Ｏ１〜０．２
％とした。
と耐熱性が得られず、０．２％より多いと、メッキ性を
阻害（加熱によりメッキ部にふくれが発生）シ、導電率
も若干低下するためｂ Ｚｒ含有量を０、Ｏ１〜０．２
％とした。
（ｅ） ＭＰ
慶は、溶湯を清浄化し、伸びを大きくシ、シかも、メッ
キ性を改善するために添加されるが、その含有針が０．
００１％未満では、前記の効果を生じさせるととができ
ないし、逆に帆１２％を越えると、熱間加工性を低下さ
せ、熱間加工時に微細クランクが発生するので、強度、
伸び、導電率が低下し、メッキ性も阻害されるため、含
有量を０．００１〜０．１２％とした。
キ性を改善するために添加されるが、その含有針が０．
００１％未満では、前記の効果を生じさせるととができ
ないし、逆に帆１２％を越えると、熱間加工性を低下さ
せ、熱間加工時に微細クランクが発生するので、強度、
伸び、導電率が低下し、メッキ性も阻害されるため、含
有量を０．００１〜０．１２％とした。
（ｄ） Ｚｎ
ｚｎは、＠遡性を改善し、鋳肌を良好にし、しかも強度
を向上させるために添加されるが、そのき有量が０．０
２％未満では、その効果がなく、逆に０．２％以上では
、導電率が低下するために、富有量を０．０２〜０．２
％未満とした。
を向上させるために添加されるが、そのき有量が０．０
２％未満では、その効果がなく、逆に０．２％以上では
、導電率が低下するために、富有量を０．０２〜０．２
％未満とした。
以下に、この出願の第二発明の添加成分である５ｔｒｃ
ついて、その添加理由と組成範囲限定理由を述べると。
ついて、その添加理由と組成範囲限定理由を述べると。
（ｅ） ５ｉ
８ｉｔｊ、ｉ合金中の結晶粒の粗大化を防ぎ１強度およ
び耐熱性を向上させるために添加されるが、その含有量
が０．００１％未満では、前記効果を奏することができ
ないし、逆に、０．１％を越えると。
び耐熱性を向上させるために添加されるが、その含有量
が０．００１％未満では、前記効果を奏することができ
ないし、逆に、０．１％を越えると。
メッキ性を阻害するため、含有針を０．００１〜０．１
優とした。
優とした。
次に１本発明合金の構成及び効果を実施例によシ比較例
とともに説明する。
とともに説明する。
実施例及び比較例
菓空ｍ融炉にて、第１表に示す組成の銅合金を浴融・鋳
造し、直径６０１．高さ１８０１１１１の円柱状鋳塊を
得た。次に、これを面側した後、９００℃にて熱間鍛造
を行ない、ｆｃたちに水中急冷を行ない、２０１１１Ｘ
１０ ＱＩＩＸ ２０ Ｑｍの板材を得た。
造し、直径６０１．高さ１８０１１１１の円柱状鋳塊を
得た。次に、これを面側した後、９００℃にて熱間鍛造
を行ない、ｆｃたちに水中急冷を行ない、２０１１１Ｘ
１０ ＱＩＩＸ ２０ Ｑｍの板材を得た。
次いで、冷間ａ：延と焼鈍（６００℃）をくシ返し行な
い、最終加工率５０％、最終板厚０．３謡にした後、４
５０℃にて１００分間の焼鈍を施した。
い、最終加工率５０％、最終板厚０．３謡にした後、４
５０℃にて１００分間の焼鈍を施した。
これらの薄板について、引張強さ、伸び、導電率、耐熱
性、メッキ性の測定及び評価を行なった。
性、メッキ性の測定及び評価を行なった。
引張強さ、伸びの測定はＪＩＳ−２２２４１に基いて行
なった。
なった。
耐熱性は、上記薄板よ、９ ＪＩＳ−２２２０１に基い
て試験片を採取し１棟々の温度にて、アルゴンガス雰囲
気中で１時間加熱した後、引張試験を行ない、その強度
が加熱処理を行なっていない拐料の強度と完全に焼鈍軟
化した材料の強度との和の１７２を示す加熱温度（半軟
化温度）としてめた。
て試験片を採取し１棟々の温度にて、アルゴンガス雰囲
気中で１時間加熱した後、引張試験を行ない、その強度
が加熱処理を行なっていない拐料の強度と完全に焼鈍軟
化した材料の強度との和の１７２を示す加熱温度（半軟
化温度）としてめた。
メッキ性は、試料表面に厚さ５μｍ 程度の電気銀メッ
キを施し、アルゴンガス雰囲気中で４３０℃に５分間加
熱し、放冷後、目視にてふくれの有無で評価した。
キを施し、アルゴンガス雰囲気中で４３０℃に５分間加
熱し、放冷後、目視にてふくれの有無で評価した。
上記結果を第１表に示す。
第１表よシ明らかなように１本発明合金は、引張強さ５
０〜５６ｈ／ｍｎ？ 、導電率８５〜９３％ｌＡＣ３，
半軟化温度４５０〜５００℃、伸び８．０〜１Ｏ１３％
の特性を示し、しかも、メッキ性は半導体機器のリード
材として用いることができる程。
０〜５６ｈ／ｍｎ？ 、導電率８５〜９３％ｌＡＣ３，
半軟化温度４５０〜５００℃、伸び８．０〜１Ｏ１３％
の特性を示し、しかも、メッキ性は半導体機器のリード
材として用いることができる程。
良好である。即ち、従来合金のＣＤＡｌ９４合金（従来
合金参照）よシも大きな強度を有し、かつはるかに優れ
た導電率および伸びを有するとともに耐熱性をも改善し
ていることが判る。
合金参照）よシも大きな強度を有し、かつはるかに優れ
た導電率および伸びを有するとともに耐熱性をも改善し
ていることが判る。
これに対し、Ｃｒ量がこの発明の合金の組成範囲より少
ない比較合金Ａ１では１強度・耐熱性が得られず、逆に
多い比較合金Ａ２では、メッキ性が阻害され、導電率が
君子低下している。また、ｚｒｉが本発明合金の組成範
囲よりも少ない比較合金Ａ３では、強度、耐熱性が得ら
れず、逆に多い比較合金扁４ではメッキ性が阻害され、
導電率が君子低下している。また、ＶＩＰ含有置装本発
明合金の組成範囲よシ少ない比較合金Ａ５では伸びが低
