JPS6388873A - 半導体装置のパツケ−ジ - Google Patents
半導体装置のパツケ−ジInfo
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- JPS6388873A JPS6388873A JP61233957A JP23395786A JPS6388873A JP S6388873 A JPS6388873 A JP S6388873A JP 61233957 A JP61233957 A JP 61233957A JP 23395786 A JP23395786 A JP 23395786A JP S6388873 A JPS6388873 A JP S6388873A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 22
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は半導体装置のパッケージに関し、さらに詳細
にいえば、光通信用の送信器、受信器に使用される光デ
バイス、および半導体集積回路等を搭載するためのパッ
ケージに関する。
にいえば、光通信用の送信器、受信器に使用される光デ
バイス、および半導体集積回路等を搭載するためのパッ
ケージに関する。
〈従来の技術〉
データ通信の分野においては、データ伝送量の増加に対
処することができ、しかもノイズの影響を受けにくいと
いう特性に着目して、光を使用してデータ伝送を行なう
、いわゆる光通信が実用化されつつある。
処することができ、しかもノイズの影響を受けにくいと
いう特性に着目して、光を使用してデータ伝送を行なう
、いわゆる光通信が実用化されつつある。
そして、光通信においては、光信号伝送路として光ファ
イバが使用されるとともに、光ファイバを通して伝送さ
れてきた光信号を電気信号に変換するための受光デバイ
ス、および光ファイバに対して光信号を供給するための
発光デバイスが使用され、しかも、上記受光デバイス、
および発光デバイスとの間において電気信号の授受を行
なうとともに、必要な処理を行なうための半導体集積回
路が使用されている。
イバが使用されるとともに、光ファイバを通して伝送さ
れてきた光信号を電気信号に変換するための受光デバイ
ス、および光ファイバに対して光信号を供給するための
発光デバイスが使用され、しかも、上記受光デバイス、
および発光デバイスとの間において電気信号の授受を行
なうとともに、必要な処理を行なうための半導体集積回
路が使用されている。
第４図は従来装置の概略構成を示す斜視図であり、ケー
シング（２１）の内部に、発光デバイス、受光デバイス
としての光デバイス（２２）が取付けられているととも
に、光デバイス（２２）に対して電気的に接続された半
導体集積回路（２３）が取付けられており、しかも、」
１記ケーシング（２１）の側壁を貫通する状態で、一端
が」二記光デバイス（２２）と光結合された光ファイバ
（２４）が取付けられている。また、」１記ケーシング
（２１）の側壁を貫通する状態で、上記半導体集積回路
（２３）と図示しない外部機器との間における電気信号
の授受を行なわせるためのケーブル（２５）が取付けら
れている。
シング（２１）の内部に、発光デバイス、受光デバイス
としての光デバイス（２２）が取付けられているととも
に、光デバイス（２２）に対して電気的に接続された半
導体集積回路（２３）が取付けられており、しかも、」
１記ケーシング（２１）の側壁を貫通する状態で、一端
が」二記光デバイス（２２）と光結合された光ファイバ
（２４）が取付けられている。また、」１記ケーシング
（２１）の側壁を貫通する状態で、上記半導体集積回路
（２３）と図示しない外部機器との間における電気信号
の授受を行なわせるためのケーブル（２５）が取付けら
れている。
そして、このような構成を採用することにより、先ファ
イバ（２４）を通して伝送されてきた光信号を光デバイ
ス（２２）に供給して電気信号に変換し、変換された電
気信号を半導体集積回路（２３）に供給することにより
、復調処理等を行ない、ケーブル（２５）を通して図示
しない外部機器に供給することができる。
イバ（２４）を通して伝送されてきた光信号を光デバイ
ス（２２）に供給して電気信号に変換し、変換された電
気信号を半導体集積回路（２３）に供給することにより
、復調処理等を行ない、ケーブル（２５）を通して図示
しない外部機器に供給することができる。
