JP3192352B2 - Plasma processing equipment - Google Patents
Plasma processing equipmentInfo
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32155—Frequency modulation
- H01J37/32165—Plural frequencies
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、被処理体に対して、エ
ッチング処理を始めとする各種のプラズマ処理を施すた
めのプラズマ処理装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus for performing various kinds of plasma processing such as etching on an object to be processed.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から半導体製造プロセスにおいて
は、エッチング処理を始めとして、スパッタリング処理
やＣＶＤ処理などの処理に際し、処理容器内にプラズマ
を発生させ、該プラズマ雰囲気で、被処理基板、例えば
半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）の表面に所定
の処理を行うように構成されたプラズマ処理装置が用い
られているが、今日ではデバイスの集積度が益々高くな
り、またスループットの向上も極めて重要であることか
ら、これらプラズマ処理装置においては、歩留まりの向
上はもちろんのこと、微細な処理を高速に実施すること
がとりわけ重視されている。2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing process, a plasma is generated in a processing vessel during a process such as an etching process, a sputtering process, a CVD process, and the like, and a substrate to be processed, such as a semiconductor wafer, is generated in the plasma atmosphere. A plasma processing apparatus configured to perform a predetermined process on the surface of a wafer (hereinafter, referred to as a “wafer”) is used. However, today, the degree of integration of devices is increasing, and the improvement of throughput is extremely important. For these reasons, in these plasma processing apparatuses, emphasis is placed not only on improving the yield but also on performing high-speed fine processing.
【０００３】この点を踏まえた上で、例えばエッチング
装置を例にとって説明すると、プラズマ発生のために高
周波電力を用いたいわゆるカソードカップル型エッチン
グ装置やアノードカップル型エッチング装置において
は、そのままの構成でプラズマ密度を高めようとする
と、高周波電力のパワーを上げる必要がある。In consideration of this point, for example, an etching apparatus will be described as an example. In a so-called cathode-coupled etching apparatus or anode-coupled etching apparatus using high-frequency power for generating plasma, the plasma is not directly changed. In order to increase the density, it is necessary to increase the power of the high frequency power.
【０００４】しかしながらそのように高周波のパワーを
上げると今度は、イオンの入射エネルギーの上昇を招
き、その結果ウエハへのダメージやマスクのレジストの
変質をもたらすという問題が生ずる。[0004] However, increasing the high frequency power in this manner causes an increase in the incident energy of ions, resulting in a problem that damage to the wafer and deterioration of the resist of the mask occur.
【０００５】これを改善するため、特公昭５８−１２３
４７号においては、上下の電極に異なった周波数の高周
波を印加し、高い周波数の高周波でプラズマを発生さ
せ、低い周波数の高周波でイオン入射のエネルギーを独
立に制御することが提案されている。To improve this, Japanese Patent Publication No. 58-123
No. 47 proposes applying high frequencies of different frequencies to upper and lower electrodes, generating plasma at a high frequency of high frequency, and independently controlling the energy of ion incidence at a low frequency of high frequency.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
技術では、プラズマ密度を向上させるには限界があり、
またより微細な処理を実施するために処理容器内の圧力
を下げると、プラズマが処理容器内に拡散してしまい、
その結果所期の高密度プラズマが得られないおそれがあ
る。However, in the above prior art, there is a limit in improving the plasma density.
Also, if the pressure in the processing vessel is reduced to perform finer processing, plasma will diffuse into the processing vessel,
As a result, the desired high-density plasma may not be obtained.
【０００７】この点に関し、例えば被処理体上に平行磁
場を形成し、被処理体表面に形成された直交電磁界によ
るマグネトロン放電を利用するマグネトロンＲＩＥ装置
の構成を取り入れて、プラズマ密度をさらに上げること
も考えられるが、そうすると今度はプラズマ密度の均一
性を確保するのが難しくなる。しかもプラズマの拡散を
抑えるためにプラズマを処理領域内に閉じこめるという
問題も依然として残っている。In this regard, the plasma density is further increased by adopting, for example, a configuration of a magnetron RIE apparatus that forms a parallel magnetic field on a workpiece and uses a magnetron discharge by an orthogonal electromagnetic field formed on the surface of the workpiece. It is conceivable that this would make it difficult to ensure uniform plasma density. Moreover, there still remains a problem that the plasma is confined in the processing region in order to suppress the diffusion of the plasma.
【０００８】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、プラズマ密度の均一性を確保しつつしかもプラズ
マの拡散を抑えて高いプラズマ密度を確保できるプラズ
マ処理装置を提供して、前記問題の解決を図ることを目
的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a plasma processing apparatus capable of ensuring high plasma density while suppressing plasma diffusion while ensuring uniformity of plasma density. The purpose is to achieve a solution.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項１のプラズマ処理装置は、２つの電極を処理
容器内に対向配置し、この処理容器内にプラズマを発生
させて、前記電極のうちの一方の電極上の被処理体に対
してプラズマ処理を施す処理装置であって、前記一方の
電極は相対的に低い周波数の高周波電力を出力する第１
の高周波電源と接続され、他方の電極は前記処理容器内
にプラズマを発生させるための相対的に高い周波数の高
周波電力を出力する第２の高周波電源と接続され、さら
に高周波電力の印加によって、前記処理容器内の対向電
極間領域の周囲に変動磁界を発生させて前記プラズマを
閉じこめるアンテナを備え，前記第２の高周波電源から
出力される高周波電力は，前記アンテナに印加する高周
波電力よりも周波数が高いものであることを特徴とする
ものである。この場合，前記アンテナに印加する高周波
電力は，前記第１の高周波電源から出力される高周波電
力よりも周波数が高いものであるようにしてもよい。According to a first aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus in which two electrodes are arranged in a processing vessel so as to face each other, and a plasma is generated in the processing vessel. A plasma processing apparatus for performing plasma processing on an object to be processed on one of the electrodes, wherein the one electrode outputs a high-frequency power of a relatively low frequency.
And the other electrode is connected to the inside of the processing vessel.
Is connected to a second high-frequency power source that outputs high-frequency power of a relatively high frequency for generating plasma , and further generates a fluctuating magnetic field around the region between the opposed electrodes in the processing container by applying the high-frequency power. An antenna for confining the plasma by confining the plasma is provided, and the high-frequency power output from the second high-frequency power source has a higher frequency than the high-frequency power applied to the antenna. In this case, the high-frequency power applied to the antenna may be higher in frequency than the high-frequency power output from the first high-frequency power supply.
