JPS6381475A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。

従米挾術 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発き
れ実用化されてきた。

従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散き
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。

このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることがら、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も多
い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。ざらに、アモ
ルファスシリコンは、元来、比胱電率が高いため帯電性
能が低く、複写機内で所定の表面電位に？ｆ７ｒ１する
ためには膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファ
スシリコン膜を長時間堆積きせなくてはならない。

ところでアモルファスカーボン膜自体は、プラズマ有機
重合膜として古くより知られており、例えばジエン（Ｍ
、５ｈｅｎ）及びベル（Ａ、Ｔ。

Ｂｅ１ｌ）により、１９７３年発行ののジャーナル・オ
ブ・アプライド・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ　　ｏｆ　　Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐ。

ｌｙｍｅｒ　　５ｃｉｅｎｃｅ）第１７巻の第８８５頁
乃至第８９２頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作製きれ得る事が、また、同著者により、１９７９年
のアメリカンケミカルソサエティー（Ａｍｅｒｉｃａｎ
　　ＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）発行によるプラ
ズマボリマライゼーション（Ｐｌａｓｍａ　　Ｐｏｌｙ
ｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でもその成膜性が論じられ
ている。

しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如く１０１ＳΩＣｍ程
度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくと
もそのような膜であるとの認識のもとに用いられていた
。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識か
ら、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層に
限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバー
コート層としてしか用いられていなかった。

例えば、特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５
９−３８７５３号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される１０１３〜１０！５Ωｃｍの高抵抗のプラズマ
重合膜を１０人〜１００人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示きれている。特開昭５９−
１３６７４２号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として１〜５μｍ程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている。

特開昭６０−６３５４１号公報には、アルミ基板とその
上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接着層として２００人〜２μｍのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電荷
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている。

これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、ａ−３ｉ
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。

また、例えば、特開昭５０−２０７２８号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を０．１〜１μ
ｍ設けた感光体が開示きれている。特開昭５９−２１４
８５９号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて５μｍ程度の膜を形成さ
せる技術が開示されている。特開昭６０−６１７６１号
公報には、表面保護層として、５００人〜２μｍのダイ
ヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光性
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされてている。

特開昭６０−２４９１１５号公報には、０．０５〜５μ
ｍ程度の無定形成。

素または硬質炭素膜を表面保護層として用いる技術が開
示され、膜厚が５μｍを越えると感光体活性に悪影響が
及ぶとされている。

これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、ａ−３ｉの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。

また、特開昭５１−４６１３０号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって０．００１〜３μｍのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、ａ−Ｓｉの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。

一方、アモルファスシリコン膜については、スピア（Ｗ
、Ｅ、５ｐｅａｒ）及びレコンバ（Ｐ。

Ｇ、ＬｅＣｏｍｂｅｒ）により１９７６年発行のフィロ
ソフィカル・マガジン（Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ　
　Ｍａｇａｚｉｎｅ）第３３巻の第９３５頁乃至第９４
９頁において、極性制御が可能な材料である事が報じら
れて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭５６−
６２２５４号公報、特開昭５７−１１９３５６号公報、
特開昭５７−１７７１４７号公報、特開昭５７−１１９
３５７号公報、特開昭５７−１７７１４９号公報、特開
昭５７−１１９３５７号公報、特開昭５７−１７７１４
６号公報、特開昭５７−１７７１４８号公報、特開昭５
７−１７４４４８号公報、特開昭５７−１７４４４９号
公報、特開昭５７−１７４４５０号公報、等に、炭素原
子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示きれて
いるが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭素
原子により調整する事を目的としたものであり、また、
アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。

発Ｂが７決しようとする間Ｉ″脣 以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用されていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々５μｍ程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用され
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。

