JPS6382426A - 感光体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
-
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。
関する。
従来技術
カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてきた。
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてきた。
従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散さ
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設けるVi層梨型構成が挙げられる。
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散さ
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設けるVi層梨型構成が挙げられる。
しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。
このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も多
い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。ざらに、アモ
ルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電性
能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するために
は膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシリ
コン膜を長時間堆積させなくてはならない。
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も多
い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。ざらに、アモ
ルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電性
能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するために
は膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシリ
コン膜を長時間堆積させなくてはならない。
ところでアモルファスカーボン膜自体は、プラズマ有機
重合膜として古くより知られており、例えばジエン(M
、5hen)及びベル(A、T。
重合膜として古くより知られており、例えばジエン(M
、5hen)及びベル(A、T。
Be l l)により、1973年発行ののジャーナル
・オブ・アプライド・ポリマー・サイエンス(Jour
nal of Applied P。
・オブ・アプライド・ポリマー・サイエンス(Jour
nal of Applied P。
lymer 5cience)第17巻の第885頁
乃至第892頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作製され得る事が、また、同著者により、1979年
のアメリカンケミカルソサエティ (America
n ChemicalSociety)発行によるプ
ラズマボリマライゼーション(Plasma Pol
ymerization)の中でもその成膜性が論じら
れている。
乃至第892頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作製され得る事が、また、同著者により、1979年
のアメリカンケミカルソサエティ (America
n ChemicalSociety)発行によるプ
ラズマボリマライゼーション(Plasma Pol
ymerization)の中でもその成膜性が論じら
れている。
しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如<1016ΩCm程
度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくと
もそのような膜であるとの認識のもとに用いられていた
。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識が
ら、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層に
限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバー
コート層としてしか用いられていなかった。
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如<1016ΩCm程
度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくと
もそのような膜であるとの認識のもとに用いられていた
。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識が
ら、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層に
限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバー
コート層としてしか用いられていなかった。
例えば、特開昭!59−28161号公報には、基板上
にブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合きれた
網目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファ
スシリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭
59−38753号公報には、基板上にブロッキング層
及び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから
生成される1013〜1015ΩCmの高抵抗のプラズ
マ重合膜を1o入〜100人設けた上にアモルファスシ
リコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭59
−136742号公報には、アルミ基板上に設けたアモ
ルファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散す
るのを防止するための保護層として1〜5μm程度の炭
素膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている
。特開昭60−63541号公報には、アルミ基板とそ
の上に設けたアモルファスシリコン層との接層性を改善
するために、接着層として200人〜2μmのダイヤモ
ンド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電
荷の面から膜厚は2μm以下が好ましいとされている。
にブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合きれた
網目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファ
スシリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭
59−38753号公報には、基板上にブロッキング層
及び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから
生成される1013〜1015ΩCmの高抵抗のプラズ
マ重合膜を1o入〜100人設けた上にアモルファスシ
リコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭59
−136742号公報には、アルミ基板上に設けたアモ
ルファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散す
るのを防止するための保護層として1〜5μm程度の炭
素膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている
。特開昭60−63541号公報には、アルミ基板とそ
の上に設けたアモルファスシリコン層との接層性を改善
するために、接着層として200人〜2μmのダイヤモ
ンド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電
荷の面から膜厚は2μm以下が好ましいとされている。
これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、a−3i
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、a−3i
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。
また、例えば、特開昭50−20728号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を0.1〜1μ
m設けた感光体が開示されている。特開昭59−214
859号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて5μm程度の膜を形成き
せる技術が開示きれている。特開昭60−61761号
公報には、表面保護層として、500人〜2μmのダイ
ヤモンド状炭素薄腋を設けた感光体が開示きれ、透光性
の面から膜厚は2μm以下が好ましいとされてている。
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を0.1〜1μ
m設けた感光体が開示されている。特開昭59−214
859号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて5μm程度の膜を形成き
せる技術が開示きれている。特開昭60−61761号
公報には、表面保護層として、500人〜2μmのダイ
ヤモンド状炭素薄腋を設けた感光体が開示きれ、透光性
の面から膜厚は2μm以下が好ましいとされてている。
特開昭60−249115号公報には、0.05〜5μ
m程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層とし
て用いる技術が開示され、膜厚が5μmを越えると感光
体活性に悪影響が及ぶとされている。
m程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層とし
て用いる技術が開示され、膜厚が5μmを越えると感光
体活性に悪影響が及ぶとされている。
これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、a−3iの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、a−3iの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。
また、特開昭51−46130号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって0.001〜3μmのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及きれていないし、a−3iの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって0.001〜3μmのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及きれていないし、a−3iの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。
一方、アモルファスシリコン膜については、スピア(W
、E、5pear)及びレコンバ(P。
、E、5pear)及びレコンバ(P。
G、LeComber)により1976年発行のフィロ
ソフィカル・マガジン(Philosophical
Magazine)第33巻の第935頁乃至第94
9頁において、極性制御が可能な材料である事が報じら
れて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭56−
62254号公報、特開昭57−119356号公報、
特開昭57−177147号公報、特開昭57−119
357号公報、特開昭57−177149号公報、特開
昭57−119357号公報、特開昭57−17714
6号公報、特開昭57−177148号公報、特開昭5
7−174448号公報、特開昭57−174449号
公報、特開昭57−174450号公報、等にミ炭素原
子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示されて
いるが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭素
原子により調整する事を目的としたものであり、また、
アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。
ソフィカル・マガジン(Philosophical
Magazine)第33巻の第935頁乃至第94
9頁において、極性制御が可能な材料である事が報じら
れて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭56−
62254号公報、特開昭57−119356号公報、
特開昭57−177147号公報、特開昭57−119
357号公報、特開昭57−177149号公報、特開
昭57−119357号公報、特開昭57−17714
6号公報、特開昭57−177148号公報、特開昭5
7−174448号公報、特開昭57−174449号
公報、特開昭57−174450号公報、等にミ炭素原
子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示されて
いるが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭素
原子により調整する事を目的としたものであり、また、
アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。
日が解決しようとする−1つ
以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用されていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々5μm程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用きれ
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用されていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々5μm程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用きれ
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。
本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が酸素原
子とアルカリ金属原子とをを含有せしめる事により、燐
原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有すると共
に炭素原子を含有してなる水素化或は弗素化アモルファ
スシリコンゲルマニウム膜との積Mにおいては電荷輸送
性を有し、容易に好適な電子写真特性を示し始める事を
見出した。その理論的解釈には本発明者においても不明
確な点が多く詳細に亙り言及はできないが、酸素原子と
アルカリ金属原子とを含有せしめた水素化アモルファス
カーボン膜中に捕捉されている比較的不安定なエネルギ
ー状態の電子、例えばπ電子、不対電子、残存フリーラ
ジカル等が形成するバンド構造が、燐原子及び硼素原子
のうち少なくとも一方を含有すると共に炭素原子を含有
してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマ
ニウム膜が形成するバンド構造と電導帯もしくは荷電子
帯において近似したエネルギー準位を有するため、燐原
子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有すると共に
炭素原子を含有してなる水素化或は弗素化アモルファス
シリコンゲルマニウム膜中で発生したキャリアが容易に
酸素原子とアルカリ金属原子とを含有せしめた水素化ア
モルファスカーボン膜中へ注入され、ざらに、このキャ
リアは前述の比較的不安定なエネルギー状態の電子の作
用により酸素原子とアルカリ金属原子とを含有せしめた
水素化アモルファスカーボン膜中を好適に走行し得るた
めと推定される。
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が酸素原
子とアルカリ金属原子とをを含有せしめる事により、燐
原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有すると共
に炭素原子を含有してなる水素化或は弗素化アモルファ
スシリコンゲルマニウム膜との積Mにおいては電荷輸送
性を有し、容易に好適な電子写真特性を示し始める事を
見出した。その理論的解釈には本発明者においても不明
確な点が多く詳細に亙り言及はできないが、酸素原子と
アルカリ金属原子とを含有せしめた水素化アモルファス
カーボン膜中に捕捉されている比較的不安定なエネルギ
ー状態の電子、例えばπ電子、不対電子、残存フリーラ
ジカル等が形成するバンド構造が、燐原子及び硼素原子
のうち少なくとも一方を含有すると共に炭素原子を含有
してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマ
ニウム膜が形成するバンド構造と電導帯もしくは荷電子
帯において近似したエネルギー準位を有するため、燐原
子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有すると共に
炭素原子を含有してなる水素化或は弗素化アモルファス
シリコンゲルマニウム膜中で発生したキャリアが容易に