【００１０】また請求項３のプラズマ処理装置は、前記
請求項１のプラズマ処理装置における電極への高周波電
力の印加経路を変え、ミキシング装置を介して、相対的
に低い周波数の高周波電力を出力する第１の高周波電
源、及び相対的に高い周波数の高周波電力を出力する第
２の高周波電源の双方を被処理体を載置する一方の電極
と接続し、他方の電極を接地したことを特徴とするもの
である。According to a third aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus according to the first aspect of the present invention, wherein a path for applying high-frequency power to an electrode in the plasma processing apparatus is changed, and high-frequency power having a relatively low frequency is output via a mixing device. Both the first high-frequency power supply and the second high-frequency power supply that outputs high-frequency power of a relatively high frequency are connected to one electrode on which the object to be processed is mounted, and the other electrode is grounded. Is what you do.
【００１１】さらにこれら各プラズマ処理装置における
アンテナは、請求項４に記載したように、前記他方の電
極寄りの位置に配置する、すなわち一方の電極よりも他
方の電極の方に近い位置に配置すると共に、このアンテ
ナの径を前記他の電極の径よりも大きいものとすれば、
より好ましい。Furthermore antennas in each of these plasma processing apparatus, as claimed in claim 4, arranged at the position of the other electrode close, that is, disposed at a position closer to the other electrode than one electrode Also, if the diameter of this antenna is larger than the diameter of the other electrode,
More preferred.
【００１２】[0012]
【作用】請求項１〜４のプラズマ処理装置とも、高い周
波数の高周波電力を出力する第２の高周波電源からの高
周波電力によって処理容器内にプラズマを発生させ、こ
のプラズマ中のイオンの被処理体への入射エネルギー
を、第１の高周波電源からの低い周波数の高周波電力に
よって制御することができる。かかる作用を鑑みれば、
第１の高周波電源の周波数は、イオンが追従できる周波
数、例えば数百ｋＨｚオーダーの周波数など、１ＭＨｚ
以下の周波数が好適である。他方、第２の高周波電源の
周波数は、高密度プラズマを発生させるための周波数、
例えば１３．５６ＭＨｚ、２７．１２ＭＨｚなど、１Ｍ
Ｈｚを越える周波数が好ましい。In any of the plasma processing apparatuses according to the first to fourth aspects , plasma is generated in the processing chamber by high-frequency power from a second high-frequency power supply that outputs high-frequency high-frequency power, and an object to be processed of ions in the plasma. Energy incident on the first high-frequency power source can be controlled by low-frequency high-frequency power from the first high-frequency power supply. In view of this effect,
The frequency of the first high-frequency power supply is 1 MHz, such as a frequency that ions can follow, for example, a frequency on the order of several hundred kHz.
The following frequencies are preferred: On the other hand, the frequency of the second high-frequency power source is a frequency for generating high-density plasma,
For example, 1M such as 13.56 MHz and 27.12 MHz
Frequencies above Hz are preferred.
【００１３】そしてアンテナによって、前記処理容器内
の対向電極間の領域、即ち処理領域の周囲には変動磁界
が発生され、この変動磁界によってプラズマが閉じこめ
られるので、その結果処理領域内のプラズマ密度は上昇
する。また高周波電力によって形成される変動磁界は対
向電極間の領域の周囲に形成されるので、処理領域のプ
ラズマ密度の均一性はこの変動磁界によって影響を受け
ない。そして特に請求項４のようにアンテナの配置位
置、大きさを設定すれば、より効果的にプラズマを閉じ
こめることができる。[0013] A fluctuating magnetic field is generated by the antenna in a region between the opposing electrodes in the processing vessel, that is, around the processing region, and the fluctuating magnetic field confines the plasma. As a result, the plasma density in the processing region is reduced. To rise. Further, since the fluctuating magnetic field formed by the high-frequency power is formed around the region between the opposed electrodes, the uniformity of the plasma density in the processing region is not affected by the fluctuating magnetic field. In particular, when the position and size of the antenna are set as in claim 4 , the plasma can be more effectively confined.
【００１４】前記アンテナの構成としては、例えば環状
の１ターンの高周波アンテナを始めとして、複数ターン
の高周波アンテナ、さらにはスパイラル形状の高周波ア
ンテナ等が提案できる。そしてこのアンテナに印加する
高周波電力の周波数は、前記第１の高周波電源の周波数
と第２の高周波電源の周波数との間の周波数が好まし
い。As the configuration of the above-mentioned antenna, for example, a high-frequency antenna having a plurality of turns, a high-frequency antenna having a spiral shape, and the like can be proposed. The frequency of the high-frequency power applied to the antenna is preferably a frequency between the frequency of the first high-frequency power supply and the frequency of the second high-frequency power supply.
【００１５】なお前記アンテナは処理容器の外部に設け
てもよく、また処理容器の内部に設けてもよい。通常こ
の種の処理容器は、導電性の材質で構成されて接地され
ているので、この場合には、アンテナを外部に設ける際
に、処理容器におけるアンテナの近傍のみ、絶縁材質、
例えば石英等で構成すればよい。またアンテナの配置場
所は、処理容器の天板に相当する部分の上部や、処理容
器の側壁外周に設定してもよい。いずれにしろ対向電極
間領域の周囲に変動磁界を形成できるように適宜配置す
ればよい。The antenna may be provided outside the processing vessel, or may be provided inside the processing vessel. Usually, this type of processing vessel is made of a conductive material and is grounded. In this case, when the antenna is provided outside, only the vicinity of the antenna in the processing vessel, an insulating material,
For example, it may be made of quartz or the like. Further, the antenna may be disposed at an upper portion of a portion corresponding to a top plate of the processing container or at an outer periphery of a side wall of the processing container. In any case, it may be appropriately arranged so that a fluctuating magnetic field can be formed around the region between the opposed electrodes.
