JPS6381476A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。

従米挟槓 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発き
れ実用化きれてきた。

従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散き
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。

このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も多
い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。ざらに、アモ
ルファスシリコンは、元来、比訪電率が高いため帯電性
能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するために
は膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシリ
コン膜を長時間堆積させなくてはならない。

ところでアモルファスカーボン膜自体は、プラズマ有機
重合膜として古くより知られており、例えばジエン（Ｍ
、５ｈｅｎ）及びベル（Ａ、Ｔ。

Ｂｅ１ｌ）により、１９７３年発行ののジャーナル・オ
ブ・アプライド・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｒｎａ
　Ｉ　　ｏｆ　　Ａｐｐｌ　ｉｅｄ　　Ｐ。

ｌｙｍｅｒ　　５ｃｉｅｎｃｅ）第１７巻の第８８５頁
乃至第８９２頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作製され得る事が、また、同著者により、１９７９年
のアメリカンケミカルソサエティー（Ａｍｅｒｉｃａｎ
　　ＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）発行によるプラ
ズマボリマライゼーション（Ｐｌａｓｍａ　　Ｐｏｌｙ
ｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でもその成膜性が論じられ
ている。

しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如＜１０１６Ωｃｍ程
度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくと
もそのような膜であるとの認識のもとに用いられていた
。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識か
ら、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層に
限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバー
コート層としてしか用いられていなかった。

例えば、特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５
９−３８７５３号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される１０′３〜１０１５Ωｃｍの高抵抗のプラズマ
重合膜を１０人〜１００人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５９−
１３６７４２号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として１〜５μｍ程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている。

特開昭６０−６３５４１号公報には、アルミ基板とその
上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接着層として２００人〜２μｍのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電荷
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている。

これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、ａ−３ｉ
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。

また、例えば、特開昭５０−２０７２８号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を０．１〜１μ
ｍ設けた感光体が開示されている。特開昭５９−２１４
８５９号公報には、アモルファスシリ・コン感光体の表
面に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水
素モノマーをプラズマ重合させて５μｍ程度の膜を形成
きせる技術が開示されている。特開昭６０−６１７６１
号公報には、表面保護層として、５００人〜２μｍのダ
イヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光
性の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされてている
。特開昭６０−２４９１１５号公報には、０．０５〜５
μｍ程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層と
して用いる技術が開示され、膜厚が５μｍを越えると感
光体活性に悪影響が及ぶとされている。

これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、ａ−ｓｔの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。

また、特開昭５１−４６１３０号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって０．００１〜３μｍのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、ａ−Ｓｉの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。

一方、アモルファスシリコン膜については、スピア（Ｗ
、Ｅ、５ｐｅａｒ）及びレコンバ（Ｐ。

Ｑ、　Ｌ６Ｃｏｍｂｅｒ）により１９７６年発行のフィ
ａソフィカル・マガジン（Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ
　　Ｍａｇａｚｉｎｅ）第３３巻の第９３５頁乃至第９
４９頁において、極性制御が可能な材料である事が報じ
られて以来、種々の充電デバイスへの応用が試みられて
来た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭５６
−６２２５４号公報、特開昭５７−１１９３５６号公報
、特開昭５７−１７７１４７号公報、特開昭５７−１１
９３５７号公報、特開昭５７−１７７１４９号公報、特
開昭５７−１１９３５７号公報、特開昭５７−１７７１
４６号公報、特開昭５７−１７７１４８号公報、特開昭
５７−１７４４４８号公報、特開昭５７−１７４４４９
号公報、特開昭５７−１７４４５０号公報、等に、炭素
原子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示きれ
ているが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭
素原子により調整する事を目的としたものであり、また
、アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。

■が７決しようとする間点 以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用されていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々５μｍ程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用され
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。

本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が窒素原
子を含有せしめる事により、燐原子及び１素原子のうち
少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を含有してな
る水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム
膜との積層においては電荷輸送性を有し、容易に好適な
電子写真特性を示し始める事を見出した。その理論的解
釈には本発明者においても不明確な点が多く詳細に亙り
言及はできないが、窒素原子含有水素化アモルファスカ
ーボン膜中に捕捉されている比較的不安定なエネルギー
状態の電子、例えばπ電子、不対電子、残存フリーラジ
カル等が形成するバンド構造が、燐原子及び硼素原子の
うち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を含有し
てなる水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニ
ウム膜が形成するバンド構造と電導帯もしくは荷電子帯
において近似したエネルギー準位を有するため、燐原子
及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有すると共に酸
素原子を含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシ
リコンゲルマニウム膜中で発生したキャリアが容易に窒
素原子含有水素化アモルファスカーボン膜中へ注入され
、ざらに、このキャリアは前述の比較的不安定なエネル
ギー状態の電子の作用により窒素原子含有水素化アモル
ファスカーボン膜中を好適に走行し得るためと推定され
る。