酸素原子とアルカリ金属原子とを含有せしめた水素化ア
モルファスカーボン膜中へ注入され、ざらに、このキャ
リアは前述の比較的不安定なエネルギー状態の電子の作
用により酸素原子とアルカリ金属原子とを含有せしめた
水素化アモルファスカーボン膜中を好適に走行し得るた
めと推定される。
本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に酸素原子とアルカリ金属原
子とを含有してなる水素化アモルファスカーボン膜を電
荷輸送層として使用し、かつ、燐原子及び硼素原子のう
ち少なくとも一方を含有すると共に炭素原子を含有して
なる水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウ
ムの薄膜を電荷発生層として使用した感光体を提供する
事を目的とする。
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に酸素原子とアルカリ金属原
子とを含有してなる水素化アモルファスカーボン膜を電
荷輸送層として使用し、かつ、燐原子及び硼素原子のう
ち少なくとも一方を含有すると共に炭素原子を含有して
なる水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウ
ムの薄膜を電荷発生層として使用した感光体を提供する
事を目的とする。
問題点を解決するための毬
即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成される少なくとも酸素原子とアルカリ金属
原子とを含有してなる水素化アモルファスカーボン膜で
あり、かつ、該電荷発生層が燐原子及び硼素原子のうち
少なくとも一方を含有すると共に炭素原子を含有してな
る水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム
膜であることを特徴とする感光体に関する(以下、本発
明による電荷輸送層をa−C膜及び電荷発生層をa−3
i膜と称する)。
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成される少なくとも酸素原子とアルカリ金属
原子とを含有してなる水素化アモルファスカーボン膜で
あり、かつ、該電荷発生層が燐原子及び硼素原子のうち
少なくとも一方を含有すると共に炭素原子を含有してな
る水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム
膜であることを特徴とする感光体に関する(以下、本発
明による電荷輸送層をa−C膜及び電荷発生層をa−3
i膜と称する)。
本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能きえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成されたものである。
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能きえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成されたものである。
即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成される少なくとも酸素原子とアルカリ金属原子とを含
有してなる水素化アモルファスカーボン膜を設け、かつ
、電荷発生層として同じくグロー放電により生成される
燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有すると
共に炭素原子を含有してなる水素化或は弗素化アモルフ
ァスシリコンゲルマニウム膜を設けた事を特徴とする機
能分離型感光体に関する。該電荷輸送層は、可視光もし
くは半導体レーザー光付近の波長の光に対しては明確な
る光導電性は有ざないが、好適な輸送性を有し、ざらに
、帯電能、耐久性、耐候性、耐環境汚染性等の電子写真
感光体性能に優れ、しかも透光性にも優れるため、機能
分離型感光体°としての積層構造を形成する場合におい
ても極めて高い自由度が得られるものである。また、該
電荷発生層は、可視光もしくは半導体レーザー光付近の
波長の光に対して優れた光導電性を有し、しかも従来の
アモルファスシリコン感光体に比べて極めて薄い膜厚で
、その機能を活かす事ができるものである。
成される少なくとも酸素原子とアルカリ金属原子とを含
有してなる水素化アモルファスカーボン膜を設け、かつ
、電荷発生層として同じくグロー放電により生成される
燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有すると
共に炭素原子を含有してなる水素化或は弗素化アモルフ
ァスシリコンゲルマニウム膜を設けた事を特徴とする機
能分離型感光体に関する。該電荷輸送層は、可視光もし
くは半導体レーザー光付近の波長の光に対しては明確な
る光導電性は有ざないが、好適な輸送性を有し、ざらに
、帯電能、耐久性、耐候性、耐環境汚染性等の電子写真
感光体性能に優れ、しかも透光性にも優れるため、機能
分離型感光体°としての積層構造を形成する場合におい
ても極めて高い自由度が得られるものである。また、該
電荷発生層は、可視光もしくは半導体レーザー光付近の
波長の光に対して優れた光導電性を有し、しかも従来の
アモルファスシリコン感光体に比べて極めて薄い膜厚で
、その機能を活かす事ができるものである。
本発明においては、a−CMを形成するために有機化合
物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。
物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。
該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ベンタテ゛カン、ヘキサコサン、ヘブタテ゛カン、
オクタコサン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサ
ン、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサ
ン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナ
コサン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタト
リアコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブ
タン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネ
オヘキサン、2,3−ジメチルブタン、2−メチルヘキ
サン、3−エチルベブタン、2.2−ジメチルペンタン
、2.4−ジメチルベンクン、3.3−ジメチルペンタ
ン、トリブタン、2−メチルへブタン、3−メチルへブ
タン、2.2−ジメチルヘキサン、2.2.5−ジメチ
ルヘキサン、2.2.3−トリメチルペンタン、2.2
.4−トリメチルペンタン、2,3゜3−トリメチルペ
ンタン、2,3.4−トリメチルペンタン、イソナノン
、等のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化水
素としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチ
レン、1−ブテン、2−ブテン、1−ペンテン、2−ペ
ンテン、2−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ブ
テン、2−メチル−2−ブテン、1−ヘキセン、テトラ
メチルエチレン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−ノ
ネン、1−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、
メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジエ
ン、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに、
オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、
等のトリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイン
、1゜3−ペンタジイン、2.4−ヘキサジイン、メチ
ルアセチレン、1−ブチン、2−ブチン、1−ペンチン
、1−ヘキシン、1−ヘプチン、1−オクチン、1−ノ
ニン、1−デシン、等が用いられる。
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ベンタテ゛カン、ヘキサコサン、ヘブタテ゛カン、
オクタコサン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサ
ン、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサ
ン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナ
コサン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタト
リアコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブ
タン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネ
オヘキサン、2,3−ジメチルブタン、2−メチルヘキ
サン、3−エチルベブタン、2.2−ジメチルペンタン
、2.4−ジメチルベンクン、3.3−ジメチルペンタ
ン、トリブタン、2−メチルへブタン、3−メチルへブ
タン、2.2−ジメチルヘキサン、2.2.5−ジメチ
ルヘキサン、2.2.3−トリメチルペンタン、2.2
.4−トリメチルペンタン、2,3゜3−トリメチルペ
ンタン、2,3.4−トリメチルペンタン、イソナノン
、等のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化水
素としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチ
レン、1−ブテン、2−ブテン、1−ペンテン、2−ペ
ンテン、2−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ブ
テン、2−メチル−2−ブテン、1−ヘキセン、テトラ
メチルエチレン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−ノ
ネン、1−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、
メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジエ
ン、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに、
オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、
等のトリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイン
、1゜3−ペンタジイン、2.4−ヘキサジイン、メチ
ルアセチレン、1−ブチン、2−ブチン、1−ペンチン
、1−ヘキシン、1−ヘプチン、1−オクチン、1−ノ
ニン、1−デシン、等が用いられる。
脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フエ
ンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ピサボレ
ン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネンセ
スキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレン
、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカルプ
レン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が用
いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン
、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン
、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、
ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチル
ベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフ
ェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニ
ルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタ
リン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、等
が用いられる。
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フエ
ンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ピサボレ
ン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネンセ
スキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレン
、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカルプ
レン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が用
いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン
、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン
、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、
ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチル
ベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフ
ェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニ
ルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタ
リン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、等
が用いられる。
ざらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、久
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。
本発明におけるa −C膜中に含まれる水素原子の量は
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね30乃
至60原子%含有きれる。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えばCN
H分析を用いる事により知る事かで伊る。
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね30乃
至60原子%含有きれる。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えばCN
H分析を用いる事により知る事かで伊る。
本発明におけるa −C膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。
本発明における電荷輸送層としてのa −C膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、5乃至5
0um、特に7乃至20umが適当であり、5μmより
薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る
事ができない。また、50μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、5乃至5
0um、特に7乃至20umが適当であり、5μmより
薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る
事ができない。また、50μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。
このa−C膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に5μm以上として
もキャリアはトラップきれる事無く輸送され明減衰に寄
与する事が可能である。
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に5μm以上として
もキャリアはトラップきれる事無く輸送され明減衰に寄
与する事が可能である。
本発明における原料気体からa −C膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成きれるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、ざらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成きれるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、ざらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。
本発明においては炭化水素の他に、a −CHI中に少
なくとも酸素原子を添加するために酸素化合物が使用さ
れる。該酸素化合物における相状態は常温常圧において
必ずしも気相である必要はなく、加熱或は減圧等により
溶融、蒸発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液