また、ケーブル（２５）を通して外部機器から供給され
た電気信号に対して半導体集積回路（２３）により変調
処理等を行ない、先デバイス（２２）に供給することに
より光信号に変換し、光ファイバ（２４）を通して送出
することかできる。
た電気信号に対して半導体集積回路（２３）により変調
処理等を行ない、先デバイス（２２）に供給することに
より光信号に変換し、光ファイバ（２４）を通して送出
することかできる。
〈発明が解決しようとする問題点〉
上記の構成の装置においては、ケーシング（２１）の内
部に、先デバイス（２２）、半導体集積回路（２３）、
および光ファイバ（２４）が互に別個に取付けられてい
るため、全体として小形化することが困難であるととも
に、特に光ファイバ（２４）と光デバイス（２２）との
位置合せが困難であるという問題がある。
部に、先デバイス（２２）、半導体集積回路（２３）、
および光ファイバ（２４）が互に別個に取付けられてい
るため、全体として小形化することが困難であるととも
に、特に光ファイバ（２４）と光デバイス（２２）との
位置合せが困難であるという問題がある。
さらに詳細に説明すると、上記光ファイバ（２４）は通
常コア部の直径が数岬程度であり、光デバイス（２２）
における発光部、受光部のサイズについても、光ファイ
バ（２４）と同程度であるから、互に別個に製造された
上記光デバイス（２２）と光ファイバ（２４）とについ
て物理的に高い位置合せ精度を確保することは非常に困
難であり、しかも、光デバイス（２２）、半導体集積回
路（２３）、および光ファイバ（２４）を確実に定位置
に保持するための部材が必要になる関係上、全体として
の小形化も非常に困難である。
常コア部の直径が数岬程度であり、光デバイス（２２）
における発光部、受光部のサイズについても、光ファイ
バ（２４）と同程度であるから、互に別個に製造された
上記光デバイス（２２）と光ファイバ（２４）とについ
て物理的に高い位置合せ精度を確保することは非常に困
難であり、しかも、光デバイス（２２）、半導体集積回
路（２３）、および光ファイバ（２４）を確実に定位置
に保持するための部材が必要になる関係上、全体として
の小形化も非常に困難である。
〈発明の目的〉
この発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、
全体として小形化することができき、しかも光デバイス
と光ファイバとの位置合せを簡単に、かつ高精度に行な
うことができる半導体装置のパッケージを提供すること
を目的としている。
全体として小形化することができき、しかも光デバイス
と光ファイバとの位置合せを簡単に、かつ高精度に行な
うことができる半導体装置のパッケージを提供すること
を目的としている。
く問題点を解決するための手段〉
」：記の目的を達成するための、この発明のパッケージ
は、基板上に透明膜が形成され、透明膜の所定位置に、
光デバイス、および半導体集積回路を位置決めする位置
決め部が形成されてあるとともに、光デバイス用の位置
決め部に対応させて上記基板のみを貫通するビアホール
が形成されである。
は、基板上に透明膜が形成され、透明膜の所定位置に、
光デバイス、および半導体集積回路を位置決めする位置
決め部が形成されてあるとともに、光デバイス用の位置
決め部に対応させて上記基板のみを貫通するビアホール
が形成されである。
但し、上記位置決め部としては、他の部分よりも凹入形
成されているものであってもよく、或はマーキングから
なるものでありてもよい。
成されているものであってもよく、或はマーキングから
なるものでありてもよい。
また、上記基板がＳｉからなるものであり、透明膜がＳ
ｌの熱酸化膜からなるものであることが好ま１．い。
ｌの熱酸化膜からなるものであることが好ま１．い。
く作用〉
以上の構成の半導体装置のパッケージであれば、基板」
二に透明膜が形成され、透明膜の所定位置に、光デバイ
ス、および半導体集積回路を位置決めする位置決め部が
形成されてあるとともに、光デバイス用の位置決め部に
対応させて上記基板のみを貫通するビアホールが形成さ
れであるので、上記位置決め部に光デバイス、および半
導体集積回路を装着するとともに、先端部をビアホール
に挿通した状態で光ファイバを装着することにより、各
部の相対位置関係を正確に保持させた状態でコンパクト
な光送信器、光受信器を構成することができる。
二に透明膜が形成され、透明膜の所定位置に、光デバイ
ス、および半導体集積回路を位置決めする位置決め部が
