JPS6383286A - Etching device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、プラズマによって放射光や反応活性種を作成
し、これを用いて半導体デバイスの絶縁膜、保護膜、半
導体膜、金属膜等の薄膜形成、エツチング、表面クリー
ニング、表面改質等のエツチングを行うエツチング装置
のシステムの改良に関する。Detailed Description of the Invention (Industrial Application Field) The present invention uses plasma to create synchrotron radiation and reactive active species, and uses this to create insulating films, protective films, semiconductor films, metal films, etc. of semiconductor devices. This invention relates to improvements in etching equipment systems that perform etching such as thin film formation, etching, surface cleaning, and surface modification.
（従来の技術とその問題点）
先ず本願で使用する用語の意味について述べると、「等
方性エツチング」とは、半導体装置の製造におけるエツ
チング加工にてレジストのパターンに忠実でない加工、
「異方性エツチング」はそれが忠実な加工のことであ
る。これらは加工後のワークの断面形状で説明すると相
違は明白で、第８図にそれを示しである。(Prior art and its problems) First, to explain the meaning of the terms used in this application, "isotropic etching" is an etching process that is not faithful to the resist pattern in the manufacturing of semiconductor devices.
"Anisotropic etching" is a process that is faithful to that. The difference between these is obvious when explained in terms of the cross-sectional shape of the workpiece after processing, which is shown in FIG.
「表面クリーニング」とは、文字通り基体の表面を清浄
化する加工で、基体表面の自然酸化膜の除去等がある。"Surface cleaning" literally means cleaning the surface of the substrate, and includes removing natural oxide films on the surface of the substrate.
「表面改質」とは、基体表面の性質を変えるもので、熱
による表面酸化や表面窒化などがある。"Surface modification" refers to changing the properties of the substrate surface, and includes surface oxidation and surface nitridation due to heat.
等方性エツチングの用途の一例としては「角をとる」と
いうのがある。現在のＣＶＤ技術では金属膜、絶縁膜、
保護膜、半導体膜等の薄膜形成時のステップカバレージ
性に問題があり、角のきり立った穴の角の部分にはそれ
ら薄膜がうまく着かない、従ってこの角を取る必要があ
るのである。One example of the use of isotropic etching is ``cutting corners.'' Current CVD technology uses metal films, insulating films,
There is a problem with step coverage when forming thin films such as protective films and semiconductor films, and these thin films do not adhere well to the corners of sharp holes, so it is necessary to remove these corners.
この等方性エツチング以外でｒ角をとる」方法としては
、ＲＩＥをしながらレジストにダメージを与え、レジス
トを後退させながらエツチングして行く方法があるが、
この方法は適量に制御するのが難しい。A method to obtain the r angle other than this isotropic etching is to damage the resist while performing RIE and then etching while receding the resist.
This method is difficult to control properly.
等方性エツチングの用途には、上記のほかに、ダメージ
層の除去、基体表面のクリーニング、基体表面の改質等
がある。In addition to the above, isotropic etching is used to remove damaged layers, clean substrate surfaces, and modify substrate surfaces.
一方、異方性エツチングはレジストに忠実にエツチング
加工されるので、精度の高い、微細加工を要するところ
に欠かせない技術である。On the other hand, anisotropic etching is an indispensable technique where highly precise and micro-fabrication is required, as the etching process is carried out faithfully to the resist.
