JP2751015B2 - 被処理体の処理方法 - Google Patents
被処理体の処理方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、被処理体の処理方法に
関する。 【０００２】 【従来の技術】一般に、半導体ウエハ等の被処理基板の
表面にＳｉＯ2 、ＰＳＧ、ＢＳＧ等のＣＶＤ膜を形成す
るＣＶＤ装置には、減圧ＣＶＤ装置、常圧ＣＶＤ装置、
プラズマＣＶＤ装置等の種々のＣＶＤ装置がある。 【０００３】これらの従来のＣＶＤ装置では、常圧ある
いは減圧された処理室内に半導体ウエハ等の被処理基板
を多数配置し、これらの被処理基板を加熱するととも
に、処理室内に例えばＳｉＨ4 とＰＨ3 とＯ2 あるいは
ＳｉＨ4 とＯ2 等の所定の反応ガスを流通させ、バッチ
方式あるいはインライン方式等により半導体ウエハ表面
にＣＶＤ膜を形成する。またプラズマＣＶＤ装置では、
これらの反応ガスをプラズマ化して処理室内に流通させ
る。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記説明
の従来のＣＶＤ装置では、処理室内に流通される反応ガ
スを処理室内に配置された半導体ウエハ等の被処理基板
の表面に均一に供給することが困難であり、このため各
半導体ウエハ間あるいは半導体ウエハの表面の部位によ
って、形成されたＣＶＤ膜の膜厚が不均一になるという
問題があった。 【０００５】本発明はかかる従来の事情に対処してなさ
れたもので、各半導体ウエハおよび半導体ウエハの表面
全面に、均一な膜厚でＣＶＤ膜を形成することのできる
被処理体の処理方法を提供しようとするものである。 【０００６】 【課題を解決するための手段】すなわち本発明の被処理
体の処理方法は、気密な処理室内に設けられ被処理体の
温度制御が可能な載置台に被処理体を載置する第一の工
程と、前記処理室内を排気して所定の圧力に設定する第
二の工程と、前記被処理体に近接対向するよう配置され
た拡散板と、内部にガスを収容可能な如く前記拡散板の
裏面側に形成された空間部と、この空間部内のガスを冷
却する冷却機構とを有するガス流出部により、ガス供給
源から供給されたオゾンを含む酸素ガスおよび成膜ガス
を冷却しつつ、これらのガスを混合し、この混合ガス
を、所定の温度に設定された前記被処理体の被処理面に
略垂直に供給し、前記被処理面にＣＶＤ膜を形成する第
三の工程とを具備したことを特徴とする。また、請求項
２の発明は、前記処理室内の排気は、前記被処理体の中
央部から周辺部へ向かうガスの流れを形成し、前記被処
理体の周囲に設けられたスリット状または開口からなる
排気口より、前記処理室外へと行なわれることを特徴と
する。また、請求項３の発明は、前記成膜ガスは、Ｓｉ
Ｈ４、ＰＨ３、Ｂ２Ｈ６の中から選ばれた少なくとも２
つのガスを含むことを特徴とする。また、請求項４の発
明は、前記所定温度は２５０℃以下の温度であることを
特徴とする。 【０００７】 【作用】本発明の被処理体の処理方法では、まず、気密
な処理室内に設けられ被処理体の温度制御が可能な載置
台に被処理体を載置する。 【０００８】次に、処理室内を排気して所定の圧力に設
定する。 【０００９】この後、所定の温度に設定された被処理体
に対して、ガス供給源から被処理体に対向配置されたガ
ス流出部の間に設けられた冷却手段により冷却されたオ
ゾンを含む酸素ガスおよび成膜ガスとを、被処理体の被
処理面にガス流出部から略垂直に供給し、被処理面にＣ
ＶＤ膜を形成する。 【００１０】処理室内の排気は、例えば、被処理体の周
囲に設けられたスリット状または開口からなる排気口に
より、被処理体の中央部から周辺部へ向かうガスの流れ
を形成するよう行なう。 【００１１】また、成膜ガスは、例えば、ＳｉＨ4 、Ｐ
Ｈ3 、Ｂ2 Ｈ6 の中から選ばれた少なくとも２つのガス
