JPS6392153A - 画像読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、画像読取装置に関し、特に原稿の幅方向に対
応させた一次元ラインセンサを有し、その−次元ライン
センサに対して相対的に、原稿を移動させつつ画像情報
を読取るファクシミリ装置、イメージリーダ、ディジタ
ル複写装置等に適用して好適な画像読取装置に関するも
のである。

［従来の技術］ 従来、−次元ラインセンサを用いる画像読取り装置とし
ては、長さ数ｃｍの一次元ラインセンサに縮小光学系を
用いて原稿像を結像させて原稿系情報の読取りを行うも
のが知られている。また、原稿幅と同じ長さの長尺−次
元ラインセンサ（等倍型ラインセンサ）を有し、原稿に
直接接触できるとともに、結像系の不要であるか、また
は結像系の動作距離の短い画像読取装置が、適用機器の
小型化および低順化を達成できるものとして注目されて
いる。

結像系の動作距離を短くできる等倍型ラインセンサを有
する画像読取装置としては、結像系に集束性光ファイバ
を用いたものやコンタクトレンズアレイを用いたものが
知られている。また、結像系を不要とした等倍型ライン
センサを有する画像読取装置としては、透明基板上にラ
インセンサを設け、基板裏面側より光を原稿面に照射し
てその反射光をラインセンサ上に受容するように構成し
たものが知られている。

［発明が解決しようとする問題点コ ところで、−次元ラインセンサを有する形態の画像読取
装置においては、ラインセンサは成膜工程ないしエツチ
ング工程を経て一体に形成されるが、これら工程におい
て端部に位置するセンサの構成層か薄く形成されてしま
うのが一般的である。これにより、−次元ラインセンサ
の出力は第８図において実線で示すような分布を有する
こと、すなわち、端部においてセンサ出力が低く、中央
に近い程センサ出力が高くなるような分布を有すること
になる。また、用いる光源の照度分布に対して、センサ
出力に分布が生じてしまうこともある。

従来、このような分布を平滑化して−様な画像情報を読
取るために、読取られた画像情報に対してシェーディン
グ補正を施したり、あるいは読取りの１ビツト毎に補正
を加えるビット補正を施すことが行われていた。

しかしながら、このような信号補正を行う回路は一般に
高価であり、これが画像読取装置ひいては適用機器の低
順化を阻害する重大な一因となっていた。

本発明は、かかる問題点を鑑み、補正回路を不要とし、
ないしは用いる場合にあっても庶価に構成できるように
することにより、以て画像読取装置ひいてはこれを適用
する機器の低順化を達成することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ そのために、本発明は、導電層と、導電層上に配置され
た絶縁層と、絶縁層上に配置された半導イ太層　と　、
　　」こ道イ大照　Ｌ−憤　１．て戸（を代＝＋、　　
て西−ＩＪ大　ｈ−ｆ−−対の上部電極とを有する光セ
ンサを基板上に配列した画像読取装置において、光セン
サの配列位置に応じて異な）たバイアス電圧を導電層に
印加する駆動手段を具えたことを特徴とする。

［作　用］ すなわち、本発明によれば、センサ出力の分布は画像の
読取り時に平滑化されるので、補正回路の不要となり、
ないしは用いる場合にあっても低願なもので十分となり
、以て画像読取装置を耶価に構成できるようになる。

［実施例］ 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

まず、本発明を通用可能な画像読取装置の構成例につい
て説明する。

第１図（Ａ）および（Ｂ）は、そねぞれ、本発明の一実
施例として、結像系を不要とした画像読取装置の側断面
図、およびそのセンサ部の上面図である。なお、同図（
Ａ）は同図（Ｂ）の１−１線断面図である。これら図に
おいて、１０８はガラス等透明の基板ｌｌ上に図面に直
方する方向に配列されて一次元ラインセンサを構成する
センサ部である。このセンサ部１０８において、ガラス
等の透明基板１上には、遮光層１１２および絶縁層１３
が形成され、その上に光導電層としての水素化アモルフ
ァスシリコン（以下ａ−５ｉ：Ｈと称する）やＣｄ５−
５ｅ等の半導体層１４が形成されている。更にオーミッ
クコンタクト用のドーピング半導体層１５を介して一対
の主電極１１６および１１７が形成され、その間に受光
窓１１８が形成されている。