形成されてあるとともに、光デバイス用の位置決め部に
対応させて上記基板のみを貫通するビアホールが形成さ
れであるので、上記位置決め部に光デバイス、および半
導体集積回路を装着するとともに、先端部をビアホール
に挿通した状態で光ファイバを装着することにより、各
部の相対位置関係を正確に保持させた状態でコンパクト
な光送信器、光受信器を構成することができる。
また、上記位置決め部が、凹所であっても、或はマーキ
ングでありでも、上記と同様の作用を行なわせることが
できる。
ングでありでも、上記と同様の作用を行なわせることが
できる。
さらに、上記基板がＳｔからなるものであり、しかも透
明膜がＳｉの熱酸化膜からなるものである場合には、光
デバイス、および半導体集積回路からの放熱を、透明膜
、および基板を通して効果的に行なわせることができる
。
明膜がＳｉの熱酸化膜からなるものである場合には、光
デバイス、および半導体集積回路からの放熱を、透明膜
、および基板を通して効果的に行なわせることができる
。
〈実施例〉
以下、実施例を示す添付図面によって詳細に説明する。
第１図はこの発明のパッケージの一実施例を示す斜視図
、第２図は側面図であり、８１基板（１）の」−面に所
定厚みのＳｉ熱酸化膜（１′）が形成され、Ｓｉ熱酸化
膜（１′）の表面所定位置に方形のマーキング（２）が
形成されている。そして、上記マーキング（２）に対応
させて、上記Ｓｔ基板（１）を上下方向に貫通するビア
ホール１３）が形成されている。そして、上記半導体集
積回路搭載位置を包囲する状態でＳｌ熱酸化膜（１′）
の表面に導体パッド［４］、およびウェーブガイド（５
）等が形成されている。但し、上記ＳｉＯ熱酸化膜（＋
’Ｈ１］の表面には、必要に応じてＭＩＭコンデンザ、
ダイオード等を予め形成しておくこともできる。また、
上記ビアホール（３）の形成は、ＳｌとＳｉ熱酸化膜（
Ｓ１０２）の選択エツチング（具体的には、ＣＨＦ３ガ
スを用いるドライエツチング、ヒドラジンを用いるウニ
・ソトエッチング）により行なわれる。
、第２図は側面図であり、８１基板（１）の」−面に所
定厚みのＳｉ熱酸化膜（１′）が形成され、Ｓｉ熱酸化
膜（１′）の表面所定位置に方形のマーキング（２）が
形成されている。そして、上記マーキング（２）に対応
させて、上記Ｓｔ基板（１）を上下方向に貫通するビア
ホール１３）が形成されている。そして、上記半導体集
積回路搭載位置を包囲する状態でＳｌ熱酸化膜（１′）
の表面に導体パッド［４］、およびウェーブガイド（５
）等が形成されている。但し、上記ＳｉＯ熱酸化膜（＋
’Ｈ１］の表面には、必要に応じてＭＩＭコンデンザ、
ダイオード等を予め形成しておくこともできる。また、
上記ビアホール（３）の形成は、ＳｌとＳｉ熱酸化膜（
Ｓ１０２）の選択エツチング（具体的には、ＣＨＦ３ガ
スを用いるドライエツチング、ヒドラジンを用いるウニ
・ソトエッチング）により行なわれる。
第３図は、上記のようにして製造されたパッケージに光
デバイス（６）、半導体集積回路口、および光ファイバ
（８）を装着しまた状態を示す斜視図であり、上記マー
キング（２］に、光デバイス（６）、および半導体集積
回路（刀を装着しくこの場合における光デバイス（６）
、および半導体集積回路口の固定は、従来公知の方法に
より行なうことができる）、」１記ビアホール］３）に
光ファイバ（８）を装着している。そして、」１記光デ
バイス［６］、半導体集積回路（７）との間、および半
導体集積回路（刀とＳｉ熱酸化膜（１′）の表面に形成
された導体パッド（４）との間をリード線（９）により
接続している。尚、必要に応じて光デバイス（６）とＳ
ｉ熱酸化膜（１′）の表面に形成された導体パッド（４
）との間もリード線により接続する。
デバイス（６）、半導体集積回路口、および光ファイバ
（８）を装着しまた状態を示す斜視図であり、上記マー
キング（２］に、光デバイス（６）、および半導体集積
回路（刀を装着しくこの場合における光デバイス（６）
、および半導体集積回路口の固定は、従来公知の方法に
より行なうことができる）、」１記ビアホール］３）に
光ファイバ（８）を装着している。そして、」１記光デ
バイス［６］、半導体集積回路（７）との間、および半
導体集積回路（刀とＳｉ熱酸化膜（１′）の表面に形成
された導体パッド（４）との間をリード線（９）により
接続している。尚、必要に応じて光デバイス（６）とＳ
ｉ熱酸化膜（１′）の表面に形成された導体パッド（４
）との間もリード線により接続する。