【００１６】一方、前記アンテナを処理容器内部に設け
る場合には、プラズマによるスパッタリングを防止する
ため、アンテナの外周を絶縁体、例えば石英等で被覆す
ればよい。さらに前記アンテナに印加する前記高周波電
力の出力、周波数を適宜設定することよって、補助的に
処理容器内のプラズマ密度を高めることも可能である。On the other hand, when the antenna is provided inside the processing chamber, the outer periphery of the antenna may be covered with an insulator, for example, quartz or the like in order to prevent sputtering by plasma. Further, by appropriately setting the output and frequency of the high-frequency power applied to the antenna, it is possible to supplementarily increase the plasma density in the processing chamber.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、本発明をエッチング装置に適用した実
施例について説明すると、図１は本実施例にかかるエッ
チング装置１の断面を模式的に示しており、このエッチ
ング装置１における処理室２は、酸化アルマイト処理さ
れたアルミニウムなどからなる円筒形状の処理容器３内
に形成され、処理室２は気密に閉塞自在に構成されてい
る。また処理容器３自体は、例えば接地線４に接続され
るなどして接地されている。前記処理室２内の底部には
セラミックなどの絶縁支持板５が設けられており、この
絶縁支持板５の上部に、被処理体例えば直径１２インチ
の半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）Ｗを載置す
るための略円柱状のサセプタ６が収容されている。この
サセプタ６は、例えば酸化アルマイト処理されたアルミ
ニウムからなっており、下部電極を構成する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to an etching apparatus will be described below. FIG. 1 schematically shows a cross section of an etching apparatus 1 according to the present embodiment. The processing chamber 2 is formed in a cylindrical processing container 3 made of aluminum or the like, which has been subjected to anodized aluminum oxide. The processing vessel 3 itself is grounded, for example, by being connected to a ground wire 4. An insulating support plate 5 made of ceramic or the like is provided at the bottom of the processing chamber 2. A susceptor 6 having a substantially cylindrical shape for mounting the susceptor is accommodated. The susceptor 6 is made of, for example, anodized aluminum and constitutes a lower electrode.
【００１８】前記サセプタ６内には、冷媒が流通する冷
媒循環路７が形成されており、冷媒導入管８から導入さ
れた冷媒は、この冷媒循環路７内を巡って冷媒排出管９
から処理容器３外部に排出されるようになっている。か
かる構成により、サセプタ６及び前記ウエハＷを所定の
温度に冷却することが可能になっている。また同時にサ
セプタ６内に、例えばセラミックヒータなどの加熱手段
を別途を設け、適宜の温度センサによる制御によって、
該加熱手段をコントロールして、前記冷媒循環路７の作
用と共に、ウエハＷを所定温度に制御する構成としても
よい。In the susceptor 6, a refrigerant circulation path 7 through which the refrigerant flows is formed, and the refrigerant introduced from the refrigerant introduction pipe 8 passes through the refrigerant circulation path 7 and the refrigerant discharge pipe 9
From the processing container 3. With this configuration, the susceptor 6 and the wafer W can be cooled to a predetermined temperature. At the same time, a heating means such as a ceramic heater is separately provided in the susceptor 6 and controlled by an appropriate temperature sensor.
The heating means may be controlled to control the wafer W to a predetermined temperature together with the operation of the coolant circulation path 7.
【００１９】前記サセプタ６上には、ウエハＷを吸着保
持するための静電チャック１１が設けられている。この
静電チャック１１は、導電性の薄膜１２をポリイミド系
の樹脂フィルム１３によって上下から挟持した構成を有
し、処理容器３の外部に設置されている高圧直流電源１
４からの所定の直流電圧、例えば１．５ｋＶ〜２ｋＶの
電圧が前記薄膜１２に印加されると、樹脂フィルム１３
上に発生する電荷に基づいたクーロン力によって、静電
チャック１１上に載置されたウエハＷは、この静電チャ
ック１１の上面に吸着保持されるようになっている。On the susceptor 6, an electrostatic chuck 11 for holding the wafer W by suction is provided. The electrostatic chuck 11 has a configuration in which a conductive thin film 12 is sandwiched from above and below by a polyimide resin film 13, and a high-voltage DC power supply 1 installed outside the processing container 3.
When a predetermined DC voltage, for example, a voltage of 1.5 kV to 2 kV is applied to the thin film 12, the resin film 13
The wafer W mounted on the electrostatic chuck 11 is attracted and held on the upper surface of the electrostatic chuck 11 by the Coulomb force based on the electric charge generated thereon.
【００２０】また前記サセプタ６内には、処理容器３底
部及び絶縁支持板５を貫設した伝熱ガス導入管１５が設
けられ、前記静電チャック１１を貫通したガス流路１６
と接続されている。そして処理容器３外部から供給され
る適宜の伝熱ガス、例えばＨｅ（ヘリウム）ガスが前記
伝熱ガス導入管１５、ガス流路１６を通じて、静電チャ
ック１１上に保持されているウエハＷの裏面に供給さ
れ、ウエハＷと静電チャック１１、即ちサセプタ６との
間の熱伝達効率が向上するようになっている。In the susceptor 6, a heat transfer gas introducing pipe 15 penetrating the bottom of the processing vessel 3 and the insulating support plate 5 is provided, and a gas flow path 16 penetrating the electrostatic chuck 11.
Is connected to Then, an appropriate heat transfer gas, for example, He (helium) gas, supplied from the outside of the processing container 3 is passed through the heat transfer gas introduction pipe 15 and the gas flow path 16 to the back surface of the wafer W held on the electrostatic chuck 11. And the heat transfer efficiency between the wafer W and the electrostatic chuck 11, that is, the susceptor 6, is improved.
【００２１】前記サセプタ６の上面外周縁における静電
チャック１１の周囲には、この静電チャック１１を取り
囲むようにして、環状のフォーカスリング１７が設けら
れている。このフォーカスリング１７は、例えば導電性
を有する単結晶シリコン等で形成された場合には、ウエ
ハＷ周辺のプラズマ密度の均一性を改善する機能を有
し、また石英等の絶縁体で形成された場合には、プラズ
マ中のイオンを引き寄せず、ウエハＷへの入射効率を向
上させる機能を有する。このような作用を鑑みれば、内
側に導電性のフォーカスリングを配置し、その外周に絶
縁性のフォーカスリングを配置した構成をとれば、ウエ
ハＷ周辺のプラズマ密度の均一性を改善しつつ、かつウ
エハＷ上のプラズマ密度を高める作用が得られる。An annular focus ring 17 is provided around the electrostatic chuck 11 on the outer peripheral edge of the upper surface of the susceptor 6 so as to surround the electrostatic chuck 11. When the focus ring 17 is formed of, for example, single-crystal silicon having conductivity, the focus ring 17 has a function of improving the uniformity of the plasma density around the wafer W, and is formed of an insulator such as quartz. In this case, it has a function of improving the efficiency of incidence on the wafer W without attracting ions in the plasma. In view of such an operation, a configuration in which the conductive focus ring is disposed inside and the insulating focus ring is disposed on the outer periphery thereof improves the uniformity of the plasma density around the wafer W, and The effect of increasing the plasma density on the wafer W is obtained.