本例に係るセンサ部１０８においては、遮光層１１２を
金属等導電性の材料で形成するとともに、後述するよう
にＩＴ１動源に接続して、主電極１１６（ソース側）お
よび１１７（ドレイン側）に対するゲート電極となるよ
うにする。また、主電極１１６および１１７をくし形に
形成し、互い違いに対向させることによって同図（Ｂ）
上受光窓１１８が蛇行した形状に形成され、この窓１０
８によって露出した半導体層１４の部分において原稿Ｐ
からの反射光を受容し、光電変換が行われる。

また、原ｆＡ　Ｐとセンサ部１０８との間の間隔は、通
常０．１ｍｍ程度として４〜８木／ｍｍの読取り解像力
が得られるが、このような解像力を確保するために上記
間隔は厳密に制御されなければならない。該間隔の制御
は、透明の保護層２０をセンサ部１０８の上面に被覆形
成することによって行われる。

かかる構成において、透明基板１１の入射窓１９を通し
て入射した光しくこの入射光に対してはセンサ部１０８
は遮光層１１２によって遮光されている）で原ｆｉ　Ｐ
を照明し、その反射光を光センサ部１０８が受けて、電
極配線を介して読み取り信号を取り出すものである。す
なわち、例えば主電極＋１６の電位を基準として主電極
１１７に高電位の駆動電圧が印加されているとき、受光
窓１１８を介して反射光りが半導体層１４の表面に入射
すると、キャリアが増加するために抵抗が下がり、この
変化を画像情報として読取ることができる。また、後述
のように、金属性の遮光層１１２に対し適切に電圧を印
加することによって、光センサの出力を安定化させると
ともに光強度に比例した出力を得ることが可能となる。

第１図（Ａ）およびＣＢ）　に示した光センサ部１０８
は、画像読取りの１ビツトに対応したものであるが、基
板１１上にこれをライン状に複数個数整列させて、−次
元ラインセンサを構成する。すなわち、例えば、原稿Ｐ
の幅方向（同図（Ａ）において矢印で示す原ｆＡ　Ｐの
移動方向と直交する方向）に１７２８個の光センサ部１
０Ｂを配列することができる。

さらに、光センサ部と、光センサ部の出力を蓄積する電
荷蓄積部（コンデンサ部）と、当該蓄積された電荷を転
送して信号処理に供するためのスイッチ部と、必要な配
線パターン等とを同一の製造工程で基板上に形成しても
よい。

第２図（Ａ）　、　（Ｂ）および（Ｃ）は、それぞれこ
のような光センサ部と、電荷蓄積部とスイッチ部等とを
一体に形成した形態の画像読取装置の一実施例を示す平
面図、そのＢ−Ｂ線断面図およびＣ−Ｃ線断面図を示す
。

これら図において、２１０はマトリクス配線部、２０８
は光センサ部、２１２は電荷８積部、２１３は転送用ス
イッチ２１３ａおよび電荷蓄積部２１２の電荷をリセッ
トする放電用スイッチ２１３ｂを含むスイッチ部、２１
４は転送用スイッチの信号出力を後述の信号処理部に接
続する配線、２２３は転送用スイッチ２１３ａによって
転送される電荷を蓄積し、読み出すための負荷コンデン
サである。

本実施例では光センサ部２０８、転送用スイッチ２１３
ａおよび放電用スイッチ２１３ｂを構成する光電導性半
導体層１４としてａ−Ｓｉ：Ｉｔ膜が用いられ、絶縁層
２０３　としてグロー放電による窒化シリコン膜（Ｓｉ
ＮＩＩ）が用いられている。

