JPS6382481A - 感光体 - Google Patents
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08285—Carbon-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。
関する。
従米掠貨
カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも[羨々な材料が開発
きれ実用化されてきた。
発展を続け、電子写真用感光体にも[羨々な材料が開発
きれ実用化されてきた。
従来眉いられて来た電子写真感光体材P4の主なものと
しては、非晶質セレン、セレン砒毒、セレンテルル、硫
化カドミウム、酸化!!!鉛、アモルファスシリコン等
の無機物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシア
ニン、ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、
トリフェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物
、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合
物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等
の有機物質が挙げられる。また、その構成形態としては
、これらの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に
分散させて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生
層と電荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。
しては、非晶質セレン、セレン砒毒、セレンテルル、硫
化カドミウム、酸化!!!鉛、アモルファスシリコン等
の無機物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシア
ニン、ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、
トリフェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物
、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合
物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等
の有機物質が挙げられる。また、その構成形態としては
、これらの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に
分散させて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生
層と電荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。
しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。
このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることがら、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も多
い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。ざらに、アモ
ルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電性
能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するために
は膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシリ
コン膜を長時間堆積させなくてはならない。
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることがら、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も多
い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。ざらに、アモ
ルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電性
能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するために
は膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシリ
コン膜を長時間堆積させなくてはならない。
ところでアモルファスカーボン膜自体は、プラズマ有機
重合膜として古くより知られており、例えばジエン(M
、5hen)及びベル(A、T。
重合膜として古くより知られており、例えばジエン(M
、5hen)及びベル(A、T。
Be1l)により、1973年発行ののジャーナル・オ
ブ・アプライド・ポリマー・サイエンス(Journa
l of App l fed P。
ブ・アプライド・ポリマー・サイエンス(Journa
l of App l fed P。
lymer 5cience)第17巻の第885頁
乃至第892頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作!!すれ得る事が、また、同著者により、1979
年のアメリカンケミカルソサエティー (Americ
an ChemicalSociety)発行による
プラズマボリマライゼーション(Plasma Po
lymerization)の中でもその成膜性が論じ
られている。
乃至第892頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作!!すれ得る事が、また、同著者により、1979
年のアメリカンケミカルソサエティー (Americ
an ChemicalSociety)発行による
プラズマボリマライゼーション(Plasma Po
lymerization)の中でもその成膜性が論じ
られている。
しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如く10I6Ωcm程
度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくと
もそのような膜であるとの認識のもとに用いられていた
。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識か
ら、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶RNに
限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバー
コート層としてしか用いられていなかった。
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如く10I6Ωcm程
度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくと
もそのような膜であるとの認識のもとに用いられていた
。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識か
ら、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶RNに
限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバー
コート層としてしか用いられていなかった。
例えば、特開昭59−28161号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
口構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭5
9−38753号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される1013〜1Q15Ωcmの高抵抗のプラズマ
重合膜を1o人〜100A設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭59−
136742号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として1〜5μm程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている。
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
口構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭5
9−38753号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される1013〜1Q15Ωcmの高抵抗のプラズマ
重合膜を1o人〜100A設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭59−
136742号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として1〜5μm程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている。
特開昭60−63541号公報には、アルミ基板とその
上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接着層として200A〜2μmのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電荷
の面から膜厚は2μm以下が好ましいとされている。
上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接着層として200A〜2μmのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電荷
の面から膜厚は2μm以下が好ましいとされている。
これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、a−si
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、a−si
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。
また、例えば、特開昭50−20728号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保AI
[とじてグロー放電重合によるポリマー膜を0.1〜1
μm設けた感光体が開示されている。特開昭59−21
4859号公報には、アモルファスシリコン感光体の表
面に保護層としてスヂレンやアセチレン等の有機炭化水
素モノマーをプラズマ重合させて5μm程度の膜を形成
きせる技術が開示されている。特開昭60−61761
号公報には、表面保護層として、5o○入〜2μmのダ
イヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光
性の面から膜厚は2μm以下が好ましいとされてでいる
。特開昭60−249115号公報には、0.05〜5
μm程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層と
して用いる技術が開示され、膜厚が5μmを越えると感
光体活性に悪影響が及ぶとされている。
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保AI
[とじてグロー放電重合によるポリマー膜を0.1〜1
μm設けた感光体が開示されている。特開昭59−21
4859号公報には、アモルファスシリコン感光体の表
面に保護層としてスヂレンやアセチレン等の有機炭化水
素モノマーをプラズマ重合させて5μm程度の膜を形成
きせる技術が開示されている。特開昭60−61761
号公報には、表面保護層として、5o○入〜2μmのダ
イヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光
性の面から膜厚は2μm以下が好ましいとされてでいる
。特開昭60−249115号公報には、0.05〜5
μm程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層と
して用いる技術が開示され、膜厚が5μmを越えると感
光体活性に悪影響が及ぶとされている。
これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、a−Siの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、a−Siの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。
また1、特開昭51−46130号公報には、ポリビニ
ルカルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重
合を行なって0.001〜3μmのポリマー膜を形成せ
しめた電子写真感光板が開示きれているが、電荷輸送性
については全く言及されていないし、a−3iの持つ前
記した本質的問題を解決するものではない。
ルカルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重
合を行なって0.001〜3μmのポリマー膜を形成せ
しめた電子写真感光板が開示きれているが、電荷輸送性
については全く言及されていないし、a−3iの持つ前
記した本質的問題を解決するものではない。
一方、アモルファスシリコン膜については、スピア(W
、E、5pear)及びレコンバ(P。
、E、5pear)及びレコンバ(P。
G、LeComber)により1976年発行のフィロ
ソフィカル・マガジン(Philosophical
Magazine)第33巻の第935頁乃至第94
9頁において、極性#σが可能な材料である事が報じら
れて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭56−
62254号公報、特開昭57−119356号公報、
特開昭57−177147号公報、特開昭57−119
357号公報、特開昭57−177149号公報、特開
昭57−119357号公報、特開昭57−17714
6号公報、特開昭57−177148号公報、特開昭5
7−174448号公報、特開昭57−174449号
公報、特開昭57−174450号公報、等に、炭素原
子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示・され
ているが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭
素原子により調整する事を目的としたものであり、また
、アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。
ソフィカル・マガジン(Philosophical
Magazine)第33巻の第935頁乃至第94
9頁において、極性#σが可能な材料である事が報じら
れて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭56−
62254号公報、特開昭57−119356号公報、
特開昭57−177147号公報、特開昭57−119
357号公報、特開昭57−177149号公報、特開
昭57−119357号公報、特開昭57−17714
6号公報、特開昭57−177148号公報、特開昭5
7−174448号公報、特開昭57−174449号
公報、特開昭57−174450号公報、等に、炭素原
子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示・され
ているが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭
素原子により調整する事を目的としたものであり、また
、アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。
明が解決しようとする問題、Φ
以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用きれていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々5μm程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用きれ
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用きれていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々5μm程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用きれ
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。
本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が窒素原
子を含有せしめる事により、燐原子及び硼素原子のうち
少なくとも一方を含有すると共に炭素原子を含有してな
る水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム
膜との積層においては電荷輸送性を有し、容易に好適な
電子写真特性を示し始める事を見出した。その理論的解
釈には本発明者においても不明確な点が多く詳細に亙り
言及はできないが、窒素原子含有水素化アモルファスカ
ーボン膜中に捕捉されている比較的不安定なエネルギー
状態の電子、例えばπ電子、不対電子、残存フリーラジ
カル等が形成するバンド構造が、燐原子及び硼素原子の
うち少なくとも一方を含有すると共に炭素原子を含有し
てなる水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニ
ウム膜が形成するバンド構造と電導帯もしくは荷電子帯
において近似したエネルギー準位を有するため、燐原子
及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有すると共に炭
素原子を含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシ
リコンゲルマニウム膜中で発生したキャリアが容易に窒
素原子含有水素化アモルファスカーボン膜中へ注入され
、ざらに、このキャリアは前述の比較的不安定なエネル
ギー状態の電子の作用により窒素原子含有水素化アモル
ファスカーボン膜中を好適に走行し得るためと推定され
る。
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が窒素原
子を含有せしめる事により、燐原子及び硼素原子のうち
少なくとも一方を含有すると共に炭素原子を含有してな
る水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム
膜との積層においては電荷輸送性を有し、容易に好適な
電子写真特性を示し始める事を見出した。その理論的解
釈には本発明者においても不明確な点が多く詳細に亙り
言及はできないが、窒素原子含有水素化アモルファスカ
ーボン膜中に捕捉されている比較的不安定なエネルギー
状態の電子、例えばπ電子、不対電子、残存フリーラジ
カル等が形成するバンド構造が、燐原子及び硼素原子の
うち少なくとも一方を含有すると共に炭素原子を含有し
てなる水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニ
ウム膜が形成するバンド構造と電導帯もしくは荷電子帯
において近似したエネルギー準位を有するため、燐原子
及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有すると共に炭
素原子を含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシ
リコンゲルマニウム膜中で発生したキャリアが容易に窒
素原子含有水素化アモルファスカーボン膜中へ注入され
、ざらに、このキャリアは前述の比較的不安定なエネル
ギー状態の電子の作用により窒素原子含有水素化アモル
ファスカーボン膜中を好適に走行し得るためと推定され
る。
本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に少なくとも窒素原子を含有
してなる水素化アモルファスカーボン膜を電荷輸送層と
して使用し、かつ、燐原子及び硼素原子のうち少なくと
も一方を含有すると共に炭素原子を含有してなる水素化
或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウムの薄膜を
電荷発生層として使用した感光体を提供する事を目的と
する。
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に少なくとも窒素原子を含有
してなる水素化アモルファスカーボン膜を電荷輸送層と
して使用し、かつ、燐原子及び硼素原子のうち少なくと
も一方を含有すると共に炭素原子を含有してなる水素化
或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウムの薄膜を
電荷発生層として使用した感光体を提供する事を目的と
する。
間2点を解決するための手段
即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成きれる少なくとも窒素原子を含有してなる
水素化アモルファスカーボン膜であり、かつ、該電荷発
生層が燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有
すると共に炭素原子を含有してなる水素化或は弗素化ア
モルファスシリコンゲルマニウム膜であることを特撮と
する感光体に関する(以下、本発明による電荷輸送層を
a−C膜及び電荷発生層をa−Si膜と称する)。
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成きれる少なくとも窒素原子を含有してなる
水素化アモルファスカーボン膜であり、かつ、該電荷発
生層が燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有
すると共に炭素原子を含有してなる水素化或は弗素化ア
モルファスシリコンゲルマニウム膜であることを特撮と
する感光体に関する(以下、本発明による電荷輸送層を
a−C膜及び電荷発生層をa−Si膜と称する)。
本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能さえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成きれたものである。
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能さえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成きれたものである。
即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成される少なくとも窒素原子を含有してなる水素化アモ
ルファスカーボン膜を設け、かつ、電荷発生層として同
じくグロー放電により生成される燐原子及び硼素原子の
うち少なくとも一方を含有すると共に炭素原子を含有し
てなる水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニ
ウム膜を設けた事を特徴とする機能分離型感光体に関す
る。
成される少なくとも窒素原子を含有してなる水素化アモ
ルファスカーボン膜を設け、かつ、電荷発生層として同
じくグロー放電により生成される燐原子及び硼素原子の
うち少なくとも一方を含有すると共に炭素原子を含有し
てなる水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニ
ウム膜を設けた事を特徴とする機能分離型感光体に関す
る。
該電荷輸送層は、可視光もしくは半導体レーザー光付近
の波長の光に対しては明確なる光導電性は有きないが、
好適な輸送性を有し、さらに、帯電能、耐久性、耐候性
、耐環境汚染性等の電子写真感光体性能に優れ、しかも
透光性にも優れるため、機能分離型感光体としての積層
構造を形成する場合においても極めて高い自由度が得ら
れるものである。また、該電荷発生層は、可視光もしく
は半導体レーザー光付近の波長の光に対して優れた光導
電性を有し、しかも従来のアモルファスシリコン感光体
に比べて極めて薄い膜厚で、その機能を活かす事ができ
るものである。
の波長の光に対しては明確なる光導電性は有きないが、
好適な輸送性を有し、さらに、帯電能、耐久性、耐候性
、耐環境汚染性等の電子写真感光体性能に優れ、しかも
透光性にも優れるため、機能分離型感光体としての積層
構造を形成する場合においても極めて高い自由度が得ら
れるものである。また、該電荷発生層は、可視光もしく
は半導体レーザー光付近の波長の光に対して優れた光導
電性を有し、しかも従来のアモルファスシリコン感光体
に比べて極めて薄い膜厚で、その機能を活かす事ができ
るものである。
本発明においては、a−C膜を形成するために有機化合
物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。
物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。
該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オク
タコサン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサン、
トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン、
ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコサ
ン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタトリア
コンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブタン
、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオヘ
キサン、2.3−ジメチルブタン、2−メチルヘキサン
、3−エチルペンタン、2.2−ジメチルペンタン、2
,4−ジメチルペンタン、3,3−ジメチルペンタン、
トリブタン、2−メチルへブタン、3−メチルへブタン
、2.2−ジメチルヘキサン、、2.2.5−ジメチル
ヘキサン、2,2.3−トリメチルペンタン、2,2.
4−トリメチルペンタン、2,3゜3−トリメチルペン
タン、2,3.4−トリメチルペンタン、イソナノン、
等のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化水素
としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチレ
ン、1−ブテン、2−ブテン、1−ペンテン、2−ペン
テン、2−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ブテ
ン、2−メチル−2−ブテン、1−ヘキセン、テトラメ
チルエチレン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−ノネ
ン、1−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、メ
チルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジエン
、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに、オ
シメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、等
のトリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイン、
1゜3−ペンタジイン、2,4−へキサジイン、メチル
アレンレン、1−ブチン、2−ブチン、1−ペンチン、
1−ヘキシン、1−ヘプチン、1−オクチン、1−ノニ
ン、1−デシン、等が用いられる。
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オク
タコサン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサン、
トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン、
ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコサ
ン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタトリア
コンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブタン
、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオヘ
キサン、2.3−ジメチルブタン、2−メチルヘキサン
、3−エチルペンタン、2.2−ジメチルペンタン、2
,4−ジメチルペンタン、3,3−ジメチルペンタン、
トリブタン、2−メチルへブタン、3−メチルへブタン
、2.2−ジメチルヘキサン、、2.2.5−ジメチル
ヘキサン、2,2.3−トリメチルペンタン、2,2.
4−トリメチルペンタン、2,3゜3−トリメチルペン
タン、2,3.4−トリメチルペンタン、イソナノン、
等のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化水素
としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチレ
ン、1−ブテン、2−ブテン、1−ペンテン、2−ペン
テン、2−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ブテ
ン、2−メチル−2−ブテン、1−ヘキセン、テトラメ
チルエチレン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−ノネ
ン、1−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、メ
チルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジエン
、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに、オ
シメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、等
のトリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイン、
1゜3−ペンタジイン、2,4−へキサジイン、メチル
アレンレン、1−ブチン、2−ブチン、1−ペンチン、
1−ヘキシン、1−ヘプチン、1−オクチン、1−ノニ
ン、1−デシン、等が用いられる。
脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンクン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フエ
ンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサボレ
ン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネンセ
スキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレン
、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカルプ
レン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が用
いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン
、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン
、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、
ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチル
ベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ピフ
ェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニ
ルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタ
リン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、等
が用いられる。
クロブタン、シクロペンクン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フエ
ンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサボレ
ン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネンセ
スキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレン
、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカルプ
レン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が用
いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン
、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン
、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、
ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチル
ベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ピフ
ェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニ
ルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタ
リン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、等
が用いられる。
さらに、炭化水製以外でも、例えば、アルコール類、ケ
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。
本発明におけるa C膜中に含まれる水素原子の量は
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね30乃
至60原子%含有される。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えば○N
H分析を用いる事により知る事ができる。
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね30乃
至60原子%含有される。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えば○N
H分析を用いる事により知る事ができる。
本発明におけるa −C膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。
本発明における電荷輸送層としてのa −C膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、5乃至5
0μm1特に7乃至20μmが適当であり、5μmより
薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る
事ができない。また、50μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、5乃至5
0μm1特に7乃至20μmが適当であり、5μmより
薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る
事ができない。また、50μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。
このa−C膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に5μm以上として
もキャリアはトラップきれる事無く輸送きれ明減衰に寄
与する事が可能である。
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に5μm以上として
もキャリアはトラップきれる事無く輸送きれ明減衰に寄
与する事が可能である。
本発明における原料気体からa −C膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成さねる方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、さらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成さねる方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、さらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。
本発明においては炭化水素の他に、a −C膜中に少な
くとも窒素原子を添加するための原料として、窒素化合
物が用いられる。該窒素化合物における相状態は常温常
圧において必ずしも気相である必要はなく、加熱或は減
圧等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化しうるもので
あれば、液相でも固相でも使用可能である。窒素化合物
としては、例えば、窒素、アンモニア等の無機化合物、
アミノ基(NH2)、シアノ基(−CN)等の官能基を
有する有機化合物、並びに窒素を含む複素環等が用いら
れる。
くとも窒素原子を添加するための原料として、窒素化合
物が用いられる。該窒素化合物における相状態は常温常
圧において必ずしも気相である必要はなく、加熱或は減
圧等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化しうるもので
あれば、液相でも固相でも使用可能である。窒素化合物
としては、例えば、窒素、アンモニア等の無機化合物、
アミノ基(NH2)、シアノ基(−CN)等の官能基を
有する有機化合物、並びに窒素を含む複素環等が用いら
れる。
使用可能な有機化合物には種類が多いが、アミノ基を有
する有機化合物としては、例えば、メチルアミン、エチ
ルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、アミルアミ
ン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン
、ノニルアミン、デシルアイミン、ウンデシルアミン、
ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミ
ン、ペンタデシルアミン、セチルアミン、ジメチルアミ
ン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミ
ン、シアミルアミン、トリメチルアミン、トリエチルア
ミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリア
ミルアミン、アリルアミン、ジアリルアミン、トリアリ
ルアミン、シクロプロピルアミン、シクロブチルアミン
、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、アニ
リン、メチルアニリン、ジメチルアニリン、エチルアニ
リン、ジエチルアニリン、トルイジン、ベンジルアミン
、ジベンジルアミン、トリベンジルアミン、ジフェニル
アミン、トリフェニルアミン、ナフチルアミン、エチレ
ンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジ
アミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジア
ミン、ジアミノへブタン、ジアミノオクタン、ジアミノ
ノナン、ジアミノデカン、フェニレンジアミン、等が用
いられる。シアノ基を有する有機化合物としては、例え
ば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリ
ル、バレロニトリル、カプロニトリル、エナントニトリ
ル、カプリロニトリル、フエラルゴンニトリル、カブリ
ニトリル、ラウロニトリル、パルミトニトリル、ステア
ロニトリル、クロトンニトリル、マロンニトリル、ステ
アロニトリル、ダルタルニトリル、アジポニトリル、ベ
ンゾニトリル、トルニトリル、シアン化ベンジルケイ皮
酸ニトリル、ナフトニトリル、シアンピリジン、等が用
いられる。複素環化合物としては、例えば、ピロール、
ビロリン、ピロリジン、オキサゾール、チアゾール、イ
ミダゾール、イミダシリン、イミダゾリジン、ピラゾー
ル、ピラゾリン、ピラゾリジン、トリアゾール、テトラ
ゾール、ピリジン、ピペリジン、オキサジン、モルホリ
ン、チアジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピ
ペラジン、トリアジン、インドール、インドリン、ベン
ゾオキサゾール、インダゾール、ベンゾイミダゾール、
キノリン、シンノリン、フタラジン、フタロシアニン、
キナゾリン、キンキサリン、カルバゾール、アクリジン
、フエナントリジン、フェナジン、フェノキサジン、イ
ンドリジン、キノリジン、キヌクリジン、ナフチリジン
、プリン、プテリジン、アジリジン、アゼピン、オキサ
ジアジン、ジチアジン、ベンゾキノリン、イミダゾチア
ゾール、等が用いられる。
する有機化合物としては、例えば、メチルアミン、エチ
ルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、アミルアミ
ン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン
、ノニルアミン、デシルアイミン、ウンデシルアミン、
ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミ
ン、ペンタデシルアミン、セチルアミン、ジメチルアミ
ン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミ
ン、シアミルアミン、トリメチルアミン、トリエチルア
ミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリア
ミルアミン、アリルアミン、ジアリルアミン、トリアリ
ルアミン、シクロプロピルアミン、シクロブチルアミン
、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、アニ
リン、メチルアニリン、ジメチルアニリン、エチルアニ
リン、ジエチルアニリン、トルイジン、ベンジルアミン
、ジベンジルアミン、トリベンジルアミン、ジフェニル
アミン、トリフェニルアミン、ナフチルアミン、エチレ
ンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジ
アミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジア
ミン、ジアミノへブタン、ジアミノオクタン、ジアミノ
ノナン、ジアミノデカン、フェニレンジアミン、等が用
いられる。シアノ基を有する有機化合物としては、例え
ば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリ
ル、バレロニトリル、カプロニトリル、エナントニトリ
ル、カプリロニトリル、フエラルゴンニトリル、カブリ
ニトリル、ラウロニトリル、パルミトニトリル、ステア
ロニトリル、クロトンニトリル、マロンニトリル、ステ
アロニトリル、ダルタルニトリル、アジポニトリル、ベ
ンゾニトリル、トルニトリル、シアン化ベンジルケイ皮
酸ニトリル、ナフトニトリル、シアンピリジン、等が用
いられる。複素環化合物としては、例えば、ピロール、
ビロリン、ピロリジン、オキサゾール、チアゾール、イ
ミダゾール、イミダシリン、イミダゾリジン、ピラゾー
ル、ピラゾリン、ピラゾリジン、トリアゾール、テトラ
ゾール、ピリジン、ピペリジン、オキサジン、モルホリ
ン、チアジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピ
ペラジン、トリアジン、インドール、インドリン、ベン
ゾオキサゾール、インダゾール、ベンゾイミダゾール、
キノリン、シンノリン、フタラジン、フタロシアニン、
キナゾリン、キンキサリン、カルバゾール、アクリジン
、フエナントリジン、フェナジン、フェノキサジン、イ
ンドリジン、キノリジン、キヌクリジン、ナフチリジン
、プリン、プテリジン、アジリジン、アゼピン、オキサ
ジアジン、ジチアジン、ベンゾキノリン、イミダゾチア
ゾール、等が用いられる。
本発明において化学的修飾物質として含有される窒素原
子の量は、全構成原子に対して5.0原子%以下である
。ここで、窒素原子の膜中含有量は、元素分析の常法、
例えばオージェ分析により知る事ができる。窒素原子を
含まない場合には、好適な輸送性が確保されず、成膜速
度が遅く、更に、成膜後の経時劣化を招きやすくなる。
子の量は、全構成原子に対して5.0原子%以下である
。ここで、窒素原子の膜中含有量は、元素分析の常法、
例えばオージェ分析により知る事ができる。窒素原子を
含まない場合には、好適な輸送性が確保されず、成膜速
度が遅く、更に、成膜後の経時劣化を招きやすくなる。
一方、窒素原子の量が5.0原子%を越える場合には、
少量の添加では好適な輸送性を保証していた窒素原子が
、逆に膜の低抵抗化を招く作用を示し、帯電能が低下し
てしまう。従って、本発明における窒素の添加量範囲は
重要である。
少量の添加では好適な輸送性を保証していた窒素原子が
、逆に膜の低抵抗化を招く作用を示し、帯電能が低下し
てしまう。従って、本発明における窒素の添加量範囲は
重要である。
本発明に於いて化学的修飾物質として含有される窒素原
子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への前述
の窒素化合物の導入量を増減することにより制御するこ
とが可能である。窒素化合物の導入量を増大させれば、
本発明によるa −C膜中への窒素原子の添加量を高く
することが可能であり、逆に窒素化合物の導入量を減少
きせれば、本発明によるa −C膜中への窒素原子の添
加量を低くすることが可能である。
子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への前述
の窒素化合物の導入量を増減することにより制御するこ
とが可能である。窒素化合物の導入量を増大させれば、
本発明によるa −C膜中への窒素原子の添加量を高く
することが可能であり、逆に窒素化合物の導入量を減少
きせれば、本発明によるa −C膜中への窒素原子の添
加量を低くすることが可能である。
本発明においては、a−Si膜を形成するためにシラン
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、化学的修飾物質として燐原子或は硼素原子を
膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィン
ガス或はジボランガス等が用いられる。ざらに、化学的
修飾物質として炭素原子を膜中に含有せしめるための原
料ガスとして、メタン、エタン、エチレン、アセチレン
、プロパン、プロピレン、ブタン、ブタジェン、ブタジ
イン、ブテン、−酸化炭素、或は、二酸化炭素等の炭素
化合物ガスが用いられる。また、ゲルマニウム原子を含
有きせるために、ゲルマンガスが用いられる。
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、化学的修飾物質として燐原子或は硼素原子を
膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィン
ガス或はジボランガス等が用いられる。ざらに、化学的
修飾物質として炭素原子を膜中に含有せしめるための原
料ガスとして、メタン、エタン、エチレン、アセチレン
、プロパン、プロピレン、ブタン、ブタジェン、ブタジ
イン、ブテン、−酸化炭素、或は、二酸化炭素等の炭素
化合物ガスが用いられる。また、ゲルマニウム原子を含
有きせるために、ゲルマンガスが用いられる。
本発明におけるa−3i膜中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量は、シリコン原子とゲルマニウム原子との
総和に対して、30原子%以下が好ましい。ここで、ゲ
ルマニウム原子及びシリコン原子の含有率は、元素分析
の常法、例えばオージェ分析により知る事ができる。ゲ
ルマニウム原子の含有量は、膜形成時に流入するゲルマ
ンガスの流量を増加する事により高くなる。ゲルマニウ
ム原子の含有量が高くなるにつれ本発明感光体の長波長
感度は向上し、短波長領域から長波長領域にまで輻広ぐ
露光源が選択され得るようになり好豪しいが、ゲルマニ
ウム原子が30原子%より多く含有されると帯電能の低
下を招くため、過剰の添加は好ましくない。従って、本
発明におけるa−Si膜中に含有きれるゲルマニウム原
子の含有量は重要である。
原子の含有量は、シリコン原子とゲルマニウム原子との
総和に対して、30原子%以下が好ましい。ここで、ゲ
ルマニウム原子及びシリコン原子の含有率は、元素分析
の常法、例えばオージェ分析により知る事ができる。ゲ
ルマニウム原子の含有量は、膜形成時に流入するゲルマ
ンガスの流量を増加する事により高くなる。ゲルマニウ
ム原子の含有量が高くなるにつれ本発明感光体の長波長
感度は向上し、短波長領域から長波長領域にまで輻広ぐ
露光源が選択され得るようになり好豪しいが、ゲルマニ
ウム原子が30原子%より多く含有されると帯電能の低
下を招くため、過剰の添加は好ましくない。従って、本
発明におけるa−Si膜中に含有きれるゲルマニウム原
子の含有量は重要である。
本発明において化学的修飾物質として含有される燐原子
或は硼素原子の量は、全構成原子に対して20000原
子ppm以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はI
MA分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子の
膜中含有量が20000原子ppmより高い場合には、
少量の添加では好適な輸送性、或は、極性制御効果を保
証していた燐原子或は硼素原子が、逆に膜の低抵抗化を
招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、本発
明における燐原子或は硼素原子添加量の範囲は重要であ
る。
或は硼素原子の量は、全構成原子に対して20000原
子ppm以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はI
MA分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子の
膜中含有量が20000原子ppmより高い場合には、
少量の添加では好適な輸送性、或は、極性制御効果を保
証していた燐原子或は硼素原子が、逆に膜の低抵抗化を
招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、本発
明における燐原子或は硼素原子添加量の範囲は重要であ
る。
本発明において化学的修飾物質として含有される炭素原
子の量は、全構成原子に対して0.001乃至5原子%
である。ここで炭素原子の膜中含有量は、元素分析の常
法、例えばオージェ分析或はIMA分析により知る事が
できる。炭素原子の膜中含有量が0.001原子%より
低い場合には、a−Si膜の電気抵抗値が低くなる事か
らa−Si1!iffにコロナ帯電等による電界がかか
りにくくなり、光励起キャリアが必ずしも効率よ<a−
C膜中に注入されなくなり感度の低下を招く。また、帯
電能も低下する。炭素原子の膜中含有量が5原子%より
高い場合には、a−Si膜の電気抵抗値が高くなり過ぎ
、光励起キャリアの発生効率の低下及びキャリアの易動
速度の低下により、感度低下を招く。従って、本発明に
おける炭素原子添加量の範囲は重要である。
子の量は、全構成原子に対して0.001乃至5原子%
である。ここで炭素原子の膜中含有量は、元素分析の常
法、例えばオージェ分析或はIMA分析により知る事が
できる。炭素原子の膜中含有量が0.001原子%より
低い場合には、a−Si膜の電気抵抗値が低くなる事か
らa−Si1!iffにコロナ帯電等による電界がかか
りにくくなり、光励起キャリアが必ずしも効率よ<a−
C膜中に注入されなくなり感度の低下を招く。また、帯
電能も低下する。炭素原子の膜中含有量が5原子%より
高い場合には、a−Si膜の電気抵抗値が高くなり過ぎ
、光励起キャリアの発生効率の低下及びキャリアの易動
速度の低下により、感度低下を招く。従って、本発明に
おける炭素原子添加量の範囲は重要である。
本発明におけるa−SfJI!中に含まれる水素原子或
は弗素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面
から必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシ
リコン原子と弗素原子の総量に対して、概ね10乃至3
5原子%含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の
膜中含有量は、元素分析の常法、例えばONH分析、オ
ージェ分析等を用いる事により知る事ができる。
は弗素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面
から必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシ
リコン原子と弗素原子の総量に対して、概ね10乃至3
5原子%含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の
膜中含有量は、元素分析の常法、例えばONH分析、オ
ージェ分析等を用いる事により知る事ができる。
本発明における電荷発生層としてのa−3i膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、0.1乃
至5umが適当であり、0.1μmより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、5μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このa−3i膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのa−C膜との
積属構成において効率よ<a−C膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である。
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、0.1乃
至5umが適当であり、0.1μmより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、5μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このa−3i膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのa−C膜との
積属構成において効率よ<a−C膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である。
本発明における原料気体からa−Si膜を形成する過程
は、a−C膜を形成する場合と同様にして行なわれる。
は、a−C膜を形成する場合と同様にして行なわれる。
本発明において化学的修飾物質として含有される炭素原
子、燐原子、或は、硼素原子の量は、主に、プラズマ反
応を行なう反応室への前述の炭素化合物ガス、ホスフィ
ンガス、或は、ジボランガスの導入量を増減することに
より側扉することが可能である。炭素化合物ガス、ホス
フィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増大させれ
ば、本発明によるa−5i膜中への炭素原子、燐原子、
或は、硼素原子の添加量を高くすることが可能であり、
逆に炭素化合物ガス、ホスフィンガス、或は、ジボラン
ガスの導入量を減少させれば、本発明によるa−Si膜
中への炭素原子、燐原子、或は、硼素原子の添加量を低
くすることが可能である。
子、燐原子、或は、硼素原子の量は、主に、プラズマ反
応を行なう反応室への前述の炭素化合物ガス、ホスフィ
ンガス、或は、ジボランガスの導入量を増減することに
より側扉することが可能である。炭素化合物ガス、ホス
フィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増大させれ
ば、本発明によるa−5i膜中への炭素原子、燐原子、
或は、硼素原子の添加量を高くすることが可能であり、
逆に炭素化合物ガス、ホスフィンガス、或は、ジボラン
ガスの導入量を減少させれば、本発明によるa−Si膜
中への炭素原子、燐原子、或は、硼素原子の添加量を低
くすることが可能である。
本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積N構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積N構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。
第1図は、その一形態として、導電性基板(1)上に電
荷輸送層(2)と電荷発生N(3)を順次積層してなる
構成を示したものである。第2図は、別の一形態として
、導電性基板(1)上に電荷発生層(3)と電荷輸送層
(2)を順次積層してなる構成を示したものである。第
3図は、別の一形態として、導電性基板(1)上に、電
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を頭次8I層してなる構成を示したものである。
荷輸送層(2)と電荷発生N(3)を順次積層してなる
構成を示したものである。第2図は、別の一形態として
、導電性基板(1)上に電荷発生層(3)と電荷輸送層
(2)を順次積層してなる構成を示したものである。第
3図は、別の一形態として、導電性基板(1)上に、電
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を頭次8I層してなる構成を示したものである。
感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第1図では
電荷発生層(3)で発生した正孔が電荷輸送層(2)中
を導電性基板(1)に向は走行し、第2図では電荷発生
層(3)で発生した電子が電荷輸送N(2)中を感光体
表面に向は走行し、第3図では電荷発生層(3)で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層(2)中を導電性
基板(1)に向は走行すると共に、同時に電荷発生層(
3)で発生した電子が表面側の電荷輸送層(2)中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証された静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第2図及び第3図では、画@露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷輸
送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を行な
うことが可能である。
後、画像露光して使用する場合においては、第1図では
電荷発生層(3)で発生した正孔が電荷輸送層(2)中
を導電性基板(1)に向は走行し、第2図では電荷発生
層(3)で発生した電子が電荷輸送N(2)中を感光体
表面に向は走行し、第3図では電荷発生層(3)で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層(2)中を導電性
基板(1)に向は走行すると共に、同時に電荷発生層(
3)で発生した電子が表面側の電荷輸送層(2)中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証された静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第2図及び第3図では、画@露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷輸
送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を行な
うことが可能である。
第4図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と表面保護層(
4)を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第1図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第1図の形態では、最表面が耐湿性に乏しいa−3i膜
で有ることがら、多くの場合実用上の対湿度安定性を確
保するために表面保護層を設けることが好ましい。第2
図及び第3図の構成の場合、最表面が耐久性に優れたa
−C膜であるため表面保護層を設けな(でもよいが、例
えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止するよ
うな、複写機内の各種エレメントに対する整合性を調整
する目的から、表面保護層を設けることもざらなる一形
態と成りうる。
に電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と表面保護層(
4)を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第1図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第1図の形態では、最表面が耐湿性に乏しいa−3i膜
で有ることがら、多くの場合実用上の対湿度安定性を確
保するために表面保護層を設けることが好ましい。第2
図及び第3図の構成の場合、最表面が耐久性に優れたa
−C膜であるため表面保護層を設けな(でもよいが、例
えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止するよ
うな、複写機内の各種エレメントに対する整合性を調整
する目的から、表面保護層を設けることもざらなる一形
態と成りうる。
第5図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に中間層(5)と電荷発生層(3)と電荷輸送N(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第2
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第2図の
形態では、導電性基板との接合面がa−3i膜である事
がら、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第1図及び第3図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。
に中間層(5)と電荷発生層(3)と電荷輸送N(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第2
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第2図の
形態では、導電性基板との接合面がa−3i膜である事
がら、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第1図及び第3図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。
