JPS6386484A - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
光半導体装置の製造方法Info
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- JPS6386484A JPS6386484A JP61229791A JP22979186A JPS6386484A JP S6386484 A JPS6386484 A JP S6386484A JP 61229791 A JP61229791 A JP 61229791A JP 22979186 A JP22979186 A JP 22979186A JP S6386484 A JPS6386484 A JP S6386484A
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- encapsulating resin
- resin
- sealing resin
- stem base
- heating
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明は光学導体装置の製造方法にかかり。
可視光域、赤外光域用発光素子や受光素子等の表示用光
源、センサに用いられるＬＥＤの製造方法に適用される
。
源、センサに用いられるＬＥＤの製造方法に適用される
。
（従来の技術）
光学導体装置で樹脂封止型のＬＥＤの従来の製造方法に
ついて、要部の工程を第３図と第４図に示す、第３図は
ステムによって形成されるＬＥＤの製造工程の要部を示
し、ステム基台１０１の上面１０１ａにＬＥＩ）ペレッ
ト１０２がマウントされボンディングワイヤ１０３で電
極導出が施されたマウント構体１０４を用意する１次に
、このマウント構体１０４におけるＬＥＤベレット１０
２とこれがマウントされているステム基台上面１０１ａ
に封止樹脂（透光樹脂）液を滴下し、図中破線で示され
る封止樹脂半球１０５に形成する（第３図ａ）０次に、
ステム基台１０１を倒立させ（第３図ｂ）、ついで、１
００〜１２５℃程度の加熱硬化（キユアリング）を施し
封止樹脂半球体１０５ａに形成する（第３図ｃ）。
ついて、要部の工程を第３図と第４図に示す、第３図は
ステムによって形成されるＬＥＤの製造工程の要部を示
し、ステム基台１０１の上面１０１ａにＬＥＩ）ペレッ
ト１０２がマウントされボンディングワイヤ１０３で電
極導出が施されたマウント構体１０４を用意する１次に
、このマウント構体１０４におけるＬＥＤベレット１０
２とこれがマウントされているステム基台上面１０１ａ
に封止樹脂（透光樹脂）液を滴下し、図中破線で示され
る封止樹脂半球１０５に形成する（第３図ａ）０次に、
ステム基台１０１を倒立させ（第３図ｂ）、ついで、１
００〜１２５℃程度の加熱硬化（キユアリング）を施し
封止樹脂半球体１０５ａに形成する（第３図ｃ）。
上記封止樹脂の硬化を施すための加熱によって封止樹脂
半球１０５は粘度が低下し、ステム基台１０１の側面に
這い上がり、第３図Ｃに示すように封止樹脂道上部１１
５を生ずる。
半球１０５は粘度が低下し、ステム基台１０１の側面に
這い上がり、第３図Ｃに示すように封止樹脂道上部１１
５を生ずる。
次に、第４図にリードフレームによって形成されるＬＥ
Ｄの製造工程の要部を示す、第４図ａはリードフレーム
のリード２０１．２１１の一方のり−ド２１１の先端に
設けられた凹部２２１の底にＬＥＤペレット２０２がマ
ウントされ、その一方の電極はボンディングワイヤ２０
３で他方のり−ド２０１の先端に接続されて形成された
マウント構体凪を示している。また、同図は上記マウン
ト構体の下方に封止樹脂２０５が充填されたケース型２
０６がマウント構体に対応して設けられている。上記リ
ードフレームには複数のマウント構体が等間隔、かつ並
列に形成されているから、これらに対応して設けられる
ケース型も同じ等間隔で並列に配置され同時に加工され
る（第４図ａ）。次に、マウント構体里を下降させ、封
止樹脂２０５内にリード２０２゜２１２の一部を浸す（
第４図ｂ）。ついで、１００〜１２５℃程度の加熱硬化
（キユアリング）を施し封止樹脂体２０５ａに形成し、
ケース型２０６を外し、ＬＥＤが得られる（第４図Ｃ）
。
Ｄの製造工程の要部を示す、第４図ａはリードフレーム
のリード２０１．２１１の一方のり−ド２１１の先端に
設けられた凹部２２１の底にＬＥＤペレット２０２がマ
ウントされ、その一方の電極はボンディングワイヤ２０
３で他方のり−ド２０１の先端に接続されて形成された
マウント構体凪を示している。また、同図は上記マウン
ト構体の下方に封止樹脂２０５が充填されたケース型２
０６がマウント構体に対応して設けられている。上記リ
ードフレームには複数のマウント構体が等間隔、かつ並
列に形成されているから、これらに対応して設けられる
ケース型も同じ等間隔で並列に配置され同時に加工され
る（第４図ａ）。次に、マウント構体里を下降させ、封
止樹脂２０５内にリード２０２゜２１２の一部を浸す（
第４図ｂ）。ついで、１００〜１２５℃程度の加熱硬化
（キユアリング）を施し封止樹脂体２０５ａに形成し、
ケース型２０６を外し、ＬＥＤが得られる（第４図Ｃ）
。
上記封止樹脂の硬化を施すための加熱によって封止樹脂