なお、第２図（八）においては、煩雑さを避けるために
、上下二層の電極配線のみ示し、光導電性半導体層１４
および絶縁層２０３は図示していない。

また光導電性半導体層１４および絶Ｕ層２０３は光セン
サ部２０８、電荷蓄積部２１２）転送用スイッチ２１３
ａおよび放電用スイッチ２１３ｂに形成されているほか
、上層電極配線と基板との間にも形成されている。さら
に上層電極配線と光導電性半導体層との界面にはｎ＋に
ドープされたａ−５ｉ：）１層２０５が形成され、オー
ミック接合がとられている。

また、木実施例のラインセンサの配線パターンにおいて
は、各センサ部から出力される信号経路はすべて他の配
線と交差しないように配線されており、各信号成分間の
クロストーク並びにゲート電極配線からの話導ノイズの
発生を防いでいる。

光センサ部２０８において、２１６および２１７は上層
電極配線である。入射を２１９から人力し、原稿面で反
射された光はａ−５ｉ：ＩＩたる光導電性半導体層１４
の導電率を変化させ、くし状に対向する上層ＴＬ極配Ｐ
ｉ！２１６，２１７間に流れる電流を変化させる。

なお、２０２は後述する電源に接続された金属の遮光層
である。

電荷蓄積部２１２は下層電極配線２１４　と、この下層
電極配線２１４上に形成された絶縁層２０３　と光導電
性半導体１４との銹電体と、光導電性半導体層１４上に
形成されて光センサ部の上層電極配線２１７に連続した
配線とから構成される。この電荷蓄積部２１２の構造は
いわゆるＭＩＳ　（Ｍｅｔａｌ−１ｎｓｕｌａｔｅｒ−
５ｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）コンデンサと同じ構造で
ある。バイアス条件は正負いずれでも、用いることがで
きるが、下層電極配線２１４を常に負にバイアスする状
態で用いることにより、安定な容量と周波数特性を得る
ことかできる。

図中（Ｃ）は転送用スイッチ２１３ａおよび放電用スイ
ッチ２＋３ｂを含むＴＰＴ構造のスイッチ部２１３を示
し、転送用スイッチ２１３ａは、ゲート電極たる下層電
極配線２２４　と、ケート絶縁層をなす絶縁層２０３と
、光導電性半導体層１４と、ソース電極たる上層電極配
線２２５　と、トレイン電極たる上層電極配線２１７等
とから構成される。放電用スイッチ２１３ｂのゲート絶
縁層および光導電性半導体層は絶縁層２０３および光導
電性半導体層１４と同一層であり、ソース電極は上層電
極配線２１７、ゲート電極は下層電極配線２２７、ドレ
イン電極は上層電極配線２２６である。また、２３４は
転送用スイッチ２１３ａのゲート電極に接続される下層
配線である。

前述したように、上層電極配線２１７　、２２５および
２２６と光導電性半導体層１４との界面には、ａ　−５
ｉ：Ｈのｎ＋層２０５が介在し、オーミック接触を形成
している。

以上のように本例に係るラインセンサは、光センサ部、
電荷蓄積部、転送用スイッチ、放電用スイッチ、マトリ
クス配線部の各構成部のすべてが光導電性半導体層およ
び絶縁層等の積層構造を有するので、各部を同一プロセ
スにより同時形成することができる。

第３図は等倍型ラインセンサを有する画像読取装置の他
の例を示す。ここて、Ｐは原稿、３０１はその原稿Ｍを
ｆ方向に搬送するための搬送ローラであり、その軸３０
１Ａが装置本体の所定位置に回転自在に支持されている
。３０３は搬送ローラに対向する位置に設けた読取部で
あり、原稿Ｐの全幅にわたって原１ｎ　Ｐを′Ｍ送ロー
ラ３０１に対し弾性的に押圧するための押え部材として
の板はね３０５、原稿Ｐを照明するための照明手段とし
ての１、ＥＤアレー３０７　、原ｆ高Ｍからの斤ｎ＋キ
な水車するためのｊＫ束性光ファイバを配列した光学系
３０９　、　集束光の光電変換を行う光電変換素子（光
センサ）を設けた変換部３０８、およびこれら各部を保
持する保持部材３１０を有する。