【００２２】前出サセプタ６の周囲には、多数の透孔が
形成されたバッフル板１８が配置されており、さらにこ
のバッフル板１８の下方における処理容器３の底部近傍
には、排気口１９が設けられ、この排気口１９は、例え
ばターボ分子ポンプなどの真空引き手段２０に通ずる排
気管２１と接続されている。従って、真空引き手段２０
の作動によって、処理容器３内は所定の減圧度、例えば
１０ｍＴｏｒｒにまで、真空引きすることが可能であ
り、しかもその場合、処理容器３内のガスは前記バッフ
ル板１８を通じて排気されるので、均一に排気すること
が可能である。このような処理容器３内の排気、並びに
真空引き手段２０の作動による処理容器３内の減圧度の
維持は、処理容器３に設けた圧力センサ（図示せず）か
らの検出信号に基づいて自動的に制御されるようになっ
ている。A baffle plate 18 having a large number of through holes is disposed around the susceptor 6. An exhaust port 19 is provided below the baffle plate 18 near the bottom of the processing chamber 3. The exhaust port 19 is provided, and is connected to an exhaust pipe 21 which communicates with evacuation means 20 such as a turbo molecular pump. Therefore, the evacuation means 20
By the operation described above, the inside of the processing container 3 can be evacuated to a predetermined degree of reduced pressure, for example, to 10 mTorr, and in this case, the gas in the processing container 3 is exhausted through the baffle plate 18, so that It is possible to exhaust air. Such evacuation of the processing chamber 3 and maintenance of the degree of reduced pressure in the processing chamber 3 by the operation of the evacuation unit 20 are automatically performed based on a detection signal from a pressure sensor (not shown) provided in the processing chamber 3. Is controlled in a controlled manner.
【００２３】前出処理室２の上部には、例えばアルミナ
からなる絶縁材３１を介して、上部電極３２が設けられ
ている。この上部電極３２は、導電性の材質、例えば酸
化アルマイト処理されたアルミニウムで構成されている
が、少なくとも前記ウエハＷに対向する面３２ａは、他
の導電性材質、例えば単結晶シリコンで形成してもよ
い。またこの上部電極３２は、その内部に中空部３２ｂ
を有する中空構造を有しており、さらに上部電極３２の
上部中央にはガス導入口３３が形成され、このガス導入
口３３は前記中空部３２ｂと通じている。そしてウエハ
Ｗに対向する面３２ａには、多数の吐出口３２ｃが形成
されている。An upper electrode 32 is provided above the processing chamber 2 via an insulating material 31 made of, for example, alumina. The upper electrode 32 is made of a conductive material, for example, aluminum that has been treated with anodized aluminum. At least the surface 32a facing the wafer W is made of another conductive material, for example, single-crystal silicon. Is also good. The upper electrode 32 has a hollow portion 32b therein.
In addition, a gas inlet 33 is formed in the upper center of the upper electrode 32, and the gas inlet 33 communicates with the hollow portion 32b. A large number of discharge ports 32c are formed on the surface 32a facing the wafer W.
【００２４】前記ガス導入口３３には、ガス導入管３４
が接続され、さらにこのガス導入管３４には、バルブ３
５、流量調節のためのマスフローコントローラ３６を介
して、処理ガス供給源３７が接続されている。本実施例
では、処理ガス供給源４７から所定の処理ガス、例えば
ＣＦ4ガスやＣ4Ｆ8ガスなどのＣＦ系のエッチングガス
等が供給されるようになっており、このエッチングガス
は、マスフローコントローラ３６で流量が調節されて、
前記上部電極３２の吐出口３２ｃから、ウエハＷに対し
て均一に吐出される構成となっている。The gas inlet 33 has a gas inlet tube 34
The gas introduction pipe 34 is connected to a valve 3.
5. A processing gas supply source 37 is connected via a mass flow controller 36 for adjusting the flow rate. In this embodiment, a predetermined processing gas, for example, a CF-based etching gas such as CF 4 gas or C 4 F 8 gas is supplied from the processing gas supply source 47. The flow rate is adjusted by the controller 36,
The discharge is performed uniformly from the discharge port 32c of the upper electrode 32 to the wafer W.
【００２５】次にこのエッチング装置１の高周波電力の
供給系について説明すると、まず下部電極となるサセプ
タ６に対しては、周波数が数百ｋＨｚ程度、例えば８０
０ｋＨｚの高周波電力を出力する第１の高周波電源４１
からの電力が、ブロッキングコンデンサなどを有する整
合器４２を介して供給される構成となっている。一方上
部電極３２に対しては、整合器４３を介して、周波数が
前記第１の高周波電源４１よりも高い１ＭＨｚ以上の周
波数、例えば２７．１２ＭＨｚの高周波電力を出力する
第２の高周波電源４４からの電力が供給される構成とな
っている。Next, a high-frequency power supply system of the etching apparatus 1 will be described.
First high frequency power supply 41 that outputs high frequency power of 0 kHz
Is supplied via a matching unit 42 having a blocking capacitor and the like. On the other hand, for the upper electrode 32, a second high-frequency power supply 44 that outputs a high-frequency power of 1 MHz or higher, for example, 27.12 MHz, whose frequency is higher than that of the first high-frequency power supply 41, via a matching unit 43. Power is supplied.
【００２６】そして前記処理容器３の側壁上部は、例え
ば石英からなる環状の絶縁材５１が配設されており、こ
の絶縁材５１の外周には、図２にも示したような環状の
アンテナ５２が配置されている。このアンテナ５２は、
いわゆる１ターン構成であり、第３の高周波電源５３か
らの高周波電力、例えば周波数が１３．５６ＭＨｚの高
周波電力が印加されると、図１に示したように、上部電
極３２とサセプタ６との間の空間の周囲に、前記周波数
に応じた変動磁界Ｂが形成されるようになっている。An annular insulating member 51 made of, for example, quartz is disposed on the upper portion of the side wall of the processing container 3. An annular antenna 52 as shown in FIG. Is arranged. This antenna 52
When a high-frequency power from the third high-frequency power supply 53, for example, a high-frequency power having a frequency of 13.56 MHz, is applied from the third high-frequency power supply 53, a gap between the upper electrode 32 and the susceptor 6, as shown in FIG. A fluctuating magnetic field B corresponding to the frequency is formed around this space.
【００２７】本実施例にかかるエッチング装置１の主要
部は以上のように構成されており、このエッチング装置
１の側面には、例えばゲートバルブ（図示せず）を介し
て、ウエハ搬送手段等が収容されているロードロック室
（図示せず）が並設されている。The main part of the etching apparatus 1 according to the present embodiment is constructed as described above. On the side surface of the etching apparatus 1, for example, a wafer transfer means is provided via a gate valve (not shown). The accommodated load lock chambers (not shown) are provided side by side.