第6図は、さらなる一形態として、導電性基板(1)上
に中間層(5)と電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)
と表面保護層(4)を頭次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第1図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。
に中間層(5)と電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)
と表面保護層(4)を頭次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第1図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。
中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
って第2図及び第3図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。
って第2図及び第3図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。
本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるa−C膜を用いてもよい。但し、用い
る材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料である
場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は5μm以下
に留める必要がある。
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるa−C膜を用いてもよい。但し、用い
る材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料である
場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は5μm以下
に留める必要がある。
本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により訪導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積させる、所謂プラズマ重合反応
から生成される事が好ましい。
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により訪導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積させる、所謂プラズマ重合反応
から生成される事が好ましい。
第7図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
(701)〜(706)は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第1乃至第6タ
ンクで、各々のタンクは第1乃至第6調節弁(707)
〜(712)と第1乃至第6流量制御器(713)〜(
718)に接続されている。図中(719)〜(721
)は常温において液相または固相状態にある原料化合物
を封入した第1乃至第3容器で、各々の容器は気化のた
め第1乃至第3温調器(722)〜(724)により与
熱可能であり、ざらに各々の容器は第7乃至第9調節弁
(725)〜(727)と第7乃至第9流量制御器(7
28)〜(730)に接続されている。これらのガスは
混合器(731)で混合された後、主管(732)を介
して反応室(733)に送り込まれる。途中の配管は、
常温において液相または固相状態にあった原料化合物が
気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置さ
れた配管加熱器(734)により、与熱可能とされてい
る。反応室内には接地電極(735)と電力印加電tI
i(736)が対向して設置され、各々の電極は電極加
熱器(737)により与熱可能とされている。電力印加
電極(736)には、高周波電力用整合器(738)を
介して高周波電源(739)、低履波電力用整合器(7
40)を介して低周波電源(741)、ローパスフィル
タ(742)を介して直流電源(743)が接続きれて
おり、接続選択スイッチ(744)により周波数の異な
る電力が印加可能とされている。反応室(733)内の
圧力は圧力制御弁(745)により調整可能であり、反
応室(733)内の減圧は、排気系選択弁(746)を
介して、拡散ポンプ(747) 、油回転ポンプ(74
8)、或は、冷却除外装置(749) 、メカニカルブ
ースターポンプ(750)、油回転ポンプ(748)に
より行なわれる。排ガスについては、ざらに適当な除外
装置(753)により安全無害化した後、大気中に排気
される。これら排気系配管についても、常温において液
相または固相状態にあった原料化合物が気化したガスが
、途中で凝結しないように、適宜配置された配管加熱器
(734)により、与熱可能とされている。反応室(7
33)も同様の理由から反応室加熱器(751)により
与熱可能とされ、内部に配きれた電極上に導電性基板(
752)が設置される。第7図において導電性基板(7
52)は接地電極(735)に固定して配きれているが
、電力印加電tI(736)に固定して配されてもよく
、ざらに双方に配きれてもよい。
(701)〜(706)は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第1乃至第6タ
ンクで、各々のタンクは第1乃至第6調節弁(707)
〜(712)と第1乃至第6流量制御器(713)〜(
718)に接続されている。図中(719)〜(721
)は常温において液相または固相状態にある原料化合物
を封入した第1乃至第3容器で、各々の容器は気化のた
め第1乃至第3温調器(722)〜(724)により与
熱可能であり、ざらに各々の容器は第7乃至第9調節弁
(725)〜(727)と第7乃至第9流量制御器(7
28)〜(730)に接続されている。これらのガスは
混合器(731)で混合された後、主管(732)を介
して反応室(733)に送り込まれる。途中の配管は、
常温において液相または固相状態にあった原料化合物が
気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置さ
れた配管加熱器(734)により、与熱可能とされてい
る。反応室内には接地電極(735)と電力印加電tI
i(736)が対向して設置され、各々の電極は電極加
熱器(737)により与熱可能とされている。電力印加
電極(736)には、高周波電力用整合器(738)を
介して高周波電源(739)、低履波電力用整合器(7
40)を介して低周波電源(741)、ローパスフィル
タ(742)を介して直流電源(743)が接続きれて
おり、接続選択スイッチ(744)により周波数の異な
る電力が印加可能とされている。反応室(733)内の
圧力は圧力制御弁(745)により調整可能であり、反
応室(733)内の減圧は、排気系選択弁(746)を
介して、拡散ポンプ(747) 、油回転ポンプ(74
8)、或は、冷却除外装置(749) 、メカニカルブ
ースターポンプ(750)、油回転ポンプ(748)に
より行なわれる。排ガスについては、ざらに適当な除外
装置(753)により安全無害化した後、大気中に排気
される。これら排気系配管についても、常温において液
相または固相状態にあった原料化合物が気化したガスが
、途中で凝結しないように、適宜配置された配管加熱器
(734)により、与熱可能とされている。反応室(7
33)も同様の理由から反応室加熱器(751)により
与熱可能とされ、内部に配きれた電極上に導電性基板(
752)が設置される。第7図において導電性基板(7
52)は接地電極(735)に固定して配きれているが
、電力印加電tI(736)に固定して配されてもよく
、ざらに双方に配きれてもよい。
第8図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室(833)内部の形態以外は、第7図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記きれた番号は、700番台のものを800番台に置
き換えて解すればよい。第8図において、反応室(83
・3)内部には、第7図における接地電極<735)を
兼ねた円筒形の導電性基板(852)が設置きれ、内側
には電極加熱器(837)が配されている。導電性基板
(852)周囲には同じく円筒形状をした電力印加E極
(836)が配され、外側には電極加熱器(837)が
配きれている。導電性基板(852)は、外部より駆動
モータ(854)を用いて自転可能となっている。
を示し、反応室(833)内部の形態以外は、第7図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記きれた番号は、700番台のものを800番台に置
き換えて解すればよい。第8図において、反応室(83
・3)内部には、第7図における接地電極<735)を
兼ねた円筒形の導電性基板(852)が設置きれ、内側
には電極加熱器(837)が配されている。導電性基板
(852)周囲には同じく円筒形状をした電力印加E極
(836)が配され、外側には電極加熱器(837)が
配きれている。導電性基板(852)は、外部より駆動
モータ(854)を用いて自転可能となっている。
感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め1
o−4乃至1O−6Torr程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、I極並びに1!極に固定して配さ
れた導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板
には、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得る
ために、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷
発生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電
荷発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を
用いてもよい。次いで、第1乃至第6タンク及び第1乃
至第3容器から、原料ガスを適宜第1乃至第9流量制御
器を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調
節弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量
が安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周
波電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する
。両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固
相の膜が形成される。a−Si膜或はa−C膜は、原料
ガスを代える事により任意に形成可能で。
o−4乃至1O−6Torr程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、I極並びに1!極に固定して配さ
れた導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板
には、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得る
ために、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷
発生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電
荷発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を
用いてもよい。次いで、第1乃至第6タンク及び第1乃
至第3容器から、原料ガスを適宜第1乃至第9流量制御
器を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調
節弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量
が安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周
波電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する
。両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固
相の膜が形成される。a−Si膜或はa−C膜は、原料
ガスを代える事により任意に形成可能で。
ある。放電を一旦停止し、原料ガス組成を変更した後、
再び放電を再開すれば異なる組成の膜を積層する事がで
きる。また、放電を持続させながら原料ガス流量だけを
徐々に代え、異なる組成の膜を勾配を持たせながら積層
する事も可能である。
再び放電を再開すれば異なる組成の膜を積層する事がで
きる。また、放電を持続させながら原料ガス流量だけを
徐々に代え、異なる組成の膜を勾配を持たせながら積層
する事も可能である。
反応時間により膜厚をs郡し、所定の膜厚並びに積層構
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第1乃至第9調節弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要ときれる場合に
は、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を
破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発
明による感光体を得る。
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第1乃至第9調節弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要ときれる場合に
は、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を
破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発
明による感光体を得る。
以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。
宜施Δ1
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの頭に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの頭に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7回に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(? 33)の内部を10−6To r r程度の
高真空にした後、第1、第2、及び第3(707,70
8、及び7o9)を解放し、第1タンク(701)より
水素ガス、第2タンク(702)よりエチレンガス、及
び第3タンク(703)より窒素ガスを各々出力圧1.
0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第3流量制御器
(713,714、及び715)内へ流入させた。そし
て各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を5
0secm、エチレンガスの流量を60secm1及び
窒素ガスの流量を7secmとなるように設定して、途
中混合器(731)を介して、主管(732)より反応
室(733)内へ流入した。
装置(? 33)の内部を10−6To r r程度の
高真空にした後、第1、第2、及び第3(707,70
8、及び7o9)を解放し、第1タンク(701)より
水素ガス、第2タンク(702)よりエチレンガス、及
び第3タンク(703)より窒素ガスを各々出力圧1.