２０５は粘度が低下し、リード２０１．２１１の側端に
このリードフレームがプレス打抜き形成時に発生した抜
きパリを伝って這い上がり、第４図Ｃに示される封止樹
脂道上部２１５を生ずる。
２０５は粘度が低下し、リード２０１．２１１の側端に
このリードフレームがプレス打抜き形成時に発生した抜
きパリを伝って這い上がり、第４図Ｃに示される封止樹
脂道上部２１５を生ずる。
（発明が解決しようとする間麗点）
上記封止樹脂硬化により生ずる封止樹脂道上部は、ステ
ムによって形成されるＬＥＤにおいては白色樹脂でなる
ステム基台の側面に付着した場合、一般に封止樹脂はＬ
ＥＤペレットの発光色、例えば緑、赤に着色されている
ため顕著な外観不良となる。そして強固に付着するから
この除去には削るほかなく、手間がかかる上に削ったあ
とが残れば不良になる１次に、リードフレームによって
形成されるＬＥＤにおいては、リードに強固に付着する
ので、リード表面にはんだ層被着を施す際にはんだ不着
不良を生ずる。そこで削り取ることにより手間がかかる
とともに、リードの変形を生じ不良になる。
ムによって形成されるＬＥＤにおいては白色樹脂でなる
ステム基台の側面に付着した場合、一般に封止樹脂はＬ
ＥＤペレットの発光色、例えば緑、赤に着色されている
ため顕著な外観不良となる。そして強固に付着するから
この除去には削るほかなく、手間がかかる上に削ったあ
とが残れば不良になる１次に、リードフレームによって
形成されるＬＥＤにおいては、リードに強固に付着する
ので、リード表面にはんだ層被着を施す際にはんだ不着
不良を生ずる。そこで削り取ることにより手間がかかる
とともに、リードの変形を生じ不良になる。
この発明は上記問題点を解決するために改良されたＬＥ
Ｄの製造方法を提供する。
Ｄの製造方法を提供する。
（問題点を解決するための手段）
この発明にかかる光学導体装置の製造方法は、樹脂封止
型の光学導体装置の製造において、マウント構体に液状
の封止樹脂を付着させたのち、この封止樹脂の隣接域に
離型剤のコーティングを施し、ついで加熱を施して上記
封止樹脂を硬化させるものである。
型の光学導体装置の製造において、マウント構体に液状
の封止樹脂を付着させたのち、この封止樹脂の隣接域に
離型剤のコーティングを施し、ついで加熱を施して上記
封止樹脂を硬化させるものである。
（作 用）
この発明によれば封止樹脂を加熱することにより生ずる
この樹脂の這い上がりを防止でき、外観不良、リードの
はんだ付かす等の不良発生を防止し、かつ手間が省ける
。
この樹脂の這い上がりを防止でき、外観不良、リードの
はんだ付かす等の不良発生を防止し、かつ手間が省ける
。
（実施例）
以下、この発明にかかる樹脂封止型のＬＥＤの製造方法
の一実施例につき図面を参照して説明する。
の一実施例につき図面を参照して説明する。
なお、説明において従来と変わらない部分については従
来と同じ符号を付けて示し説明を省略し。
来と同じ符号を付けて示し説明を省略し。
従来との相違部のみ説明する。
第１図はステムによって形成される製造工程の要部を示
し、第１図ａおよび第１図すは職従来の製造工程の要部
を示す第３図ａおよび第３図すと変わらない、そして、
第１図すの状態に形成されたのち、第１図Ｃに示すよう
に、ステム基台１０１の周側面を離型剤層１１で被覆す
る。この被覆にはシリコーン系の離型剤を塗付、または
スプレする。
し、第１図ａおよび第１図すは職従来の製造工程の要部
を示す第３図ａおよび第３図すと変わらない、そして、
第１図すの状態に形成されたのち、第１図Ｃに示すよう
に、ステム基台１０１の周側面を離型剤層１１で被覆す
る。この被覆にはシリコーン系の離型剤を塗付、または
スプレする。
上記離型剤として発明者は広く検討を行なった結果、ハ
イ・リリース（商品名１株式会社ハイソールジャパン製
）が好適であった。しかも、この被覆は極めて薄層でよ
く、例えばスプレによる場合。
イ・リリース（商品名１株式会社ハイソールジャパン製
）が好適であった。しかも、この被覆は極めて薄層でよ
く、例えばスプレによる場合。
１〜２秒間でよく、シかも、取上の程度の加熱に対して
充分な効果が認められる上に洗浄除去を施することなく
、以下の工程を達成できる。
充分な効果が認められる上に洗浄除去を施することなく
、以下の工程を達成できる。
次に、リードフレームによって形成されるＬＥＤの製造
工程の要部を示す第２図において、第２図ａおよび第２
図すは、従来の製造工程の要部を示す第４図ａおよび第
４図すと変わらない、そして、第２図すの状態に形成さ
れたのち、第２図Ｃに示すように、封止樹脂２０５から
上方へ露出したリード２０１．２１１に対し両面に離型
剤層２１を被覆する。
工程の要部を示す第２図において、第２図ａおよび第２
図すは、従来の製造工程の要部を示す第４図ａおよび第
４図すと変わらない、そして、第２図すの状態に形成さ
れたのち、第２図Ｃに示すように、封止樹脂２０５から
上方へ露出したリード２０１．２１１に対し両面に離型
剤層２１を被覆する。
この被覆はすでに述べたステムにより形成されるＬＥＤ
の製造工程と同様に施される。また、この離型剤層は洗
浄除去することなくのちのはんだ付けを達成できる。
の製造工程と同様に施される。また、この離型剤層は洗
浄除去することなくのちのはんだ付けを達成できる。