を含むものを用い、所定温度は、例えば、２５０℃以下
の温度とする。 【００１２】さらに、ガス流出部は、被処理体に対し
て、例えば 0.5乃至20mm程度の間隙を設けて近接対向し
て配置されている。 【００１３】したがって、ガス流出部と半導体ウエハ等
の被処理体との間に形成されたギャップが、均一なガス
濃度の反応空間となり、被処理面全面に均一なＣＶＤ膜
を形成することができる。 【００１４】また、所定の反応ガスは、ガス供給源とガ
ス流出部との間に設けられた冷却手段により冷却されて
いるので、高温において分解されやすい反応ガスでも被
処理基板に供給される直前まで分解されることがなく反
応ガスを有効に使用することができ、高速な成膜速度で
処理を行なうことができる。 【００１５】 【実施例】以下、本発明の被処理体の処理方法を図面を
参照して実施例について説明する。 【００１６】図１および図４は本発明の一実施例のＣＶ
Ｄ装置を示すもので、この実施例のＣＶＤ装置では、処
理室１１内には、例えば真空チャック等により半導体ウ
エハ１２を吸着保持する載置台１３が配置されており、
この載置台１３は、温度制御装置１４によって制御され
るヒ―タ１５を内蔵し、昇降装置１６により上下に移動
自在とされている。 【００１７】載置台１３上方には、円錐形状に形成され
たコ―ン部１７ａと、このコ―ン部１７ａの開口部に配
置され、図３にも示すように、例えば金属あるいはセラ
ミック等の焼結体からなる拡散板１７ｂとから構成され
るガス流出部１７が配置されており、ガス流出部１７
は、冷却装置１８からコ―ン部１７ａの外側に配置され
た配管１８ａ内を循環される冷却水等により冷却されて
いる。 【００１８】そしてガス流出部１７は、それぞれガス流
量調節器１９ａ、１９ｂ、１９ｃを備えたガス供給源２
０ａ、２０ｂ、２０ｃに接続されている。 【００１９】また、載置台１３の周囲には、この載置台
１３の周囲を囲むように例えばスリット状あるいは複数
の開口からなる排気口２１が配置されており、この排気
口２１は、排気装置２２に接続されている。 【００２０】そして上記構成のこの実施例のＣＶＤ装置
では、次のようにしてＣＶＤを行なう。 【００２１】すなわち、まず昇降装置１６によって載置
台１３を下降させ、ガス流出部１７との間に図示しない
ウエハ搬送装置のア―ム等が導入される間隔が設けら
れ、半導体ウエハ１２がこのウエハ搬送装置等により載
置台１３上に載置され、吸着保持される。 【００２２】この後、昇降装置１６によって載置台１３
を上昇させ、ガス流出部１７の拡散板１７ｂと、半導体
ウエハ１２表面との間隔が例えば 0.5〜20mm程度の所定
の間隔に設定される。なおこの場合、ガス流出部１７を
昇降装置によって上下動させてもよい。 【００２３】半導体ウエハ１２が載置台１３上に配置さ
れるとガス供給源２０ａ、２０ｂ、２０ｃから供給され
る酸素ガスおよびＳｉＨ4 、ＰＨ3 、Ｂ2 Ｈ6 等の所定
の反応ガスが、少なくとも２種のガス流量調節器１９
ａ、１９ｂ、１９ｃにより流量を調節されて、ガス流出
部１７の拡散板１７ｂから半導体ウエハ１２表面へ向け
て流出される。なおこの時、載置台１３は、温度制御装
置１４およびヒ―タ１５により例えば 250℃乃至 500℃
程度に加熱され、半導体ウエハ１２を加熱する。この加
熱された半導体ウエハ１２の表面に流出噴射された反応
ガスは、酸素原子ラジカルを生成し、この生成した酸素
原子ラジカルと他の反応ガスとの反応により成膜する。
ガス流出部１７は、冷却装置１８から配管１８ａ内を循
環される冷却水により冷却されている。この冷却は、反
応ガスが高温に晒されて反応により変化するのを防止す
るためである。そして、排気装置２２により排気口２１
から排気を行ない、処理室１１内の気体圧力を 700〜20
0Torr 程度に設定する。 【００２４】この時、図２に矢印で示すように、ガス流