【００２８】次に前記構成になるエッチング装置１を用
いて、例えばシリコンのウエハＷの酸化膜（ＳｉＯ2）
に対してエッチングする場合のプロセス、作用等につい
て説明すると、まず前記ロードロック室から被処理体で
あるウエハＷが処理室２内に搬入され、静電チャック１
１上に載置されると、高圧直流電源１４から所定の電圧
が静電チャック１１内の導電性の薄膜１２に印加され
て、ウエハＷはこの静電チャック１１上に吸着、保持さ
れる。Next, an oxide film (SiO 2 ) of a silicon wafer W, for example, is formed by using the etching apparatus 1 having the above-described structure.
The process, operation, and the like in the case of etching the wafer W will be described. First, a wafer W to be processed is loaded into the processing chamber 2 from the load lock chamber, and the electrostatic chuck 1 is etched.
When the wafer W is placed on the electrostatic chuck 11, a predetermined voltage is applied from the high-voltage DC power supply 14 to the conductive thin film 12 in the electrostatic chuck 11, and the wafer W is attracted and held on the electrostatic chuck 11.
【００２９】次いで処理室２内が、真空引き手段２０に
よって真空引きされていき、所定の真空度、例えば１０
ｍＴｏｒｒになった後、処理ガス供給源３７から所定の
処理ガス、例えばＣＦ4が所定の流量比で供給され、処
理室２の圧力が所定の真空度、例えば２０ｍＴｏｒｒに
設定、維持される。Next, the inside of the processing chamber 2 is evacuated by the evacuation means 20, and a predetermined degree of vacuum, for example, 10
After the pressure reaches mTorr, a predetermined processing gas, for example, CF 4 is supplied from the processing gas supply source 37 at a predetermined flow ratio, and the pressure in the processing chamber 2 is set and maintained at a predetermined degree of vacuum, for example, 20 mTorr.
【００３０】次いでアンテナ５２に対して第３の高周波
電源から、周波数が１３．５６ＭＨｚ、パワーが例えば
５００Ｗ〜２０００Ｗの高周波電力が印加されると、既
述したように、上部電極３２とサセプタ６との間の空間
の周囲に、前記周波数に応じた変動磁界Ｂが形成され
る。Next, when high frequency power having a frequency of 13.56 MHz and a power of, for example, 500 W to 2000 W is applied to the antenna 52 from the third high frequency power supply, as described above, the upper electrode 32 and the susceptor 6 are connected to each other. A fluctuating magnetic field B corresponding to the frequency is formed around the space between.
【００３１】そして上部電極３２に対して第２の高周波
電源４４から周波数が２７．１２ＭＨｚ、パワーが２ｋ
Ｗの高周波電力が供給されると、上部電極３２とサセプ
タ６との間にプラズマが生起される。またこれより僅か
に遅れて（１秒以下のタイミング遅れ）をもって、サセ
プタ６に対して第１の高周波電源４１から周波数が８０
０ｋＨｚ、パワーが１ｋＷの高周波電力が供給される。
そのようにサセプタ６に対して上部電極３２よりもタイ
ミングを遅らせて高周波電力を供給させることにより、
過大な電圧によってウエハＷがダメージを受けることを
防止できる。The frequency of the upper electrode 32 from the second high frequency power supply 44 is 27.12 MHz and the power is 2 k.
When the high frequency power of W is supplied, plasma is generated between the upper electrode 32 and the susceptor 6. With a slight delay (timing delay of 1 second or less), the frequency of the first high frequency power supply 41
High frequency power of 0 kHz and power of 1 kW is supplied.
By causing the susceptor 6 to supply high-frequency power at a timing later than that of the upper electrode 32,
It is possible to prevent the wafer W from being damaged by an excessive voltage.
【００３２】前記第２の高周波電源４４からの高周波
（２７．１２ＭＨｚ）の印加によって発生したプラズマ
により処理室２内のエッチングガス、即ちＣＦ4ガスの
ガス分子が解離し、それによって生じたエッチャントイ
オンが、第１の高周波電源４１からサセプタ６側に供給
された相対的に低い周波数の高周波（８００ｋＨｚ）に
よってその入射速度がコントロールされつつ、ウエハＷ
表面のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）をエッチングしてい
く。The etching gas in the processing chamber 2, that is, the gas molecules of the CF 4 gas are dissociated by the plasma generated by the application of the high frequency (27.12 MHz) from the second high frequency power supply 44, and the etchant ions generated thereby However, while the incident speed is controlled by a relatively low frequency high frequency (800 kHz) supplied from the first high frequency power supply 41 to the susceptor 6, the wafer W
The silicon oxide film (SiO 2 ) on the surface is etched.
【００３３】この場合、前記したように、上部電極３２
とサセプタ６との間の空間の周囲には、変動磁界Ｂが形
成されているので、上部電極３２とサセプタ６間に発生
したプラズマの拡散は、この変動磁界Ｂによって抑制さ
れる。従って、上部電極３２とサセプタ６との間の領域
のプラズマ密度はそれに応じて高いものとなっている。
従って、高密度プラズマの下での高速なエッチングレー
トが得られる。In this case, as described above, the upper electrode 32
Since a fluctuating magnetic field B is formed around the space between the susceptor 6 and the susceptor 6, the diffusion of the plasma generated between the upper electrode 32 and the susceptor 6 is suppressed by the fluctuating magnetic field B. Therefore, the plasma density in the region between the upper electrode 32 and the susceptor 6 is correspondingly higher.
Therefore, a high-speed etching rate under high-density plasma can be obtained.
【００３４】また変動磁界Ｂは、上部電極３２とサセプ
タ６との間の空間の周囲に形成されて、プラズマの拡散
を防止できる程度の強度であれば十分であるから、ウエ
ハＷ上の磁場は殆ど０（ゼロ）とすることができ、プラ
ズマ密度の均一性には影響がない。従って、被処理体で
あるウエハＷに対する前記エッチング処理の均一性は極
めて良好である。Further, the fluctuating magnetic field B is formed around the space between the upper electrode 32 and the susceptor 6 and needs only to be strong enough to prevent the diffusion of plasma. It can be almost 0 (zero), and does not affect the uniformity of the plasma density. Therefore, the uniformity of the etching process on the wafer W to be processed is extremely good.
【００３５】また変動磁界Ｂの強度にもよるが、電界と
直交するところでは、電子のサイクロイド運動によって
ガス分子との衝突が起こり、その結果プラズマが生起さ
れ、処理室２内のプラズマは補助的に濃くなって、さら
にプラズマ密度を高くすることができる。Also, depending on the strength of the fluctuating magnetic field B, at positions orthogonal to the electric field, collisions with gas molecules occur due to cycloidal motion of electrons, and as a result, plasma is generated, and the plasma in the processing chamber 2 becomes auxiliary. And the plasma density can be further increased.
