JPS6384005A - 垂直磁化膜の形成方法 - Google Patents
垂直磁化膜の形成方法Info
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- JPS6384005A JPS6384005A JP22913086A JP22913086A JPS6384005A JP S6384005 A JPS6384005 A JP S6384005A JP 22913086 A JP22913086 A JP 22913086A JP 22913086 A JP22913086 A JP 22913086A JP S6384005 A JPS6384005 A JP S6384005A
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- perpendicularly magnetized
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は高密度記録に適した垂直磁気記録媒体に用い
る垂直磁化膜に関するものである。
る垂直磁化膜に関するものである。
（従来の技術）
従来、一般に垂直磁気記録を目的とした薄膜はＣｏ−Ｃ
ｒ系合金をスパッタリング法や真空蒸着法さらには化学
めっき法などの表面処理技術を用いることによって製造
されていた。
ｒ系合金をスパッタリング法や真空蒸着法さらには化学
めっき法などの表面処理技術を用いることによって製造
されていた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、蒸発源であるクロムＣｒは人体に有害であるた
め好ましくなく、また、コバルトｃｏは高価である。
め好ましくなく、また、コバルトｃｏは高価である。
（発明の目的）
そこで、この発明の目的は安価で人体に無害な垂直磁化
膜を提供することにある。
膜を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
このため、ネオジウムＮｄ、鉄Ｆｅ、はう素Ｂの元素か
らなる組成がＮｄｘＦｅｌｏｏ −１−２Ｂ：１で表わ
され、Ｘが１３〜２７．ｙが４〜１７の値からなる合金
薄膜を付着速度（μｍ／ｍｉｎ）と基板温度（℃）の条
件が（０，０５，４２０） 、 （０，０５゜４００
） 、 （１，０，１００）および（１，０、６００
）の４点を結ぶ直線で囲まれる範囲でスパッタリングに
より形成するようにしである。
らなる組成がＮｄｘＦｅｌｏｏ −１−２Ｂ：１で表わ
され、Ｘが１３〜２７．ｙが４〜１７の値からなる合金
薄膜を付着速度（μｍ／ｍｉｎ）と基板温度（℃）の条
件が（０，０５，４２０） 、 （０，０５゜４００
） 、 （１，０，１００）および（１，０、６００
）の４点を結ぶ直線で囲まれる範囲でスパッタリングに
より形成するようにしである。
（作用）
このように、薄膜の組成範囲とスパッタリング条件とを
定めることによって、膜厚方向に微細結晶が成長し、磁
化容易軸が膜厚方向に揃うため。
定めることによって、膜厚方向に微細結晶が成長し、磁
化容易軸が膜厚方向に揃うため。
垂直磁化膜を得ることができる。
（実施例）
第１図は本発明の垂直磁化膜を形成するためのマグネト
ロンスパッタリング装置の断面図である。
ロンスパッタリング装置の断面図である。
真空容器１の中にターゲット２を設け、これと対向させ
て４０ｍｍの間隔を置き基板３を基板取付台基板の温度
をヒータ電源９によってコントロールするようにしであ
る。ターゲット２と基板３の間にはスパッタリング初期
に飛散する粒子が基板に付着するのを防ぐためシャッタ
５を配設している。
て４０ｍｍの間隔を置き基板３を基板取付台基板の温度
をヒータ電源９によってコントロールするようにしであ
る。ターゲット２と基板３の間にはスパッタリング初期
に飛散する粒子が基板に付着するのを防ぐためシャッタ
５を配設している。
ターゲット２にはターゲット電源７によって直流電圧ま
たは高周波電圧を印加できるようにしてあり、この電圧
を変えることにより基板への付着速度を変えることがで
きる。
たは高周波電圧を印加できるようにしてあり、この電圧
を変えることにより基板への付着速度を変えることがで
きる。
垂直磁化膜の作製はつぎの手順で行った。ターゲットは
薄膜中のネオジウムの原子比が１５９６゜はう素の原子
比が５％になるようにＮｄ粉末とＢ粉末およびＦｅ粉末
を混合し、真空中で焼結して得たターゲットをスパッタ
リング電極に取り付け。
薄膜中のネオジウムの原子比が１５９６゜はう素の原子
比が５％になるようにＮｄ粉末とＢ粉末およびＦｅ粉末
を混合し、真空中で焼結して得たターゲットをスパッタ
リング電極に取り付け。
−１基板を基板台に設置した後、真空容器内を排気系１
０により２ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ以下に排気する。
０により２ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ以下に排気する。
加
ヒータ電源９を調整しながら基板を３００℃に過熱した
後、アルゴンガス導入バルブ８を開いてアルゴンガスを
導入し、圧力が３ Ｘ １０−２Ｔｏｒｒになるように
調整した。シャッタ５を閉じたままターゲット電源７に
より負の直流電圧４００ｖを印加し。
後、アルゴンガス導入バルブ８を開いてアルゴンガスを
導入し、圧力が３ Ｘ １０−２Ｔｏｒｒになるように
調整した。シャッタ５を閉じたままターゲット電源７に
より負の直流電圧４００ｖを印加し。
１５分間予備スパッタリングを行い、ターゲット表面の