すなわち、搬送ローラ３０１の不図示の駆動手段による
回転に伴い、押え部材３０５により搬送ローラ３０１　
に向けて押圧されている原ｆｎ　Ｐが案内されてｆ方向
に搬送されてゆく。この過程で原稿面かＬＩＥＤアレー
３０７により照明され、その反射光が光学系３０９を介
して変換部３０８に供給されて、原稿Ｐ上の画像が順次
読取られてゆく。

第４図は変換部３０８を構成する光センサの一１１４成
例を示す。図において、ガラスまたはセラミクス等の絶
縁物基板３１１上には、補助電極３１２および絶縁層１
３が形成され、その上に光導電層としてのＧｄ５−５ｅ
やａ−５ｉ：Ｉｔ等の半導体層１４か形成されている。

更にオーミックコンタクト用のドーピング半導体層３１
５を介して一対の主室４Ｊｉ　３１６および３１７か形
成され、その間に受光窓３１８か形成されている。なお
、各部３１２，３１６．３１７等の形状については、第
１図（八）および（Ｂ）　に示した実施例と同線に選択
することができる。

かかる構成において、例えば主電極３１６の電位を基準
として主電極３１７に高電位の駆動電圧が印加されてい
るとき、受光窓３１８を介して反射光りが半導体層１４
の表面に入射すると、キャリアが増加するために抵抗が
下がり、この変化を画像情報として読取ることができる
。また、補助電極３１２に対し、後述のように適切に電
圧を印加することによって、光センサの出力を安定化さ
せ、かつ光強度に比例した出力を得ることが可能となる
。

このような光センサは画像読取りの１ビツトに対応した
ものであるｈへ基板１１上にこれをライン状に配列して
、等倍型の一次元ラインセンサ３０８を構成することが
できる。

例えば、原稿Ｐの幅方向（第３図において矢印で示す原
ｆＲＰの８動方向と直交する方向）に１７２８個の光セ
ンサ部３０８を配列することができる。さらに、上記第
２図（Ａ）〜（Ｃ）に示した実施例と同様に、光センサ
部と、光センサ部の出力を蓄積する電荷蓄積部（コンデ
ンサ部）と、当該蓄積された電荷を転送して信号処理に
供するためのスイッチ部と、必要な配線パターン等とを
同一の製造工程で基板上に形成してもよい。

第５図は、このような光センサ部、電荷蓄積部およびス
イッチ部等を一体に形成した形態の画像読取装置の一実
施例を示す平面図である。

図において、４１０はゲートマトリクス配線部、４０８
は光センサ部、４１２は電荷蓄積部、４１３ば転送用ス
イッチ４１：ｌａおよび電荷蓄積部１４２の電荷をリセ
ットする放電用スイッチ４１３ｂを含むスイッチ部、４
１４は転送用スイッチの信号出力を後述の信号処理部に
接続する配線、４２３は転送用スイッチ４１３ａによっ
て転送される電荷を蓄積し、読み出すための負荷コンデ
ンサであり、これらはそれぞれ、第２図（＾）〜（Ｃ）
　に示した各部２１０，２０８，２１２゜２１３および
２２３等と同様の積層構造で構成することがてきる。な
お、光センサ部４０８において、４】５および４１７は
、それぞれソース電極およびトレイン′ＦｒＬ極たる電
極配線、４０２はゲート電極たる補助電極配線であり、
後述する駆動部に接続されている。本例は、基板４１１
裏面側より光を照射する形態ではないため、第２図（Ａ
）の如き入射窓は有していない。

以上のような例に係るラインセンサは、光センサ部、電
荷蓄積部、転送用スイッチ、放電用スイッチ、マトリク
ス配線部の各構成部のすべてが光導電性半導体層と絶縁
層の積層構造を有するので、各部を同一プロセスにより
同時形成することかできる。