上記の構成においては、Ｓｊ基板（１）に対してフォト
リソグラフィにより高精度の位置決めを行なった状態で
マーキング［２］、およびビアホール（３）を形成する
ことができるので、上記マーキング［２］に対応する位
置に装着するのみで光デバイス〔６）、および半導体集
積回路口の位置決めを正確に行なうことができ、しかも
光ファイバ（８）についても、ビアホール（３］に挿通
するのみで光デバイス（６］に対する位置決めを正確に
行なうことができる。
リソグラフィにより高精度の位置決めを行なった状態で
マーキング［２］、およびビアホール（３）を形成する
ことができるので、上記マーキング［２］に対応する位
置に装着するのみで光デバイス〔６）、および半導体集
積回路口の位置決めを正確に行なうことができ、しかも
光ファイバ（８）についても、ビアホール（３］に挿通
するのみで光デバイス（６］に対する位置決めを正確に
行なうことができる。
したがって、光デバイス（６）と光ファイバ（８）との
間の光結合を良好にすることができ、良好な光データの
送出、或は光データの受信を行なわせることができる。
間の光結合を良好にすることができ、良好な光データの
送出、或は光データの受信を行なわせることができる。
また、光データの送出、或は光データの受信を行なって
いる間において、光デバイス（６）、および半導体集積
回路〔刀からかなりの熱が発生するのであるが、Ｓｔ基
板（１）、およびＳｉ熱酸化膜（１′）は、それ自体熱
伝導率が高いのであるから、良好な放熱を行なわせるこ
とができる。
いる間において、光デバイス（６）、および半導体集積
回路〔刀からかなりの熱が発生するのであるが、Ｓｔ基
板（１）、およびＳｉ熱酸化膜（１′）は、それ自体熱
伝導率が高いのであるから、良好な放熱を行なわせるこ
とができる。
尚、この発明は上記の実施例に限定されるものではなく
、例えばＳｉ以外の材質からなる基板を使用することが
可能である他、マーキング（２）をＳｔ基板の表面に形
成すること、マーキング〔２）に代えてフォトリソグラ
フィにより形成された凹所を使用することも可能であり
、その他この発明の要旨を変更しない範囲内において、
種々の設計変更を施すことが可能である。
、例えばＳｉ以外の材質からなる基板を使用することが
可能である他、マーキング（２）をＳｔ基板の表面に形
成すること、マーキング〔２）に代えてフォトリソグラ
フィにより形成された凹所を使用することも可能であり
、その他この発明の要旨を変更しない範囲内において、
種々の設計変更を施すことが可能である。
〈発明の効果〉
以上のようにこの発明は、１枚の基板」二に透明膜を形
成するとともに、光デバイス、半導体集積回路を搭載す
る位置を示す位置決め部を形成し、しかも、光ファイバ
を挿通するビアホールを上記位置決め部に対応させて形
成しているので、各構成要素の位置決めを正確に行なう
ことができるとともに、全体として小型化することがで
きるという特有の効果を奏する。
成するとともに、光デバイス、半導体集積回路を搭載す
る位置を示す位置決め部を形成し、しかも、光ファイバ
を挿通するビアホールを上記位置決め部に対応させて形
成しているので、各構成要素の位置決めを正確に行なう
ことができるとともに、全体として小型化することがで
きるという特有の効果を奏する。
第１図はこの発明のパッケージの一実施例を示す斜視図
、 第２図は側面図、 第３図は各構成要素を搭載した状態を示す図、第４図は
従来例を示す概略斜視図。 ［１）−５ｉ基板、（１’） ・Ｓ ｉ熱酸化膜、（２
）・・・マーキング、（３）・・・ビアホール、（６）
・・・光デバイス、（７）・・・半導体集積回路、（８
）・・・光ファイバ 特許出願人 住友電気工業株式会社 第１図 第４図
、 第２図は側面図、 第３図は各構成要素を搭載した状態を示す図、第４図は
従来例を示す概略斜視図。 ［１）−５ｉ基板、（１’） ・Ｓ ｉ熱酸化膜、（２
）・・・マーキング、（３）・・・ビアホール、（６）
・・・光デバイス、（７）・・・半導体集積回路、（８