酸化物を除去した。つぎに、シャッタを開いて６０分間
スパッタリングを行い、約５μｍの膜を形成した。この
後、真空容器１内を２×１Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下に排気し
、基板温度が室温になるまで冷却し、取り出した基板の
磁気特性を測定したところ第２図に示す磁化曲線が得ら
れた。
酸化物を除去した。つぎに、シャッタを開いて６０分間
スパッタリングを行い、約５μｍの膜を形成した。この
後、真空容器１内を２×１Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下に排気し
、基板温度が室温になるまで冷却し、取り出した基板の
磁気特性を測定したところ第２図に示す磁化曲線が得ら
れた。
この磁化曲線は垂直方向が磁化容易軸であることを示し
ている。ただし、磁化曲線２０は膜面に垂直に、２１は
面内番こ磁界をかけた場合の磁化曲線であり、２０では
反磁界補正を行っていない。
ている。ただし、磁化曲線２０は膜面に垂直に、２１は
面内番こ磁界をかけた場合の磁化曲線であり、２０では
反磁界補正を行っていない。
また、Ｘ線解析パターンを調べた結果Ｃ軸が膜面に垂直
に配向していることが確認された。
に配向していることが確認された。
以下同じような手順により基板温度と付着速度を変えて
膜形成を行い、垂直磁化膜が得られるスパッタリング条
件を調べたところ第３図の結果が得られた。第３図の破
線で囲んだＡは垂直磁化膜が得られた条件である。付着
温度が大きくなる程、垂直磁化膜の得られる基板温度の
範囲が広くなる。
膜形成を行い、垂直磁化膜が得られるスパッタリング条
件を調べたところ第３図の結果が得られた。第３図の破
線で囲んだＡは垂直磁化膜が得られた条件である。付着
温度が大きくなる程、垂直磁化膜の得られる基板温度の
範囲が広くなる。
範囲Ａ以外の条件、たとえば基板温度が低い場合は結晶
構造が非晶質となって満足な磁気特性が得られず、逆に
基板温度が高いと結晶粒が粗大化して垂直方向の配向性
が失われる。Ａの範囲内で形成した垂直磁化膜の飽和磁
化Ｂｓは６０００ガウス以上と太き（、保磁力Ｈａは約
６００エルステツトテあり、磁気記録媒体として実用上
十分な特性が得られた。
構造が非晶質となって満足な磁気特性が得られず、逆に
基板温度が高いと結晶粒が粗大化して垂直方向の配向性
が失われる。Ａの範囲内で形成した垂直磁化膜の飽和磁
化Ｂｓは６０００ガウス以上と太き（、保磁力Ｈａは約
６００エルステツトテあり、磁気記録媒体として実用上
十分な特性が得られた。
つぎにターゲットの組成を種々変えて合金薄膜の組成を
変え、範囲Ａのスパッタリング条件で調べたところ、第
１表に示す組成で垂直磁化膜となり前記磁気特性が得ら
れた。すなわち膜組成をＦξ（＋１ Ｎｄｘ狗（ロ）番ｘ−ｙ）Ｂｙで表わした場合、Ｘが１
３〜２７．ｙが３〜１７の範囲であった。
変え、範囲Ａのスパッタリング条件で調べたところ、第
１表に示す組成で垂直磁化膜となり前記磁気特性が得ら
れた。すなわち膜組成をＦξ（＋１ Ｎｄｘ狗（ロ）番ｘ−ｙ）Ｂｙで表わした場合、Ｘが１
３〜２７．ｙが３〜１７の範囲であった。
第１表
（発明の効果）
以上説明したように本発明によればネオジウムと鉄およ
びほう素を主成分とし、スパッタリング条件を定めるこ
とにより人体に無害な垂直磁化を安価で得ることができ
る。このため、高密度の磁気記録媒体への適用が可能な
垂直磁化膜器ｔゆ＃４ミー禦を提供できる。
びほう素を主成分とし、スパッタリング条件を定めるこ
とにより人体に無害な垂直磁化を安価で得ることができ
る。このため、高密度の磁気記録媒体への適用が可能な
垂直磁化膜器ｔゆ＃４ミー禦を提供できる。
第１図は本発明の垂直磁化膜を形成するためのマグネト
ロンスパッタリング装置の断面図、第２図は代表的な垂
直磁化膜の磁化曲線を示す図、第３図は垂直磁化膜が得
られるスパッタリング条件の範囲を示す図である。 ２はターゲット、３は石英基板、５はヒータ第 １ 図 １、真空容器 ６．ヒータ ２、タープ・シト ７８ ターゲット電源３、基
板 ８．Ａ「ガス導入パルづ４、基板取付台
９．ヒータ電源 ５、シャッタ １０．排気系 第２図 第３図 ０ ０、＋ ０．２ ０．３ Ｇ、４ ０．５
Ｇ、６ ０．７ Ｇ、ＥＩ Ｏ，Ｑ １０ １１
付着速度（／ｌＩ／ｍｉｎ ）
ロンスパッタリング装置の断面図、第２図は代表的な垂
直磁化膜の磁化曲線を示す図、第３図は垂直磁化膜が得
られるスパッタリング条件の範囲を示す図である。 ２はターゲット、３は石英基板、５はヒータ第 １ 図 １、真空容器 ６．ヒータ ２、タープ・シト ７８ ターゲット電源３、基
板 ８．Ａ「ガス導入パルづ４、基板取付台
９．ヒータ電源 ５、シャッタ １０．排気系 第２図 第３図 ０ ０、＋ ０．２ ０．３ Ｇ、４ ０．５
Ｇ、６ ０．７ Ｇ、ＥＩ Ｏ，Ｑ １０ １１
付着速度（／ｌＩ／ｍｉｎ ）
Claims (1)
- １ ネオジウムＮｄ、鉄Ｆｅ、ほう素Ｂの元素からなり
、その組成がＮｄ＿ｘＦｅ（１００＿−＿ｘ＿−＿ｙ）
Ｂ＿ｙで表わされ、ｘが１３〜２７、ｙが３〜１７の値
からなる合金薄膜を付着速度（μｍ／ｍｉｎ）と基板温
度（℃）の条件が（０．０５、４２０）、（０．０５、
４００）、（１．０、１００）および（１．０、６００
）の４点を結ぶ直線で囲まれる範囲でスパッタリングに