本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が酸素原
子を含有せしめる事により、燐原子及び硼素原子のうち
少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を含有してな
る水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム
膜との積層においては電荷輸送性を有し、容易に好適な
電子写真特性を示し始める事を見出した。その理論的解
釈には本発明者においても不明確な点が多く詳細に亙り
言及はできないが、酸素原子含有水素化アモルファスカ
ーボン膜中に捕捉されている比較的不安定なエネルギー
状態の電子、例えばπ電子、不対電子、残存フリーラジ
カル等が形成するバンド構造が、燐原子及び硼素原子の
うち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を含有し
てなる水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニ
ウム膜が形成するバンド構造と電導帯もしくは荷電子帯
において近似したエネルギー準位を有するため、燐原子
及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有すると共に酸
素原子を含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシ
リコンゲルマニウム膜中で発生したキャリアが容易に酸
素原子含有水素化アモルファスカーボン膜中へ注入され
、ざらに、このキャリアは前述の比較的不安定なエネル
ギー状態の電子の作用により酸素原子含有水素化アモル
ファスカーボン膜中を好適に走行し得るためと推定され
る。

本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に少なくとも酸素原子を含有
してなる水素化アモルファスカーボン膜を電荷輸送層と
して使用いかつ、燐原子及び硼素原子のうち少なくとも
一方を含有すると共に酸素原子を含有してなる水素（し
或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウムのＭ膜を
電荷発生層として使用した感光体を提供する事を目的と
する。

１”点を解決するための 即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成される少なくとも酸素原子を含有してなる
水素化アモルファスカーボン膜であり、かつ、該電荷発
生層が燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有
すると共に酸素原子を含有してなる水素化或は弗素化ア
モルファスシリコンゲルマニウム膜であることを特徴と
する感光体に関する（以下、本発明による電荷輸送層を
ａ−Ｃ膜及び電荷発生層をａ−Ｓｉ膜と称する）。

本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能ざえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成されたものである。

即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成きれる少なくとも酸素原子を含有して成る水素化アモ
ルファスカーボン膜を設け、がっ、電荷発生層として同
じくグロー放電により生成きれる燐原子及び硼素原子の
うち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を含有し
てなる水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニ
ウム膜を設けた事を特徴とする機能分離型感光体に関す
る。

該電荷輸送層は、可視光もしくは半導体レーザー光付近
の波長の光に対しては明確なる光導電性は有ざないが、
好適な輸送性を有し、ざらに、帯電能、耐久性、耐候性
、耐環境汚染性等の電子写真感光体性能に優れ、しかも
透光性にも優れるため、機能分離型感光体としての積層
構造を形成する場合においても極めて高い自由度が得ら
れるものである。また、該電荷発生層は、可視光もしく
は半導体レーザー光付近の波長の光に対して漬れた光導
電性を有し、しかも従来のアモルファスシリコン感光体
に比べて極めて簿い膜厚で、その機能を活かす事ができ
るものである。

本発明においては、ａ　−Ｃ膜を形成するために有機化
合物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。