本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に少なくとも窒素原子を含有
してなる水素化アモルファスカーボン膜を電荷輸送層と
して使用し、かつ、燐原子及び硼素原子のうち少なくと
も一方を含有すると共に酸素原子を含有してなる水素化
或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウムの薄膜を
電荷発生層として使用した感光体を提供する事を目的と
する。

０１１占　　゛するための 即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成される少なくとも窒素原子を含有してなる
水素化アモルファスカーボン膜であり、かつ、該電荷発
生層が燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有
すると共に酸素原子を含有してなる水素化或は弗素化ア
モルファスシリコンゲルマニウム膜であることを特（歎
とする感光体に関する（以下、本発明による電荷輸送層
をａ−Ｃ膜及び電荷発生層をａ−Ｓｉ膜と称する）。

本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能ざえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成されたものである。

即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成される少なくとも窒素原子を含有してなる水素化アモ
ルファスカーボン膜を設け、かっ、電荷発生層として同
じくグロー放電により生成される燐原子及び硼素原子の
うち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を含有し
てなる水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニ
ウム膜を設けた事を特徴とする機能分離型感光体に関す
る。

該電荷輸送層は、可視光もしくは半導体レーザー光付近
の波長の光に対しては明確なる光導電性は有きないが、
好適な輸送性を有し、ざらに、帯電能、耐久性、耐候性
、耐環境汚染性等の電子写真感光体性能に優れ、しかも
透光性にも優れるため、機能分離型感光体としての積層
構造を形成する場合においても極めて高い自由度が得ら
れるものである。また、該電荷発生層は、可視光もしく
は半導体レーザー光付近の波長の光に対して優れた光導
電性を有し、しかも従来のアモルファスシリコン感光体
に比べて極めて薄い膜厚で、その機能を活かす事ができ
るものである。

本発明においては、ａ−Ｃ膜を形成するために有機化合
物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。

該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。

使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、テ
°カン、ウンテ′カン、トチ゛カン、トリテ゛カン、テ
トラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカ
ン、オクタデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイ
コサン、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタ
コサン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、
ノナコサン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペン
タトリアコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イ
ソブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン
、ネオヘキサン、２．３−ジメチルブタン、２−メチル
ヘキサン、３−エチルペンタン、２，２−ジメチルペン
タン、２．４−ジメチルペンタン、３，３−ジメチルペ
ンタン、トリブタン、２−メチルへブタン、３−メチル
へブタン、２．２−ジメチルヘキサン、２．２．５−ジ
メチルヘキサン、２．２．３−）リメチルベンタン、２
，２．４−トリメチルペンタン、２，３゜３−トリメチ
ルペンタン、２，３．４−トリメチルペンタン、イソナ
ノン、等のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭
化水素としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソ
ブチレン、１−ブテン、２−ブテン、１−ペンテン、２
−ペンテン、２−メチル−１−ブテン、３−メチル−１
−ブテン、２−メチル−２−ブテン、１−ヘキセン、テ
トラメチルエチレン、１−ヘプテン、１−オクテン、１
−ノネン、１−デセン、等のオレフィン、並びに、アレ
ン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサ
ジエン、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並び
に、オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエ
ン、等のトリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジ
イン、１゜３−ペンタジイン、２．４−へキサジイン、
メチルアセチレン、１−ブチン、２−ブチン、１−ペン
チン、１−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチン、１
−ノニン、１−デシン、等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデセ
ン、シクロブンテ゛カン、シクロドデカン、シクロトリ
デカン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シ
クロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シク
ロプロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘ
キセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネ
ン、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモ
ネン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、
ツエン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フ
エンチェン、シクロデセンチエン、トリシクレン、ビサ
ボレン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネ
ンセスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタ
レン、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカ
ルブレン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等
が用いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドク
メン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレ
ン、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エ
チルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、
ピフェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフ
ェニルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナ
フタリン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン
、等が用いられる。

ざらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケ
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね３０乃
至６０原子％含有きれる。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えば○Ｎ
Ｈ分析を用いる事により知る事ができる。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。

本発明における電荷輸送層としてのａ　−Ｃ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、５乃至５
０μｍ１特に７乃至２０　ｕｍが適当であり、５μｍよ
り薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得
る事ができない。また、５ｏｕｍより厚いと、生産性の
面で好ましくない。

このａ−Ｃ膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に５μｍ以上として
もキャリアはトラップされる事無く輸送され明減衰に寄
与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ　−Ｃ膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成きれる方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、ざらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。