より形成したことを特徴とする垂直磁化膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22913086A JPS6384005A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 垂直磁化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22913086A JPS6384005A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 垂直磁化膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6384005A true JPS6384005A (ja) | 1988-04-14 |
| JPH0565043B2 JPH0565043B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=16887221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22913086A Granted JPS6384005A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 垂直磁化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6384005A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4238400A1 (en) * | 1991-11-14 | 1993-05-19 | Victor Company Of Japan | Transverse magnetic recording material mfr. - uses sputtering process to form film of Neodymium-Iron-Boron on surface of non magnetic carrier. |
| JP2012207274A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Hitachi Metals Ltd | 永久磁石薄膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| WO2014038022A1 (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-13 | 株式会社日立製作所 | Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ薄膜磁石およびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60128606A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-09 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP22913086A patent/JPS6384005A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60128606A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-09 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気記録媒体 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4238400A1 (en) * | 1991-11-14 | 1993-05-19 | Victor Company Of Japan | Transverse magnetic recording material mfr. - uses sputtering process to form film of Neodymium-Iron-Boron on surface of non magnetic carrier. |
| US5612145A (en) * | 1991-11-14 | 1997-03-18 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Perpendicular magnetic medium and manufacturing method for the medium |
| JP2012207274A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Hitachi Metals Ltd | 永久磁石薄膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| WO2014038022A1 (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-13 | 株式会社日立製作所 | Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ薄膜磁石およびその製造方法 |
| JPWO2014038022A1 (ja) * | 2012-09-05 | 2016-08-08 | 株式会社日立製作所 | Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ薄膜磁石およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0565043B2 (ja) | 1993-09-16 |
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