この発明によれば樹脂封止型の半導体装置の製造方法に
おいて、封止樹脂の硬化のための加熱工程により、この
樹脂ず隣接部に這い上がるのが完全に防止でき、外観不
良や、はんだ不良の発生、−例の２５．５％を０％にで
き顕著に工程歩留を向上できる利点がある。また、この
発明は実施が簡単で、特別な装置の改変も要しない利点
もある。
おいて、封止樹脂の硬化のための加熱工程により、この
樹脂ず隣接部に這い上がるのが完全に防止でき、外観不
良や、はんだ不良の発生、−例の２５．５％を０％にで
き顕著に工程歩留を向上できる利点がある。また、この
発明は実施が簡単で、特別な装置の改変も要しない利点
もある。
第１図ａ ＝ ｄはこの発明にかかる一実施例の製造工
程を示すいずれも断面図、第２図ａ ” ｄはこの発明
にかかる別の実施例に製造工程を示すいずれも断面図、
第３図ａ−ｃは従来例の製造工程を示すいずれも断面図
、第４図ａ ＝ Ｑは別の従来例の製造工程を示すいず
れも断面図である。
程を示すいずれも断面図、第２図ａ ” ｄはこの発明
にかかる別の実施例に製造工程を示すいずれも断面図、
第３図ａ−ｃは従来例の製造工程を示すいずれも断面図
、第４図ａ ＝ Ｑは別の従来例の製造工程を示すいず
れも断面図である。
Claims (1)
- 樹脂封止形の光学導体装置の製造において、マウント構
体に液状の封止樹脂を付着させたのち、この封止樹脂の
隣接域に離型剤のコーティングを施し、ついで加熱を施
して上記封止樹脂を硬化させる光学導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61229791A JPS6386484A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61229791A JPS6386484A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6386484A true JPS6386484A (ja) | 1988-04-16 |
Family
ID=16897727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61229791A Pending JPS6386484A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6386484A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102683316A (zh) * | 2011-03-09 | 2012-09-19 | 斯坦雷电气株式会社 | 光半导体装置及其制造方法 |
| US8415695B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-04-09 | Switch Bulb Company, Inc. | Diffuser for LED light sources |
| US8439528B2 (en) | 2007-10-03 | 2013-05-14 | Switch Bulb Company, Inc. | Glass LED light bulbs |
| US8853921B2 (en) | 2006-05-02 | 2014-10-07 | Switch Bulb Company, Inc. | Heat removal design for LED bulbs |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP61229791A patent/JPS6386484A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8853921B2 (en) | 2006-05-02 | 2014-10-07 | Switch Bulb Company, Inc. | Heat removal design for LED bulbs |
| US8439528B2 (en) | 2007-10-03 | 2013-05-14 | Switch Bulb Company, Inc. | Glass LED light bulbs |
| US8415695B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-04-09 | Switch Bulb Company, Inc. | Diffuser for LED light sources |
| US8981405B2 (en) | 2007-10-24 | 2015-03-17 | Switch Bulb Company, Inc. | Diffuser for LED light sources |
| CN102683316A (zh) * | 2011-03-09 | 2012-09-19 | 斯坦雷电气株式会社 | 光半导体装置及其制造方法 |
| CN102683316B (zh) * | 2011-03-09 | 2016-06-08 | 斯坦雷电气株式会社 | 光半导体装置及其制造方法 |
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