相でも固相でも使用可能である。酸素化合物としては、
例えば、酸素、オゾン、水蒸気、−酸化炭素、二酸化炭
素、亜酸化炭素、等の無機化合物、水酸基(−OH)、
アルデヒド基(−COH) 、アシル基(RCO−、−
CR○)、ケトン基(>Co) 、エーテル結合(−〇
−)、エステル結合(−Coo−) 、酸素を含む複素
環、等の官能基或は結合を有する有機化合物、等が用い
られる。水酸基を有する有機化合物としては、例えば、
メタノール、エタノール、プロパツール、ブタノール、
フリルアルコール、フルオロエタノール、フルオロブタ
ノール、フェノール、シクロヘキサノール、ベンジルア
ルコール、フルフリルアルコール、等が用いられる。ア
ルデヒド基を有する有機化合物としては、例えば、ホル
ムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオアルデヒド
、ブチルアルデヒド、グリオキサール、アクロレイン、
ベンズアルデヒド、フルフラール、等が用いられる。ア
シル基を有する有機化合物としては、例えば、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、パルミチン酸、ステ
アリン酸、オレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸
、安思香酸、トルイル酸、サリチル酸、ケイと酸、ナフ
トエ酸、フタル酸、フラン酸、等が用いられる。ケトン
基を有する有機化合物としては、例えば、ア七トン、エ
チルメチルケトン、メチルプロピルケトン、ブチルメチ
ルケトン、ビナコロン、ジエチルケトン、メチルビニル
ケトン、メシチルオキシド、メチルへブテノン、シクロ
ブタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセ
トフェノン、プロピオフェノン、ブチロフェノン、パレ
ロフエノン、ジベンジルケトン、アセトナフトン、アセ
トチェノン、アセトフロン、等が用いられる。エーテル
結合を有する有機化合物としては、例えば、メチルエー
テル、エチルエーテル、プロピルエーテル、ブチルエー
テル、アミルエーテル、エチルメチルエーテル、メチル
プロとルエーテル、メチルブチルエーテル、メチルアミ
ルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチルエ
ーテル、エチルアミルエーテル、ビニルエーテル、アリ
ルエーテル、メチルビニルエーテル、メチルフリルエー
テル、エチルビニルエーテル、エチルフリルエーテル、
アニソール、フェネトール、フェニルエーテル、ベンジ
ルエーテル、フェニルベンジルエーテル、ナフチルエー
テル、酸化エチレン、酸化プロピレン、酸化トリメチレ
ン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロビラン、ジオキ
サン、等が用いられる。エステル結合を有する有機化合
物としては、例えば、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プ
ロピル、ギ酸ブチル、ギ酸アミル、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピ
オン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロ
ピル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸アミル、酪酸
メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル、酪酸ブチル、酪酸
アミル、吉草酸メチル、吉草酸エチル、吉草酸プロピル
、吉草酸ブチル、吉草酸アミル、安思香酸メチル、安息
香酸エチル、ケイ皮酸メチル、ケイ皮酸エチル、ケイ皮
酸プロピル、サリチル酸メチル、サリチル酸エチル、サ
リチル酸プロピル、サリチル酸ブチル、サリチル酸アミ
ル、アントラニル酸メチル、アントラニル酸エチル、ア
ントラニル酸ブチル、アントラニル酸アミル、フタル酸
メチル、フタル酸エチル、フタル酸ブチル、等が用いら
れる。酸素を含む複素環化合物としては、フラン、オキ
サゾール、フラザン、ビラン、オキサジン、モルホリン
、ベンゾフラン、パンジオキサゾール、クロメン、クロ
マン、ジベンゾフラン、キサンチン、フェノキサジン、
オキソラン、ジオキソラン、オキサチオラン、オキサジ
アジン、ベンゾイソオキサゾール、等が用いられる。
なくとも酸素原子を添加するために酸素化合物が使用さ
れる。該酸素化合物における相状態は常温常圧において
必ずしも気相である必要はなく、加熱或は減圧等により
溶融、蒸発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液
相でも固相でも使用可能である。酸素化合物としては、
例えば、酸素、オゾン、水蒸気、−酸化炭素、二酸化炭
素、亜酸化炭素、等の無機化合物、水酸基(−OH)、
アルデヒド基(−COH) 、アシル基(RCO−、−
CR○)、ケトン基(>Co) 、エーテル結合(−〇
−)、エステル結合(−Coo−) 、酸素を含む複素
環、等の官能基或は結合を有する有機化合物、等が用い
られる。水酸基を有する有機化合物としては、例えば、
メタノール、エタノール、プロパツール、ブタノール、
フリルアルコール、フルオロエタノール、フルオロブタ
ノール、フェノール、シクロヘキサノール、ベンジルア
ルコール、フルフリルアルコール、等が用いられる。ア
ルデヒド基を有する有機化合物としては、例えば、ホル
ムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオアルデヒド
、ブチルアルデヒド、グリオキサール、アクロレイン、
ベンズアルデヒド、フルフラール、等が用いられる。ア
シル基を有する有機化合物としては、例えば、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、パルミチン酸、ステ
アリン酸、オレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸
、安思香酸、トルイル酸、サリチル酸、ケイと酸、ナフ
トエ酸、フタル酸、フラン酸、等が用いられる。ケトン
基を有する有機化合物としては、例えば、ア七トン、エ
チルメチルケトン、メチルプロピルケトン、ブチルメチ
ルケトン、ビナコロン、ジエチルケトン、メチルビニル
ケトン、メシチルオキシド、メチルへブテノン、シクロ
ブタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセ
トフェノン、プロピオフェノン、ブチロフェノン、パレ
ロフエノン、ジベンジルケトン、アセトナフトン、アセ
トチェノン、アセトフロン、等が用いられる。エーテル
結合を有する有機化合物としては、例えば、メチルエー
テル、エチルエーテル、プロピルエーテル、ブチルエー
テル、アミルエーテル、エチルメチルエーテル、メチル
プロとルエーテル、メチルブチルエーテル、メチルアミ
ルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチルエ
ーテル、エチルアミルエーテル、ビニルエーテル、アリ
ルエーテル、メチルビニルエーテル、メチルフリルエー
テル、エチルビニルエーテル、エチルフリルエーテル、
アニソール、フェネトール、フェニルエーテル、ベンジ
ルエーテル、フェニルベンジルエーテル、ナフチルエー
テル、酸化エチレン、酸化プロピレン、酸化トリメチレ
ン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロビラン、ジオキ
サン、等が用いられる。エステル結合を有する有機化合
物としては、例えば、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プ
ロピル、ギ酸ブチル、ギ酸アミル、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピ
オン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロ
ピル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸アミル、酪酸
メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル、酪酸ブチル、酪酸
アミル、吉草酸メチル、吉草酸エチル、吉草酸プロピル
、吉草酸ブチル、吉草酸アミル、安思香酸メチル、安息
香酸エチル、ケイ皮酸メチル、ケイ皮酸エチル、ケイ皮
酸プロピル、サリチル酸メチル、サリチル酸エチル、サ
リチル酸プロピル、サリチル酸ブチル、サリチル酸アミ
ル、アントラニル酸メチル、アントラニル酸エチル、ア
ントラニル酸ブチル、アントラニル酸アミル、フタル酸
メチル、フタル酸エチル、フタル酸ブチル、等が用いら
れる。酸素を含む複素環化合物としては、フラン、オキ
サゾール、フラザン、ビラン、オキサジン、モルホリン
、ベンゾフラン、パンジオキサゾール、クロメン、クロ
マン、ジベンゾフラン、キサンチン、フェノキサジン、
オキソラン、ジオキソラン、オキサチオラン、オキサジ
アジン、ベンゾイソオキサゾール、等が用いられる。
本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子の量は、全構成原子に対して7.0原子%以下である
。ここで酸素原子の膜中含有量は、元素分析の常法、例
えばオージェ分析により知る事ができる。酸素原子の量
が7.0原子%より高い場合には、少量の添加では好適
な輸送性を保証していた酸素原子が、逆に膜の低抵抗化
を招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。また、酸素
源ガスの一部のもの、例えば、酸素ガス、オゾンガス、
−酸化炭素ガス等においては、エツチング効果が強く現
れ、その流量を増やす事により酸素原子の膜中への添加
量を増加きせようとすると、成膜速度が低下し、ある程
度の膜厚が必要とされる電荷輸送層の成膜においては不
都合となる。従って、本発明における酸素原子添加量の
範囲は重要である。
子の量は、全構成原子に対して7.0原子%以下である
。ここで酸素原子の膜中含有量は、元素分析の常法、例
えばオージェ分析により知る事ができる。酸素原子の量
が7.0原子%より高い場合には、少量の添加では好適
な輸送性を保証していた酸素原子が、逆に膜の低抵抗化
を招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。また、酸素
源ガスの一部のもの、例えば、酸素ガス、オゾンガス、
−酸化炭素ガス等においては、エツチング効果が強く現
れ、その流量を増やす事により酸素原子の膜中への添加
量を増加きせようとすると、成膜速度が低下し、ある程
度の膜厚が必要とされる電荷輸送層の成膜においては不
都合となる。従って、本発明における酸素原子添加量の
範囲は重要である。
本発明において化学的修飾物質として含有きれる酸素原
子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への前述
の酸素化合物の導入量を増減することにより制御するこ
とが可能である。酸素化合物の導入量を増大させれば、
本発明によるa−C膜中への酸素原子の添加量を高くす
ることが可能であり、逆に酸素化合物の導入量を減少さ
せれば、本発明によるa −C膜中への酸素原子の添加
量を低くすることが可能である。
子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への前述
の酸素化合物の導入量を増減することにより制御するこ
とが可能である。酸素化合物の導入量を増大させれば、
本発明によるa−C膜中への酸素原子の添加量を高くす
ることが可能であり、逆に酸素化合物の導入量を減少さ
せれば、本発明によるa −C膜中への酸素原子の添加
量を低くすることが可能である。
本発明においては炭化水素の他に、a −C膜中に少な
くともアルカリ金属原子を添加するためにアルカリ金属
化合物が使用される。ここでアルカリ金属原子とは、リ
チウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子、ルビジウ
ム原子、及びセシウム原子を云う。該アルカリ金属化合
物ガスにおける相状態は常温常圧において必ずしも気相
で有る必要はなく、また、むしろ気相状態の化合物は少
ないため、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等を
経て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用可
能である。アルカリ金属化合物としては、例えば、金属
アルコラード、金属アクリル酸、金属メタクリル酸、或
は、金属フタロシアニン等を用いる事ができる。
くともアルカリ金属原子を添加するためにアルカリ金属
化合物が使用される。ここでアルカリ金属原子とは、リ
チウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子、ルビジウ
ム原子、及びセシウム原子を云う。該アルカリ金属化合
物ガスにおける相状態は常温常圧において必ずしも気相
で有る必要はなく、また、むしろ気相状態の化合物は少
ないため、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等を
経て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用可
能である。アルカリ金属化合物としては、例えば、金属
アルコラード、金属アクリル酸、金属メタクリル酸、或
は、金属フタロシアニン等を用いる事ができる。
本発明において化学的修飾物質として含有きれるアルカ
リ金属原子の量は、全構成原子に対して0.1乃至10
原子%、好適には0.3乃至5原子%である。ここでア
ルカリ金属原子の膜中含有量は、元素分析の常法、例え
ばオージェ分析により知る事ができる。アルカリ金属原
子の量が0゜1原子%より低い場合には、必ずしも好適
な電荷輸送性が保証きれず、感度低下もしくは残留電位
の発生等を生じ易くなり、また、経時的感度安定性も保
証されな(なる。アルカリ金属原子の量が10原子%よ
り高い場合には、適量の添加では好適な電荷輸送性と残
留電位発生防止を保証していたアルカリ金属原子が、逆
に、帯電能の低下を招く。また、必ずしも成膜性が保証
されなくなり、膜の剥離、油状化もしくは粉体化を招き
易くなる。
リ金属原子の量は、全構成原子に対して0.1乃至10
原子%、好適には0.3乃至5原子%である。ここでア
ルカリ金属原子の膜中含有量は、元素分析の常法、例え
ばオージェ分析により知る事ができる。アルカリ金属原
子の量が0゜1原子%より低い場合には、必ずしも好適
な電荷輸送性が保証きれず、感度低下もしくは残留電位
の発生等を生じ易くなり、また、経時的感度安定性も保
証されな(なる。アルカリ金属原子の量が10原子%よ
り高い場合には、適量の添加では好適な電荷輸送性と残
留電位発生防止を保証していたアルカリ金属原子が、逆
に、帯電能の低下を招く。また、必ずしも成膜性が保証
されなくなり、膜の剥離、油状化もしくは粉体化を招き
易くなる。
従って、本発明におけるアルカリ金属原子の添加量範囲
は重要である。
は重要である。
本発明において化学的修飾物質として含有されるアルカ
リ金属原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室
への前述のアルカリ金属化合物の導入量を増減すること
により制御することが可能である。アルカリ金属化合物
の導入量を増大させれば、本発明によるa−C膜中への
アルカリ金属原子の添加量を高くすることが可能であり
、逆にアルカリ金属化合物の導入量を減少させれば、本
発明によるa−C膜中へのアルカリ金属原子の添加量を
低くすることが可能である。
リ金属原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室
への前述のアルカリ金属化合物の導入量を増減すること
により制御することが可能である。アルカリ金属化合物
の導入量を増大させれば、本発明によるa−C膜中への
アルカリ金属原子の添加量を高くすることが可能であり
、逆にアルカリ金属化合物の導入量を減少させれば、本
発明によるa−C膜中へのアルカリ金属原子の添加量を
低くすることが可能である。
本発明においては、a−Si膜を形成するためにシラン
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、化学的修飾物質として燐原子或は硼素原子を
膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィン
ガス或はジボランガス等が用いられる。ざらに、化学的
修飾物質として炭素原子を膜中に含有せしめるための原
料ガスとして、メタン、エタン、エチレン、アセチレン
、プロパン、プロピレン、ブタン、ブタジェン、ブタジ
イン、ブテン、−酸化炭素、或は、二酸化炭素等の炭素
化合物ガスが用いられる。また、ゲルマニウム原子を含
有きせるために、ゲルマンガスが用いられる。
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、化学的修飾物質として燐原子或は硼素原子を
膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィン
ガス或はジボランガス等が用いられる。ざらに、化学的
修飾物質として炭素原子を膜中に含有せしめるための原
料ガスとして、メタン、エタン、エチレン、アセチレン
、プロパン、プロピレン、ブタン、ブタジェン、ブタジ
イン、ブテン、−酸化炭素、或は、二酸化炭素等の炭素
化合物ガスが用いられる。また、ゲルマニウム原子を含
有きせるために、ゲルマンガスが用いられる。
本発明におけるa−Si膜中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量は、シリコン原子とゲルマニウム原子との
総和に対して、30原子%以下が好ましい。ここで、ゲ
ルマニウム原子及びシリコン原子の含有率は、元素分析
の常法、例えばオージェ分析により知る事ができる。ゲ
ルマニウム原子の含有量は、膜形成時に流入するゲルマ
ンガスの流量を増加する事により高くなる。ゲルマニウ
ム原子の含有量が高くなるにつれ本発明感光体の長波長
感度は向上し、短波長領域から長波長領域にまで輻広く
露光源が選択され得るようになり好ましいが、ゲルマニ
ウム原子が30原子%より多く含有されると帯電能の低
下を招くため、過剰の添加は好ましくない。従って、本
発明におけるa −3i膜中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量は重要である。