第７図は従来のこの種の装置のシステムを示すものであ
る。従来は、基体に対して等方性エツチングと異方性エ
ツチングを連続して行なう必要がある場合も、等方性エ
ツチング装置■と異方性エツチング装置Ａとを個別に設
置し、等方性エツチング工程と異方性エツチング工程を
大気中で各独立させてて処理していた。従って、基体は
一旦大気中に取り出す必要があり、そのために基体表面
が大気中の各種の物質で汚染されるという大きい問題が
あった。またエツチング装置が重複するため不経済であ
り時間的にも無駄があった。また、等方性エツチングに
ウェット法のエツチングを用いる場合はエツチング処理
後に洗浄と乾燥の工程を要し、その間に各種の物質で汚
染される上、経済的、時間的に無駄があった。FIG. 7 shows a conventional system of this type of device. Conventionally, even when it is necessary to perform isotropic etching and anisotropic etching on a substrate in succession, isotropic etching equipment (■) and anisotropic etching equipment (A) are installed separately. The etching process and anisotropic etching process were performed independently in the atmosphere. Therefore, it is necessary to take the substrate out into the atmosphere, which poses a serious problem in that the surface of the substrate is contaminated with various substances in the atmosphere. Moreover, since the etching apparatus is duplicated, it is uneconomical and time-consuming. Furthermore, when wet etching is used for isotropic etching, cleaning and drying steps are required after the etching process, which is not only contaminated with various substances but also wasteful in terms of economy and time.
（発明の目的）
本発明は、等方性エツチングと異方性エツチングの両工
程間に不可避的であった表面汚染を皆無にし、純度の高
いエツチングを経済的に行うことのできる装置の提供を
目的とする。(Objective of the Invention) The present invention aims to provide an apparatus that can economically perform etching with high purity by eliminating inevitable surface contamination during both isotropic etching and anisotropic etching processes. purpose.
（発明の構成）
本発明は、放電気体の導入系と電力印加手段とを設けた
放電室と；排気系を設け基体を設置する処理室と；を備
え、該放電室で発生したプラズマ中の反応活性種と放射
光の両者又は反応活性種のみ（以下、単に放射物）を用
いて、該基体の表面にエツチングを行うエツチング装置
において、等方性エツチング室と異方性エツチング室と
その間に真空搬送機構を設け、等方性エツチングと異方
性エツチングの連続処理を基体を外気に晒すことなく行
い得るようにしたエツチング装置によって前記目的を達
成したものである。(Structure of the Invention) The present invention comprises: a discharge chamber provided with a discharge body introduction system and a power application means; a processing chamber provided with an exhaust system and installed with a substrate; In an etching apparatus that etches the surface of the substrate using both reactive species and synchrotron radiation or only reactive species (hereinafter simply referred to as radiation), there is an isotropic etching chamber, an anisotropic etching chamber, and an etching chamber between them. The above object has been achieved by an etching apparatus that is equipped with a vacuum conveyance mechanism and can perform continuous isotropic etching and anisotropic etching without exposing the substrate to the outside air.
（実施例）
第９図は、従来のＬ Ｔ Ｅプラズマを利用するエツチ
ング装置（新しい技術であるため文献は少ない。特願昭
５９−１８６９５５、特願昭６０−６４２９８、特願昭
６ｌ−６９Ｅ３４６、参照）の概略の正面断面図である
。先ずこれを説明すると、図示しない気体供給装置から
バルブ９を通して、所定の放電気体を石英ガラス管（他
の材質でもよい）で作られた放電室１の中に導くととも
に、この放電室１に連通ずる処理室３に設けられた排気
バルブ１１（図示しない排気ポンプに接続されている）
で両室内の気体を排気して気体圧力を所定値に保ち、１
３．５６ＭＨｚの高周波電源８の出力電圧を、放電室１
０回りに巻回された放電用コイル７に印加して、放電室
１内に前記放電気体のプラズマ２を発生させる。(Example) Fig. 9 shows a conventional etching apparatus using LTE plasma (as it is a new technology, there are few documents. , reference) is a schematic front sectional view. First, to explain this, a predetermined discharge body is guided from a gas supply device (not shown) through a valve 9 into a discharge chamber 1 made of a quartz glass tube (other materials may be used), and is connected to the discharge chamber 1. Exhaust valve 11 (connected to an exhaust pump not shown) provided in the processing chamber 3 that communicates with
Exhaust the gas in both chambers to maintain the gas pressure at the specified value, and
The output voltage of the 3.56 MHz high frequency power supply 8 is applied to the discharge chamber 1.