0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第3流量制御器
(713,714、及び715)内へ流入させた。そし
て各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を5
0secm、エチレンガスの流量を60secm1及び
窒素ガスの流量を7secmとなるように設定して、途
中混合器(731)を介して、主管(732)より反応
室(733)内へ流入した。
各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力
が1.3Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、導電性基板(752)としては、!5
0X横50×厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予
め250℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接続
しておいた高周波電源(739)を投入し、電力印加電
極(736)に200Wattの電力を周波数13゜5
6MHzの下で印加して約8時間40分プラズマ重合反
応を行ない、導電性基板(752)上に厚さ15μmの
a−C膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、
電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内
を充分に排気した。
が1.3Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、導電性基板(752)としては、!5
0X横50×厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予
め250℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接続
しておいた高周波電源(739)を投入し、電力印加電
極(736)に200Wattの電力を周波数13゜5
6MHzの下で印加して約8時間40分プラズマ重合反
応を行ない、導電性基板(752)上に厚さ15μmの
a−C膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、
電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内
を充分に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して39原子%、また、オージ
ェ分析より含有きれる窒素原子の量は全構成原子に対し
て0.3原子%であった。
析を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して39原子%、また、オージ
ェ分析より含有きれる窒素原子の量は全構成原子に対し
て0.3原子%であった。
電荷発生層形成工程:
次いで、一部タンクを交換し、第1調節弁(7o7)、
第2調節弁(708)、第5調節弁(711)、及び第
6調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)か
ら水素ガス、第2タンク(702)からゲルマンガス、
第5タンク(705)からメタンガス、及び第6タンク
(706)からシランガスを、出力圧IKg/am2の
下で第1、第2、第5、及び第6流量制御器(713,
714,717、及び718)内へ流入させた。
第2調節弁(708)、第5調節弁(711)、及び第
6調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)か
ら水素ガス、第2タンク(702)からゲルマンガス、
第5タンク(705)からメタンガス、及び第6タンク
(706)からシランガスを、出力圧IKg/am2の
下で第1、第2、第5、及び第6流量制御器(713,
714,717、及び718)内へ流入させた。
同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(
704)より水素ガスで1100ppに希釈されたジボ
ランガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量
制御器(716)内へ、流入させな。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を200secm、ゲルマ
ンガスの流量を6SCCm%メタンガスの流量を101
05e、シランガスの流量を101005e、水素ガス
で1100ppに希釈されたジボランガスの流量を10
1005eに設定し、反応室(733)内に流入させた
。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧
力が0.8Torrとなるように圧力調節弁(745)
を調整した。一方、a−C膜が形成されている導電性基
板(752)は、250℃に加熱しておき、ガス流量及
び圧力が安定した状態で、高周波電源(739)より周
波数13.56MHzの下で電力印加Mw1(736)
に40Wattの電力を印加し、グロー放電を発生させ
た。この放電を5分間行ない、厚さ0.3μmの電荷発
生層を得た。
704)より水素ガスで1100ppに希釈されたジボ
ランガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量
制御器(716)内へ、流入させな。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を200secm、ゲルマ
ンガスの流量を6SCCm%メタンガスの流量を101
05e、シランガスの流量を101005e、水素ガス
で1100ppに希釈されたジボランガスの流量を10
1005eに設定し、反応室(733)内に流入させた
。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧
力が0.8Torrとなるように圧力調節弁(745)
を調整した。一方、a−C膜が形成されている導電性基
板(752)は、250℃に加熱しておき、ガス流量及
び圧力が安定した状態で、高周波電源(739)より周
波数13.56MHzの下で電力印加Mw1(736)
に40Wattの電力を印加し、グロー放電を発生させ
た。この放電を5分間行ない、厚さ0.3μmの電荷発
生層を得た。
得られたa−Si膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して24原子%、硼素原子は95原子ppm
、炭素原子は1.0原子%、ゲルマニウム原子は106
5原子%であつ特性: 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一660V (+630V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は43V/μm(41V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれた
。
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して24原子%、硼素原子は95原子ppm
、炭素原子は1.0原子%、ゲルマニウム原子は106
5原子%であつ特性: 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一660V (+630V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は43V/μm(41V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれた
。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約17秒(約15
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は2.9ルツク
ス・秒(1,8ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約17秒(約15
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は2.9ルツク
ス・秒(1,8ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明に・よる感光体は、感光
体として優れた性能を有するものである事が理WIすれ
る。また、この感光体に対して常用のカールソンプロセ
スの中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得ら
れた。
体として優れた性能を有するものである事が理WIすれ
る。また、この感光体に対して常用のカールソンプロセ
スの中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得ら
れた。
去旗泗旦
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの原に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの原に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1、第2、及び第3調節弁(7o7.
708、及び709)!解放し、第1タンク(701)
より水素ガス、第2タンク(702)よりアセチレンガ
ス、及び第3タンク(703)より窒素ガスを各々出力
圧1.0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第3流量
制譚器(713,714、及び715)内へ流入きせた
。
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1、第2、及び第3調節弁(7o7.
708、及び709)!解放し、第1タンク(701)
より水素ガス、第2タンク(702)よりアセチレンガ
ス、及び第3タンク(703)より窒素ガスを各々出力
圧1.0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第3流量
制譚器(713,714、及び715)内へ流入きせた
。
そして各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量
を80secm1アセチレンガスの流量を40secm
、及び窒素ガスの流量が18secmとなるように設定
して、途中混合器(731)を介して、主管(732)
より反応室(733)内へ流入した。各々の流量が安定
した後に、反応室(733)内の圧力が1.5Torr
となるように圧力調節弁(745)を調整した。一方、
導電性基板(752)としては、樅50×横50×厚3
mmのアルミニウム基板を用いて、予め200℃に加熱
しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接
続選択スイッチ(744)により接続しておいた高周波
電源(739)を投入し、電力印加電極(736)に2
00Wattの電力を周波数13.56MHzの下で印
加して約4時開平プラズマ重合反応を行ない、導電性基
板(752)上に厚き15μmのa−C膜を電荷輸送層
として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調
節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した。
を80secm1アセチレンガスの流量を40secm
、及び窒素ガスの流量が18secmとなるように設定
して、途中混合器(731)を介して、主管(732)
より反応室(733)内へ流入した。各々の流量が安定
した後に、反応室(733)内の圧力が1.5Torr
となるように圧力調節弁(745)を調整した。一方、
導電性基板(752)としては、樅50×横50×厚3
mmのアルミニウム基板を用いて、予め200℃に加熱
しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接
続選択スイッチ(744)により接続しておいた高周波
電源(739)を投入し、電力印加電極(736)に2
00Wattの電力を周波数13.56MHzの下で印
加して約4時開平プラズマ重合反応を行ない、導電性基
板(752)上に厚き15μmのa−C膜を電荷輸送層
として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調
節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して30原子%、また、オージ
ェ分析より含有きれる窒素原子の量は全構成原子に対し
て1.4原子%であった。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して30原子%、また、オージ
ェ分析より含有きれる窒素原子の量は全構成原子に対し
て1.4原子%であった。
電荷発生層形成工程:
次いで、一部タンクを交換し、第1調節弁(707)、
第2調節弁(708)、第3調節弁(709)、第5調
節弁(711)、及び第6調節弁(712)を解放し、
第1タンク(701)から水素ガス、第2タンク(70
2)からゲルマンガス、第3タンク(703)から四弗
化シランガス、第5タンク(705)から四弗化炭素ガ
ス、及び第6タンク(706)からシランガスを、出力
圧IKg/am2の下で第1、第2、第3、第5、及び
第6流量制御器(713,714,715,717、及
び718)内へ流入させた。同時に、第4調節弁(71
0)を解放し、第4タンク(704)より水素ガスで1
100ppに希釈されたジボランガスを、出力圧1−5
Kg/cm”の下で第4流量制御器(716)内へ、流
入させな。各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流
量を200secm、ゲルマンガスの流量を3secm
1四弗化シランガスの流量を50secm、四弗化炭素
ガスの流量を0.1sccm、シランガスの流量を50
3 CCm、水素ガスで1100ppに希釈されたジボ
ランガスの流量を10105eとなるように設定し、反
応室(733)内に流入させた。各々の流量が安定した
後に、反応室(733)内の圧力が0.9Torrとな
るように圧力調節弁(745)を調整した。一方、a−
σ膜が形成されている導電性基板(752)は、250
℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で
、高周波電源(739)より周波数13.56MHzの
下で電力印加電極(736)に35Wattの電力を印
加し、グロー放電を発生させな。
第2調節弁(708)、第3調節弁(709)、第5調
節弁(711)、及び第6調節弁(712)を解放し、
第1タンク(701)から水素ガス、第2タンク(70
2)からゲルマンガス、第3タンク(703)から四弗
化シランガス、第5タンク(705)から四弗化炭素ガ
ス、及び第6タンク(706)からシランガスを、出力
圧IKg/am2の下で第1、第2、第3、第5、及び
第6流量制御器(713,714,715,717、及
び718)内へ流入させた。同時に、第4調節弁(71
0)を解放し、第4タンク(704)より水素ガスで1
100ppに希釈されたジボランガスを、出力圧1−5
Kg/cm”の下で第4流量制御器(716)内へ、流
入させな。各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流
量を200secm、ゲルマンガスの流量を3secm
1四弗化シランガスの流量を50secm、四弗化炭素
ガスの流量を0.1sccm、シランガスの流量を50
3 CCm、水素ガスで1100ppに希釈されたジボ
ランガスの流量を10105eとなるように設定し、反
応室(733)内に流入させた。各々の流量が安定した
後に、反応室(733)内の圧力が0.9Torrとな
るように圧力調節弁(745)を調整した。一方、a−
σ膜が形成されている導電性基板(752)は、250
℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で
、高周波電源(739)より周波数13.56MHzの
下で電力印加電極(736)に35Wattの電力を印
加し、グロー放電を発生させな。
この放電を5分間行ない、厚き0.3μmの電荷発生層
を得た。
を得た。
得られたa−5i膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300)、オージェ分析、及びIM
A分析を行なったところ、含有されろ水素原子は全構成
原子に対して22原子%、硼素原子は11原子ppm、
弗素原子は4.8原子%、炭素原子は0.1原子%、ゲ
ルマニウム原子は6.4原子%であった。
作所製EMGA−1300)、オージェ分析、及びIM
A分析を行なったところ、含有されろ水素原子は全構成
原子に対して22原子%、硼素原子は11原子ppm、
弗素原子は4.8原子%、炭素原子は0.1原子%、ゲ