出部１７の拡散板１７ｂから流出したガスは、拡散板１
７ｂと半導体ウエハ１２との間に形成された反応空間内
で、半導体ウエハ１２の中央部から周辺部へ向かうガス
の流れを形成する。ここで所定の反応ガスは、加熱され
た半導体ウエハ１２およびその周囲の雰囲気により加熱
され、化学的な反応を起こし、半導体ウエハ１２の表面
にＣＶＤ膜が形成される。 【００２５】上記説明のこの実施例のＣＶＤ装置では、
ガス流出部１７と半導体ウエハ１２との間に形成された
ギャップが、均一なガス濃度の反応空間となり、各半導
体ウエハ１２全面に均一なＣＶＤ膜を形成することがで
きる。また、所定の反応ガスは、冷却されたガス流出部
１７から加熱された半導体ウエハ１２へ向けて流出され
るので、高温において分解されやすい反応ガスでも半導
体ウエハ１２に供給される直前まで分解されることがな
く反応ガスを有効に使用することができ、高速な成膜速
度で処理を行なうことができる。 【００２６】なお、この実施例では、所定の反応ガスの
１つとして酸素ガスを用いる場合について説明したが、
例えば図４に示すように、酸素供給源２５から供給され
る酸素ガス内にオゾン発生器２６によってオゾンを発生
させ、オゾンを含む酸素ガスによってＣＶＤ膜を形成す
るよう構成してもよい。このようなオゾンは、高温とさ
れると分解が促進されるので、ガス流出部１７の温度は
25℃程度とすることが好ましい。なお同図において前述
の図１に示すＣＶＤ装置と同一部分には、同一符号を付
してある。 【００２７】縦軸を成膜速度、横軸を半導体ウエハ１２
の温度とした図５のグラフの実線Ａ、Ｂは、それぞれ図
１に示したＣＶＤ装置および図４に示したオゾンを含む
酸素ガスによってＣＶＤ膜を形成するＣＶＤ装置の成膜
速度を示している。このグラフからわかるように、オゾ
ンを含む酸素ガスを用いると、より低温で高速な成膜速
度を得ることができる。 【００２８】なお、これら実施例ではガス流出部１７
を、円錐形状のコ―ン部１７ａの開口部に金属あるいは
セラミック等の焼結体からなる拡散板１７ｂを配置して
構成したが、本発明は係る実施例に限定されるものでは
なく、例えば拡散板１７ｂは、図６に示すように多数の
小孔３０ｃを備えた拡散板３０ｂとしてもよく、図７に
示すように複数の同心円状のスリット３１ｃを備えた拡
散板３１ｂ、図８に示すように直線状のスリット３２ｃ
を備えた拡散板３２ｂ、図９に示すように大きさの異な
る小孔３３ｃを配置された拡散板３３ｂ、図１０に示す
ように渦巻状のスリット３４ｃを備えた拡散板３４ｂ等
としてもよい。 【００２９】 【発明の効果】上述のように本発明の被処理体の処理方
法では、ガス流出部と半導体ウエハ等の被処理基板との
間に形成されたギャップが、均一なガス濃度の反応空間
となり、各被処理基板全面に均一なＣＶＤ膜を形成する
ことができる。また、所定の反応ガスは、ガス供給源と
ガス流出部との間に設けられた冷却手段により冷却され
ているので、高温において分解されやすい反応ガスでも
被処理基板に供給される直前まで分解されることがなく
反応ガスを有効に使用することができ、高速な成膜速度
で処理を行なうことができる。 【００３０】さらに、処理室内の排気を、例えば、被処
理体の周囲に設けられたスリット状または開口からなる
排気口により、被処理体の中央部から周辺部へ向かうガ
スの流れを形成するよう行なうことによって、成膜に使
用されたガスが速やかに排気されるので、常に被処理面
全面に新鮮なガスを供給することができ、良好な処理を
行なうことができる。
関する。 【０００２】 【従来の技術】一般に、半導体ウエハ等の被処理基板の
表面にＳｉＯ2 、ＰＳＧ、ＢＳＧ等のＣＶＤ膜を形成す
るＣＶＤ装置には、減圧ＣＶＤ装置、常圧ＣＶＤ装置、
プラズマＣＶＤ装置等の種々のＣＶＤ装置がある。 【０００３】これらの従来のＣＶＤ装置では、常圧ある
いは減圧された処理室内に半導体ウエハ等の被処理基板