The voltage is applied to the discharge coil 7 wound around 0, and the plasma 2 of the discharge electric body is generated in the discharge chamber 1.
（放電用コイル７を使用する代りに、この放電空間を挟
んで対向する一対の電極板を設け、この電極間に高周波
電圧などの交番電圧や直流電圧を印加してプラズマ放電
を発生させることもある。なお高周波電源８の周波数は
、１０ｋＨｚ〜数百ＧＨｚ間のものを選定するが、Ｉ
ＧＨｚ付近よりも高い周波数を用いる場合には、放電用
コイル７や前記の一対の電極板の代わりに、放電室１を
包み込む形のマイクロ波キャビティが設置され、それに
よってプラズマ放電を発生させることがある。）処理室
３内で基体５を保持する基体ホルダー４は、必要に応じ
て基体５の温度を所望値に調整出来る加熱冷却機構（図
示は省略）をその内部に備えている。(Instead of using the discharge coil 7, it is also possible to provide a pair of electrode plates facing each other with the discharge space in between, and apply an alternating voltage such as a high frequency voltage or a direct current voltage between these electrodes to generate plasma discharge.) The frequency of the high frequency power source 8 is selected to be between 10 kHz and several hundred GHz.
When using a frequency higher than around GHz, a microwave cavity that wraps around the discharge chamber 1 is installed in place of the discharge coil 7 and the pair of electrode plates described above, thereby making it possible to generate plasma discharge. be. ) The substrate holder 4 that holds the substrate 5 in the processing chamber 3 is provided with a heating and cooling mechanism (not shown) that can adjust the temperature of the substrate 5 to a desired value as necessary.
さて、放電室１内に生ずる放電は、放電室１内の気体の
種類、圧力、印加される高周波電力の大小によフて異な
るが、一般に、圧力が高く、電力が小さい領域では高周
波グロー放電となり、圧力が低く、電力が大きい領域で
はＬ Ｔ Ｅ （Ｌｏｃａｌ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｑｕ
ｉｌｉｂｒｉｕｍ）プラズマ放電（厳密には準熱平衡プ
ラズマ放電であるが、ＬＴＥという言葉が常用されてい
る）となる。Now, the discharge that occurs in the discharge chamber 1 varies depending on the type of gas in the discharge chamber 1, the pressure, and the magnitude of the applied high-frequency power, but generally, in areas where the pressure is high and the power is low, high-frequency glow discharge occurs. In the region where the pressure is low and the power is large, L T E (Local Thermal Equ
ilibrium) plasma discharge (strictly speaking, it is a quasi-thermal equilibrium plasma discharge, but the term LTE is commonly used).
ただしここでいう高周波グロー放電とは、輝度のあまり
高くないプラズマが放電室１内にほぼ一様に広く発生し
ている状態であり、一方ＬＴＥプラズマ放電とは、非常
に輝度の高いプラズマが放電室１内の局所に閉じ込めら
れた状態となっていて、その周囲を取り囲んで、高周波
グロー放電状のグロー２００が存在するような放電状態
を指している。However, the high-frequency glow discharge referred to here is a state in which plasma with not very high brightness is generated almost uniformly and widely within the discharge chamber 1, whereas LTE plasma discharge is a state in which plasma with very high brightness is discharged. This refers to a discharge state in which a glow 200 in the form of a high-frequency glow discharge exists surrounding a locally confined state within the chamber 1.
