JPS6386414A - 積層形セラミツクコンデンサ - Google Patents
積層形セラミツクコンデンサInfo
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- JPS6386414A JPS6386414A JP61229788A JP22978886A JPS6386414A JP S6386414 A JPS6386414 A JP S6386414A JP 61229788 A JP61229788 A JP 61229788A JP 22978886 A JP22978886 A JP 22978886A JP S6386414 A JPS6386414 A JP S6386414A
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、セラミックと外部電極とを同時に焼成した積
層形セラミックコンデンサに関する。
層形セラミックコンデンサに関する。
(従来の技術)
セラミックと外部電極とを同時に焼成して得られる従来
の積層形セラミックコンデンサは次のような製造手順に
従って作成される。
の積層形セラミックコンデンサは次のような製造手順に
従って作成される。
まず、複数枚の長尺な未焼成誘電体セラミックシートの
主面に旧、Cu等の導電粒子を含む導電ペーストを印劉
して複数個の内部電極用導電層を形成し、これ等のシー
トを1つ置きに長手方向にずらして重ねた後圧着し、ず
らしたシートの導電層が切断面に露出する位置と、ずら
さないシートの導Ti層が切断面に露出する位置とで切
断してコンデンサ素体としてのチップ片を作成する。次
いで、該チップ片の導電層が露出している端面とこれに
連なる周端縁部に、導電ペーストを塗布して外部電極用
導電層を形成した後、900〜1200℃の温度で還元
雰囲気中でセラミック素体の電極を同時に焼成する。こ
のようにして得られた積層形セラミックコンデンサの外
部電極は、該端面で内部電極と電気的に接続し、該端面
とこれに連なるコンデンサ素体の周端縁部に直に密着し
ている。
主面に旧、Cu等の導電粒子を含む導電ペーストを印劉
して複数個の内部電極用導電層を形成し、これ等のシー
トを1つ置きに長手方向にずらして重ねた後圧着し、ず
らしたシートの導電層が切断面に露出する位置と、ずら
さないシートの導Ti層が切断面に露出する位置とで切
断してコンデンサ素体としてのチップ片を作成する。次
いで、該チップ片の導電層が露出している端面とこれに
連なる周端縁部に、導電ペーストを塗布して外部電極用
導電層を形成した後、900〜1200℃の温度で還元
雰囲気中でセラミック素体の電極を同時に焼成する。こ
のようにして得られた積層形セラミックコンデンサの外
部電極は、該端面で内部電極と電気的に接続し、該端面
とこれに連なるコンデンサ素体の周端縁部に直に密着し
ている。
(発明が解決しようとする問題点)
上述のような製造手順により作成された第3図及び第4
図に図示の積層形セラミックコンデンサは、プリント基
板等に半田付は後の温度衝撃試験時等において、コンデ
ンサ素体の周端縁部に形成された外部電極aの周縁のセ
ラミックbにクラックCが入り絶縁抵抗値が103MΩ
以下になるものが生ずるという問題があった。尚、第4
図において、dは内部電極である。
図に図示の積層形セラミックコンデンサは、プリント基
板等に半田付は後の温度衝撃試験時等において、コンデ
ンサ素体の周端縁部に形成された外部電極aの周縁のセ
ラミックbにクラックCが入り絶縁抵抗値が103MΩ
以下になるものが生ずるという問題があった。尚、第4
図において、dは内部電極である。
本発明は、従来のこのような問題を解消することのでき
る積層形セラミックコンデンサを提出することをその目
的とするものである。
る積層形セラミックコンデンサを提出することをその目
的とするものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、上述の目的を達成するために、内部電極用導
電層が形成された未焼成セラミツクシートを複数枚積層
し圧着して成るコンデンサ素体の両端面及びそれに連な
る周端縁部に外部電極用導電層を形成した後焼成してな
る積層形セラミックコンデンサにおいて、該セラミック
素体の周端縁部と外部電極用導電層との間に上記セラミ
ックと同一組成のセラミックと導電性粒子とから成る中
間層が介在することを特徴とする。
電層が形成された未焼成セラミツクシートを複数枚積層
し圧着して成るコンデンサ素体の両端面及びそれに連な
る周端縁部に外部電極用導電層を形成した後焼成してな
る積層形セラミックコンデンサにおいて、該セラミック
素体の周端縁部と外部電極用導電層との間に上記セラミ
ックと同一組成のセラミックと導電性粒子とから成る中
間層が介在することを特徴とする。
(作 用)
未焼成のセ、ラミックの焼成に伴う収縮と、外部電極用
導電層の焼成に伴う収縮とが相違するため、焼成後にコ
ンデンサ素体の周端縁部に形成された外部電極の周縁に
おけるセラミックに歪が残る。しかしコンデンサ素体の
周端縁部と外部電極との間に、該セラミックと同一組成
のセラミックと導電製粒子とから成る中間層を介在させ
ると、該中間層の収縮mは、セラミックの収縮旦と外部
電極の収縮mとの中間であるので、セラミックに生ずる
歪は小さくなる。かくて本案コンデンサをプリント基板
等に半田付けした後の温度衝撃試験等において、外部電
極の周縁におけるセラミックにクラックが生じない。
導電層の焼成に伴う収縮とが相違するため、焼成後にコ
ンデンサ素体の周端縁部に形成された外部電極の周縁に
おけるセラミックに歪が残る。しかしコンデンサ素体の
周端縁部と外部電極との間に、該セラミックと同一組成
のセラミックと導電製粒子とから成る中間層を介在させ
ると、該中間層の収縮mは、セラミックの収縮旦と外部
電極の収縮mとの中間であるので、セラミックに生ずる
歪は小さくなる。かくて本案コンデンサをプリント基板