を多数配置し、これらの被処理基板を加熱するととも
に、処理室内に例えばＳｉＨ4 とＰＨ3 とＯ2 あるいは
ＳｉＨ4 とＯ2 等の所定の反応ガスを流通させ、バッチ
方式あるいはインライン方式等により半導体ウエハ表面
にＣＶＤ膜を形成する。またプラズマＣＶＤ装置では、
これらの反応ガスをプラズマ化して処理室内に流通させ
る。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記説明
の従来のＣＶＤ装置では、処理室内に流通される反応ガ
スを処理室内に配置された半導体ウエハ等の被処理基板
の表面に均一に供給することが困難であり、このため各
半導体ウエハ間あるいは半導体ウエハの表面の部位によ
って、形成されたＣＶＤ膜の膜厚が不均一になるという
問題があった。 【０００５】本発明はかかる従来の事情に対処してなさ
れたもので、各半導体ウエハおよび半導体ウエハの表面
全面に、均一な膜厚でＣＶＤ膜を形成することのできる
被処理体の処理方法を提供しようとするものである。 【０００６】 【課題を解決するための手段】すなわち本発明の被処理
体の処理方法は、気密な処理室内に設けられ被処理体の
温度制御が可能な載置台に被処理体を載置する第一の工
程と、前記処理室内を排気して所定の圧力に設定する第
二の工程と、前記被処理体に近接対向するよう配置され
た拡散板と、内部にガスを収容可能な如く前記拡散板の
裏面側に形成された空間部と、この空間部内のガスを冷
却する冷却機構とを有するガス流出部により、ガス供給
源から供給されたオゾンを含む酸素ガスおよび成膜ガス
を冷却しつつ、これらのガスを混合し、この混合ガス
を、所定の温度に設定された前記被処理体の被処理面に
略垂直に供給し、前記被処理面にＣＶＤ膜を形成する第
三の工程とを具備したことを特徴とする。また、請求項
２の発明は、前記処理室内の排気は、前記被処理体の中
央部から周辺部へ向かうガスの流れを形成し、前記被処
理体の周囲に設けられたスリット状または開口からなる
排気口より、前記処理室外へと行なわれることを特徴と
する。また、請求項３の発明は、前記成膜ガスは、Ｓｉ
Ｈ４、ＰＨ３、Ｂ２Ｈ６の中から選ばれた少なくとも２
つのガスを含むことを特徴とする。また、請求項４の発
明は、前記所定温度は２５０℃以下の温度であることを
特徴とする。 【０００７】 【作用】本発明の被処理体の処理方法では、まず、気密
な処理室内に設けられ被処理体の温度制御が可能な載置
台に被処理体を載置する。 【０００８】次に、処理室内を排気して所定の圧力に設
定する。 【０００９】この後、所定の温度に設定された被処理体
に対して、ガス供給源から被処理体に対向配置されたガ
ス流出部の間に設けられた冷却手段により冷却されたオ
ゾンを含む酸素ガスおよび成膜ガスとを、被処理体の被
処理面にガス流出部から略垂直に供給し、被処理面にＣ
ＶＤ膜を形成する。 【００１０】処理室内の排気は、例えば、被処理体の周
囲に設けられたスリット状または開口からなる排気口に
より、被処理体の中央部から周辺部へ向かうガスの流れ
を形成するよう行なう。 【００１１】また、成膜ガスは、例えば、ＳｉＨ4 、Ｐ
Ｈ3 、Ｂ2 Ｈ6 の中から選ばれた少なくとも２つのガス
を含むものを用い、所定温度は、例えば、２５０℃以下
の温度とする。 【００１２】さらに、ガス流出部は、被処理体に対し
て、例えば 0.5乃至20mm程度の間隙を設けて近接対向し
て配置されている。 【００１３】したがって、ガス流出部と半導体ウエハ等
の被処理体との間に形成されたギャップが、均一なガス
濃度の反応空間となり、被処理面全面に均一なＣＶＤ膜
を形成することができる。 【００１４】また、所定の反応ガスは、ガス供給源とガ
ス流出部との間に設けられた冷却手段により冷却されて
いるので、高温において分解されやすい反応ガスでも被