本発明においては炭化水素の他に、ａ　−Ｃ１ｌ！中に
少なくとも窒素原子を添加するための原料として、窒素
化合物が用いられる。該窒素化合物にｉける相状態は常
温常圧において必ずしも気相である必要はなく、加熱或
は減圧等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化しうるも
のであれば、液相でも固相でも使用可能である。窒素化
合物としては、例えば、窒素、アンモニア等の無機化合
物、アミノ基（ＮＨ２）、シアノ基（−ＣＮ）等の官能
基を有する有機化合物、並びに窒素を含む複素環等が用
いられる。

使用可能な有機化合物には種類が多いが、アミノ基を有
する有機化合物としては、例えば、メチルアミン、エチ
ルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、アミルアミ
ン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン
、ノニルアミン、デシルアイミン、ウンデシルアミン、
ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミ
ン、ペンタデシルアミン、セチルアミン、ジメチルアミ
ン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミ
ン、シアミルアミン、トリメチルアミン、トリエチルア
ミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリア
ミルアミン、アリルアミン、ジアリルアミン、トリアリ
ルアミン、シクロプロピルアミン、シクロブチルアミン
、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、アニ
リン、メチルアニリン、ジメチルアニリン、エチルアニ
リン、ジエチルアニリン、トルイジン、ベンジルアミン
、ジベンジルアミン、トリベンジルアミン、ジフェニル
アミン、トリフェニルアミン、ナフチルアミン、エチレ
ンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジ
アミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジア
ミン、ジアミノへブタン、ジアミノオクタン、ジアミノ
ノナン、ジアミノデカン、フェニレンジアミン、等が用
いられる。シアノ基を有する有機化合物としては、例え
ば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリ
ル、バレロニトリル、カプロニトリル、エナントニトリ
ル、カプリロニトリル、フエラルゴンニトリル、カブリ
ニトリル、ラウロニトリル、パルミトニトリル、ステア
ロニトリル、クロトンニトリル、マロンニトリル、ステ
アロニトリル、ダルタルニトリル、アジポニトリル、ベ
ンゾニトリル、トルニトリル、シアン化ベンジルケイ皮
酸ニトリル、ナフトニトリル、シアンピリジン、等が用
いられる。複素環化合物としては、例えば、ビロール、
ビロリン、ピロリジン、オキサゾール、チアゾール、イ
ミダゾール、イミダシリン、イミダゾリジン、ピラゾー
ル、ピラゾリン、ピラゾリジン、トリアゾール、テトラ
ゾール、ピリジン、ピペリジン、オキサジン、モルホリ
ン、チアジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピ
ペラジン、トリアジン、インドール、インドリン、ベン
ゾオキサゾール、インダゾール、ベンゾイミダゾール、
キノリン、シンノリン、フタラジン、フタロシアニン、
キナゾリン、キンキサリン、カルバゾール、アクリジン
、フエナントリジン、フェナジン、フェノキサジン、イ
ンドリジン、キノリジン、キヌクリジン、ナフチリジン
、プリン、プテリジン、アジリジン、アゼピン、オキサ
ジアジン、ジチアジン、ベンゾキノリン、イミダゾチア
ゾール、等が用いられる。

本発明において化学的修飾物質として含有される窒素原
子の量は、全構成原子に対して５．０原子％以下である
。ここで、窒素原子の膜中含有量は、元素分析の常法、
例えばオージェ分析により知る事ができる。窒素原子を
含まない場合には、好適な輸送性が確保きれず、成膜速
度が遅く、更に、成膜後の経時劣化を招きやすくなる。

一方、窒素原子の量が５．０原子％を超える場合には、
少量の添加では好適な輸送性を保証していた窒素原子が
、逆に膜の低抵抗化を招く作用を示し、帯電能が低下し
てしまう。従って、本発明における窒素の添加量範囲は
重要である。

本発明に於いて化学的修飾物質として含有される窒素原
子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への前述
の窒素化合物の導入量を増減することにより制御するこ
とが可能である。窒素化合物の導入量を増大させれば、
本発明によるａ　−Ｃ膜中への窒素原子の添加量を高く
することが可能であり、逆に窒素化合物の導入量を減少
させれば、本発明によるａ　−Ｃ膜中への窒素原子の添
加量を低くすることが可能である。

本発明においては、ａ−３ｉ膜を形成するためにシラン
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、化学的修飾物質として燐原子或は硼素原子を
膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィン
ガス或はジボランガス等が用いられる。ざらに、化学的
修飾物質として酸素原子を膜中に含有せしめるための原
料ガスとして、酸素ガス、亜酸化窒素ガス、オゾンガス
、或は、−酸化炭素ガス、等の酸素化合物ガスが用いら
れる。また、ゲルマニウム原子を含有きせるために、ゲ
ルマンガスが用いられる。