等に半田付けした後の温度衝撃試験等において、外部電
極の周縁におけるセラミックにクラックが生じない。
(実施例)
本発明の実施例を添付図面に付説明する。
実施例1
BaTtO3を主成分といる厚さ381LI11の未焼
成誘電体セラミックシートを複数枚を用意した。
成誘電体セラミックシートを複数枚を用意した。
また、純度99,9%の旧粉末100gと、エチルセル
ローズ15gと、ブチルカルピトール941Jとを混練
して作成した内部電極用導電ペーストと、純度99.9
%のNi粉末50gと該セラミックシートと同一組成の
未焼成セラミツク粉末50gとエチルセルローズ20g
とブチルカルピトール941Jとを混練して作成した中
間層用ペーストと、純度99.9%のNi粉末i oo
gとエチルセルローズ20(+とブチルカルピトール9
4CIとを混練して作成した外部電極用ペーストとを用
意した。
ローズ15gと、ブチルカルピトール941Jとを混練
して作成した内部電極用導電ペーストと、純度99.9
%のNi粉末50gと該セラミックシートと同一組成の
未焼成セラミツク粉末50gとエチルセルローズ20g
とブチルカルピトール941Jとを混練して作成した中
間層用ペーストと、純度99.9%のNi粉末i oo
gとエチルセルローズ20(+とブチルカルピトール9
4CIとを混練して作成した外部電極用ペーストとを用
意した。
上述の未焼成セラミツクシートと内部電極用導電ペース
トとを用いて、従来の方法に従って、未焼成のコンデン
サ素体を作成し、該コンデンサ素体に内在する内部電極
の1端が露出する端面に連なる周端縁部に中間層用ペー
ストを帯状に塗布し、150℃で乾燥した後、該中間層
上とコンデンサ素体の端面とに連続して外部電極用ペー
ストを塗布し、乾燥した後、N2を2%含むN2ガス雰
囲気中で1180℃で2時間焼成して積層形セラミック
コンデンサを作成した。これ等のコンデンサの外部電極
上に市販の無電解ニッケルメッキ浴によってニッケルメ
ッキ膜を形成した。
トとを用いて、従来の方法に従って、未焼成のコンデン
サ素体を作成し、該コンデンサ素体に内在する内部電極
の1端が露出する端面に連なる周端縁部に中間層用ペー
ストを帯状に塗布し、150℃で乾燥した後、該中間層
上とコンデンサ素体の端面とに連続して外部電極用ペー
ストを塗布し、乾燥した後、N2を2%含むN2ガス雰
囲気中で1180℃で2時間焼成して積層形セラミック
コンデンサを作成した。これ等のコンデンサの外部電極
上に市販の無電解ニッケルメッキ浴によってニッケルメ
ッキ膜を形成した。
第1図及び第2図は、本発明の1実施例の積層形セラミ
ックコンデンサを示す。
ックコンデンサを示す。
同図において、(1)は内部にセラミック層を介して積
層され交互に対向する端面に露出する内部電極(乃を有
するコンデンサ素体、〈3)は該端面に連なるコンデン
サ素体(1)の周端縁部に形成された帯状の中間層、(
4)は該中間層(3)及び端面上に連続して形成された
外部電極である。
層され交互に対向する端面に露出する内部電極(乃を有
するコンデンサ素体、〈3)は該端面に連なるコンデン
サ素体(1)の周端縁部に形成された帯状の中間層、(
4)は該中間層(3)及び端面上に連続して形成された
外部電極である。
この積層形セラミックコンデンサは、ガラスエポキシ配
線基板上に半田付けし、市販のLCRメータ(YHP社
製)、絶縁抵抗計(東亜電波製)とを用いて、静電容量
(C)と誘電正接(tanδ)と絶縁抵抗(IR)とを
測定した。次いで一55℃に30分間保持し、2秒以内
に+125℃に移動して30分間保持す8むとを1.、
イクノ音る熱衝撃試験を100回行なった後、再び静電
容ffi (C)と誘電正接(tanδ)と絶縁抵抗(
IR)とを測定し、静電容伍の最大変化率とtanδの
最大値と絶縁抵抗103MΩ以下の個数と目視で発見さ
れるクラックを有するものの個数を下表に示した。
線基板上に半田付けし、市販のLCRメータ(YHP社
製)、絶縁抵抗計(東亜電波製)とを用いて、静電容量
(C)と誘電正接(tanδ)と絶縁抵抗(IR)とを
測定した。次いで一55℃に30分間保持し、2秒以内
に+125℃に移動して30分間保持す8むとを1.、
イクノ音る熱衝撃試験を100回行なった後、再び静電
容ffi (C)と誘電正接(tanδ)と絶縁抵抗(
IR)とを測定し、静電容伍の最大変化率とtanδの
最大値と絶縁抵抗103MΩ以下の個数と目視で発見さ
れるクラックを有するものの個数を下表に示した。
実施例2
中間層用ペーストとして、実施例1における旧粉末50
gに代えて35CIセラミツクと同一組成の未焼成セラ
ミツク粉末50gに代えて650を用いた実施例1と同
じ方法及び條件で作成した。
gに代えて35CIセラミツクと同一組成の未焼成セラ
ミツク粉末50gに代えて650を用いた実施例1と同
じ方法及び條件で作成した。
この測定結果を下表に示す。
実施例3
中間層用ペーストとして、実施例1における旧粉末50
gに代えて20(lセラミックと同一組成の未焼成セラ
ミツク粉末50gに代えて80gとしたこと以外は実施
例1と同じ方法及び條件で作成した。この測定結果を下
表に示す。
gに代えて20(lセラミックと同一組成の未焼成セラ
ミツク粉末50gに代えて80gとしたこと以外は実施
例1と同じ方法及び條件で作成した。この測定結果を下
表に示す。
実施例4
内部電極用ペースト、中間層用ペースト及び外部電極用
ペーストの導電粒子として、実施例1におけるN1粉末
に代えてCu粉末としたこと以外は、実施例1と同じ方
法及び同じ条件で作成した。この測定結果を下表に示す
。
ペーストの導電粒子として、実施例1におけるN1粉末
に代えてCu粉末としたこと以外は、実施例1と同じ方
法及び同じ条件で作成した。この測定結果を下表に示す
。
比較例
中間層を除いた以外は実施例1と同じ方法及び同じ條件
で作成した。
で作成した。
表
n −1000@
尚、前記各ペーストの導電粒子として、AQ。