第６図は第２図（Ａ）〜（Ｃ）または第５図に示した画
像読取装置の等価回路を示す。

同図において、５１．Ｓ２．・・・、ＳＮ（以下、ＳＹ
Ｉ　と記す）は光センサ部２０８をまたは４０８を示す
光センサである。ＣＩ、Ｃ２，・・・、ＣＮ（以下、Ｃ
ＹＩと記す）は電荷蓄積部２１２または４１２を示す蓄
積コンデンサであり、光センサＳＹＩの光電流を蓄積す
る。ＳＴＩ、ＳＴ２゜・・・、５ＴＮ（以下、５ＴＹＩ
と記す）は蓄積コンデンサＣＹＩの電荷を負荷コンデン
サＣＸＩ　　（負荷コンデンサ２２３または４２３に対
応）に巾云送するためのφ云ｊ′Ａ用スイッチ（転送用
スイッチ２１３ａまたは４１３ａに対応）　、　ＳＲＩ
、ＳＲ２，・・・、５ＲＮ（以下、５ＲＹＩと記す）は
蓄積コンデンサＣＹＩの電荷をリセットする放電用スイ
ッチ（放電用スイッチ２１３ｂに対応）である。

これらの光センサＳｌ＋蓄積コンデンサＣＹＩ、転送用
スイッチ５ＴＹＩおよび放電用スイッチ５ＲＹＩはそれ
ぞれ一列にアレイ状に配置され、Ｎ個で１ブロツクを構
成し、画像読取装置は全体としてＭ個のブロックに分け
られている。例えは、センサが１７２８個で構成されて
いるとすれば、Ｎ＝３２．　Ｍ＝５４とすることかＹｌ
できる。アレイ状に設けられた転送用スイッチＳＴＹ　
１　、放電用スイッチ５ＲａＹ１のケート電極はマトリ
クス配線部２１０に接続される。転送用スイッチＳＴ、
のゲート電極は他の１番目のブロック内での同順位の転
送用スイッチのケート電極とそれぞれ共通に接続され、
放電用スイッチＳＲ。

のゲート電極は各ブロック内の次の順位の転送用スイッ
チのゲート電極に循環して接続される。

マトリクス配線部２１０または４１０の共通線（ケ−ト
駆動線Ｇｌ、Ｇ２．・・・、　ＧＮ）はゲート駆動部２
４６によりドライブされる。−力信号出力は引出し線２
１４または４１４（信号出力線Ｄｉ、Ｄ２．・・・、　
ＤＭ）を介して信号処理部２４７に接続される。

また、光センサ５１．・・・、ＳＮ、・・・ＳＮＸＭの
ゲート電極（遮光層２０２または補助電極４０２）は、
各ブロック毎に、すなわち、ＳＹＩ　、・・・、　ＳＹ
Ｍのブロック毎に駆動部２５０に接続されて、適切な値
のバイアスＶＳＧＩ　、・・・、ＶＳＧＭが印加され、
分布のない光電流が得られるようにする。なお、このよ
うにブロック毎に異なったバイアス電圧Ｖｓｇを発生す
る手段としては、各ブロック毎にボリウム等を設けた可
変電源を配設して装置製造時にそれらを調整するように
してもよく、あるいは、可変ゲインアンプを配設すると
ともに装置の制御を司どる６２口や記憶部を有した制御
部により、装置のイニシャライズ時に記憶部に記憶され
た調整値を読み出してアンプを調整するようにしてもよ
い。

かかる構成において、ゲート駆動線Ｇｌ、Ｇ２．・・・
。

ＧＮにはゲート駆動部２４６から順次選択パルス（ＶＧ
Ｉ、ＶＯ２，ＶＯ２，−、νＧＮ）が供給される。まず
、ゲート駆動線Ｇ１が選択されると、転送用スイッチＳ
ＴＩがＯＮ状態となり、蓄積コンデンサＣ１に蓄積され
た電荷が負荷コンデンサＣＸＩに転送される。次にゲー
ト駆動線Ｇ２が選択されると、転送用スイッチＳＴ２が
ＯＮ状態となり、蓄積コンデンサＣ２に蓄積された電荷
が負荷コンデンサＣＸＩに転送され、同時に放電用スイ
ッチＳＲＩにより蓄積コンデンサＣ１の電荷がリセット
される。以下同様にして、Ｇ３．Ｇ４．・・・、ＧＮに
ついても選択されて読み取り動作が行われる。これらの
動作は各ブロックごとに行われ、各ブロックの信号出力
ＶＸＩ、ＶＸ２．・・・、ＶＸＭは信号処理部２４７の
人力Ｄｉ、Ｄ２．・・・、ＤＭに送られ、シリアル信号
に変換されて出力される。