【００３６】なお以上のような変動磁界Ｂの作用等に鑑
みれば、アンテナ５２に印加する高周波電力のパワー
は、プラズマ拡散を抑制するに十分な変動磁界Ｂを形成
できればよく、従ってこの高周波電力を発生させる第３
の高周波電源の出力は小さいものでよい。それゆえ、処
理容器３の外部周りの装置構成が肥大化せず、エッチン
グ装置１全体としてみても、大がかりなものとはならな
い。In view of the above-described effects of the fluctuating magnetic field B, the power of the high-frequency power applied to the antenna 52 only needs to form a fluctuating magnetic field B sufficient to suppress plasma diffusion. Third to generate
Output of the high frequency power supply may be small. Therefore, the configuration of the apparatus around the outside of the processing container 3 does not become large, and the etching apparatus 1 as a whole does not become large.
【００３７】なお前記実施例で用いたアンテナ５２は、
１ターンの環状の構成を有していたが、これに代えて、
例えば図３に示したように、環状の１ターンのアンテナ
６１、６２を上下に配置したアンテナ６３を用いてもよ
い。The antenna 52 used in the above embodiment is
It had a one-turn annular configuration, but instead of this,
For example, as shown in FIG. 3, an antenna 63 in which annular one-turn antennas 61 and 62 are arranged vertically may be used.
【００３８】さらに図４に示したように、アンテナ部材
を螺旋状に構成したアンテナ６４を用いてもよい。Further, as shown in FIG. 4, an antenna 64 having a spirally formed antenna member may be used.
【００３９】前記実施例にかかるエッチング装置１にお
いては、変動磁界Ｂを形成するためのアンテナ５２が、
処理容器３の側壁上部に配設された環状の絶縁部材５１
の外周に配置されていたが、これに限らず、図５に示し
た第２の実施例にかかるエッチング装置７１のように、
処理容器７２の天板部分に相当する部分の上部に配置し
てもよい。なお図５中、図１と同一の番号で示される部
材は、前記実施例にかかるエッチング装置１における部
材と同一の構成を示している。In the etching apparatus 1 according to the embodiment, the antenna 52 for forming the fluctuating magnetic field B is
An annular insulating member 51 disposed on the upper part of the side wall of the processing container 3
However, the present invention is not limited to this, and as in the etching apparatus 71 according to the second embodiment shown in FIG.
The processing container 72 may be disposed above a portion corresponding to a top plate portion. In FIG. 5, members denoted by the same reference numerals as those in FIG. 1 have the same configuration as the members in the etching apparatus 1 according to the embodiment.
【００４０】このエッチング装置７１においては、酸化
アルマイト処理されたアルミニウムなどからなる円筒形
状の処理容器７２の天板に相当する部分を、絶縁材、例
えば石英からなる絶縁プレート７３で構成し、該絶縁プ
レート７３の上に、前出第１実施例のエッチング装置１
におけるアンテナ５２と相似形をなす１ターンの略環状
（ループ状）のアンテナ７４を配置し、このアンテナ７
４に、第３の高周波電源５３を接続した構成を有してい
る。In this etching apparatus 71, a portion corresponding to the top plate of a cylindrical processing vessel 72 made of aluminum or the like that has been subjected to anodizing with an oxide is constituted by an insulating plate 73 made of an insulating material, for example, quartz. On the plate 73, the etching apparatus 1 of the first embodiment described above.
A one-turn, substantially annular (loop-shaped) antenna 74 having a similar shape to the antenna 52 in FIG.
4 has a configuration in which a third high frequency power supply 53 is connected.
【００４１】このような構成をもったエッチング装置７
１においても、前記アンテナ７４によって、上部電極３
２とサセプタ６との間の空間の周囲には、プラズマの拡
散を抑える変動磁界が形成され、第１実施例にかかるエ
ッチング装置１と同様、高密度プラズマの下での高速か
つ均一なエッチングレートが得られる。The etching apparatus 7 having such a configuration
1 also, the upper electrode 3
A fluctuating magnetic field for suppressing the diffusion of plasma is formed around the space between the susceptor 2 and the susceptor 6, and as in the etching apparatus 1 according to the first embodiment, a high-speed and uniform etching rate under high-density plasma. Is obtained.
【００４２】前記各実施例にかかるエッチング装置１、
７１においては、変動磁界を形成するためのアンテナ５
２、７４はいずれも処理容器の外部に配置されていた
が、図６に示した第３の実施例にかかるエッチング装置
８１のように、処理容器８２の内部にしてもよい。なお
図６中、図１と同一の番号で示される部材は、前記実施
例にかかるエッチング装置１における部材と同一の構成
を示している。The etching apparatus 1 according to each of the above embodiments,
71, an antenna 5 for forming a fluctuating magnetic field;
Although both 2 and 74 are arranged outside the processing vessel, they may be arranged inside the processing vessel 82 as in the etching apparatus 81 according to the third embodiment shown in FIG. In FIG. 6, members denoted by the same reference numerals as those in FIG. 1 have the same configuration as the members in the etching apparatus 1 according to the embodiment.
【００４３】即ち図６に示したエッチング装置８１にお
いては、酸化アルマイト処理されたアルミニウムなどか
らなる円筒形状の処理容器８２の内部における側壁上部
に、例えば石英などの絶縁材８３で被覆された環状のア
ンテナ８４を配置し、このアンテナ８４に、前出第３の
高周波電源５３を接続した構成を有している。That is, in the etching apparatus 81 shown in FIG. 6, an annular side wall covered with an insulating material 83 such as quartz is formed on an upper portion of a side wall inside a cylindrical processing vessel 82 made of aluminum or the like which has been subjected to anodizing. An antenna 84 is arranged, and the third high-frequency power supply 53 is connected to the antenna 84.
【００４４】かかる構成を有するエッチング装置８１に
よれば、前記アンテナ８４によって、上部電極３２とサ
セプタ６との間の空間の周囲に、プラズマの拡散を抑え
る変動磁界が形成され、第１実施例にかかるエッチング
装置１と同様、高密度プラズマの下での高速かつ均一な
エッチングレートが得られる。しかもこのエッチング装
置８１においては、アンテナ８４が処理容器８２内に収
容されているので、エッチング装置８１の周りがより簡
素化されている。According to the etching apparatus 81 having such a structure, the antenna 84 forms a fluctuating magnetic field for suppressing the diffusion of plasma around the space between the upper electrode 32 and the susceptor 6. As with the etching apparatus 1, a high-speed and uniform etching rate under high-density plasma can be obtained. In addition, in the etching apparatus 81, since the antenna 84 is housed in the processing container 82, the area around the etching apparatus 81 is further simplified.