^Q−Pd等を同様に用いることができる。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば、プリント基板に
半田付けした時あるいは温度衝撃試験等を行なった時r
もコンデンサ素体の周端縁部の外部電極周縁におけるセ
ラミックにクラックが発生することが少なく、また絶縁
抵抗の劣化も少ないという効果がある。
半田付けした時あるいは温度衝撃試験等を行なった時r
もコンデンサ素体の周端縁部の外部電極周縁におけるセ
ラミックにクラックが発生することが少なく、また絶縁
抵抗の劣化も少ないという効果がある。
第1図は本発明の1実施例の拡大斜視図、第2図はその
断面図、第3図は従来例の拡大斜視図、第4図はその断
面図である。 (1)・・・コンデンサ素体 (り・・・内部電極(
3)・・・中間層 (4)・・・外部電極外
ンる
断面図、第3図は従来例の拡大斜視図、第4図はその断
面図である。 (1)・・・コンデンサ素体 (り・・・内部電極(
3)・・・中間層 (4)・・・外部電極外
ンる
Claims (1)
- 内部電極用導電層が形成された未焼成セラミックシー
トを複数枚積層し圧着して成るコンデンサ素体の両端面
及びそれに連なる周端縁部に外部電極用導電層を形成し
た後焼成してなる積層形セラミックコンデンサにおいて
、該セラミック素体の周端縁部と外部電極用導電層との
間に上記セラミックと同一組成のセラミックと導電性粒
子とから成る中間層が介在することを特徴とする積層形
セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61229788A JPS6386414A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 積層形セラミツクコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61229788A JPS6386414A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 積層形セラミツクコンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6386414A true JPS6386414A (ja) | 1988-04-16 |
JPH0464450B2 JPH0464450B2 (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=16897682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61229788A Granted JPS6386414A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 積層形セラミツクコンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6386414A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5952863A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-14 | Texas Instruments Incorporated | Circuit and method for generating non-overlapping clock signals for an integrated circuit |
WO2012043740A1 (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-05 | 京セラ株式会社 | コンデンサ |
WO2024075402A1 (ja) * | 2022-10-03 | 2024-04-11 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP61229788A patent/JPS6386414A/ja active Granted
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5952863A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-14 | Texas Instruments Incorporated | Circuit and method for generating non-overlapping clock signals for an integrated circuit |
WO2012043740A1 (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-05 | 京セラ株式会社 | コンデンサ |
CN102549687A (zh) * | 2010-09-29 | 2012-07-04 | 京瓷株式会社 | 电容器 |
JP5420060B2 (ja) * | 2010-09-29 | 2014-02-19 | 京セラ株式会社 | コンデンサ |
US8743528B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-06-03 | Kyocera Corporation | Capacitor |
WO2024075402A1 (ja) * | 2022-10-03 | 2024-04-11 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0464450B2 (ja) | 1992-10-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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