本発明におけるａ−３ｉｌｌＩＪ中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量は、シリコン原子とゲルマニウム原
子との総和に対して、３０原子％以下が好ましい。ここ
で、ゲルマニウム原子及びシリコン原子の含有率は、元
素分析の常法、例えばオージェ分析により知る事ができ
る。ゲルマニウム原子の含有量は、膜形成時に流入する
ゲルマンガスの流量を増加する事により高くなる。ゲル
マニウム原子の含有量が高くなるにつれ本発明感光体の
長波長感度は向上し、短波長領域から長波長領域にまで
輻広く露光源が選択され得るようになり好ましいが、ゲ
ルマニウム原子が３０原子％より多く含有されると帯Ｎ
能の低下を招くため、過剰の添加は好ましくない。従っ
て、本発明におけるａ−Ｓｉ膜中に含有きれるゲルマニ
ウム原子の含有量は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有される燐原子
或は硼素原子の量は、全構成原子に対して２００００原
子ｐｐｍ以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はＩ
ＭＡ分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子の
膜中含有量が２ｏｏｏｏ原子ｐｐｍより高い場合には、
少量の添加では好適な輸送性、或は、極性制御効果を保
証していた燐原子或は硼素原子が、逆に膜の低抵抗化を
招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、本発
明における燐原子或は硼素原子添加量の範囲は重要であ
る。

本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子の量は、全構成原子に対して０．００１乃至１原子％
である。ここで酸素原子の膜中含有量は、元素分析の常
法、例えばオージェ分析或はＩＭＡ分析により知る事が
できる。酸素原子の膜中含有量が０．００１原子％より
低い場合には、ａ−Ｓ：ｌＦＪの電気抵抗値が低くなる
事からａ−Ｓｉ膜にコロナ帯電等による電界がかかりに
くくなり、光励起キャリアが必ずしも効率よ＜ａ−Ｃ膜
中に注入されなくなり感度の低下を招く。また、帯電能
も低下する。酸素原子の膜中含有量が１原子％より高い
場合には、逆にａ−Ｓｉ膜の電気抵抗値が高くなりすぎ
る事から、光励起キャリアの発生効率並びに易動速度が
低下し、感度の低下を招く。従って、本発明における酸
素原子添加量の範囲は重要である。

本発明におけるａ−Ｓｉ膜中に含まれる水素原子或は弗
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね１０乃至３５原
子％含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばＯＮＨ分析、オージ
ェ分析等を用いる事により知る事ができる。

本発明における電荷発生層としてのａ−３ｉ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、０．１乃
至５μｍが適当であり、０．１μｍより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、５μｍより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このａ−Ｓｉ膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのａ−Ｃ膜との
積層構成において効率よ＜ａ−Ｃ膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ−３ｉ膜を形成する過程
は、ａ−Ｃ膜を形成する場合と同様にして行なわれる。

本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子、燐原子、或は、硼素原子の量は、主に、プラズマ反
応を行なう反応室への前述の酸素′化合物ガス、ホスフ
ィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増減すること
により制御することが可能である。酸素化合物ガス、ホ
スフィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増大させ
れば、本発明によるａｓｉＮ中への酸素原子、燐原子、
或は、硼素原子の添加量を高くすることが可能であり、
逆に酸素化合物ガス、ホスフィンガス、或は、ジボラン
ガスの導入量を減少させれば、本発明によるａ−Ｓｉ膜
中への酸素原子、燐原子、或は、硼素原子の添加量を低
くすることが可能である。

本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。

第１図は、その一形態として、導電性基板（１）上に電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）を順次積層してなる
構成を示したものである。第２図は、別の一形態として
、導電性基板（１）上に電荷発生層（３）と電荷輸送層
（２）を順次積層してなる構成を示したものである。第
３図は、別の一形態として、導電性基板（１）上に、電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。

感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画伸露光して使用する場合においては、第１図では
電荷発生層（３）で発生した正孔が電荷輸送層（２）中
を導電性基板（１）に向は走行し、第２図では電荷発生
層（３）で発生した電子が電荷輸送層（２）中を感光体
表面に向は走行し、第３図では電荷発生層（３）で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層（２）中を導電性
基板（１）に向は走行すると共に、同時に電荷発生層（
３）で発生した電子が表面側の電荷輸送層（２）中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証された静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第２図及び第３図では、画像露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷輸
送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を行な
うことが可能である。

第４図は、さらなる一形態として、導電性基板（１）上
に電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と表面保護層（
４）を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第１図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第１図の形態では、最表面が１ｌｉｒｌ湿性に乏しいａ
−Ｓｉｌｌｉで有ることから、多くの場合実用上の対湿
度安定性を確保するために表面保護層を設けることが好
ましい。第２図及び第３図の構成の場合、最表面が耐久
性に優れたａ−ＣＨ２であるため表面保護層を設けなく
てもよいが、例えば現像剤の付着による感光体表面の汚
れを防止するような、複写機内の各種エレメントに対す
る整合性を調整する目的から、表面保護層を設けること
もざらなる一形態と成りうる。