【００４５】さらに前記実施例では、いずれもサセプタ
６に相対的に低い周波数の高周波電力を発生する第１の
高周波電源４１を接続し、上部電極３２には相対的に高
い周波数の高周波電力を発生する第２の高周波電源４４
を接続した構成であったが、図７に示した第４の実施例
にかかるエッチング装置９１のように、これら２つの異
なった周波数の高周波電力を発生する第１の高周波電源
４１と第２の高周波電源４４の双方とも、サセプタ６に
接続する構成としてもよい。なお図７中、図１と同一の
番号で示される部材は、第１の実施例にかかるエッチン
グ装置１における部材と同一の構成を示している。Further, in each of the above embodiments, the first high frequency power supply 41 for generating a relatively low frequency high frequency power is connected to the susceptor 6, and the relatively high frequency high frequency power is generated for the upper electrode 32. Second high frequency power supply 44
However, like the etching apparatus 91 according to the fourth embodiment shown in FIG. 7, the first high-frequency power supply 41 and the second high-frequency power supply 41 that generate high-frequency powers of these two different frequencies are used. Both of the high frequency power supplies 44 may be connected to the susceptor 6. In FIG. 7, members denoted by the same reference numerals as those in FIG. 1 have the same configuration as the members in the etching apparatus 1 according to the first embodiment.
【００４６】即ち図７に示したエッチング装置９１にお
いては、第１の高周波電源４１と第２の高周波電源４４
の双方とも、各々相互干渉を防止するためのフィルタ等
を内蔵した整合器９２、９３を介して、ミキシング装置
９４に接続し、このミキシング装置９４を通じて、いわ
ば２つの異なった周波数の高周波が重畳した形で、サセ
プタ６に印加される構成となっている。That is, in the etching apparatus 91 shown in FIG. 7, the first high-frequency power supply 41 and the second high-frequency power supply 44
Are connected to a mixing device 94 via matching devices 92 and 93 each having a built-in filter or the like for preventing mutual interference. Through this mixing device 94, so-called high frequencies of two different frequencies are superimposed. It is configured to be applied to the susceptor 6 in the form.
【００４７】またこのエッチング装置９１においては、
上部電極３２は、絶縁材を介さず直接処理容器３に固定
され、接地線４によって接地された処理容器３と上部電
極とは同電位、即ち上部電極３２は接地された構成とな
っている。In this etching apparatus 91,
The upper electrode 32 is directly fixed to the processing vessel 3 without any intervening insulating material, and the processing vessel 3 and the upper electrode grounded by the ground wire 4 have the same potential, that is, the upper electrode 32 is grounded.
【００４８】かかる構成を有するエッチング装置９１に
よっても、第２の高周波電源４４からの高周波（例え
ば、２７．１２ＭＨｚ）の印加によって発生したプラズ
マにより解離したエッチャントイオンが、第１の高周波
電源４１から印加される低い周波数の高周波（例えば８
００ｋＨｚ）によって、その入射速度がコントロールさ
れつつ、ウエハＷ表面をエッチングしていく。従って、
ダメージのない高速エッチングが可能である。Also with the etching apparatus 91 having such a configuration, etchant ions dissociated by plasma generated by application of a high frequency (for example, 27.12 MHz) from the second high frequency power supply 44 are applied from the first high frequency power supply 41. Low frequency high frequency (for example, 8
(00 kHz), the surface of the wafer W is etched while the incident speed is controlled. Therefore,
High-speed etching without damage is possible.
【００４９】もちろん前記第１実施例にかかるエッチン
グ装置１と同様、上部電極３２とサセプタ６との間の空
間の周囲には、アンテナ５２によって変動磁界が形成さ
れているので、前記プラズマの拡散は抑えられているか
ら、高速かつ均一なエッチングレートを得ることができ
る。Of course, like the etching apparatus 1 according to the first embodiment, since the fluctuating magnetic field is formed around the space between the upper electrode 32 and the susceptor 6 by the antenna 52, the diffusion of the plasma Since it is suppressed, a high-speed and uniform etching rate can be obtained.
【００５０】なおそのように、サセプタ６に２つの異な
った周波数の高周波電力を印加する構成をとっても、変
動磁界を形成するためのアンテナは、図３、図４に示し
た構成であってもよく、またアンテナの配置は、図５に
示したように、処理容器の上部や、図６に示したように
処理容器の内部に配置してもよい。Even if the susceptor 6 is configured to apply high-frequency power having two different frequencies, the antenna for forming the fluctuating magnetic field may be configured as shown in FIGS. The antenna may be arranged at the upper part of the processing container as shown in FIG. 5 or inside the processing container as shown in FIG.
【００５１】なお前記した各実施例は、いずれもエッチ
ング装置として構成した例であったが、これに限らず、
本発明は他のプラズマ処理装置、例えばアッシング装
置、スパッタリング装置、ＣＶＤ装置としても具体化で
きる。さらに被処理体も、ウエハに限らず、ＬＣＤ基板
であってもよい。Each of the above embodiments is an example in which the apparatus is configured as an etching apparatus. However, the present invention is not limited to this.
The present invention can be embodied as another plasma processing apparatus, for example, an ashing apparatus, a sputtering apparatus, or a CVD apparatus. Further, the object to be processed is not limited to the wafer, and may be an LCD substrate.
【００５２】[0052]
【発明の効果】請求項１〜４のプラズマ処理装置によれ
ば、アンテナによってプラズマの拡散が防止されるの
で、高いプラズマ密度の下で被処理体に対して各種のプ
ラズマ処理を施すことができる。また処理領域のプラズ
マ密度の均一性も良好であり、さらに被処理体にダメー
ジを与えることなく、高速かつ微細な処理を実施するこ
とができる。また特に請求項４のプラズマ処理装置で
は、より効果的にプラズマを閉じこめることができる。Effects of the Invention] According to the plasma processing apparatus according to claim 1-4, the diffusion of the plasma is prevented by the antenna, it can be subjected to various plasma processing on the object to be processed under a high plasma density . In addition, the uniformity of the plasma density in the processing region is good, and high-speed and fine processing can be performed without damaging the object to be processed. Particularly, in the plasma processing apparatus according to the fourth aspect, the plasma can be more effectively confined.