該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。

使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、テ
°カン、ウンデカン、トチ゛カン、トリデカン、テトラ
デカン、ベンタテ゛カン、ヘキサコサン、ヘブタテ゛カ
ン、オクタコサン、ノナテ゛カン、エイコサン、ヘンエ
イコサン、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペン
タコサン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン
、ノナコサン、トリアコンタン、トドリアコンクン、ペ
ンタトリアコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、
イソブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサ
ン、ネオヘキサン、２，３−ジメヂルブタン、２−メチ
ルヘキサン、３−エチルペンタン、２．２−ジメチルペ
ンタン、２．４−ジメチルペンタン、３．３−ジメチル
ペンタン、トリブタン、２−メヂルヘブタン、３−メチ
ルへブタン、２．２−ジメチルヘキサン、２．２．５−
ジメチルヘキサン、２，２．３−トリメチルペンタン、
２，２．４−トリメチルペンタン、２，３゜３−トリメ
チルペンタン、２，３．４〜トリメチルペンタン、イソ
ナノン、等のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和
炭化水素としては、例えば、エチレ以プロピレン、イソ
ブチレン、１−ブテン、２−ブテン、１−ペンテン、２
−ペンテン、２−メチル−１−ブテン、３−メチル−１
−ブテン、２−メチル−２−ブテン、１−ヘキセン、テ
トラメチルエチレン、１−ヘプテン、１−オクテン、１
−ノネン、１−デセン、等のオレフィン、並びに、アレ
ン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサ
ジエン、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並び
に、オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエ
ン、等のトリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジ
イン、１゜３−ペンタジイン、２．４−へキサジイン、
メチルアセチレン、ｌ−ブチン、２−ブチン、１−ペン
チン、１−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチン、１
−ノニン、１−デシン、等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクＯテ゛
カン、シクロブンテ゛カン、シクロトリデカン、シクロ
トリデカン、シクロトリデカン、シクロペンタジェン、
シクロヘキサテ゛カン、等のシクロパラフィン並びに、
シクロプロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シク
ロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロ
ノネン、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、
リモネン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレ
ン、ツエン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン
、フエンチェン、シクロデセンチエン、トリシクレン、
ビサボレン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カ
ジネンセスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サ
ンタレン、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボ
ドカルブレン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイ
ド等が用いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、
ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイ
ドクメン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジ
ュレン、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン
、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレ
ン、ビフェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、ト
リフェニルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン
、ナフタリン、テトラリン、アントラセン、フェナント
レン、等が用いられる。

ざらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケ
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね３０乃
至６０原子％含有される。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えばＯＮ
Ｈ分析を用いる事により知る事がで夛る。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。

本発明における電荷輸送層としてのａ　−Ｃ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、５乃至５
０μｍ、特に７乃至２０μｍが適当であり、５Ｌｔｍよ
り薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得
る事ができない。また、５０Ｌｔｍより厚いと、生産性
の面で好ましくない。

このａ−Ｃ膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に５ＬＩ。

ｍ以上としてもキャリアはトラップされる事無く輸送き
れ明減衰に寄与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ　−Ｃ膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成きれるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、ざらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。