第５図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第２
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第２図の
形態では、導電性基板との接合面がａ−Ｓｉ膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第１図及び第３図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。

第６図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）
と表面保護層（４）を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第１図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。

中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
って第２図及び第３図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。

本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるａ−Ｃ膜を用いてもよい。但し、用い
る材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料である
場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は５μｍ以下
に留める必要がある。

本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積きせる、所謂プラズマ重合反応
から生成される事が好ましい。

第７図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
（７０１）〜（７０６）は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第１乃至第６タ
ンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７）
〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器（７１３）〜（
７１８）に接続されている。図中（７１９）〜（７２１
）は常温において液相または固相状態にある原料化合物
を封入した第１乃至第３容器で、各々の容器は気化のた
め第１乃至第３温調器（７２２）〜（７２４）により与
熱可能であり、ざらに各々の容器は第７乃至第９調節弁
（７２５）〜（７２７）と第７乃至第９流量制御器（７
２８）〜（７３０）に接続されている。これらのガスは
混合器（７３１）で混合きれた後、主管（７３２）を介
して反応室（７３３）に送り込まれる。途中の配管は、
常温において液相または固相状態にあった原料化合物が
気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置さ
れた配管加熱器（７３４）により、与熱可能とされてい
る。反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電極（
７３６）が対向して設置され、各々の電極は電極加熱器
（７３７）により与熱可能とされている。電力印加電極
（７３６）には、高周波電力用整合器（７３８）を介し
て高周波電源（７３９）、低周波電力用整合器（７４０
）を介して低周波電源（７４１）、ローパスフィルタ（
７４２）を介して直流電源（７４３）が接続されており
、接続選択スイッチ（７４４）により周波数の異なる電
力が印加可能とされている。反応室（７３３）内の圧力
は圧力制御弁（７４５）により調整可能であり、反応室
（７３３）内の減圧は、排気系選択弁（７４６）を介し
て、拡散ポンプ（７４７）　、油回転ポンプ（７４８）
　、或は、冷却除外装置（７４９）　、メカニカルブー
スターポンプ（７５０）、油回転ポンプ（７４８）によ
り行なわれる。排ガスについては、ざらに適当な除外装
置（７５３）により安全無害化した後、大気中に排気さ
れる。これら排気系配管についても、常温において液相
または固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、
途中で凝結しないように、適宜配置された配管加熱器（
７３４）により、与熱可能とされている。反応室（７３
３）も同様の理由から反応室加熱器（７５１）により与
熱可能ときれ、内部に配された電極上に導電性基板（７
５２）が設置される。第７図において導電性基板（７５
２）は接地電極（７３５）に固定して配きれているが、
電力印加電極（７３６）に固定して配されてもよく、ざ
らに双方に配されてもよい。

第８図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室（８３３）内部の形態以外は、第７図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、７００番台のものを８００番台に置
き換えて解すればよい。第８図において、反応室（８３
３）内部には、第７図における接地電極（７３５）を兼
ねた円筒形の導電性基板（８５２）が設置きれ、内側に
は電極加熱器（８３７）が配されている。導電性基板（
８５２）周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極（
８３６）が配され、外側には電極加熱器（８３７）が配
されている。導電性基板（８５２）は、外部より駆動モ
ータ（８５４）を用いて自転可能となっている。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０−４乃至１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配され
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第１乃至第６タンク及び第１乃至
第３容器から、原料ガスを適宜第１乃至第９流量制蓼器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節
弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が
安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周波
電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する。

両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固相
の膜が形成される。ａ−３ｉ膜或はａ　−Ｃ膜は、原料
ガスを代える事により任意に形成可能である。放電を一
旦停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を再開
すれば異なる組成の膜を積層する事ができる。また、放
電を持続させながら原料ガス流量だけを徐々に代え、異
なる組成の膜を勾配を持たせながら積層する事も可能で
ある。

反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並びに積層構
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第１乃至第９調節弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場合に
は、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を
破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発
明による感光体を得る。