この第９図の装置は、このＬＴＥプラズマ放電を利用す
るもので、プラズマ２中で発生する反応活性種を処理室
３内に導いて基体５の表面に所定の処理を施すものであ
る。 例えば、ＮＦ３ガス（あるいは、フッ素ガス、フ
ッ素化合物ガスまたはそれらを含む混合ガス）は、ＬＴ
Ｅプラズマ放電を経由させると非常によく分解してフッ
素系の反応活性種を多量に生成するために、高速のエツ
チング処理が出来るなどの利点がある。The apparatus shown in FIG. 9 utilizes this LTE plasma discharge, and guides the reactive species generated in the plasma 2 into the processing chamber 3 to perform predetermined processing on the surface of the substrate 5. For example, NF3 gas (or fluorine gas, fluorine compound gas, or a mixed gas containing them) is LT
When passed through E plasma discharge, it decomposes very well and generates a large amount of fluorine-based reactive species, which has the advantage of allowing high-speed etching processing.
この第９図の装置では、ガスの流通間隙１００を残して
、透明な絶縁物（例えば石英ガラス）で作成された遮蔽
板１０（−点鎖線）を設けることがある。この遮蔽板１
０を設けることにより荷電粒子による基板の損傷がなく
なり、基板５の処理表面に反応活性種を均一性よく供給
することが出来、良質のエツチングが可能となる。In the apparatus shown in FIG. 9, a shielding plate 10 (-dashed line) made of a transparent insulator (for example, quartz glass) may be provided, leaving a gas flow gap 100. This shielding plate 1
By providing 0, damage to the substrate due to charged particles is eliminated, reactive species can be uniformly supplied to the processing surface of the substrate 5, and high-quality etching is possible.
次に、第１０図は、磁場励起型リアクティブイオンエツ
チング装置（以下、ＭＥＲＩＥ装置と略す）の概念図で
あり、この方式は従来のりアクティブイオンエツチング
装置（以下、ＲＩＥ装置と略す）の反応室の外側に一対
のソレノイドコイルを設置し陰極に印加される電界と直
交するように、陰極面に平行に交番磁界を形成し、マグ
ネトロン放電を行わせる。ものである。交番磁界には、
機械的な磁石の走査や、陰極面への磁石の挿入を不要に
する利点がある。Next, FIG. 10 is a conceptual diagram of a magnetic field excitation type reactive ion etching apparatus (hereinafter abbreviated as MERIE apparatus). A pair of solenoid coils is installed outside of the cathode to form an alternating magnetic field parallel to the cathode surface so as to be orthogonal to the electric field applied to the cathode, causing magnetron discharge. It is something. In the alternating magnetic field,
This has the advantage of eliminating the need for mechanical magnet scanning or insertion of a magnet into the cathode surface.
ＭＥＲＩＥ装置は、従来の低圧力ＲＩＥ装置の高速化の
阻害要因であった、
（１）高密度プラズマかえられない、
（２）高電力投入時に温度が上昇する、（３）イオンエ
ネルギーの上昇がある、を解決して、メガビットプロセ
スでの使用を可能にしたＲＩＥ装置であり、磁場を利用
してイオン化効率を改善し、低イオンエネルギーによる
低ダメージ、■、。の低減を達成したものである。The MERIE device has the following problems that hinder the speeding up of conventional low-pressure RIE devices: (1) high-density plasma cannot be changed, (2) temperature rises when high power is applied, and (3) ion energy rises. This is an RIE device that solves the following problems and enables use in megabit processes.It uses a magnetic field to improve ionization efficiency and reduces damage due to low ion energy. This achieved a reduction in
第１図は本発明の実施例のエツチング装置の概略図であ
って、第７図と同一の部材には同一の符号を付して説明
を省略する。FIG. 1 is a schematic diagram of an etching apparatus according to an embodiment of the present invention, and the same members as in FIG. 7 are designated by the same reference numerals and their explanations will be omitted.