本発明においては炭化水素の他に、ａ　−Ｃ膜中に少な
くとも酸素原子を添加するために酸素化合物が使用され
る。該酸素化合物における相状態は常温常圧において必
ずしも気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶
融、蒸発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相
でも固相でも使用可能である。酸素化合物としては、例
えば、酸素、オゾン、水蒸気、−酸化炭素、二酸化炭素
、亜酸化炭素、等の無機化合物、水酸基（−ＯＨ）　、
アルデヒド基（−ＣＯＨ）　、アシル基（ＲＣＯ−、−
ＣＲＯ）　、ケトン基（＞Ｃｏ）、エーテル結合（−〇
−）、エステル結合（−Ｃｏｏ−）　、酸素を含む複素
環、等の官能基或は結合を有する有機化合物、等が用い
られる。水酸基を有する有機化合物としでは、例えば、
メタノール、エタノール、プロパツール、ブタノール、
フリルアルコール、フルオロエタノール、フルオロブタ
ノール、フェノール、シクロヘキサノール、ベンジルア
ルコール、フルフリルアルコール、等が用いられる。ア
ルデヒド基を有する有機化合物としては、例えば、ホル
ムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオアルデヒド
、ブチルアルデヒド、グリオキサール、アクロレイン、
ベンズアルデヒド、フルフラール、等が用いられる。ア
シル基を有する有機化合物としては、例えば、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、パルミチン酸、ステ
アリン酸、オレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸
、安息香酸、トルイル酸、サリチル酸、ケイヒ酸、ナフ
トエ酸、フタル酸、フラン酸、等が用いられる。ケトン
基を有する有機化合物としては、例えば、アセトン、エ
チルメチルケトン、メチルプロピルケトン、ブチルメチ
ルケトン、ビナコロン、ジエチルケトン、メチルビニル
ケトン、メシチルオキシド、メチルへブテノン、シクロ
ブタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセ
トフェノン、プロピオフェノン、ブチロフェノン、バレ
ロフエノン、ジベンジルケトン、アセトナフトン、アセ
トチェノン、アセトフロン、等が用いられる。エーテル
結合を有する有機化合物としては、例えば、メチルエー
テル、エチルエーテル、プロピルエーテル、ブチルエー
テル、アミルエーテル、エチルメチルエーテル、メチル
プロピルエーテル、メチルブチルエーテル、メチルアミ
ルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチルエ
ーテル、エチルアミルエーテル、ビニルエーテル、アリ
ルエーテル、メチルビニルエーテル、メチルフリルエー
テル、エチルビニルエーテル、エチルフリルエーテル、
アニソール、フエネトール、フェニルエーテル、ベンジ
ルエーテル、フェニルベンジルエーテル、ナフチルエー
テル、酸化エチレン、酸化プロピレン、酸化トリメチレ
ン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロビラン、ジオキ
サン、等が用いられる。エステル結合を有する有機化合
物としては、例えば、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プ
ロピル、ギ酸ブチル、ギ酸アミル、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピ
オン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロ
ピル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸アミル、酪酸
メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル、ｆｆ３酸ブチル、
酪酸アミル、吉草酸メチル、吉草酸エチル、吉草酸プロ
ピル、吉草酸ブチル、吉草酸アミル、安息香酸メチル、
安息香酸エチル、ケイ皮酸メチル、ケイ皮酸エチル、ケ
イ皮酸プロピル、サリチル酸メチル、サリチル酸エチル
、サリチル酸プロピル、サリチル酸ブチル、サリチル酸
アミル、アントラニル酸メチル、アントラニル酸エチル
、アントラニル酸ブチル、アントラニル酸アミル、フタ
ル酸メチル、フタル酸エチル、フタル酸ブチル、等か用
いられる。酸素を含む複素環化合物としては、フラン、
オキサゾール、フラザン、ビラン、オキサジン、モルホ
リン、ベンゾフラン、バンゾオキサゾール、クロメン、
クロマン、ジベンゾフラン、キサンチン、フェノキサジ
ン、オキソラン、ジオキソラン、オキサチオラン、オキ
サジアジン、ベンゾイソオキサゾール、等が用いられる
。

本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子の量は、全構成原子に対して７，０原子％以下である
。ここで酸素原子の膜中含有量は、元素分析の常法、例
えばオージェ分析により知る事ができる。酸素原子の量
が７．０原子％より高い場合には、少量の添加では好適
な輸送性を保証していた酸素原子が、膜の高抵抗化を招
く作用を示し、残留電位の上昇を来たす。また、酸素源
ガスの一部のもの、例えば、酸素ガス、オゾンガス、−
酸化炭素ガス等においては、エツチング効果が強く現れ
、その流量を増やす事により酸素原子の膜中への添加量
を増加させようとすると、成膜速度が低下し、ある程度
の膜厚が必要ときれる電荷輸送層の成膜においては不都
合となる。従って、本発明における酸素原子添加量の範
囲は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への前述
の酸素化合物の導入量を増減することにより制御するこ
とが可能である。酸素化合物の導入量を増大させれば、
本発明によるａ　−Ｃ膜中への酸素原子の添加量を高く
することが可能であり、逆に酸素化合物の導入量を減少
させれば、本発明によるａ　−Ｃ膜中への酸素原子の添
加量を低くすることが可能である。

本発明においては、ａ−Ｓｉ膜を形成するためにシラン
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、化学的修飾物質として燐原子或は硼素原子を
膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィン
ガス或はジボランガス等が用いられる。ざらに、化学的
修飾物質として酸素原子を膜中に含有せしめるための原
料ガスとして、酸素ガス、亜酸化窒素ガス、オゾンガス
、或は、−酸化炭素ガス、等の酸素化合物ガスが用いら
れる。また、ゲルマニウム原子を含有させるために、ゲ
ルマンガスが用いられる。