第７図はバイアス電圧Ｖｓｇに対する光電流１ｐおよび
センサの光量依存性（直線性）を表わすγ値（γ＝１が
理想）の特性であり、光センサのドレイン側電極１１７
（第１図）　、２１７（第２図）　、３１７（第４図）
および４１７（第５図）に印加する電圧Ｖｇを変化させ
て行った実験結果を示す。なお、この実験に用いる半導
体層の厚みは４０００人であった。

ここで、光電流Ｉｐがバイアス電圧Ｖｓｇに応じて変化
するのは、バイアス電圧ＶｓｇＯ値によって半導体層１
４に形成される空乏層が変化するためである。

この図から明らかなように、ライン状に配列された光セ
ンサに対しそのゲート電極１１２（第１図）、２０２（
第２図）　、　３１２（第４図）および４０２（第５図
）に印加する電圧Ｖｓｇを適切に定めれば、均一の照射
光量や反射光量等条件に対して、直線性を損うことなく
均一な光電流を得ることができるようになる。

第８図は一次元ラインセンサを１４のブロックに分割し
、各ブロック毎にバイアス電圧Ｖｓｇを調整した場合（
破線）と非調整の場合（実線）とにおける光電流１ｐを
測定した結果を示したものである。実験は均一な表面状
態の原稿の幅方向に均一な光量の光を照射することによ
り均一の反射光がセンサに入射されるようにして行った
。

この図から明らかなように、バイアス電圧Ｖｓｇの調整
時では、非調整時に比べて遥かに分布が平滑化されてい
ることがわかる。すなわち、Ｖｓｇの調整をセンサの配
列方向に適切に行えば、同一条件に対して同一の値の光
電流が得られることとなり、従って従来の如き高価な読
取り信号の補正回路を信号処理部２４７に付加すること
が全く不要となるか、少なくとも簡単で廉価に構成でき
る補正回路を付加すれば足りることになる。

なお、本発明を適用可能な画像読取装置は上述の各実施
例にのみ限られるものではない。例えば、次のようなも
のであってもよい。

第９図は、光センサ部と電荷蓄積部とスイッチ部とが一
体に形成され、レンズを有さない形態の画像読取装置の
他の実施例を示す。ここで、第２図と同様に構成できる
部分については対応箇所に同一符号を付しである。図に
おいて、２３０は出力信号マトリクスである。

第１０図は画像読取装置の等価回路を示す。

同図において、Ｓ＋、　Ｉ＋Ｓ１．２＋”・＋Ｓ１．Ｎ
（以下、ｓ設配す）は光センサ部２０８を示す光センサ
である。

ｃ、、　ｌ　、ｃ、、　２．・・・、Ｃ１，Ｎ　（以下
、ＣＩと記す）は電荷蓄積部２１２を示す蓄積コンデン
サであり、光センサＳｌの光電流を蓄積する。ＳＴＹ、
　ｒ　１ＳＴｌ−２＋・・・ＳＴＹ、　Ｈ（以下、ＳＴ
、と記す）は蓄積コンデンサＣＩの電荷を負荷コンデン
サＣＸ、、・・・、　ＣＸ、（蓄積コンデンサ２２３　
に対応）に転送するための転送用スイッチ（転送用スイ
ッチ２１３ａに対応）　、ＳＲ＋、　＋　、　ＳＲ＋、
２ｓ・・。