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。

実施伝１ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１、第２、及び第３（７０７，７０８、及
び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガ
ス、第２タンク（７０２）よりエチレンガス、及び第３
タンク（７０３）より窒素ガスを各々出力圧１．０Ｋｇ
／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第３流量制御器（７１
３，７１４、及び７１５）内へ流入させた。そして各流
量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を５０ｓｅ
ｃｍｓエチレンガスの流量を６０ｓｅｃｍ１及び窒素ガ
スの流量を７ｓｅｃｍとなるように設定して、途中混合
器（７３１）を介して、主！（７３２）より反応室（７
３３）内へ流入した。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が１．３Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、樅５
０×横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予
め２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続
しておいた高周波電源（７３９）を投入し、電力印加電
極（７３６）に２００Ｗａｔｔの電力を周波数１３゜５
６ＭＨｚの下で印加して約８時間４０分プラズマ重合反
応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚ざ１５μｍの
ａ−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、
電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内
を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して３９原子％、また、オージ
ェ分析より含有される窒素原子の量は全構成原子に対し
て０．３原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、第５調節弁（７１１）、及び第
６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）か
ら水素ガス、第２タンク（７０２）からゲルマンガス、
第５タンク（７０５）から亜酸化窒素ガス、及び第６タ
ンク（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ
２の下で第１、第２、第５、及び第６流量制御Ｍ（７１
３，７１４，７１７、及び７１８）内へ流入させた。同
時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（７
０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈きれたジボラ
ンガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量＠
御器（７１６）内へ、流入させた。各流量制Ｗの目盛を
調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、ゲルマンガ
スの流量を６　Ｓ　ＣＣｍ　％亜酸化窒素ガスの流量を
０．０１５ＣＣｍ、シランガスの流量を１０１００５ｅ
。

水素ガスで１１００ｐｐに希釈きれたジボランガスの流
量を１０１０５ｅとなるように設定し、反応室（７３３
）内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反応室
（７３３）内の圧力が０．９Ｔｏｒｒとなるように圧力
調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成さ
れている導電性基板（７５２）は、２３０℃に加熱して
８き、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源
（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加
電極（７３６）に４５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー
放電を発生させた。この放電を５分間行ない、厚き０．
３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、全屈中ＯＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２２原子％、■素原子は１０原子ｐｐｍ
、酸素原子は０．００１原子％、ゲルマニウム原子は１
０．１原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５００Ｖ　（＋５２０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３３Ｖ／μｍ　（３４Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１３秒（約１３
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は１．３ルツク
ス・秒（１，２ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理ｇされた。また、最高帯
電電位に初期帯電した後、半導体レーザー光（発光波長
７８０ｎｍ）を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位
にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は７．８ｅ
ｒｇ／ａｍ２（８，７ｅｒｇ／ｃｍりであり、このこと
から充分な長波長光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解きれる。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

宜旅遡旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの頭に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０＝Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高真
空にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，７
０８、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）よ
り水素ガス、第２タンク（７０２）よりアセチレンガス
、及び第３タンク（７０３）より窒素ガスを各々出力圧
１．０Ｋｇ７０ｍ２の下で第１、第２、及び第３流量制
御器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入させた。

そして各流量制（用品の目盛を調整して、水素ガスの流
量を８０ｓｅｃｍ１アセチレンガスの流量を４０ｓｅｃ
ｍｓ及び窒素ガスの流量が１８ｓｅｃｍとなるように設
定して、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２
）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安
定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１．５Ｔｏｒ
ｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方
、導電性基板（７５２）としては、樅５０×横５０Ｘ厚
３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２００℃に加
熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め
接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた高周
波電源（７３９）を投入し、電力中加電ｔ７Ｆ＜＜７３
６）に２００Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５６ＭＨｚ
の下で印加して約４時開平プラズマ重合反応を行ない、
導電性基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ膜を電
荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停
止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気
した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して３０原子％、また、オージ
ェ分析より含有される窒素原子の量は全構成原子に対し
て１．４原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、第５調節弁（７１１）、及び第
６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）か
ら水素ガス、第２タンク（７０２）からゲルマンガス、
第５タンク（Ｔ。

５）から亜酸化窒素ガス、及び第６タンク（７０６）か
らシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第
２、第５、及び第６流量制瀕器（７１３，７１４，７１
７、及び７１８）内へ流入きせた。同時に、第４調節弁
（７１０）を解放し、第４タンク（７０４）より水素ガ
スで１１００ｐｐに希釈されたジボランガスを、出力圧
１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量制御器（７１６）内
へ、流入させた。各流量制御器の目盛を調整して水素ガ
スの流量を２００ｓｅｃｍｓゲルマンガスの流量を６ｓ
ｅｃｍｓ亜酸化窒素ガスの流量を３ｓｅｃｍ１シランガ
スの流量を１０１００５ｅ、水素ガスで１１００ｐｐに
希釈きれたジボランガスの流量を１０１０５ｅに設定し
、反応室（７３３）内に流入させた。各々の流量が安定
した後に、反応室（７３３）内の圧力が１．０Ｔｏｒｒ
となるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、
ａ　−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）は、
２４０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した
状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚの下で電力印加電極（７３６）に４５Ｗａｔｔの電
力を印加し、グロー放電を発生させな。この放電を５分
間行ない、厚ざ０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−３ｉＰＪ、につき、金属中ＯＮＨ分析（見
場製作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及
びＩＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は
全構成原子に対して２１原子％、硼素原子は１１原子ｐ
Ｐｍ％酸素原子は０．３１原子％、ゲルマニウム原子は
９．７原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一６５０Ｖ（＋６７０Ｖ）で有り、即ち、全
感光体膜厚が１５゜３ｕｍであることから１μｍ当りの
帯電能は４３Ｖ／μｍ　（４４Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分なＹＩ電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約３２秒（約３１
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は２．３ルツク
ス・秒（１，８ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