処理基板に供給される直前まで分解されることがなく反
応ガスを有効に使用することができ、高速な成膜速度で
処理を行なうことができる。 【００１５】 【実施例】以下、本発明の被処理体の処理方法を図面を
参照して実施例について説明する。 【００１６】図１および図４は本発明の一実施例のＣＶ
Ｄ装置を示すもので、この実施例のＣＶＤ装置では、処
理室１１内には、例えば真空チャック等により半導体ウ
エハ１２を吸着保持する載置台１３が配置されており、
この載置台１３は、温度制御装置１４によって制御され
るヒ―タ１５を内蔵し、昇降装置１６により上下に移動
自在とされている。 【００１７】載置台１３上方には、円錐形状に形成され
たコ―ン部１７ａと、このコ―ン部１７ａの開口部に配
置され、図３にも示すように、例えば金属あるいはセラ
ミック等の焼結体からなる拡散板１７ｂとから構成され
るガス流出部１７が配置されており、ガス流出部１７
は、冷却装置１８からコ―ン部１７ａの外側に配置され
た配管１８ａ内を循環される冷却水等により冷却されて
いる。 【００１８】そしてガス流出部１７は、それぞれガス流
量調節器１９ａ、１９ｂ、１９ｃを備えたガス供給源２
０ａ、２０ｂ、２０ｃに接続されている。 【００１９】また、載置台１３の周囲には、この載置台
１３の周囲を囲むように例えばスリット状あるいは複数
の開口からなる排気口２１が配置されており、この排気
口２１は、排気装置２２に接続されている。 【００２０】そして上記構成のこの実施例のＣＶＤ装置
では、次のようにしてＣＶＤを行なう。 【００２１】すなわち、まず昇降装置１６によって載置
台１３を下降させ、ガス流出部１７との間に図示しない
ウエハ搬送装置のア―ム等が導入される間隔が設けら
れ、半導体ウエハ１２がこのウエハ搬送装置等により載
置台１３上に載置され、吸着保持される。 【００２２】この後、昇降装置１６によって載置台１３
を上昇させ、ガス流出部１７の拡散板１７ｂと、半導体
ウエハ１２表面との間隔が例えば 0.5〜20mm程度の所定
の間隔に設定される。なおこの場合、ガス流出部１７を
昇降装置によって上下動させてもよい。 【００２３】半導体ウエハ１２が載置台１３上に配置さ
れるとガス供給源２０ａ、２０ｂ、２０ｃから供給され
る酸素ガスおよびＳｉＨ4 、ＰＨ3 、Ｂ2 Ｈ6 等の所定
の反応ガスが、少なくとも２種のガス流量調節器１９
ａ、１９ｂ、１９ｃにより流量を調節されて、ガス流出
部１７の拡散板１７ｂから半導体ウエハ１２表面へ向け
て流出される。なおこの時、載置台１３は、温度制御装
置１４およびヒ―タ１５により例えば 250℃乃至 500℃
程度に加熱され、半導体ウエハ１２を加熱する。この加
熱された半導体ウエハ１２の表面に流出噴射された反応
ガスは、酸素原子ラジカルを生成し、この生成した酸素
原子ラジカルと他の反応ガスとの反応により成膜する。
ガス流出部１７は、冷却装置１８から配管１８ａ内を循
環される冷却水により冷却されている。この冷却は、反
応ガスが高温に晒されて反応により変化するのを防止す
るためである。そして、排気装置２２により排気口２１
から排気を行ない、処理室１１内の気体圧力を 700〜20
0Torr 程度に設定する。 【００２４】この時、図２に矢印で示すように、ガス流
出部１７の拡散板１７ｂから流出したガスは、拡散板１
７ｂと半導体ウエハ１２との間に形成された反応空間内
で、半導体ウエハ１２の中央部から周辺部へ向かうガス
の流れを形成する。ここで所定の反応ガスは、加熱され
た半導体ウエハ１２およびその周囲の雰囲気により加熱
され、化学的な反応を起こし、半導体ウエハ１２の表面
にＣＶＤ膜が形成される。 【００２５】上記説明のこの実施例のＣＶＤ装置では、
ガス流出部１７と半導体ウエハ１２との間に形成された
ギャップが、均一なガス濃度の反応空間となり、各半導
体ウエハ１２全面に均一なＣＶＤ膜を形成することがで