ｓｎ、、、　　（以下、ＳＲ，と記す）は蓄積コンデン
サＣ。

の電荷をリセットする放電用スイッチ（放電用スイッチ
２１３ｂに対応）である。

これらの光センサＳｌ、蓄積コンデンサＣＩ、転送用ス
イッチＳＴＩおよび放電用スイッチ５ｉｌｌはそれぞれ
一列にアレイ状に配置され、Ｎ個で１ブロツクを構成し
、画像読取装置は全体としてＭ個のブロックに分けられ
ている。例えば、センサが１７２８個で構成されている
とすれば、Ｎ＝３２．　Ｍ＝５４とすることができる。

アレイ状に設けられた転送用スイッチ５ＴＹＩ　、放電
用スイッチ５ＲＹＩのゲート電極はマトリクス配線部２
１０に接続される。転送用スイッチＳＴ、のゲート電極
はｉ番目のブロック内で共通に接続され、放電用スイッ
チＳＲ，のゲート電極もブロック毎に接続され、次の順
位のブロックの転送用スイッチのゲート駆動線のゲート
電極と共通に接続されている。

ゲート配線部２１０の共通線（ゲート駆動線Ｇｌ。

Ｇ２．・・・、ＧＮ）はゲート駆動部２４６　によりド
ライブされる。一方信号出力はマトリクス構成になって
いる引出し線２３０（信号出力線ＤＩ、Ｄ２．・・・、
ＤＮ）を介して信号処理部２４７に接続される。

また、光センサｓ、、　１．５＋、　２．・・・ｊｌ、
　ＮｒＳ２．　ｌ＋　　＊九、Ｎのゲート電極（遮光層
２０２）は、各ブロック毎に、すなわち、Ｓ、１．・・
・、Ｓｌ、のブロック毎に駆動部２５０に接続されて、
適切な値のバイアスＶＳＧＩ、・・・、ＶＳＧＭが印加
され、分布のない光電流が得られるようにする。なお、
このようなブロック毎に異なったバイアス電圧Ｖｓｇを
発生する手段としては、各ブロック毎にボリウム等を設
けた可変電源を配設して装置製造時にそれらを調整する
ようにしてもよく、あるいは、可変ゲインアンプを配設
するとともに装置の制御を司どるＣＰＵや記憶部を有し
た制御部により、装置のイニシャライズ時に北上〇部に
記憶された調整値を読み出してアンプを調整するように
してもよい。

かかる構成において、ゲート駆動線Ｇｌ、Ｇ２゜・・・
、ＧＮにはゲート駆動部２４６から順次選択パルス（Ｖ
ＧＩ、ＶＯ２，ＶＯ２，・、ＶＧＮ）が供給される。ま
ず、ゲート駆動線Ｇｌが選択されると、転送用スイッチ
ＳＴＩがＯＮ状態となり、蓄積コンデンサＣＩに蓄積さ
れた電荷が負荷コンデンサＣＸＩ〜ＣＸＮに転送される
。次にゲート駆動線Ｇ２が選択されると、転送用スイッ
チＳＴ２がＯＮ状態となり、蓄積コンデンサｃ２に蓄積
された電荷が負荷コンデンサＣＸＩ〜ＣＸＨに転送され
、同時に放電用スイッチＳＲＩ　により蓄積コンデンサ
ＣＩの電荷がリセットされる。以下同様にして、Ｇ３．
Ｇ４．・・・、ＧＮについても選択されて読み取り動作
か行われる。これらの動作は各ブロックごとに行われ、
各ブロックの信号出力ＶＸＩ。

ＶＸ２　、　・、　ＶＸＮは信号処理部２４７ノ人力Ｄ
１，０２．−、ＯＮに送られ、シリアル信号に変換され
て出力される。

本例によっても、上記実施例と同様の効果が得られる。

なお、上述の各側ではセンサ群をブロックに分割すると
ともにバイアス電圧Ｖｓｇの調整を各ブロック毎に行う
ようにしたが、ブロック分けの有無あるいは分割時のブ
ロック数は任意所望に定めることができるのは勿麺であ
る。