叉旅望旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第３調節弁（７０９）を解放し、第３タ
ンク（７０３）より亜酸化窒素ガスを出力圧１．０Ｋｇ
／ｃｍ２の下で第３流量制御器（７１５）内へ流入させ
た。同時に、第１容器（７１９）よりミルセンガスを第
１温調器（７２２）温度８０℃のもとで第７流量制御器
（７２８）内へ流入させな。亜酸化窒素ガスの流量を３
８ｓＣＣｍ　％及びミルセンガスの流量を１８ｓＣｃｍ
となるように設定して、途中混合器（７３１）を介して
、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が０．９Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、樅５
０Ｘ横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予
め２００℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続
しておいた低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電
極（７３６）に１５０Ｗａｔｔの電力を周波数３０ＫＨ
ｚの下で印加して約２時間４０分プラズマ重合反応を行
ない、導電性基板（７５２）上に厚ざ１５μｍのａ−Ｃ
膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印
加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分
に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して４７原子％であった。また、
オージェ分析より含有される窒素原子の量は全構成原子
に対して２．１原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、第５調節弁（７１１）、及び第
６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）か
ら水素ガス、第２タンク（７０２）からゲルマンガス、
第５タンク（７０５）から酸素ガス、及び第６タンク（
７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下
で第１、第２、第５、及び第６流量制御器（７１３，７
１４，７１７、及び７１８）内へ流入させた。同時に、
第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（７０４）
より水素ガスで１１００ｐｐに希釈きれたジボランガス
を、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量制御器（
７１６）内へ、流入させた。

シランガスの流量を１０１００５ｅ、水素ガスで１００
　ｐ　ｐｍに希釈されたジボランガスの流量を５０ｓＣ
ｃｍに設定し、反応室（７３３）内に流入させた。各々
の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０
．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整
した。一方、ａ　−Ｃ膜が形成されている導電性基板（
７５２）は、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧
力が安定した状態で、高周波電源（７３９）より周波数
１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に４０
Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生きせた。こ
の放電を５分間行ない、厚ざ０１３μｍの電荷発生層を
得た。

得られたａ−３ｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有きれる水素原子は全構
成原子に対して２４原子％、硼素原子は４５原子ｐｐｍ
、酸素原子は１原子％、ゲルマニウム原子は１１原子％
であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正畢電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一８６０Ｖ　（＋７８０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は５６Ｖ／μｍ（５１Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれた
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約４３秒（約４０
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は７．５ルツク
ス・秒（４，５ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

叉旅倒掻 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０＝Ｔｏｒｒ程度の高真空に
した後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，７０８
、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）より水
素ガス、第２タンク（７０２）よりブタジインガス、及
び第３タンク（７０３）より窒素ガスを各々出力圧１．
０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第３流量制御器
（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入させな。

水素ガスの流量を７０ｓｅｃｍ、ブタジインガスの流量
を４０ｓｅｃｍｓ及び窒素ガスの流量を２Ｏｓｃｃｍと
なるように設定して、途中混合器（７３１）を介して、
主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各
々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が
１．２Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調
整した。

一方、導電性基板（７５２）としては、縦５０Ｘ横５０
×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め１７０℃
に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、
予め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた
低周波電源（７４１）を投入し、電力印加型ｔｉＴｉ１
（７３６）に１４０Ｗａ１１の電力を周波数５００ＫＨ
ｚの下で印加して約２６分間プラズマ重合反応を行ない
、導電性基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ膜を
電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を
停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排
気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して５５原子％、また、オージェ
分析より含有される窒素原子の量は全構成原子に対して
３．７原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調部弁（７０８）、第３調節弁（７０９）、第５調
節弁（７１１）、及び第６調節弁（７１２）を解放し、
第１タンク（７０１）から水素ガス、第２タンク（７０
２）からゲルマンガス、第３タンク（７０３）から四弗
化シランガス、第５タンク（７０５）から亜酸化窒素ガ
ス、及び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力
圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、第３、第５、及び
第６流量制御器（７１３，７１４，７１５，７１７、及
び７１８）内へ流入きせた。同時に、第４調節弁（７１
０）を解放し、第４タンク（７０４）より水素ガスで１
１００ｐｐに希釈されたジボランガスを、出力圧１．５
Ｋｇ／ａｍ２の下で第４流量制都器（７１６）内へ、流
入させた。各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流
量を２０Ｏｓ　ｃ　ｃ　ｍ　％ゲルマンガスの流量を１
０ｓ１０５ｅ四弗化シランガスの流量を５０ｓｅｃｍ、
ｕ酸化窒素ガスの流量をｌｓｃｃｍ、シランガスの流量
を５０ｓｅｃｍｓ水素ガスで１１００ｐｐに希釈された
ジボランガスの流量を１０１０５ｅとなるように設定し
、反応室（７３３）内に流入きせた。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が０．９Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、ａ　−Ｃ膜が形成されている導電性基
板（７５２）は、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及
び圧力が安定した状態で、高周波電源（７３９）より周
波数１３．５６ＭＨ２の下で電力印加電極（７３６）に
３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生きせた
。この放電を５分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生
層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中○ＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有きれる水素原子は全構
成原子に対して２２原子％、憫素原子は１０原子ｐｐｍ
、弗素原子は５原子％、酸素原子は０．１原子％、ゲル
マニウム原子は１７原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一６９０Ｖ　（＋７２０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は４５Ｖ／μｍ（４７Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約３８秒（約４２
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要ときれた光量は４．８ルツク
ス・秒（４，６ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