本発明におけるａ−Ｓｉ膜中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量は、シリコン原子とゲルマニウム原子との
総和に対して、３０原子％以下が好ましい。ここで、ゲ
ルマニウム原子及びシリコン原子の含有率は、元素分析
の常法、例えばオージェ分析により知る事ができる。ゲ
ルマニウム原子の含有量は、膜形成時に流入するゲルマ
ンガスの流量を増加する事により高くなる。ゲルマニウ
ム原子の含有量が高くなるにつれ本発明感光体の長波長
感度は向上し、短波長領域から長波長領域にまで輻広く
露光源が選択され得るようになり好ましいが、ゲルマニ
ウム原子が３０原子％より多く含有されると帯電能の低
下を招くため、過剰の添加は好ましくない。従って、本
発明におけるａ−３ｉ膜中に含有されるゲルマニウム原
子の含有量は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有される燐原子
或は硼素原子の量は、全構成原子に対して２００００原
子ｐｐｍ以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はＩ
ＭＡ分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子の
膜中含有量が２００００原子ｐｐｍより高い場合には、
少量の添加では好適な輸送性、或は、極性制御効果を保
証していた燐原子或は−素原子が、逆に膜の低抵抗化を
招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、本発
明における燐原子或は硼素原子添加量の範囲は重要であ
る。

本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子の量は、全構成原子に対して０．００１乃至１原子％
である。ここで酸素原子の膜中含有量は、元素分析の常
法、例えばオージェ分析或はＩＭＡ分析により知る事が
できる。酸素原子の膜中含有量が０．００１原子％より
低い場合には、ａ−３ｉ膜の電気抵抗値が低くなる事か
らａ−Ｓｉ膜にコロナ帯電等による電界がかかりにくく
なり、光励起キャリアが必ず゛しも効率よ＜ａ−Ｃ膜中
に注入されなくなり感度の低下を招く。また、帯電能も
低下する。酸素原子の膜中含有量が１原子％より高い場
合には、逆にａ−Ｓｉ膜の電気抵抗値が高くなりすぎる
事から、光励起キャリアの発生効率並びに５動速度が低
下し、感度の低下を招く。従って、本発明における酸素
原子添加量のｌｉ！囲は重要である。

本発明におけるａ−Ｓｉ膜中に含まれる水素原子或は弗
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね１０乃至３５原
子％含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えば○ＮＨ分析、オージ
ェ分析等を用いる事により知る事ができる。

本発明における電荷発生層としてのａ−３ｉ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、０．１乃
至５μｍが適当であり、０．１μｍより薄いと、・光吸
収が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、
感度の低下を招く。また、５ｕｍより厚いと、生産性の
面で好ましくない。このａ−３ｉ膜は電荷発生能に富み
、ざらに、本発明の最も特徴とするところのａ−Ｃ膜と
の積層構成において効率よ＜ａ−Ｃ膜中に発生キャリア
を注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である
。

本発明における原料気体からａ−３ｉ膜を形成する過程
は、ａ−ＣＢＱを形成する場合と同様にして行なわれる
。

本発明において化学的Ｉｌで飾物質として含有される酸
素原子、燐原子、或は、硼素原子の量は、主に、プラズ
マ反応を行なう反応室への前述の酸素化合物ガス、ホス
フィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増減するこ
とにより制御することが可能である。酸素化合物ガス、
ホスフィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増大さ
せれば、本発明によるａ−３ｉ膜中への酸素原子、燐原
子、或は、硼素原子の添加量を高くすることが可能であ
り、逆に酸素化合物ガス、ホスフィンガス、或は、ジボ
ランガスの導入量を減少させれば、本発明によるａ−５
ｉ膜中への酸素原子、燐原子、或は、硼素原子の添加量
を低くすることが可能である。