きる。また、所定の反応ガスは、冷却されたガス流出部
１７から加熱された半導体ウエハ１２へ向けて流出され
るので、高温において分解されやすい反応ガスでも半導
体ウエハ１２に供給される直前まで分解されることがな
く反応ガスを有効に使用することができ、高速な成膜速
度で処理を行なうことができる。 【００２６】なお、この実施例では、所定の反応ガスの
１つとして酸素ガスを用いる場合について説明したが、
例えば図４に示すように、酸素供給源２５から供給され
る酸素ガス内にオゾン発生器２６によってオゾンを発生
させ、オゾンを含む酸素ガスによってＣＶＤ膜を形成す
るよう構成してもよい。このようなオゾンは、高温とさ
れると分解が促進されるので、ガス流出部１７の温度は
25℃程度とすることが好ましい。なお同図において前述
の図１に示すＣＶＤ装置と同一部分には、同一符号を付
してある。 【００２７】縦軸を成膜速度、横軸を半導体ウエハ１２
の温度とした図５のグラフの実線Ａ、Ｂは、それぞれ図
１に示したＣＶＤ装置および図４に示したオゾンを含む
酸素ガスによってＣＶＤ膜を形成するＣＶＤ装置の成膜
速度を示している。このグラフからわかるように、オゾ
ンを含む酸素ガスを用いると、より低温で高速な成膜速
度を得ることができる。 【００２８】なお、これら実施例ではガス流出部１７
を、円錐形状のコ―ン部１７ａの開口部に金属あるいは
セラミック等の焼結体からなる拡散板１７ｂを配置して
構成したが、本発明は係る実施例に限定されるものでは
なく、例えば拡散板１７ｂは、図６に示すように多数の
小孔３０ｃを備えた拡散板３０ｂとしてもよく、図７に
示すように複数の同心円状のスリット３１ｃを備えた拡
散板３１ｂ、図８に示すように直線状のスリット３２ｃ
を備えた拡散板３２ｂ、図９に示すように大きさの異な
る小孔３３ｃを配置された拡散板３３ｂ、図１０に示す
ように渦巻状のスリット３４ｃを備えた拡散板３４ｂ等
としてもよい。 【００２９】 【発明の効果】上述のように本発明の被処理体の処理方
法では、ガス流出部と半導体ウエハ等の被処理基板との
間に形成されたギャップが、均一なガス濃度の反応空間
となり、各被処理基板全面に均一なＣＶＤ膜を形成する
ことができる。また、所定の反応ガスは、ガス供給源と
ガス流出部との間に設けられた冷却手段により冷却され
ているので、高温において分解されやすい反応ガスでも
被処理基板に供給される直前まで分解されることがなく
反応ガスを有効に使用することができ、高速な成膜速度
で処理を行なうことができる。 【００３０】さらに、処理室内の排気を、例えば、被処
理体の周囲に設けられたスリット状または開口からなる
排気口により、被処理体の中央部から周辺部へ向かうガ
スの流れを形成するよう行なうことによって、成膜に使
用されたガスが速やかに排気されるので、常に被処理面
全面に新鮮なガスを供給することができ、良好な処理を
行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例のＣＶＤ装置を示す構成図
【図２】図１の要部を示す縦断面図
【図３】図１の要部を示す下面図
【図４】図１のＣＶＤ装置の変形例を示す構成図
【図５】成膜速度と温度の関係を示すグラフ
【図６】図３の変形例を示す下面図
【図７】図３の変形例を示す下面図
【図８】図３の変形例を示す下面図
【図９】図３の変形例を示す下面図
【図１０】図３の変形例を示す下面図
【符号の説明】
１２ 半導体ウエハ
１４ 温度制御装置
１５ ヒ―タ
１７ ガス流出部
１８ 冷却装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名)
C23C 16/44
C23C 16/46
H01L 21/31
H01L 21/205
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．気密な処理室内に設けられ被処理体の温度制御が可