この第１図の装置は、等方性エツチング室■と異方性エ
ツチング室Ａとを連通させ、その間を真空搬送させるも
のである。ここでは、第９図のＬＴＥプラズマ装置を等
方性エツチング室■として用いている。ＬＴＥプラズマ
は多量の活性種と強い放射光を含んでいるためプラズマ
中の荷電粒子（イオン、電子等）を除いた電気的に中性
な活性種と放射光のみによってエツチング、デポジショ
ン等を行なうことが出来るのである。エツチングの場合
、エツチング形状は等方的となる。一方、第１０図のＭ
ＥＲＩＥ装置を異方性エツチング室Ａとして用いている
。The apparatus shown in FIG. 1 connects the isotropic etching chamber (1) and the anisotropic etching chamber (A) to carry out vacuum conveyance between them. Here, the LTE plasma apparatus shown in FIG. 9 is used as the isotropic etching chamber (2). LTE plasma contains a large amount of active species and strong synchrotron radiation, so etching, deposition, etc. are performed only with electrically neutral active species and synchrotron radiation, excluding charged particles (ions, electrons, etc.) in the plasma. It is possible. In the case of etching, the etched shape is isotropic. On the other hand, M in Figure 10
An ERIE apparatus is used as an anisotropic etching chamber A.
これにより、等方性エツチング工程と異方性エツチング
工程とが連続することになり、基体を大気中に取り出さ
なくてすむため、純度の高いエツチング処理が経済的に
行われることになる。As a result, the isotropic etching step and the anisotropic etching step are performed consecutively, and since the substrate does not need to be taken out into the atmosphere, etching processing with high purity can be performed economically.
第１図の装置による処理の適用例に第３図のコンタクト
ホールの面取りがある。その方法は、先ず基体５を等方
性エツチング室■に入れ、ＬＴＥプラズマの放射物を用
いて５ｉ０２膜をテーパーエツチングする。次に基体５
を真空搬送によりＭＥＲＩＥ室に運び、ここでＳｉ膜を
異方性エツチングし、その後再び等方性エツチング室■
に基体５を真空搬送で移してＬＴＥプラズマの放射物に
よりレジストをアッシングして除去する。An example of application of the process using the apparatus shown in FIG. 1 is the chamfering of a contact hole shown in FIG. In this method, first, the substrate 5 is placed in an isotropic etching chamber (1), and the 5i02 film is taper-etched using LTE plasma radiation. Next, the base 5
is transported to the MERIE chamber by vacuum transport, where the Si film is anisotropically etched, and then returned to the isotropic etching chamber.
The substrate 5 is transferred by vacuum transport, and the resist is removed by ashing with LTE plasma radiation.
かくして、この装置を用いるときは基体５を、等方性エ
ツチング室Ｉと異方性エツチング室Ａの間で行き来させ
ることにより、コンタクトホールの面取りという複数の
行程を要する処理を連続して高純度で行なうことが出来
る。Thus, when using this apparatus, by moving the substrate 5 back and forth between the isotropic etching chamber I and the anisotropic etching chamber A, the process of chamfering the contact hole, which requires multiple steps, can be continuously performed with high purity. It can be done with
第２図は、本発明の他の実施例のエツチング装置の概略
図である。この実施例の装置では、ロードロック室りを
２室の中間に設けることにより、等方性エツチング室■
、異方性エツチング室Ａの両者を真空に維持できるよう
にし、純度の高い処理を再現性よく行ない得るようにし
ている。FIG. 2 is a schematic diagram of an etching apparatus according to another embodiment of the present invention. In the apparatus of this embodiment, by providing a load lock chamber between the two chambers, the isotropic etching chamber
Both the anisotropic etching chamber A and the anisotropic etching chamber A can be maintained in a vacuum, so that high-purity processing can be performed with good reproducibility.
第４図は、本発明の他の実施例のエツチング装置の概略
図である。この装置の適用例としては、次のものがある
。 。FIG. 4 is a schematic diagram of an etching apparatus according to another embodiment of the present invention. Examples of applications of this device include: .