原子の含有量は、シリコン原子とゲルマニウム原子との
総和に対して、30原子%以下が好ましい。ここで、ゲ
ルマニウム原子及びシリコン原子の含有率は、元素分析
の常法、例えばオージェ分析により知る事ができる。ゲ
ルマニウム原子の含有量は、膜形成時に流入するゲルマ
ンガスの流量を増加する事により高くなる。ゲルマニウ
ム原子の含有量が高くなるにつれ本発明感光体の長波長
感度は向上し、短波長領域から長波長領域にまで輻広く
露光源が選択され得るようになり好ましいが、ゲルマニ
ウム原子が30原子%より多く含有されると帯電能の低
下を招くため、過剰の添加は好ましくない。従って、本
発明におけるa −3i膜中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量は重要である。
本発明において化学的修飾物質として含有きれる燐原子
或は硼素原子の量は、全構成原子に対して20000f
f子ppm以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜
中含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或は
IMA分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子
の膜中含有量が20000原子ppmより高い場合には
、少量の添加では好適な輸送性、或は、極性側(m効果
を保証していた燐原子或は硼素原子が、逆に膜の低抵抗
化を招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、
本発明における燐原子或は硼素原子添加量の範囲は重要
である。
或は硼素原子の量は、全構成原子に対して20000f
f子ppm以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜
中含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或は
IMA分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子
の膜中含有量が20000原子ppmより高い場合には
、少量の添加では好適な輸送性、或は、極性側(m効果
を保証していた燐原子或は硼素原子が、逆に膜の低抵抗
化を招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、
本発明における燐原子或は硼素原子添加量の範囲は重要
である。
本発明において化学的修飾物質として含有される炭素原
子の量は、全構成原子に対して0.001乃至5原子%
である。ここで炭素原子の膜中含有量は、元素分析の常
法、例えばオージェ分析或はIMA分析により知る事が
できる。炭素原子の膜中含有量が0.001原子%より
低い場合には、a−3t膜の電気抵抗値が低くなる事が
らa−3i膜にコロナ帯電等による電界がかかりにくく
なり、光励起キャリアが必ずしも効率よ<a−C膜中に
注入されなくなり感度の低下を招く。また、帯電能も低
下する。炭素原子の膜中含有量が5原子%より高い場合
には、a−Si膜の電気抵抗値が高くなり過ぎ、光励起
キャリアの発生効率の低下及びキャリアの易動速度の低
下により、感度低下を招く。従って、本発明における炭
素原子添加量の範囲は重要である。
子の量は、全構成原子に対して0.001乃至5原子%
である。ここで炭素原子の膜中含有量は、元素分析の常
法、例えばオージェ分析或はIMA分析により知る事が
できる。炭素原子の膜中含有量が0.001原子%より
低い場合には、a−3t膜の電気抵抗値が低くなる事が
らa−3i膜にコロナ帯電等による電界がかかりにくく
なり、光励起キャリアが必ずしも効率よ<a−C膜中に
注入されなくなり感度の低下を招く。また、帯電能も低
下する。炭素原子の膜中含有量が5原子%より高い場合
には、a−Si膜の電気抵抗値が高くなり過ぎ、光励起
キャリアの発生効率の低下及びキャリアの易動速度の低
下により、感度低下を招く。従って、本発明における炭
素原子添加量の範囲は重要である。
本発明におけるa−Si膜中に含まれる水素原子或は弗
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね10乃至35原
子%含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えば○NH分析、オージ
ェ分析等を用いる事により知る事ができる。
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね10乃至35原
子%含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えば○NH分析、オージ
ェ分析等を用いる事により知る事ができる。
本発明における電荷発生層としてのa−Si膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、0.1乃
至5μmが適当であり、0.1μmより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、5μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このa−Si膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのa−C膜との
積層構成において効率よ<a−C膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である。
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、0.1乃
至5μmが適当であり、0.1μmより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、5μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このa−Si膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのa−C膜との
積層構成において効率よ<a−C膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である。
本発明における原料気体からa−3i膜を形成する過程
は、a −C膜を形成する場合と同様にして行なわれる
。
は、a −C膜を形成する場合と同様にして行なわれる
。
本発明において化学的修飾物質として含有きれる炭素原
子、燐原子、或は、!I素原子の量は、主に、プラズマ
反応を行なう反応室への前述の炭素化合物ガス、ホスフ
ィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増減すること
により制i!11することが可能である。炭素化合物ガ
ス、ホスフィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増
大させれば、本発明によるa−Si膜中への炭素原子、
燐原子、或は、硼素原子の添加量を窩くすることが可能
であり、逆に炭素化合物ガス、ホスフィンガス、或は、
ジボランガスの導入量を減少させれば、本発明によるa
−Si膜中への炭素原子、燐原子、或は、硼素原子の添
加量を低くすることが可能である。
子、燐原子、或は、!I素原子の量は、主に、プラズマ
反応を行なう反応室への前述の炭素化合物ガス、ホスフ
ィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増減すること
により制i!11することが可能である。炭素化合物ガ
ス、ホスフィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増
大させれば、本発明によるa−Si膜中への炭素原子、
燐原子、或は、硼素原子の添加量を窩くすることが可能
であり、逆に炭素化合物ガス、ホスフィンガス、或は、
ジボランガスの導入量を減少させれば、本発明によるa
−Si膜中への炭素原子、燐原子、或は、硼素原子の添
加量を低くすることが可能である。
本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。
第1図は、その一形態として、導電性基板(1)上に電
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)を順次積層してなる
構成を示したものである。第2図は、別の一形態として
、導電性基板(1)上に電荷発生層(3)と電荷輸送層
(2)を順次積層してなる構成を示したものである。第
3図は、別の一形態として、導電性基板(1)上に、電
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)を順次積層してなる
構成を示したものである。第2図は、別の一形態として
、導電性基板(1)上に電荷発生層(3)と電荷輸送層
(2)を順次積層してなる構成を示したものである。第
3図は、別の一形態として、導電性基板(1)上に、電
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。
感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第1図では
電荷発生層(3)で発生した正孔が電荷輸送層(2)中
を導電性基板(1)に向は走行し、第2図では電荷発生
層(3)で発生した電子が電荷輸送層(2)中を感光体
表面に向は走行し、第3図では電荷発生層(3)で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層(2)中を導電性
基板(1)に向は走行すると共に、同時に電荷発生層(
3)で発生した電子が表面側の電荷輸送層(2)中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証された静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第2図及び第3図では、画像露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷輸
送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を行な
うことが可能である。
後、画像露光して使用する場合においては、第1図では
電荷発生層(3)で発生した正孔が電荷輸送層(2)中
を導電性基板(1)に向は走行し、第2図では電荷発生
層(3)で発生した電子が電荷輸送層(2)中を感光体
表面に向は走行し、第3図では電荷発生層(3)で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層(2)中を導電性
基板(1)に向は走行すると共に、同時に電荷発生層(
3)で発生した電子が表面側の電荷輸送層(2)中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証された静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第2図及び第3図では、画像露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷輸
送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を行な
うことが可能である。
第4図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と表面保護層(
4)を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第1図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第1図の形態では、最表面が耐湿性に乏しいa−SiF
Jで有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性を
確保するために表面保護層を設けることが好ましい。第
2図及び第3図の構成の場合、最表面が耐久性に優れた
a−C膜であるため表面保護層を設けなくてもよいが、
例えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止する
ような、複写機内の各種エレメントに対する整合性を調
整する目的から、表面保護層を設けることもざらなる一
形態と成りうる。
に電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と表面保護層(
4)を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第1図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第1図の形態では、最表面が耐湿性に乏しいa−SiF
Jで有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性を
確保するために表面保護層を設けることが好ましい。第
2図及び第3図の構成の場合、最表面が耐久性に優れた
a−C膜であるため表面保護層を設けなくてもよいが、
例えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止する
ような、複写機内の各種エレメントに対する整合性を調
整する目的から、表面保護層を設けることもざらなる一
形態と成りうる。
第5図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に中間層(5)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第2
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第2図の
形態では、導電性基板との接合面がa−Si膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第1図及び第3図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。
に中間層(5)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第2
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第2図の
形態では、導電性基板との接合面がa−Si膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第1図及び第3図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。
第6図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に中間N(5)と電荷輸送層(2)と電荷発生N(3)
と表面保護層(4)を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第1図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。
に中間N(5)と電荷輸送層(2)と電荷発生N(3)
と表面保護層(4)を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第1図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。
中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
って第2図及び第3図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。
って第2図及び第3図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。
本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるa−C膜を用いてもよい。但し、用い
る材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料である
場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は5μm以下
に留める必要がある。
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるa−C膜を用いてもよい。但し、用い
る材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料である
場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は5μm以下
に留める必要がある。
本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積させる、所謂プラズマ重合反応
から生成される事が好ましい。
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積させる、所謂プラズマ重合反応
から生成される事が好ましい。
第7図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
(701)〜(706)は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第1乃至第6タ
ンクで、各々のタンクは第1乃至第6調節弁(707)
〜(712)と第1乃至第6流量制御器(713)〜(
718)に接続されている。図中(719)〜(721
)は常温において液相または固相状態にある原料化合物
を封入した第1乃至第3容器で、各々の容器は気化のた
め第1乃ヌ第3温調器(722)〜(724)により与
熱可能であり、さらに各々の容器は第7乃至第9調節弁
(725)〜(727)と第7乃至第9流量制御器(7
28)〜(730)に接続きれている。これらのガスは
混合!(731)で混合された後、主管(732)を介
して反応室(733)に送り込まれる。途中の配管は、
常温において液相または固相状態にあった原料化合物が
気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置さ
れた配管加熱器<734)により、与熱可能とされてい
る。反応室内には接地電極(735)と電力印加電極(
736)が対向して設置され、各々の電極は電極加熱器
(737)により与熱可能とされている。電力印加電極
(736)には、高周波電力用整合器(738)を介し