本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。

第１図は、その一形態として、導電性基板（１）上に電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）を順次積層してなる
構成を示したものである。第２図は、別の一形態として
、導電性基板（１）上に電荷発生層（３）と電荷輸送層
（２）を順次積層してなる構成を示したものである。第
３図は、別の一形態として、導電性基板（１）上に、電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。

感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第１図では
電荷発生層（３）で発生した正孔が電荷輸送層（２）中
を導電性基板（１）に向は走行し、第２図では電荷発生
層（３）で発生した電子が電荷輸送層（２）中を感光体
表面に向は走行し、第３図では電荷発生層（３）で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層（２）中を導電性
基板（１）に向は走行すると共に、同時に電荷発生層（
３）で発生した電子が表面側の電荷輸送層（２）中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証された静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第２図及び第３図では、画像露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷輸
送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を行な
うことが可能である。

第４図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）、
上に電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と表面保護層
（４）を順次積層してなる構成を示したものである。即
ち第１図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが
、第１図の形態では、最表面が耐湿性に乏しいａ−Ｓｉ
膜で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性を
確保するために表面保護層を設けることが好ましい。第
２図及び第３図の構成の場合、最表面が耐久性に優れた
ａ−Ｃ膜であるため表面保護層を設けなくてもよいが、
例えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止する
ような、複写機内の各種エレメントに対する整合性を調
整する目的から、表面保護層を設けることもざらなる一
形態と成りうる。

第５図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第２
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第２図の
形態では、導電性基板との接合面がａ−Ｓｉ膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第１図及び第３図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。

第６図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷輸送層（２）と電荷発生ＦＪ　（
３）と表面保護層（４）を順次積層してなる構成を示し
たものである。即ち第１図の形態に中間層と表面保護層
を設けた形態に相当する。

中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
って第２図及び第３図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもさらなる一形態と成りうる。

本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるａ　−Ｃ膜を用いてもよい。但し、用
いる材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料であ
る場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は５ｕｍ以
下に留める必要がある。

本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電極を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積させる、所謂プラズマ重合反応
から生成される事が好ましい。

第７図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
（７０１）〜（７０６）は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第１乃至第６タ
ンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７）
〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器（７１３）〜（
７１８）に接続きれている。図中（７１９）〜（７２１
）は常温において液相または固相状態にある原料化合物
を封入した第１乃至第３容器で、各々の容器は気化のた
め第１乃至第３温調器（７２２）〜（７２４）により与
熱可能であり、ざらに各々の容器は第７乃至第９調節弁
（７２５）〜（７２７）と第７乃至第９流量制都器（７
２８）〜（７３０）に接続されている。これらのガスは
混合器（７３１）で混合された後、主管（７３２）を介
して反応室（７３３）に送り込まれる。途中の配管は、
常温において液相または固相状態にあった原料化合物が
気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置さ
れた配管加熱器（７３４）により、与熱可能とされてい
る。反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電極（
７３６）が対向して設置され、各々の電極は電極加熱型
（７３７）により与熱可能とされている。電力印加電極
（７３６）には、高周波電力用整合器（７３８）を介し
て高周波電源（７３９）、低周波電力用整合器（７４０
）を介して低周波電源（７４１）、ローパスフィルタ（
７４２）を介して直流電源（７４３）が接続されており
、接続選択スイッチ（７４４）により周波数の異なる電
力が印加可能とされている。反応室（７３３）内の圧力
は圧力制御弁（７４５）により調整可能であり、反応室
（７３３）内の減圧は、排気系選択弁（７４６）を介し
て、拡散ポンプ（７４７）　、油回転ポンプ（７４８）
　、或は、冷却除外装置（７４９）　、メカニカルブー
スターポンプ（７５０）、油回転ポンプ（７４８）によ
り行なわれる。排ガスについては、ざらに適当な除外装
置（７５３）により安全無害化した後、大気中に排気さ
れる。これら排気系配管についても、常温において液相
または固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、
途中で凝結しないように、適宜配置された配管加熱器（
７３４）により、与熱可能とされている。反応室（７３
３）も同様の理由から反応室加熱器（７５１）により与
熱可能ときれ、内部に配された電極上に導電性基板（７
５２）が設置きれる。第７図において導電性基板（７５
２）は接地Ｎ極（７３５）に固定して配ざ。