ルマニウム原子は6.4原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一650V (+650V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は43V/μm(43V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一650V (+650V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は43V/μm(43V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約25秒(約22
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰きせたとこる必要とされた光量は1.8ルツク
ス・秒(1,6ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。また、最高帯
電電位に初M帯電した後、半導体レーザー光(発光波長
780nm)を用いて最高帯電電位の20%の表面電位
にまで明減衰させたところ必要とされた光量は10.6
erg/cm2(8,7erg/cmりであり、このこ
とから充分な長波長光感度性能を有する事が理解された
。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約25秒(約22
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰きせたとこる必要とされた光量は1.8ルツク
ス・秒(1,6ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。また、最高帯
電電位に初M帯電した後、半導体レーザー光(発光波長
780nm)を用いて最高帯電電位の20%の表面電位
にまで明減衰させたところ必要とされた光量は10.6
erg/cm2(8,7erg/cmりであり、このこ
とから充分な長波長光感度性能を有する事が理解された
。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
実施医旦
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第3調節弁(709)を解放し、第3タ
ンク(703)より亜酸化窒素ガスを出力圧1.0Kg
/cm2の下で第3流量制il器(715)内へ流入さ
せた。同時に、第1容器(719)よりミルセンガスを
第1温調器(722)温度75℃のもとで第7流量制御
器(728)内へ流入きせな。亜酸化窒素ガスの流量を
38sCCm1及びミルセンガスの流量を18secm
となるように設定して、途中混合器(731)を介して
、主管(732)より反応室(733)内へ流入した。
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第3調節弁(709)を解放し、第3タ
ンク(703)より亜酸化窒素ガスを出力圧1.0Kg
/cm2の下で第3流量制il器(715)内へ流入さ
せた。同時に、第1容器(719)よりミルセンガスを
第1温調器(722)温度75℃のもとで第7流量制御
器(728)内へ流入きせな。亜酸化窒素ガスの流量を
38sCCm1及びミルセンガスの流量を18secm
となるように設定して、途中混合器(731)を介して
、主管(732)より反応室(733)内へ流入した。
各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力
が0.9Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、導電性基板(752)としては、樅5
0×横50X厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予
め200℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接続
しておいた低周波電源(741)を投入し、電力印加電
極(736)に150Wattの電力を周波数30KH
zの下で印加して約2時間40分プラズマ重合反応を行
ない、導電性基板(752)上に厚き15μmのa−C
膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印
加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分
に排気した。
が0.9Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、導電性基板(752)としては、樅5
0×横50X厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予
め200℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接続
しておいた低周波電源(741)を投入し、電力印加電
極(736)に150Wattの電力を周波数30KH
zの下で印加して約2時間40分プラズマ重合反応を行
ない、導電性基板(752)上に厚き15μmのa−C
膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印
加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分
に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につぎ有機元素分
析性なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して47原子%であった。また、
オージェ分析より含有される窒素原子の量は全構成原子
に対して2.1原子%であった。
析性なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して47原子%であった。また、
オージェ分析より含有される窒素原子の量は全構成原子
に対して2.1原子%であった。
電荷発生層形成工程:
次いで、一部タンクを交換し、第1調節弁(707)、
第2調節弁(708)、第5調節弁(711)、及び第
6調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)か
ら水素ガス、第2タンク(702)からゲルマンガス、
第5タンク(705)からメタンガス、及び第6タンク
(706)からシランガスを、出力圧IKg/am2の
下で第1、第2、第5、及び第6流量制御器(713,
714,717、及び718)内へ流入させた。
第2調節弁(708)、第5調節弁(711)、及び第
6調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)か
ら水素ガス、第2タンク(702)からゲルマンガス、
第5タンク(705)からメタンガス、及び第6タンク
(706)からシランガスを、出力圧IKg/am2の
下で第1、第2、第5、及び第6流量制御器(713,
714,717、及び718)内へ流入させた。
同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(
704)より水素ガスで10ppmに希釈されたホスフ
ィンガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量
#御器(716)内へ、流入させた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を200secm、ゲルマ
ンガスの流量を6secm、メタンガスの流量を3se
cm、シランガスの流量を200secm、水素ガスで
1100ppに希釈されたボスフィンガスの流量を10
105eに設定し、反応室(733)内に流入させた。
704)より水素ガスで10ppmに希釈されたホスフ
ィンガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量
#御器(716)内へ、流入させた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を200secm、ゲルマ
ンガスの流量を6secm、メタンガスの流量を3se
cm、シランガスの流量を200secm、水素ガスで
1100ppに希釈されたボスフィンガスの流量を10
105eに設定し、反応室(733)内に流入させた。
各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力
が1.0Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、a−C膜が形成されている導電性基板
(752)は、230℃に加熱しておぎ、ガス流量及び
圧力が安定した状態で、高周波電源(739)より周波
数13゜56MHzの下で電力印加電極(736)に3
5Wattの電力を印加し、グロー放電を発生させた。
が1.0Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、a−C膜が形成されている導電性基板
(752)は、230℃に加熱しておぎ、ガス流量及び
圧力が安定した状態で、高周波電源(739)より周波
数13゜56MHzの下で電力印加電極(736)に3
5Wattの電力を印加し、グロー放電を発生させた。
この放電を5分間行ない、厚ざ063μmの電荷発生層
を得た。
を得た。
得られたa−Si膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所!JEMGA−1300) 、オージェ分析、及び
IMA分析を行なったところ、含有される水素原子は全
構成原子に対して18原子%、燐原子は12原子ppm
5炭素原子は0.3原子%、ゲルマニウム原子は10.
4原子%であった。
作所!JEMGA−1300) 、オージェ分析、及び
IMA分析を行なったところ、含有される水素原子は全
構成原子に対して18原子%、燐原子は12原子ppm
5炭素原子は0.3原子%、ゲルマニウム原子は10.
4原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一620V (+940V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は41V/μm(61V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一620V (+940V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は41V/μm(61V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約38秒(約47
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は2.6ルツク
ス・秒(8,6ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約38秒(約47
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は2.6ルツク
ス・秒(8,6ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
Z旅男4
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如伊、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの頭に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの頭に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1、第2、及び第3調節弁(707,
708、及び709)を解放し、第1タンク(701)
より水素ガス、第2タンク(702)よりブタジインガ
ス、及び第3タンク(703)より窒素ガスを各々出力
圧1.0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第3流量
制御器(713,714、及び715)内へ流入させた
。
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1、第2、及び第3調節弁(707,
708、及び709)を解放し、第1タンク(701)
より水素ガス、第2タンク(702)よりブタジインガ
ス、及び第3タンク(703)より窒素ガスを各々出力
圧1.0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第3流量
制御器(713,714、及び715)内へ流入させた
。
水素ガスの流量を70secm、ブタジインガスの流量
を40secm、及び窒素ガスの流量を20secmと
なるように設定して、途中混合器(731)を介して、
主管(732)より反応室(733)内へ流入した。各
々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が
1.27orrとなるように圧力調節弁(745)を調
整した。
を40secm、及び窒素ガスの流量を20secmと
なるように設定して、途中混合器(731)を介して、
主管(732)より反応室(733)内へ流入した。各
々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が
1.27orrとなるように圧力調節弁(745)を調
整した。
一方、導電性基板(752)としては、樅50X横50
XFJ3mmのアルミニウム基板を用いて、予め170
’Cに加熱してお萱、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、予め接続選択スイッチ(744)により接続してお
いた低周波電源(741)を投入し、電力印加電極(7
36)に140Wa11の電力を周波数500KHzの
下で印加して約26分間プラズマ重合反応を行ない、導
電性基板(752)上に厚さ15μmのa−C膜を電荷
輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止
し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気し
た。
XFJ3mmのアルミニウム基板を用いて、予め170
’Cに加熱してお萱、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、予め接続選択スイッチ(744)により接続してお
いた低周波電源(741)を投入し、電力印加電極(7
36)に140Wa11の電力を周波数500KHzの
下で印加して約26分間プラズマ重合反応を行ない、導
電性基板(752)上に厚さ15μmのa−C膜を電荷
輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止
し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気し
た。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して55原子%、また、オージ
ェ分析より含有される窒素原子の量は全構成原子に対し
て3.7原子%であった。
析を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して55原子%、また、オージ
ェ分析より含有される窒素原子の量は全構成原子に対し
て3.7原子%であった。
電荷発生層形成工程:
次いで、一部タンクを交換し、第1調節弁(707)、
第2調節弁(708)、第5調節弁(711)、及び第
6調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)か
ら水素ガス、第2タンク(702)からゲルマンガス、
第5タンク(705)からメタンガス、及び第6タンク
(706)からシランガスを、出力圧1.Kg/cm2
の下で第1、第2、第5、及び第6流量制御器(713
,714,717、及び718)内へ流入させた。
第2調節弁(708)、第5調節弁(711)、及び第
6調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)か
ら水素ガス、第2タンク(702)からゲルマンガス、
第5タンク(705)からメタンガス、及び第6タンク
(706)からシランガスを、出力圧1.Kg/cm2
の下で第1、第2、第5、及び第6流量制御器(713
,714,717、及び718)内へ流入させた。
同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(
704)より水素ガスで1100ppに希釈されたジボ
ランガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量
制御器(716)内へ、流入させな。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を200secm、ゲルマ