て高周波雪原(739)、低周波電力用整合器(740
)を介して低周波電源(741)、ローパスフィルタ(
742)を介して直流電源(743)が接続されており
、接続選択スイッチ(744)により周波数の異なる電
力か印加可能とされている。反応室(733)内の圧力
は圧力制御弁(745)により調整可能であり、反応室
(733)内の減圧は、排気系選択弁(746)を介し
て、拡散ポンプ(747) 、油回転ポンプ(748)
、或は、冷却除外装置(749) 、メカニカルブー
スターポンプ(750) 、油回転ポンプ(748)に
より行なわれる。排ガスについては、さらに適当な除外
装置(753)により安全無害化した後、大気中に排気
される。これら排気系配管についても、常温において液
相または固相状態にあった原料化合物が気化したガスが
、途中で凝結しないように、適宜配置された配管加熱器
(734)により、与熱可能とされている。反応室(7
33)も同様の理由から反応室加熱器(751)により
与熱可能とされ、内部に配された電極上に導電性基板(
752)が設置される。第7図において導電性基板(7
52)は接地電極(735)に固定して配されているが
、電力中加電[2(736)に固定して配されてもよく
、ざらに双方に配されてもよい。
(701)〜(706)は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第1乃至第6タ
ンクで、各々のタンクは第1乃至第6調節弁(707)
〜(712)と第1乃至第6流量制御器(713)〜(
718)に接続されている。図中(719)〜(721
)は常温において液相または固相状態にある原料化合物
を封入した第1乃至第3容器で、各々の容器は気化のた
め第1乃ヌ第3温調器(722)〜(724)により与
熱可能であり、さらに各々の容器は第7乃至第9調節弁
(725)〜(727)と第7乃至第9流量制御器(7
28)〜(730)に接続きれている。これらのガスは
混合!(731)で混合された後、主管(732)を介
して反応室(733)に送り込まれる。途中の配管は、
常温において液相または固相状態にあった原料化合物が
気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置さ
れた配管加熱器<734)により、与熱可能とされてい
る。反応室内には接地電極(735)と電力印加電極(
736)が対向して設置され、各々の電極は電極加熱器
(737)により与熱可能とされている。電力印加電極
(736)には、高周波電力用整合器(738)を介し
て高周波雪原(739)、低周波電力用整合器(740
)を介して低周波電源(741)、ローパスフィルタ(
742)を介して直流電源(743)が接続されており
、接続選択スイッチ(744)により周波数の異なる電
力か印加可能とされている。反応室(733)内の圧力
は圧力制御弁(745)により調整可能であり、反応室
(733)内の減圧は、排気系選択弁(746)を介し
て、拡散ポンプ(747) 、油回転ポンプ(748)
、或は、冷却除外装置(749) 、メカニカルブー
スターポンプ(750) 、油回転ポンプ(748)に
より行なわれる。排ガスについては、さらに適当な除外
装置(753)により安全無害化した後、大気中に排気
される。これら排気系配管についても、常温において液
相または固相状態にあった原料化合物が気化したガスが
、途中で凝結しないように、適宜配置された配管加熱器
(734)により、与熱可能とされている。反応室(7
33)も同様の理由から反応室加熱器(751)により
与熱可能とされ、内部に配された電極上に導電性基板(
752)が設置される。第7図において導電性基板(7
52)は接地電極(735)に固定して配されているが
、電力中加電[2(736)に固定して配されてもよく
、ざらに双方に配されてもよい。
第8図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室(833)内部の形態以外は、第7図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、700番台のものを800番台に置
き換えて解すればよい。第8図において、反応室(83
3)内部には、第7図における接地電極(735)を兼
ねた円筒形の導電性基板(852)が設置され、内側に
は電極加熱器(837)が配されている。導電性基板(
852)周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極(
836)が配され、外側には電極加熱!(837)が配
されている。導電性基板(852)は、外部より駆動モ
ータ(854)を用いて自転可能となっている。
を示し、反応室(833)内部の形態以外は、第7図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、700番台のものを800番台に置
き換えて解すればよい。第8図において、反応室(83
3)内部には、第7図における接地電極(735)を兼
ねた円筒形の導電性基板(852)が設置され、内側に
は電極加熱器(837)が配されている。導電性基板(
852)周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極(
836)が配され、外側には電極加熱!(837)が配
されている。導電性基板(852)は、外部より駆動モ
ータ(854)を用いて自転可能となっている。
感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め1
0−4乃至10=Torr程度にまで減圧し、真空度の
確認と装置内部に吸着しt:ガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配きれ
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如と感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて匿いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第1乃至第6タンク及び第1乃至
第3容器から、原料ガスを適宜第1乃至第9流量制御器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節
弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が
安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周波
電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する。
0−4乃至10=Torr程度にまで減圧し、真空度の
確認と装置内部に吸着しt:ガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配きれ
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如と感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて匿いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第1乃至第6タンク及び第1乃至
第3容器から、原料ガスを適宜第1乃至第9流量制御器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節
弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が
安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周波
電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する。
両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固相
の膜が形成される。a−Si膜或はa−C膜は、原料ガ
スを代える事により任意に形成可能である。放電を一旦
停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を再開す
れば異なる組成の膜を積層する事ができる。また、放電
を持続きせながら原料ガス流量だけを徐々に代え、異な
る組成の膜を勾配を持たせなから積層する事も可能であ
る。
の膜が形成される。a−Si膜或はa−C膜は、原料ガ
スを代える事により任意に形成可能である。放電を一旦
停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を再開す
れば異なる組成の膜を積層する事ができる。また、放電
を持続きせながら原料ガス流量だけを徐々に代え、異な
る組成の膜を勾配を持たせなから積層する事も可能であ
る。
反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並びに積層構
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第1乃至第9調節弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場合に
は、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を
破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発
明による感光体を得る。
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第1乃至第9調節弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場合に
は、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を
破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発
明による感光体を得る。
以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。
X旅伝上
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高真空
にした後、第1、第2、及び第3調−節回(707,7
08、及び709)を解放し、第1タンク(7o1)よ
り水素ガス、第2タンク(702)よりエチレンガス、
及び第3タンク(703)より酸素ガスを各々出力圧1
.0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第3流量制罪
器(713,714、及び715)内へ流入させた。
装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高真空
にした後、第1、第2、及び第3調−節回(707,7
08、及び709)を解放し、第1タンク(7o1)よ
り水素ガス、第2タンク(702)よりエチレンガス、
及び第3タンク(703)より酸素ガスを各々出力圧1
.0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第3流量制罪
器(713,714、及び715)内へ流入させた。
同時に、第2容器(720)よりカリウムメタクリレー
ト(K−MA)ガスを第2温調器(723)温度280
℃のもとて第8流量制御式(729)内へ流入させた。
ト(K−MA)ガスを第2温調器(723)温度280
℃のもとて第8流量制御式(729)内へ流入させた。
各々の流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を
70secmsエチレンガスの流量を70secm、酸
素ガスの流量を4secm、及びカリウムメタクリレー
トガスの流量を8sccrr+どなるように設定して、
途中混合器(731)を介して、主管(732)より反
応室(733)内へ流入した。各々の流量が安定した後
に、反応室(7,33)内の圧力が2.2T。
70secmsエチレンガスの流量を70secm、酸
素ガスの流量を4secm、及びカリウムメタクリレー
トガスの流量を8sccrr+どなるように設定して、
途中混合器(731)を介して、主管(732)より反
応室(733)内へ流入した。各々の流量が安定した後
に、反応室(7,33)内の圧力が2.2T。
rrとなるように圧力調節弁(745)を調整した。一
方、導電性基板(752)としては、樅50×横50×
厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予め230℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ(744)により接続しておいた高
周波電源(739)を投入し、電力印加電極(736)
に22OWattの電力を周波数13.56MHzの下
で印加して約4時開平プラズマ重合反応を行ない、導電
性基板(752)上に厚ざ15μmのa −C膜を電荷
輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止
し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気し
た。
方、導電性基板(752)としては、樅50×横50×
厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予め230℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ(744)により接続しておいた高
周波電源(739)を投入し、電力印加電極(736)
に22OWattの電力を周波数13.56MHzの下
で印加して約4時開平プラズマ重合反応を行ない、導電
性基板(752)上に厚ざ15μmのa −C膜を電荷
輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止
し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気し
た。
以上のようにして得られたa−C膜につき有機元素分析
行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子と
水素原子の総量に対して43原子%であった。また、オ
ージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、カ
リウム原子の量は全構成原子に対して0.6原子%であ
った。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対して
2.○原子%であった。
行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子と
水素原子の総量に対して43原子%であった。また、オ
ージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、カ
リウム原子の量は全構成原子に対して0.6原子%であ
った。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対して
2.○原子%であった。
電荷発生層形成工程:
次いで、一部タンクを交換し、第1調節弁(707)、
第5調節弁(711)、及び第6調節弁(712)を解
放し、第1タンク(701)から水素ガス、第2タンク
(702)からゲルマンガス、第5タンク(705)か
らエタンガス、及び第6タンク(706)からシランガ
スを、出力圧IKg/cm2の下で第1、第2、第5、
及び第6流量制御器(713,714,717、及び7
18)内へ流入させた。同時に、第4調節弁(710)
を解放し、第4タンク(704)より水素ガスで110
0ppに希釈されたジボランガスを、出力圧1.5Kg
/am2の下で第4流量制御器(716)内へ、流入さ
せた。各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を
200secm。
第5調節弁(711)、及び第6調節弁(712)を解
放し、第1タンク(701)から水素ガス、第2タンク
(702)からゲルマンガス、第5タンク(705)か
らエタンガス、及び第6タンク(706)からシランガ
スを、出力圧IKg/cm2の下で第1、第2、第5、
及び第6流量制御器(713,714,717、及び7
18)内へ流入させた。同時に、第4調節弁(710)
を解放し、第4タンク(704)より水素ガスで110
0ppに希釈されたジボランガスを、出力圧1.5Kg
/am2の下で第4流量制御器(716)内へ、流入さ
せた。各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を
200secm。
ゲルマンガスの流量を10105e、エタンガスの流量
を3secm、シランガスの流量を11005CC%水
素ガスで1100ppに希釈されたジボランガスの流量
を10105eに設定し、反応室(733)内に流入さ
せな。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内
の圧力が0.9Torrとなるように圧力調節弁(74
5)を調整した。一方、a−C膜が形成されている導電
性基板(752)は、240℃に加熱しておき、ガス流
量及び圧力が安定した状態で、高周波電源(739)よ
り周波数13.56MHzの下で電力印加電極(736
)に45Wattの電力を印加し、グロー放電を発生さ
せな。この放電を5分間行ない、厚き0.3μmの電荷
発生層を得た。
を3secm、シランガスの流量を11005CC%水
素ガスで1100ppに希釈されたジボランガスの流量
を10105eに設定し、反応室(733)内に流入さ
せな。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内
の圧力が0.9Torrとなるように圧力調節弁(74
5)を調整した。一方、a−C膜が形成されている導電
性基板(752)は、240℃に加熱しておき、ガス流
量及び圧力が安定した状態で、高周波電源(739)よ
り周波数13.56MHzの下で電力印加電極(736
)に45Wattの電力を印加し、グロー放電を発生さ
せな。この放電を5分間行ない、厚き0.3μmの電荷
発生層を得た。
得られたa−Si膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して21原子%、硼素原子は11原子ppm
z炭素原子は0.3原子%、ゲルマニウム原子は15.