能な載置台に被処理体を載置する第一の工程と、 前記処理室内を排気して所定の圧力に設定する第二の工
程と、前記被処理体に近接対向するよう配置された拡散板と、
内部にガスを収容可能な如く前記拡散板の裏面側に形成
された空間部と、この空間部内のガスを冷却する冷却機
構とを有するガス流出部により、 ガス供給源から供給さ
れたオゾンを含む酸素ガスおよび成膜ガスを冷却しつ
つ、これらのガスを混合し、この混合ガスを、所定の温
度に設定された前記被処理体の被処理面に略垂直に供給
し、前記被処理面にＣＶＤ膜を形成する第三の工程とを
具備したことを特徴とする被処理体の処理方法。 ２．前記処理室内の排気は、前記被処理体の中央部から
周辺部へ向かうガスの流れを形成し、前記被処理体の周
囲に設けられたスリット状または開口からなる排気口よ
り、前記処理室外へと行なわれることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の被処理体の処理方法。 ３．前記成膜ガスは、ＳｉＨ４、ＰＨ３、Ｂ２Ｈ６の中
から選ばれた少なくとも２つのガスを含むことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の被処理体の処理方法。 ４．前記所定温度は２５０℃以下の温度であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の被処理体の処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6310129A JP2751015B2 (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 被処理体の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6310129A JP2751015B2 (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 被処理体の処理方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61229059A Division JPH062948B2 (ja) | 1986-09-27 | 1986-09-27 | 被処理体の処理方法 |
Publications (2)
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|---|---|
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| JP2751015B2 true JP2751015B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=18001525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6310129A Expired - Lifetime JP2751015B2 (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 被処理体の処理方法 |
Country Status (1)
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-
1994
- 1994-12-14 JP JP6310129A patent/JP2751015B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07278816A (ja) | 1995-10-24 |
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