即ち、先ず基体５を等方性エツチング室■に入れ、ＬＴ
ＥプラズマによりＳｉ表面の自然酸化膜や汚れのクリー
ニングを行ない、次に基体５を異方性エツチング室Ａに
真空搬送してｔＥ熱処理行なって基体５を取り出すとい
う「表面クリーニング後ＲＩＥ処理」がある。また、基
体５を異方性エッチング室Ａに入れ、ＲＩＥ処理を行な
うが、ＲＩＥ処理中に基体５はプラズマ中の荷電粒子の
衝撃によりダメージを生ずる。このダメージは基体５上
の半導体デバイスの電気的特性の劣化等として現れるこ
とがある。この劣化は、例えばＭＯ８型半導体デバイス
ではｖｔｈの変動、バイポーラ型半導体デバイスではＶ
ｆｅの変動等となって強く現れる。そのため、その工程
の次に基体５を真空搬送して等方性エツチング室■に入
れ、ＬＴＥプラズマにより、ＲＩＥ処理の際にプラズマ
から受けたダメージ層の除去を行ない、しかるのち基体
５を取り出すという「ダメージ層除去処理」がある。That is, first, the substrate 5 is placed in the isotropic etching chamber (2), and the LT
There is a "RIE treatment after surface cleaning" in which the natural oxide film and dirt on the Si surface are cleaned using E plasma, and then the substrate 5 is vacuum-transferred to an anisotropic etching chamber A, subjected to tE heat treatment, and the substrate 5 is taken out. . Further, the substrate 5 is placed in the anisotropic etching chamber A and subjected to RIE processing, but during the RIE processing, the substrate 5 is damaged by the impact of charged particles in the plasma. This damage may appear as deterioration of the electrical characteristics of the semiconductor device on the substrate 5. This deterioration is caused by, for example, variations in vth in MO8 type semiconductor devices and Vth in bipolar type semiconductor devices.
This appears strongly as fluctuations in fe, etc. Therefore, after that process, the substrate 5 is vacuum-transferred and placed in an isotropic etching chamber (2), the damaged layer received from the plasma during the RIE process is removed using LTE plasma, and then the substrate 5 is taken out. There is a "damage layer removal process".
第５図は、本発明の他の実施例のエツチング装置の概略
図である。この装置は、第４図の装置のロードロック室
りを設けたもので、各処理室のメンテナンス性を向上し
、純度の高い処理を再現性良く行なうことが出来る。FIG. 5 is a schematic diagram of an etching apparatus according to another embodiment of the present invention. This apparatus is equipped with a load-lock chamber similar to the apparatus shown in FIG. 4, and can improve the maintainability of each processing chamber and perform high-purity processing with good reproducibility.
第６図は、本発明の他の実施例のエツチング装置の概略
図である。この装置は、第４図の装置の等方性エツチン
グ室Ｉと異方性エツチング室Ａの間にロードコック室り
を設けたものである。FIG. 6 is a schematic diagram of an etching apparatus according to another embodiment of the present invention. This apparatus has a load cock chamber between the isotropic etching chamber I and the anisotropic etching chamber A of the apparatus shown in FIG.
上記の通りであって本発明は、等方性エツチング室■と
異方性エツチング室Ａとその間に真空搬送機構を設け、
等方性エツチングと異方性エツチングの連続処理を基体
を外気に晒すことなく行い得るようにした点に特徴を持
つものであって、処理室の放電形式、放電気体の種類、
処理室の構造、基体の配置、排気系の構造等は上記に限
定されるものではなく、様々のものが使用できる。As described above, the present invention provides an isotropic etching chamber (2) and an anisotropic etching chamber (A) and a vacuum conveyance mechanism therebetween,
The feature is that continuous processing of isotropic etching and anisotropic etching can be performed without exposing the substrate to the outside air.
The structure of the processing chamber, the arrangement of the substrate, the structure of the exhaust system, etc. are not limited to those described above, and various structures can be used.