く、メッキ性も阻害されている。逆にＩｖｉＦ含有協が
本発明合金の組成範囲よシ多い比較合金Ａ６では、強度
、伸びおよび導電率が低下し、メッキ性も阻害されてい
ることがわかるが、これは、熱間加工時に微細クランク
が発生するからである。そして。
ない比較合金Ａ１では１強度・耐熱性が得られず、逆に
多い比較合金Ａ２では、メッキ性が阻害され、導電率が
君子低下している。また、ｚｒｉが本発明合金の組成範
囲よりも少ない比較合金Ａ３では、強度、耐熱性が得ら
れず、逆に多い比較合金扁４ではメッキ性が阻害され、
導電率が君子低下している。また、ＶＩＰ含有置装本発
明合金の組成範囲よシ少ない比較合金Ａ５では伸びが低
く、メッキ性も阻害されている。逆にＩｖｉＦ含有協が
本発明合金の組成範囲よシ多い比較合金Ａ６では、強度
、伸びおよび導電率が低下し、メッキ性も阻害されてい
ることがわかるが、これは、熱間加工時に微細クランク
が発生するからである。そして。
Ｚｎ含有緻が本発明合金の組成範囲よシも少ない比較合
金Ａ７では強度が得られず、逆に多い比軟合金屋８では
導゛に率が低下している、 このように１本発明合金はＣＤＡｌ９４合金よシも大き
い強度を持ち、かつはるかに優れた導電率および伸びを
有し、さらに耐熱性およびメンキ性が良好でるｐ半導体
機器のリード材用合金として適した特性をもつものであ
る。
金Ａ７では強度が得られず、逆に多い比軟合金屋８では
導゛に率が低下している、 このように１本発明合金はＣＤＡｌ９４合金よシも大き
い強度を持ち、かつはるかに優れた導電率および伸びを
有し、さらに耐熱性およびメンキ性が良好でるｐ半導体
機器のリード材用合金として適した特性をもつものであ
る。
出願人 三菱金属株式会社
代理人 富 １）和 夫 外１名
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１Ｃｒ ： ０．０５〜０．４％未満、ｚｒ ：
０．０１〜０．２％、 ＭＰ ： ０．００１〜０，１２％、 Ｚｎ ｍ Ｏ−０２〜０，２％未満 を含有し、残りがＣｕおよび不可避不純物からなる組成
（以上１重１％）を有する半導体機器のリード材用銅合
金。 １２） Ｃｒ ： ０．０５〜０．４％未満。 Ｚｒ ： ０．０１〜０．２％。 Ｍｇ： ０．００１〜０．１２％。 Ｚｎ ： ０．０２〜０．２チ未満 を宮有し、さらに ｓｔ ： ｏ、ｏ ０１〜０．１％ を合有し、残りがＣｕおよび不可避不純物からなる組成
（以上、重１日を有する半導体機器のリード材用銅合金
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5010184A JPS60194031A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5010184A JPS60194031A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60194031A true JPS60194031A (ja) | 1985-10-02 |
Family
ID=12849681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5010184A Pending JPS60194031A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60194031A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4710349A (en) * | 1986-03-18 | 1987-12-01 | Sumitomo Metal & Mining Co., Ltd. | Highly conductive copper-based alloy |
| JPS6393837A (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子機器用銅合金とその製造法 |
| JP2012097327A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Hitachi Cable Ltd | 熱間及び冷間加工性を向上させた銅合金とその製造方法及び該銅合金から得られる銅合金条又は合金箔 |
-
1984
- 1984-03-15 JP JP5010184A patent/JPS60194031A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4710349A (en) * | 1986-03-18 | 1987-12-01 | Sumitomo Metal & Mining Co., Ltd. | Highly conductive copper-based alloy |
| JPS6393837A (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子機器用銅合金とその製造法 |
| JP2012097327A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Hitachi Cable Ltd | 熱間及び冷間加工性を向上させた銅合金とその製造方法及び該銅合金から得られる銅合金条又は合金箔 |
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