7原子%であった。
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して21原子%、硼素原子は11原子ppm
z炭素原子は0.3原子%、ゲルマニウム原子は15.
7原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一580V (+560V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1am当り
の帯電能は38V/μm (36V/um)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一580V (+560V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1am当り
の帯電能は38V/μm (36V/um)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約13秒(約14
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は1.5ルツク
ス・秒(1,3ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理PAされた。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約13秒(約14
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は1.5ルツク
ス・秒(1,3ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理PAされた。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として濠れた性能を有するものである事が理解される。
として濠れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
X旅男旦
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置 (733)の内部を10−’To r r程度の
高真空にした後、第1、第2、及び第3調節弁(7o7
.708、及び709Lを解放し、第1タンク(701
)より水素ガス、第2タンク(702)よりアセチレン
ガス、及び第3タンク(703)より二酸化炭素ガスを
各々出力圧1゜○Kg/cm2の下で第1、第2、及び
第3流量制瀕器(713,714、及び715)内へ流
入させた。同時に、第2容器(720)よりリチウムタ
ーシャリ−ブチラードガスを第2温調話(723)温度
220℃のもとて第8流景制御器(729)内へ流入さ
せた。各々の流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの
流量を200secm、アセチレンガスの流量を50s
ecm、二酸化炭素ガスの流量を10105e、及びリ
チウムターシャリ−ブチラードガスの流量を18sec
mとなるように設定して、途中混合!(731)を介し
て、主管(732)より反応室(733)内へ流入した
。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧
力が2.5Torrとなるように圧力調節弁(745)
を調整した。一方、導電性基板(752)としては、樅
50×横50X厚3mmのアルミニウム基板を用いて、
予め220℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接
続しておいた高周波電源(739)を投入し、電力印加
電極(736)に220Wattの電力を周波数13.
56MHzの下で印加して約2時間15分プラズマ重合
反応を行ない、導電性基板(752)上に厚き15μm
のa−C膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は
、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)
内を充分に排気した。
装置 (733)の内部を10−’To r r程度の
高真空にした後、第1、第2、及び第3調節弁(7o7
.708、及び709Lを解放し、第1タンク(701
)より水素ガス、第2タンク(702)よりアセチレン
ガス、及び第3タンク(703)より二酸化炭素ガスを
各々出力圧1゜○Kg/cm2の下で第1、第2、及び
第3流量制瀕器(713,714、及び715)内へ流
入させた。同時に、第2容器(720)よりリチウムタ
ーシャリ−ブチラードガスを第2温調話(723)温度
220℃のもとて第8流景制御器(729)内へ流入さ
せた。各々の流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの
流量を200secm、アセチレンガスの流量を50s
ecm、二酸化炭素ガスの流量を10105e、及びリ
チウムターシャリ−ブチラードガスの流量を18sec
mとなるように設定して、途中混合!(731)を介し
て、主管(732)より反応室(733)内へ流入した
。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧
力が2.5Torrとなるように圧力調節弁(745)
を調整した。一方、導電性基板(752)としては、樅
50×横50X厚3mmのアルミニウム基板を用いて、
予め220℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接
続しておいた高周波電源(739)を投入し、電力印加
電極(736)に220Wattの電力を周波数13.
56MHzの下で印加して約2時間15分プラズマ重合
反応を行ない、導電性基板(752)上に厚き15μm
のa−C膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は
、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)
内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して33原子%であった。また、
オージェ分析より含有きれるアルカリ金属原子、即ち、
リチウム原子の量は全構成原子に対して3.4原子%で
あった。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対し
て0.9原子%であった。
析行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して33原子%であった。また、
オージェ分析より含有きれるアルカリ金属原子、即ち、
リチウム原子の量は全構成原子に対して3.4原子%で
あった。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対し
て0.9原子%であった。
電荷発生層形成工程:
次いで、一部タンクを交換し、第1調節弁(707)、
第2FA節弁(708)、第5調節弁(711)、及び
第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)
から水素ガス、第2タンク(702)からゲルマンガス
、第5タンク(T。
第2FA節弁(708)、第5調節弁(711)、及び
第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)
から水素ガス、第2タンク(702)からゲルマンガス
、第5タンク(T。
5)からメタンガス、及び第6タンク(706)からシ
ランガスを、出力圧IKg/Cm2の下で第1、第2、
第5、及び第6流量制御器(713,714,717、
及び718)内へ流入させた。
ランガスを、出力圧IKg/Cm2の下で第1、第2、
第5、及び第6流量制御器(713,714,717、
及び718)内へ流入させた。
同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(
704)より水素ガスで1100ppに希釈されたジボ
ランガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量
制御器(716)内へ、流入させた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を200secm、ゲルマ
ンガスの流量を6SCCm%メタンガスの流量を0.O
lsecm。
704)より水素ガスで1100ppに希釈されたジボ
ランガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量
制御器(716)内へ、流入させた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を200secm、ゲルマ
ンガスの流量を6SCCm%メタンガスの流量を0.O
lsecm。
シランガスの流量を101005e、水素ガスで110
0ppに希釈されたジボランガスの流量を10105e
となるように設定し、反応室(733)内に流入させた
。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧
力が0.8Torrとなるように圧力調節弁(745)
を調整した。一方、a−C膜が形成されている導電性基
板(752)は、250℃に加熱しておき、ガス流量及
び圧力が安定した状態で、高周波電源(739)より周
波数13.56MHzの下で電力印加電極(736)に
35Wattの電力を印加し、グロー放電を発生させた
。この放電を5分間行ない、厚き0゜3μmの電荷発生
層を得た。
0ppに希釈されたジボランガスの流量を10105e
となるように設定し、反応室(733)内に流入させた
。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧
力が0.8Torrとなるように圧力調節弁(745)
を調整した。一方、a−C膜が形成されている導電性基
板(752)は、250℃に加熱しておき、ガス流量及
び圧力が安定した状態で、高周波電源(739)より周
波数13.56MHzの下で電力印加電極(736)に
35Wattの電力を印加し、グロー放電を発生させた
。この放電を5分間行ない、厚き0゜3μmの電荷発生
層を得た。
得られたa−Si膜につき、金属中○NH分析(板場製
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有きれる水素原子は全構
成原子に対して20原子%、硼素原子は9原子ppm%
炭素原子は0.001原子%、ゲルマニウム原子は9.
8原子%であった。
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有きれる水素原子は全構
成原子に対して20原子%、硼素原子は9原子ppm%
炭素原子は0.001原子%、ゲルマニウム原子は9.