実施例５ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，
７０８、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）
より水素ガス、第２タンク（７０２）よりブタジェンガ
ス、及び第３タンク（７０３）よりアンモニアガスを各
々出力圧１゜０Ｋｇ／ａｍ２の下で第１、第２、及び第
３流量制御器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入
させた。水素ガスの流量を４０ｓｅｃｍ、ブタジェンガ
スの流量を６０ｓｅｃｍ、及びアンモニアガスの流量を
２０　ｓ　ｅ　ｃｍとなるように設定して、途中混合器
（７３１）を介して、主管（７３２）より反応室（７３
３）内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応室
（７３３）内の圧力が１゜５Ｔｏｒｒとなるように圧力
調節弁（７４５）を調整した。一方、導電性基板（７５
２）としては、樅ＳＯＸ横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウ
ム基板を用いて、予め２００℃に加熱しておき、ガス流
量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ（
７４４）により接続しておいた低周波電源（７４１）を
投入し、電力印加電極（７３６）に１２０Ｗａｔｔの電
力を周波数４００ＫＨｚの下で印加して約３０分間プラ
ズマ重合反応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚き
１５μｍのａ　−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成
膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室
（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して５５原子％、また、オージ
ェ分析より含有される窒素原子の量は全構成原子に対し
て４．８原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、第５調節弁（７１１）、及び第
６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）か
ら水素ガス、第２タンク（７０２）からゲルマンガス、
第５タンク（７０５）から酸素ガス、及び第６タンク（
７０６）からシランガスを、出力圧ＬＫｇ／ｃｍ２の下
で第１、第２、第５、及び第６流量制御器（７１３，７
１４，７１７、及び７１８）内へ流入きせた。同時に、
第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（７０４）
より水素ガスで１０ｐｐｍに希釈されたホスフィンガス
を、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量制御器（
７１６）内へ、流入させた。

各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を２００
ｓｅｃｍ、ゲルマンガスの流量を３ｓｅｃｍ１酸素ガス
の流量を１．３ｓｅｃｍ１シランガスの流量を２００ｓ
ｅｃｍ、水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたホスフィ
ンガスの流量を１０１０５ｅに設定し、反応室（７３３
）内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反応室
（７３３）内の圧力が０．９Ｔｏｒｒとなるように圧力
調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成さ
れている導電性基板（７５２）は、２５０℃に加熱して
おき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源
（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加
電極（７３６）に３５　Ｗ　ａｌｌの電力を印加し、グ
ロー放電を発生きせた。

この放電を５分間行ない、厚さ０．３μｍの電荷発生層
を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して１８原子％、燐原子は１１原子ｐｐｍ１
酸素原子は０．３原子％ゲルマニウム原子は４，２原子
％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一７７０Ｖ　（＋９１０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は５０Ｖ／μｍ　（５９Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約２５秒（約４６
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は５．２ルツク
ス・秒（１４，８ルツクス・秒）であり、このことから
充分な光感度性能を有する事が理解きれた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解きれる。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明感光体の構成を示す図面、第
７図乃至第８図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第１図 第３図 第５図 第２図 第４図 第６図 手続補正書 昭和６２年１０月２１日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
   おいて、該電荷輸送層は少なくとも窒素原子を含有して
   なる水素化アモルファスカーボン膜であり、かつ、該電
   荷発生層は酸素原子を含有すると共に燐原子及び硼素原
   子のうち少なくとも一方を含有してなる水素化アモルフ
   ァスシリコンゲルマニウム膜或は酸素原子を含有すると
   共に燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有し
   てなる弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム膜であ
   ることを特徴とする感光体。