配置したスタガー型の画像読取装置について述べたが、
第１１図に示すように、半導体層１４の同じ側に八に等
の主電極＋１［ｉ　、　１１７と遮光層］１２とを配置
する構成にしても同様の効果が得られる。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれは、光センサの出力
を簡単に調整できるようにしたので、−次元ラインセン
サを具えた画像読取装置において分布が改善された出力
を得ることができ、従って従来の如き高価な補正回路は
全く必要となるか、少なくともそれが廉価なものであっ
ても足りることとなり、以て画像読取装置ひいてはこれ
を適用する８５器の低廉化を達成できることになる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ、本発明の一実
施例に係る画像読取装置の側断面図、およびそのセンサ
部の上面図、 第２面目）　、　（Ｂ）および（Ｃ）は、それぞれ、第
１図（Ａ）および（Ｂ）　に示した、光センサ部と電荷
蓄積部とスイッチ部等とを一体に形成した形態の画像読
取装置の一実施例を示す平面図、そのＢ−Ｂ線断面図、
およびＣ−Ｃ線断面図、 第３図は、本発明の他の実施例に係る画像読取装置の側
面図、 第４図は第３図示の装置における光センサの構成例を示
す側断面図、 第５図は第４図示の光センサ部と電荷蓄積部とスイッチ
部等とを一体に形成した形態の画像読取装置の一実施例
を示す断面図、 第６図は第２図（Ａ）〜（Ｃ）および第５図に示した画
像読取装置の等価回路を示す回路図、第７図は光センサ
部のゲート駆動部に印加するバイアス電圧変化に対する
諸特性を説明するための線図、 第８図は本発明に係る画像読取装置の作用効果を説明す
るための線図、 第９図は本発明のさらに他の実施例を示す平面図、 第１０図は第９図示の装置の等価回路を示す回路図、 第１１図は本発明を適用可能な画像読取装置の更に他の
実施例を示ず側断面図である。 １１．２０１・・・透明基板、 １３．２０３・・・絶縁層、 １４・・・半導体層、 １９．２１９・・・入射窓、 ２０・・・保護層、 １０８．２０８，３０８，４０８・・・光センサ部、１
１２・・・遮光板、 １１６．１１７，２１６，２１７，３１６，３１７．”
１１６，４１７，３１２　。 ４０２・・・電極（配線）、 ２１２．４１２・・・電荷蓄積部、 ２１３．４１３・・・スイッチ部、 ２１３ａ、４１３ａ・・・転送用スイッチ部、２１３ｂ
、４１３ｂ・・・放電用スイッチ部、２４６・・・ゲー
ト駆動部、 ２４７・・・信号処理部、 ２５０・・・駆動部。 第１図 第１図 第２　図 第３図 第４図 ０　■１Ｉ１１０■ Δ　ＶｏＬ＝５Ｖ 第７図 第８図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）導電層と、該導電層上に配置された絶縁層と、該絶
   縁層上に配置された半導体層と、該半導体層に接して離
   隔して配置された一対の上部電極とを有する光センサを
   基板上に配列した画像読取装置において、 前記光センサの配列位置に応じて異なったバイアス電圧
   を前記導電層に印加する駆動手段を具えたことを特徴と
   する画像読取装置。 ２）特許請求の範囲第１項記載の画像読取装置において
   、前記光センサは前記基板上に原稿幅方向に対応させて
   直線状に配列されていることを特徴とする画像読取装置
   。 ３）特許請求の範囲第１項または第２項記載の画像読取
   装置において、前記光センサは前記原稿の全幅に対応し
   て配列されていることを特徴とする画像読取装置。 ４）特許請求の範囲第１項ないし第３項記載の画像読取
   装置において、前記直線状に配列されている光センサを
   、所定個数毎にブロック分けし、前記駆動手段はブロッ
   ク毎に前記異なったバイアス電圧を印加することを特徴
   とする画像読取装置。 ５）特許請求の範囲第１項ないし第４項記載の画像読取
   装置において、前記基板を透明部材で形成し、前記導電
   層を遮光性の部材で形成し、前記光センサは該透明部材
   の裏面側より原稿面に照射された光の反射光を前記一対
   の上部電極間に露出した前記半導体層の部分においての
   み受容することを特徴とする画像読取装置。