）・・・光ファイバ 特許出願人 住友電気工業株式会社 第１図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に透明膜が形成され、透明膜の 所定位置に、光デバイス、および半導体 集積回路を位置決めする位置決め部が形 成されてあるとともに、光デバイス用の 位置決め部に対応させて上記基板のみを 貫通するビアホールが形成されてあるこ とを特徴とする半導体装置のパッケージ。 ２、位置決め部が、他の部分よりも凹入形 成されている上記特許請求の範囲第１項 記載の半導体装置のパッケージ。 ３、位置決め部がマーキングで構成されて いる上記特許請求の範囲第１項記載の半 導体装置のパッケージ。 ４、基板がＳｉからなるものであり、透明 膜がＳｉの熱酸化膜からなるものである 上記特許請求の範囲第１項記載の半導体 装置のパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61233957A JPS6388873A (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 半導体装置のパツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61233957A JPS6388873A (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 半導体装置のパツケ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6388873A true JPS6388873A (ja) | 1988-04-19 |
Family
ID=16963275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61233957A Pending JPS6388873A (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 半導体装置のパツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6388873A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5233208A (en) * | 1990-03-23 | 1993-08-03 | U.S. Philips Corp. | Photocoupler surrounded by transparent and reflective resins in a preformed pin housing |
| WO2012043187A1 (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | オリンパス株式会社 | 光電気変換コネクタ、光伝送モジュール、撮像装置および内視鏡 |
| CN104201191A (zh) * | 2014-08-28 | 2014-12-10 | 上海和辉光电有限公司 | Amoled结构及其制作方法 |
-
1986
- 1986-10-01 JP JP61233957A patent/JPS6388873A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5233208A (en) * | 1990-03-23 | 1993-08-03 | U.S. Philips Corp. | Photocoupler surrounded by transparent and reflective resins in a preformed pin housing |
| WO2012043187A1 (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | オリンパス株式会社 | 光電気変換コネクタ、光伝送モジュール、撮像装置および内視鏡 |
| JP2012079851A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Olympus Corp | 光電気変換コネクタ、光伝送モジュール、撮像装置および内視鏡 |
| US9261662B2 (en) | 2010-09-30 | 2016-02-16 | Olympus Corporation | Photoelectric conversion connector, optical transmission module, imaging apparatus, and endoscope |
| CN104201191A (zh) * | 2014-08-28 | 2014-12-10 | 上海和辉光电有限公司 | Amoled结构及其制作方法 |
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