ンガスの流量を6sccmsメタンガスの流量をO,O
lsecm。
704)より水素ガスで1100ppに希釈されたジボ
ランガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量
制御器(716)内へ、流入させな。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を200secm、ゲルマ
ンガスの流量を6sccmsメタンガスの流量をO,O
lsecm。
シランガスの流量を101005e、水素ガスで110
0ppに希釈されたジポランガスの流量を10105e
となるように設定し、反応室(733)内に流入させた
。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧
力が0.8Torrとなるように圧力調節弁(745)
を調整した。一方、a−C膜が形成されている導電性基
板(752)は、250℃に加熱しておき、ガス流量及
び圧力が安定した状態で、高周波電源(739)より周
波数13.56MHzの下で電力印加電極(736)に
35Wattの電力を印加し、グロー放電を発生させな
。この放電を5分間行ない、厚き0゜3μmの電荷発生
層を得た。
0ppに希釈されたジポランガスの流量を10105e
となるように設定し、反応室(733)内に流入させた
。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧
力が0.8Torrとなるように圧力調節弁(745)
を調整した。一方、a−C膜が形成されている導電性基
板(752)は、250℃に加熱しておき、ガス流量及
び圧力が安定した状態で、高周波電源(739)より周
波数13.56MHzの下で電力印加電極(736)に
35Wattの電力を印加し、グロー放電を発生させな
。この放電を5分間行ない、厚き0゜3μmの電荷発生
層を得た。
得られたa−3i膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して20原子%、硼素原子は9原子ppff
h炭素原子は0.001原子%、ゲルマニウム原子は9
.8原子%であった。
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して20原子%、硼素原子は9原子ppff
h炭素原子は0.001原子%、ゲルマニウム原子は9
.8原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如廿性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一6?OV (+710V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることからlam当り
の1!F電能は44V/μm<47V/μm)と極めて
高く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解さ
れた。
電並びに正帯電で用いたところ次の如廿性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一6?OV (+710V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることからlam当り
の1!F電能は44V/μm<47V/μm)と極めて
高く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解さ
れた。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約41秒(約46
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理i!!きれた。また、最高帯電電位に初期帯電し
た後、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位
にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は4.5ル
ツクス・秒(4,1ルツクス・秒)であり、このことか
ら充分な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約41秒(約46
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理i!!きれた。また、最高帯電電位に初期帯電し
た後、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位
にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は4.5ル
ツクス・秒(4,1ルツクス・秒)であり、このことか
ら充分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
宜旅週互
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10”’Torr程度の高真空
にした後、第1、第2、及び第3調節弁(707,70
8、及び709)を解放し、第1タンク(701)より
水素ガス、第2タンク(702)よりブタジェンガス、
及び第3タンク(703)よりアンモニアガスを各々出
力圧1、OKg/cm2の下で第1、第2、及び第3流
量制御器(713,714、及び715)内へ流入させ
た。水素ガスの流量を40secm、ブタジェンガスの
流量を60secms及びアンモニアガスの流量を20
secmとなるように設定して、途中混合器(731)
を介して、主管(732)より反応室(733)内へ流
入した。各々の流量が安定した後に、反応室(733)
内の圧力が1゜5Torrとなるように圧力調節弁(7
45)を調整した。一方、導電性基板(752)として
は、!50X横50×厚3mmのアルミニウム基板を用
いて、予め200℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力
が安定した状態で、予め接続選択スイッチ(744)に
より接続しておいた低X波電源(741)を投入し、電
力印加電極(736)に120Wattの電力を周波数
400KHzの下で印加して約30分間プラズマ重合反
応を行ない、導電性基板(752)上に厚ざ1bμmの
a −C膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は
、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)
内を充分に排気した。
装置(733)の内部を10”’Torr程度の高真空
にした後、第1、第2、及び第3調節弁(707,70
8、及び709)を解放し、第1タンク(701)より
水素ガス、第2タンク(702)よりブタジェンガス、
及び第3タンク(703)よりアンモニアガスを各々出
力圧1、OKg/cm2の下で第1、第2、及び第3流
量制御器(713,714、及び715)内へ流入させ
た。水素ガスの流量を40secm、ブタジェンガスの
流量を60secms及びアンモニアガスの流量を20
secmとなるように設定して、途中混合器(731)
を介して、主管(732)より反応室(733)内へ流
入した。各々の流量が安定した後に、反応室(733)
内の圧力が1゜5Torrとなるように圧力調節弁(7
45)を調整した。一方、導電性基板(752)として
は、!50X横50×厚3mmのアルミニウム基板を用
いて、予め200℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力
が安定した状態で、予め接続選択スイッチ(744)に
より接続しておいた低X波電源(741)を投入し、電
力印加電極(736)に120Wattの電力を周波数
400KHzの下で印加して約30分間プラズマ重合反
応を行ない、導電性基板(752)上に厚ざ1bμmの
a −C膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は
、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)
内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して55原子%、また、オージ
ェ分析より含有される窒素原子の量は全構成原子に対し
て4.8原子%であった。
析を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して55原子%、また、オージ
ェ分析より含有される窒素原子の量は全構成原子に対し
て4.8原子%であった。
電荷発生層形成工程:
次いで、一部タンクを交換し、第1調節弁(707)、
第5調節弁(711)、及び第6調節弁(712)を解
放し、第1タンク(701)から水素ガス、第2タンク
(702)からゲルマンガス、第5タンク(705)か
らエタンガス、及び第6タンク(706)からシランガ
スを、出力圧IKg/cm2の下で第11第2、第5、
及び第6流量制部器(713,714,717、及び7
18)内へ流入させた。同時に、第4調節弁(710)
を解放し、第4タンク(704)より水素ガスで110
0ppに希釈されたジボランガスを、出力圧1.5Kg
/cm2の下で第4流量制御器<716)内へ、流入さ
せた。各流量側扉器の目盛を調整して水素ガスの流量を
200sCCm %ゲルマンガスの流量を10s105
eエタンガスの流量を3secm、シランガスの流量を
1o○S CCm s水素ガスで10oppmに希釈き
れたジボランガスの流量を10105eに設定し、反応
室(733)内に流入させた。各々の流量が安定した後
に、反応室(733)内の圧力が0.9Torrとなる
ように圧力調節弁(745)を調整した。一方、a−C
膜が形成きれている導電性基板(752)は、240’
Cに加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で
、高歴波電源(739)より周波数13.56MHzの
下で電力印加電極(736)に45Wattの電力を印
加し、グロー放電を発生させた。この放電を5分間行な
い、厚さ0.3μmの電荷発生層を得た。
第5調節弁(711)、及び第6調節弁(712)を解
放し、第1タンク(701)から水素ガス、第2タンク
(702)からゲルマンガス、第5タンク(705)か
らエタンガス、及び第6タンク(706)からシランガ
スを、出力圧IKg/cm2の下で第11第2、第5、
及び第6流量制部器(713,714,717、及び7
18)内へ流入させた。同時に、第4調節弁(710)
を解放し、第4タンク(704)より水素ガスで110
0ppに希釈されたジボランガスを、出力圧1.5Kg
/cm2の下で第4流量制御器<716)内へ、流入さ
せた。各流量側扉器の目盛を調整して水素ガスの流量を
200sCCm %ゲルマンガスの流量を10s105
eエタンガスの流量を3secm、シランガスの流量を
1o○S CCm s水素ガスで10oppmに希釈き
れたジボランガスの流量を10105eに設定し、反応
室(733)内に流入させた。各々の流量が安定した後
に、反応室(733)内の圧力が0.9Torrとなる
ように圧力調節弁(745)を調整した。一方、a−C
膜が形成きれている導電性基板(752)は、240’
Cに加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で
、高歴波電源(739)より周波数13.56MHzの
下で電力印加電極(736)に45Wattの電力を印
加し、グロー放電を発生させた。この放電を5分間行な
い、厚さ0.3μmの電荷発生層を得た。
得られたa−3t膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して21原子%、硼素原子は11原子ppm
N炭素原子は0.3原子%、ゲルマニウム原子は15.
7139子%であった。
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して21原子%、硼素原子は11原子ppm
N炭素原子は0.3原子%、ゲルマニウム原子は15.
7139子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一910V(+890V)で有り、即ち、全
感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当りの
帯電能は60■/μm(58V/μm)と極めて高く、
このことから充分な帯電性能を有する事が理解された。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一910V(+890V)で有り、即ち、全
感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当りの
帯電能は60■/μm(58V/μm)と極めて高く、
このことから充分な帯電性能を有する事が理解された。
また、暗中にてVmaxからVmaXの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約47秒(約49
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初M帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は7.0ルツク
ス・秒(6,0ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約47秒(約49
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初M帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は7.0ルツク
ス・秒(6,0ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
としてぼれた性能を有するものである事が理解される。
としてぼれた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
第1図乃至第6図は本発明感光体の構成を示す図面、第
7図乃至第8図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第1図 第3図 第5図 第2 図 第4図 第6図 手続補正書 昭和62年 10月21日
7図乃至第8図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第1図 第3図 第5図 第2 図 第4図 第6図 手続補正書 昭和62年 10月21日
Claims (1)
- 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
おいて、該電荷輸送層は少なくとも窒素原子を含有して
なる水素化アモルファスカーボン膜であり、かつ、該電
荷発生層は炭素原子を含有すると共に燐原子及び硼素原
子のうち少なくとも一方を含有してなる水素化アモルフ
ァスシリコンゲルマニウム膜或は炭素原子を含有すると
共に燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有し
てなる弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム膜であ
ることを特徴とする感光体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22945386A JPS6382481A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 感光体 |
EP87113882A EP0261653A3 (en) | 1986-09-26 | 1987-09-23 | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer |
US07/101,286 US4868076A (en) | 1986-09-26 | 1987-09-25 | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22945386A JPS6382481A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6382481A true JPS6382481A (ja) | 1988-04-13 |
Family
ID=16892438
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22945386A Pending JPS6382481A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6382481A (ja) |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP22945386A patent/JPS6382481A/ja active Pending
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