8原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一490V (+510V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は32V/μm (33V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれ
た。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一490V (+510V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は32V/μm (33V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれ
た。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約12秒(約13
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は1.4ルツク
ス・秒(1,3ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解きれた。また、最高帯
電電位に初期帯電した後、半導体レーザー光(発光波長
780nm)を用いて最高帯電電位の20%の表面電位
にまで明減衰きせたとこる必要とされた光量は8.le
rg/am2(7,2erg/cm2)であり、このこ
とから充分な長波長光感度性能を有する事が理解された
。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約12秒(約13
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は1.4ルツク
ス・秒(1,3ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解きれた。また、最高帯
電電位に初期帯電した後、半導体レーザー光(発光波長
780nm)を用いて最高帯電電位の20%の表面電位
にまで明減衰きせたとこる必要とされた光量は8.le
rg/am2(7,2erg/cm2)であり、このこ
とから充分な長波長光感度性能を有する事が理解された
。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
としてぼれた性能を有するものである事が理解される。
としてぼれた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
去施斑旦
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1、及び第3調節弁(707、及び7
09)を解放し・、第1タンク(701)より水素ガス
、及び第3タンク(703)より酸素ガスを各々出力圧
1.0Kg/am2の下で第1、及び第3流量制(卸器
(713、及び715)内へ流入させた。同時に、第1
容器(719)よりスチレンガスを第1温調器(722
)温度40℃のもとて第7流量制罪器(728)内へ、
並びに、第2容器(720)よりリチウムターシャリ−
ブチラードガスを第2温調器(723)温度170℃の
もとで第8流量制御器(729)内へ流入させた。各々
の流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を70
secm、スチレンガスの流量を40secm、酸素ガ
スの流量を10105e、及びリチウムターシャリ−ブ
チラードガスの流量を8secmとなるように設定して
、途中混合器(731)を介して、主管(732)より
反応室(733)内へ流入した。各々の流量が安定した
後に、反応室(733)内の圧力が2゜2Torrとな
るように圧力調節弁(745)を調整した。一方、導電
性基板(752)としては、縦50×横50×厚3mm
のアルミニウム基板を用いて、予め90℃に加熱してお
き、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択
スイッチ(744)により接続しておいた低周波電源(
741)を投入し、電力印加N極(736)に150W
attの電力を周波数70KHzの下で印加して約45
分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基板(752)
上に厚さ15μmのa −C膜を電荷輸送層として形成
した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ
、反応室(733)内を充分に排気した。
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1、及び第3調節弁(707、及び7
09)を解放し・、第1タンク(701)より水素ガス
、及び第3タンク(703)より酸素ガスを各々出力圧
1.0Kg/am2の下で第1、及び第3流量制(卸器
(713、及び715)内へ流入させた。同時に、第1
容器(719)よりスチレンガスを第1温調器(722
)温度40℃のもとて第7流量制罪器(728)内へ、
並びに、第2容器(720)よりリチウムターシャリ−
ブチラードガスを第2温調器(723)温度170℃の
もとで第8流量制御器(729)内へ流入させた。各々
の流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を70
secm、スチレンガスの流量を40secm、酸素ガ
スの流量を10105e、及びリチウムターシャリ−ブ
チラードガスの流量を8secmとなるように設定して
、途中混合器(731)を介して、主管(732)より
反応室(733)内へ流入した。各々の流量が安定した
後に、反応室(733)内の圧力が2゜2Torrとな
るように圧力調節弁(745)を調整した。一方、導電
性基板(752)としては、縦50×横50×厚3mm
のアルミニウム基板を用いて、予め90℃に加熱してお
き、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択
スイッチ(744)により接続しておいた低周波電源(
741)を投入し、電力印加N極(736)に150W
attの電力を周波数70KHzの下で印加して約45
分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基板(752)
上に厚さ15μmのa −C膜を電荷輸送層として形成
した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ
、反応室(733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して47原子%であった。また、
オージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、
リチウム原子の量は全構成原子に対して1.7原子%で
あった。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対し
て2.1原子%であった。
析行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して47原子%であった。また、
オージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、
リチウム原子の量は全構成原子に対して1.7原子%で
あった。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対し
て2.1原子%であった。
電荷発生層形成工程:
次いで、一部タンクを交換し、第1調節弁(707)、
第2調節弁(708)、第3¥A節弁(709)、第5
調節弁(711)、及び第6調節弁(712)を解放し
、第1タンク(701)から水素ガス、第2タンク(7
02)からゲルマンガス、第3タンク(703)から四
弗化シランガス、第5タンク(705)から四弗化炭素
ガス、及び第6タンク(706)からシランガスを、出
力圧IKg/cm2の下で第1、第2、第3、第5、及
び第6流量制御器(713,714,715,717、
及び718)内へ流入させた。同時に、第4調節弁(7
10)を解放し、第4タンク(704)より水素ガスで
1100ppに希釈されたジポランガスを、出力圧1.
5Kg/am2の下で第4流量制御器(716)内へ、
流入させた。各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの
流量を200secmsゲルマンガスの流量を3scc
rr+。
第2調節弁(708)、第3¥A節弁(709)、第5
調節弁(711)、及び第6調節弁(712)を解放し
、第1タンク(701)から水素ガス、第2タンク(7
02)からゲルマンガス、第3タンク(703)から四
弗化シランガス、第5タンク(705)から四弗化炭素
ガス、及び第6タンク(706)からシランガスを、出
力圧IKg/cm2の下で第1、第2、第3、第5、及
び第6流量制御器(713,714,715,717、
及び718)内へ流入させた。同時に、第4調節弁(7
10)を解放し、第4タンク(704)より水素ガスで
1100ppに希釈されたジポランガスを、出力圧1.
5Kg/am2の下で第4流量制御器(716)内へ、
流入させた。各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの
流量を200secmsゲルマンガスの流量を3scc
rr+。
四弗化シランガスの流量を50 s e cm、四弗化
炭素ガスの流量を0.1secm、シランガスの流量を
50secm、水素ガスで1100ppに希釈されたジ
ボランガスの流量を10105eとなるように設定し、
反応室(733)内に流入させた。各々の流量が安定し
た後に、反応室(733)内の圧力が0.9Torrと
なるように圧力調節弁(745)を調整した。一方、a
−C膜が形成されている導電性基板(752)は、2
50℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状
態で、高周波電源(739)より周波数13.56MH
zの下で電力印加電極(736)に35Wattの電力
を印加し、グロー放電を発生させた。
炭素ガスの流量を0.1secm、シランガスの流量を
50secm、水素ガスで1100ppに希釈されたジ
ボランガスの流量を10105eとなるように設定し、
反応室(733)内に流入させた。各々の流量が安定し
た後に、反応室(733)内の圧力が0.9Torrと
なるように圧力調節弁(745)を調整した。一方、a
−C膜が形成されている導電性基板(752)は、2
50℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状
態で、高周波電源(739)より周波数13.56MH
zの下で電力印加電極(736)に35Wattの電力
を印加し、グロー放電を発生させた。
この放電を5分間行ない、厚ざ0.3μmの電荷発生層
を得た。
を得た。
得られたa−Si膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して22原子%、硼素原子は11原子ppm
、弗素原子は4.8原子%、炭素原子は0.1原子%、
ゲルマニウム原子は6.4原子%であった。
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して22原子%、硼素原子は11原子ppm
、弗素原子は4.8原子%、炭素原子は0.1原子%、
ゲルマニウム原子は6.4原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一520V (+610V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3umであることから1μm当り
の帯電能は34V/μm(40V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一520V (+610V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3umであることから1μm当り
の帯電能は34V/μm(40V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約8秒(約13秒
)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事
が理解された。また、最高帯電電位に初期電電した後、
白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にまで
明減衰させたところ必要とされた光景は1.6ルツクス
・秒(1゜5ルツクス・秒)であり、このことから充分
な光感度性能を有する事が理解された。また、最高帯電
電位に初期帯電した後、半導体レーザー光(発光波長7
80nm)を用いて最高帯電電位の20%の表面電位に
まで明減衰させたところ必要とされた光量は8.Oer
g/cm2(9,9erg/cm 2)であり、このこ
とから充分な長波長光感度性能を有する事が理解きれた
。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約8秒(約13秒
)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事
が理解された。また、最高帯電電位に初期電電した後、
白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にまで
明減衰させたところ必要とされた光景は1.6ルツクス
・秒(1゜5ルツクス・秒)であり、このことから充分
な光感度性能を有する事が理解された。また、最高帯電
電位に初期帯電した後、半導体レーザー光(発光波長7
80nm)を用いて最高帯電電位の20%の表面電位に
まで明減衰させたところ必要とされた光量は8.Oer
g/cm2(9,9erg/cm 2)であり、このこ
とから充分な長波長光感度性能を有する事が理解きれた
。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
実施例4
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1、第2、及び第3調節弁(707,
708、及び709)を解放し、第1タンク(701)
より水素ガス、第2タンク(702)よりブタジェンガ
ス、及び第3タンク(703)より酸素ガスを各々出力
圧1.0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第3流量
制御器(713,714、及び715)内へ流入させた
。
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1、第2、及び第3調節弁(707,
708、及び709)を解放し、第1タンク(701)
より水素ガス、第2タンク(702)よりブタジェンガ
ス、及び第3タンク(703)より酸素ガスを各々出力
圧1.0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第3流量
制御器(713,714、及び715)内へ流入させた
。
同時に、第2容器(720)よりリチウムターシャリ−
ブチラードガスを第2温調器(723)温度170℃の
もとて第8流量制御器(729)内へ流入させた。各々
の流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を70
sccrr+、ブタジェンガスの流量を70secm、
酸素ガスの流量を4secm、及びリチウムターシャリ
−ブチラードガスの流量を8secmとなるように設定
して、途中混合器(731)を介して、主管(732)
より反応室(733)内へ流入した。各々の流量が安定
した後に、反応室(733)内の圧力が2.2Torr
となるように圧力調節弁(745)を調整した。一方、
導電性基板(752)としては、!50X倹50X厚3
mmのアルミニウム基板を用いて、予め150℃に加熱
しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接
続選択スイッチ(744)により接続しておいた低周波
電源(741)を投入し、電力印加電極(736)に1
50Wattの電力を周波数600KHzの下で印加し
て約45分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基板(
752)上に原書15μmのa −C膜を電荷輸送層と
して形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節
弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した。
ブチラードガスを第2温調器(723)温度170℃の
もとて第8流量制御器(729)内へ流入させた。各々
の流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を70
sccrr+、ブタジェンガスの流量を70secm、
酸素ガスの流量を4secm、及びリチウムターシャリ
−ブチラードガスの流量を8secmとなるように設定
して、途中混合器(731)を介して、主管(732)
より反応室(733)内へ流入した。各々の流量が安定
した後に、反応室(733)内の圧力が2.2Torr
となるように圧力調節弁(745)を調整した。一方、
導電性基板(752)としては、!50X倹50X厚3
mmのアルミニウム基板を用いて、予め150℃に加熱
しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接
続選択スイッチ(744)により接続しておいた低周波
電源(741)を投入し、電力印加電極(736)に1
50Wattの電力を周波数600KHzの下で印加し
て約45分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基板(
752)上に原書15μmのa −C膜を電荷輸送層と
して形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節
弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析性なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して53原子%であった。また、
オージェ分析より含有きれるアルカリ金属原子、即ち、
リチウム原子の量は全構成原子に対して1.7原子%で
あった。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対し
て0.8原子%であった。
析性なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して53原子%であった。また、
オージェ分析より含有きれるアルカリ金属原子、即ち、
リチウム原子の量は全構成原子に対して1.7原子%で
あった。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対し
て0.8原子%であった。
電荷発生層形成工程:
次いで、一部タンクを交換し、第1調節弁(7o7)、
第2調節弁(708)、第5調節弁(711)、及び第
6調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)か
ら水素ガス、第2タンク(702)からゲルマンガス、
第5タンク(705)からメタンガス、及び第6タンク
(706)からシランガスを、出力圧IKg/am2の
下で第1、第2、第5、及び第6流量制御器(713,
714,717、及び718)内へ流入させた。
第2調節弁(708)、第5調節弁(711)、及び第
6調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)か
ら水素ガス、第2タンク(702)からゲルマンガス、
第5タンク(705)からメタンガス、及び第6タンク
(706)からシランガスを、出力圧IKg/am2の
下で第1、第2、第5、及び第6流量制御器(713,
714,717、及び718)内へ流入させた。
同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(
704)より水素ガスで100 p pmに希釈された
ジボランガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4
流量制御器(716)内へ、流入きせな。各流量制擲器
の目盛を調整して水素ガスの流量を200secm、ゲ
ルマンガスの流量を6secm、メタンガスの流量を1
0105c、シランガスの流量を101005e、水素
ガスで1100ppに希釈されたジボランガスの流量を
11005caに設定し、反応室(733)内に流入さ
せた。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内
の圧力が0.8Torrとなるように圧力調節弁(74
5)を調整した。一方、a −C膜が形成されている導
電性基板(752)は、250℃に加熱しておき、ガス
流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源(739)
より周波数13.56MHzの下で電力印加電極(73
6)に40Wattの電力を印加し、グロー放電を発生
させた。この放電を5分間行ない、厚ざ0.3μmの電
荷発生層を得た。
704)より水素ガスで100 p pmに希釈された
ジボランガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4
流量制御器(716)内へ、流入きせな。各流量制擲器
の目盛を調整して水素ガスの流量を200secm、ゲ
ルマンガスの流量を6secm、メタンガスの流量を1
0105c、シランガスの流量を101005e、水素
ガスで1100ppに希釈されたジボランガスの流量を
11005caに設定し、反応室(733)内に流入さ
せた。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内
の圧力が0.8Torrとなるように圧力調節弁(74
5)を調整した。一方、a −C膜が形成されている導
電性基板(752)は、250℃に加熱しておき、ガス
流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源(739)
より周波数13.56MHzの下で電力印加電極(73
6)に40Wattの電力を印加し、グロー放電を発生
させた。この放電を5分間行ない、厚ざ0.3μmの電
荷発生層を得た。
得られたa−3i膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して24原子%、硼素原子は95原子ppm
、炭素原子は1.0原子%、ゲルマニウム原子は10.