（発明の効果）
本発明のエツチング装置によれば、等方性エツチングと
異方性エツチングの両工程間に従来存在する表面汚染を
皆無にした、純度の高いエツチングを経済的に行うこと
のできる装置が提供される。(Effects of the Invention) According to the etching apparatus of the present invention, highly pure etching can be economically performed with no surface contamination that conventionally exists between the isotropic etching and anisotropic etching steps. Equipment is provided.
第１．２，４，５．６図は、それぞれ本発明の１３一
実施例のエツチング装置の概略の断面図。
第３図は本発明の装置で処理した基体の断面図。
第７図は、従来のエツチング装置の同様の図である。
１・・・・・・放電室、 ２・・・・・・プラズマ、
３・・・・・・処理室、 ４・・・・・・基体ホルダ
ー、５・・・・・・基体、 ７・・・・・・放電用
コイル、８・・・・・・高周波電源、９・・・・・・導
入バルブ、１０・・・・・・遮蔽板、１１・・・・・・
排気バルブ、１００・・・・・・間隙、２００・・・・
・・グロー、Ａ・・・・・・異方性エツチング室、
■・・・・・・等方性エツチング室、
Ｌ・・・・・・ロードロック室。1.2, 4, and 5.6 are schematic cross-sectional views of etching apparatuses according to 13th embodiment of the present invention, respectively. FIG. 3 is a cross-sectional view of a substrate treated with the apparatus of the present invention. FIG. 7 is a similar diagram of a conventional etching apparatus. 1...Discharge chamber, 2...Plasma,
3... Processing chamber, 4... Substrate holder, 5... Substrate, 7... Discharge coil, 8... High frequency power supply, 9...Introduction valve, 10...Shielding plate, 11...
Exhaust valve, 100... Gap, 200...
...Glow, A...Anisotropic etching chamber, ■...Isotropic etching chamber, L...Load lock chamber.
Claims (1)
室と；排気系を設け基体を設置する処理室と；を備え、
該放電室で発生したプラズマ中の反応活性種と放射光の
両者又は反応活性種のみ（以下、これを単に放射物とい
う）を用いて、該基体の表面にエッチングを行うエッチ
ング装置において、等方性エッチング室と異方性エッチ
ング室とその間に真空搬送機構を設け、等方性エッチン
グと異方性エッチングの連続処理を基体を外気に晒すこ
となく行い得るようにしたことを特徴とするエッチング
装置。(1) A discharge chamber provided with an introduction system for a discharge electric body and a power application means; a processing chamber provided with an exhaust system and installed with a substrate;
In an etching apparatus that etches the surface of the substrate using both the reactive active species in the plasma generated in the discharge chamber and the synchrotron radiation, or only the reactive active species (hereinafter simply referred to as radiation), isotropic etching is performed. An etching apparatus characterized in that a vacuum transfer mechanism is provided between an isotropic etching chamber, an anisotropic etching chamber, and continuous processing of isotropic etching and anisotropic etching without exposing the substrate to the outside air. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22865486A JPS6383286A (en) | 1986-09-27 | 1986-09-27 | Etching device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22865486A JPS6383286A (en) | 1986-09-27 | 1986-09-27 | Etching device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6383286A true JPS6383286A (en) | 1988-04-13 |
Family
ID=16879720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22865486A Pending JPS6383286A (en) | 1986-09-27 | 1986-09-27 | Etching device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6383286A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5076877A (en) * | 1989-05-18 | 1991-12-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for dry etching |
| JP2007131415A (en) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Max Co Ltd | Paper bending prevention mechanism in paper pressing handling device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5877239A (en) * | 1981-11-04 | 1983-05-10 | Ulvac Corp | Continuous vacuum processor |
| JPS6085527A (en) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Hitachi Ltd | Vacuum treating apparatus |
| JPS618153A (en) * | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Spray nozzle |
-
1986
- 1986-09-27 JP JP22865486A patent/JPS6383286A/en active Pending
Patent Citations (3)
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