【図１】本発明の第１の実施例にかかるエッチング装置
の断面説明図である。FIG. 1 is an explanatory sectional view of an etching apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図１のエッチング装置に用いたアンテナの斜視
図である。FIG. 2 is a perspective view of an antenna used in the etching apparatus of FIG.
【図３】本発明に適用できる他のアンテナの斜視図であ
る。FIG. 3 is a perspective view of another antenna applicable to the present invention.
【図４】本発明に適用できる他のアンテナ（螺旋状）の
斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of another antenna (spiral) applicable to the present invention.
【図５】本発明の第２の実施例にかかるエッチング装置
の断面説明図である。FIG. 5 is an explanatory sectional view of an etching apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第３の実施例にかかるエッチング装置
の断面説明図である。FIG. 6 is an explanatory sectional view of an etching apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第４の実施例にかかるエッチング装置
の断面説明図である。FIG. 7 is an explanatory sectional view of an etching apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
１ エッチング装置 ２ 処理室 ３ 処理容器 ６ サセプタ １１ 静電チャック ２０ 真空引き手段 ３２ 上部電極 ３７ 処理ガス供給源 ４１ 第１の高周波電源 ４４ 第２の高周波電源 ５２ アンテナ ５３ 第３の高周波電源 Ｂ 変動磁界 Ｗ ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Etching apparatus 2 Processing chamber 3 Processing container 6 Susceptor 11 Electrostatic chuck 20 Evacuation means 32 Upper electrode 37 Processing gas supply source 41 1st high frequency power supply 44 2nd high frequency power supply 52 Antenna 53 3rd high frequency power supply B Fluctuating magnetic field W wafer
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−224239（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−343361（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−112166（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−338476（ＪＰ，Ａ) 第41回応用物理学関係連合講演会講演 予稿集 Ｎｏ．２，1994年３月24日，ｐ ｐ．505，28ｐ−ＺＦ−９，”ヘリコン 波プラズマを用いたＳｉＯ２膜の反応性 スパッタ堆積”，堀池靖浩 他 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 C23F 4/00 H01L 21/203 H01L 21/205 Continuation of front page (56) References JP-A-2-224239 (JP, A) JP-A-5-343361 (JP, A) JP-A-6-112166 (JP, A) JP-A-6-338476 (JP) , A) Proceedings No. 41 of the Lectures at the 41st Joint Lecture on Applied Physics 2, March 24, 1994, p. 505, 28p-ZF-9, "Reactive sputter deposition of SiO2 film using helicon wave plasma", Yasuhiro Horiike et al. (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/3065 C23F 4 / 00 H01L 21/203 H01L 21/205
Claims (4)
この処理容器内にプラズマを発生させて、前記電極のう
ちの一方の電極上の被処理体に対してプラズマ処理を施
す処理装置であって、 前記一方の電極は相対的に低い周波数の高周波電力を出
力する第１の高周波電源と接続され、他方の電極は前記
処理容器内にプラズマを発生させるための相対的に高い
周波数の高周波電力を出力する第２の高周波電源と接続
され、 さらに高周波電力の印加によって、前記処理容器内の対
向電極間領域の周囲に変動磁界を発生させて前記プラズ
マを閉じこめるアンテナを備え， 前記第２の高周波電源から出力される高周波電力は，前
記アンテナに印加する高周波電力よりも周波数が高いも
のであることを特徴とする、プラズマ処理装置。1. Two electrodes are disposed opposite to each other in a processing vessel,
A processing apparatus that generates plasma in the processing container and performs plasma processing on a target object on one of the electrodes, wherein the one electrode has a relatively low frequency high frequency power. It is connected to the first high frequency power supply for outputting, and the other electrode the
Connected to a second high-frequency power supply for outputting high-frequency power of a relatively high frequency for generating plasma in the processing container, and further applied around the region between the counter electrodes in the processing container by application of the high-frequency power A plasma processing apparatus comprising: an antenna for generating a magnetic field to confine the plasma; and wherein a high-frequency power output from the second high-frequency power source has a higher frequency than a high-frequency power applied to the antenna. apparatus.
前記第１の高周波電源から出力される高周波電力よりも
周波数が高いものであることを特徴とする、請求項１に
記載のプラズマ処理装置。2. The high frequency power applied to the antenna is:
2. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the frequency is higher than a high-frequency power output from the first high-frequency power supply. 3.
この処理容器内にプラズマを発生させて、前記電極のう
ちの一方の電極上の被処理体に対して処理を施す処理装
置であって、 前記一方の電極はミキシング装置を介して、相対的に低
い周波数の高周波電力を出力する第１の高周波電源、及
び前記処理容器内にプラズマを発生させるための相対的
に高い周波数の高周波電力を出力する第２の高周波電源
の双方と接続されると共に、他方の電極は接地され、 さらに高周波電力の印加によって、前記処理容器内の対
向電極間領域の周囲に変動磁界を発生させて前記プラズ
マを閉じこめるアンテナを備えたことを特徴とする、プ
ラズマ処理装置。3. The method according to claim 1, wherein the two electrodes are disposed opposite to each other in the processing container.
A processing apparatus for generating plasma in the processing container and performing processing on a processing target on one of the electrodes, wherein the one electrode is relatively mixed via a mixing device. A first high-frequency power supply that outputs a low-frequency high-frequency power, and a second high-frequency power supply that outputs a relatively high-frequency high-frequency power for generating plasma in the processing container , The other electrode is grounded, and further includes an antenna for generating a fluctuating magnetic field around a region between the opposing electrodes in the processing container by applying high-frequency power to confine the plasma.
置し、かつこのアンテナは前記他方の電極よりも大きい
径を有していることを特徴とする、請求項１，２又は３
に記載のプラズマ処理装置。4. The antenna according to claim 1, wherein the antenna is located on the other electrode side, and the antenna has a larger diameter than the other electrode.
3. The plasma processing apparatus according to 1.
Priority Applications (1)
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| JP17436795A JP3192352B2 (en) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | Plasma processing equipment |
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| JP17436795A JP3192352B2 (en) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | Plasma processing equipment |
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Cited By (1)
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| US9807862B2 (en) | 2012-03-12 | 2017-10-31 | Tokoyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
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1995
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| 第４１回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 Ｎｏ．２，１９９４年３月２４日，ｐｐ．５０５，２８ｐ−ＺＦ−９，"ヘリコン波プラズマを用いたＳｉＯ２膜の反応性スパッタ堆積"，堀池靖浩 他 |
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| US9807862B2 (en) | 2012-03-12 | 2017-10-31 | Tokoyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
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