5原子%であった。
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して24原子%、硼素原子は95原子ppm
、炭素原子は1.0原子%、ゲルマニウム原子は10.
5原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一670V (+650V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は44V/μm (42V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれ
た。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一670V (+650V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は44V/μm (42V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれ
た。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約17秒(約15
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯2電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰きせたところ必要とされた光量は2.8ルツク
ス・秒(1,8ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約17秒(約15
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯2電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰きせたところ必要とされた光量は2.8ルツク
ス・秒(1,8ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
実施例5
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1、第2、及び第3調節弁(707,
708、及び709)を解放し、第1タンク(701)
より水素ガス、第2タンク(702)よりブタジインガ
ス、及び第3タンク(703)より酸素ガスを各々出力
圧1.0Kg70m2の下で第1、第2、及び第3流量
制御器(713,714、及び715)内へ流入させた
。
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1、第2、及び第3調節弁(707,
708、及び709)を解放し、第1タンク(701)
より水素ガス、第2タンク(702)よりブタジインガ
ス、及び第3タンク(703)より酸素ガスを各々出力
圧1.0Kg70m2の下で第1、第2、及び第3流量
制御器(713,714、及び715)内へ流入させた
。
同時に、第2容器(720)よりカリウムメタクリレー
ト(K−MA)ガスを第2温調器(723)温度260
℃のもとで第8流量制御器(729)内へ流入させた。
ト(K−MA)ガスを第2温調器(723)温度260
℃のもとで第8流量制御器(729)内へ流入させた。
各々の流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を
120secm、ブタジインガスの流量を50secm
1酸素ガスの流量を6secms及びカリウムメタクリ
レートガスの流量を5secmとなるように設定して、
途中混合器(731)を介して、主管(732)より反
応室(733)内へ流入した。各々の流量が安定した後
に、反応室(733)内の圧力が2.2Torrとなる
ように圧力調節弁(745)を調整した。一方、導電性
基板(752)としては、樅50×横50×厚3mmの
アルミニウム基板を用いて、予め230t:に加熱して
おき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選
択スイッチ(744)により接続しておいた低周波電源
(741)を投入し、電力印加電極(736)に170
Wattの電力を周波数800KH2(7)下で印加し
て約1時間30分プラズマ重合反応を行ない、導電性基
板(752)上に厚き15μmのa−C膜を電荷輸送層
ζして形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調
節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した。
120secm、ブタジインガスの流量を50secm
1酸素ガスの流量を6secms及びカリウムメタクリ
レートガスの流量を5secmとなるように設定して、
途中混合器(731)を介して、主管(732)より反
応室(733)内へ流入した。各々の流量が安定した後
に、反応室(733)内の圧力が2.2Torrとなる
ように圧力調節弁(745)を調整した。一方、導電性
基板(752)としては、樅50×横50×厚3mmの
アルミニウム基板を用いて、予め230t:に加熱して
おき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選
択スイッチ(744)により接続しておいた低周波電源
(741)を投入し、電力印加電極(736)に170
Wattの電力を周波数800KH2(7)下で印加し
て約1時間30分プラズマ重合反応を行ない、導電性基
板(752)上に厚き15μmのa−C膜を電荷輸送層
ζして形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調
節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して41原子%であった。また、
オージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、
カリウム原子の量は全構成原子に対して0.9原子%で
あった。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対し
て1.8原子%であった。
析行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して41原子%であった。また、
オージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、
カリウム原子の量は全構成原子に対して0.9原子%で
あった。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対し
て1.8原子%であった。
電荷発生層形成工程:
次いで、一部タンクを交換し、第1調節弁(707)、
第2調節弁(708)、第5調節弁(711)、及び第
6調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)か
ら水素ガス、第2タンク(702)からゲルマンガス、
第5タンク(705)からメタンガス、及び第6タンク
(706)からシランガスを、出力圧IKg/cm2の
下で第1、第2、第5、及び第6流量制御器(713,
714,717、及び718)内へ流入させた。
第2調節弁(708)、第5調節弁(711)、及び第
6調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)か
ら水素ガス、第2タンク(702)からゲルマンガス、
第5タンク(705)からメタンガス、及び第6タンク
(706)からシランガスを、出力圧IKg/cm2の
下で第1、第2、第5、及び第6流量制御器(713,
714,717、及び718)内へ流入させた。
同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(
704)より水素ガスで10ppmに希釈されたホスフ
ィンガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量
制御器(716)内へ、流入きせた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を200secm、ゲルマ
ンガスの流量を68 CCm %メタンガスの流量を3
sccmXシランガスの流量を200secm、水素ガ
スで1100ppに希釈されたホスフィンガスの流量を
1osccmに設定し、反応室(733)内に流入させ
た。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の
圧力が1.0Torrとなるように圧力調節弁(745
)を調整した。一方、a−C膜が形成きれている導電性
基板(752)は、230℃に加熱しておき、ガス流量
及び圧力が安定した状態で、高周波電源(739)より
周波数13゜56MHzの下で電力印加電極(736)
に35Wattの電力を印加し、グロー放電を発生させ
た。この放電を5分間行ない、厚き0.3μmの電荷発
生層を得た。
704)より水素ガスで10ppmに希釈されたホスフ
ィンガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量
制御器(716)内へ、流入きせた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を200secm、ゲルマ
ンガスの流量を68 CCm %メタンガスの流量を3
sccmXシランガスの流量を200secm、水素ガ
スで1100ppに希釈されたホスフィンガスの流量を
1osccmに設定し、反応室(733)内に流入させ
た。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の
圧力が1.0Torrとなるように圧力調節弁(745
)を調整した。一方、a−C膜が形成きれている導電性
基板(752)は、230℃に加熱しておき、ガス流量
及び圧力が安定した状態で、高周波電源(739)より
周波数13゜56MHzの下で電力印加電極(736)
に35Wattの電力を印加し、グロー放電を発生させ
た。この放電を5分間行ない、厚き0.3μmの電荷発
生層を得た。
得られたa−Si膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して18原子%、燐原子は12原子ppm、
炭素原子は0.3原子%、ゲルマニウム原子は10.4
原子%であった。
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して18原子%、燐原子は12原子ppm、
炭素原子は0.3原子%、ゲルマニウム原子は10.4
原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一630V (+940V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3umであることから1μm当り
の帯電能は41V/μm(61V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一630V (+940V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3umであることから1μm当り
の帯電能は41V/μm(61V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にま・で暗減衰するのに要した時間は約22秒(約3
3秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有す
る事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した
後、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位に
まで明減衰きせたとこる必要とされた光量は2.0ルツ
クス・秒(6,5ルツクス・秒)であり、このことから
充分な光感度性能を有する事が理解された。
位にま・で暗減衰するのに要した時間は約22秒(約3
3秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有す
る事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した
後、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位に
まで明減衰きせたとこる必要とされた光量は2.0ルツ
クス・秒(6,5ルツクス・秒)であり、このことから
充分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
第1区乃至第6図は本発明感光体の構成を示す図面、第
7図乃至第8図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 手続補正書 昭和62年10月?1 日
7図乃至第8図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 手続補正書 昭和62年10月?1 日
Claims (1)
- 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
おいて、該電荷輸送層は少なくとも酸素原子とアルカリ
金属原子とを含有してなる水素化アモルファスカーボン
膜であり、かつ、該電荷発生層は炭素原子を含有すると
共に燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有し
てなる水素化アモルファスシリコンゲルマニウム膜或は
炭素原子を含有すると共に燐原子及び硼素原子のうち少
なくとも一方を含有してなる弗素化アモルファスシリコ
ンゲルマニウム膜であることを特徴とする感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22939886A JPS6382426A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22939886A JPS6382426A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6382426A true JPS6382426A (ja) | 1988-04-13 |
Family
ID=16891580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22939886A Pending JPS6382426A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6382426A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5906708A (en) * | 1994-11-10 | 1999-05-25 | Lawrence Semiconductor Research Laboratory, Inc. | Silicon-germanium-carbon compositions in selective etch processes |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP22939886A patent/JPS6382426A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5906708A (en) * | 1994-11-10 | 1999-05-25 | Lawrence Semiconductor Research Laboratory, Inc. | Silicon-germanium-carbon compositions in selective etch processes |
US5961877A (en) * | 1994-11-10 | 1999-10-05 | Robinson; Mcdonald | Wet chemical etchants |
US6064081A (en) * | 1994-11-10 | 2000-05-16 | Lawrence Semiconductor Research Laboratory, Inc. | Silicon-germanium-carbon compositions and processes thereof |
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