れているが、電力中加電ｉ　（７３６）に固定して配さ
れてもよく、ざらに双方に配されてもよい。

第８図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室（８３３）内部の形態以外は、第７図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、７００番台のものを８００番台に置
き換えて解すればよい。第８図において、反応室（８３
３）内部には、第７図における接地型ｉ　（７３５）を
兼ねた円筒形の導電性基板（８５２）が設置され、内側
には電極加熱器（８３７）が配されている。導電性基板
（８５２）周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極
（８３６）が配きれ、外側には電極加熱器（８３７）が
配されている。導電性基板（８５２）は、外部より駆動
モータ（８５４）を用いて自転可能となっている。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０−４乃至１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度
のｉ１認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同
時に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配さ
れた導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板
には、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得る
ために、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷
発生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電
荷発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を
用いてもよい。次いで、第１乃至第６タンク及び第１乃
至第３容器から、原料ガスを適宜第１乃至第９流量制御
器を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調
節弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量
が安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周
波電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する
。両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固
相の膜が形成きれる。ａ−３ｉ膜或はａ−Ｃ膜は、原料
ガスを代える事により任意に形成可能である。放電を一
旦停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を再開
すれば異なる組成の膜を積層する事ができる。また、放
電を持続させながら原料ガス流量だけを徐々に代え、異
なる組成の膜を勾配を持たせながら積層する事も可能で
ある。

反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並びに積層構
成に達したところで放電を停止−本発明による感光体を
得る。次いで、第１乃至第９調節弁を閉じ、反応室内を
充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる場
合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明による
感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、電
荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場合には
、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を破
り収り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発明
による感光体を得る。

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。

火塵Ａ上 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図【こ示す如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置におし）て、まず、反
応装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の
高真空にした後、第３調節弁（７０９）を解放し、第３
タンク（７０３）より酸素ガスを出力圧１．０Ｋｇ／ｃ
ｍ２の下で第３流量制御器（７１５）内へ流入させた。

同時に、第１容器（７１９）よりミルセンガスを第１温
調器（７２２）温度８５℃のもと第７流量制御Ｉ器（７
２８）内へ流入させた。酸素ガスの流量を４ｓｅｃｍ、
及びミルセンガスの流量を２０ｓｅｃｍとなるようＧこ
設定して、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３
２）より反応室（７３３）内へ流入した。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が１．５Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、縦５
０Ｘ横５０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予
め１５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続
しておいた低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電
極（７３６）に１２０Ｗａｔｔの電力を周波数３５ＫＨ
ｚの下で印加して約２時間４０分プラズマ重　。

合反応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚き１５μ
ｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。

成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応
室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の！９量に対して４７原子％であった。ま
た、オージェ分析より含有きれる酸素原子の量は全構成
原子に対して０．７原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７Ｏ７）、
第２調節弁（７０８）、第５調節弁（７１１）、及び第
６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）か
ら水素ガス、第２タンク（７０２）からゲルマンガス、
第５タンク（７０５）から亜酸化窒素ガス、及び第６タ
ンク（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ
２の下で第１、第２、第５、及び第６流量制８ｇ器（７
１３，７１４，７１７、及び７１８）内へ流入きせた。

同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（
７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボ
ランガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量
制ｉ１１！（７１６）内へ、流入きせた。各流量制御器
の目盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、ゲ
ルマンガスの流量を６ｓｅｃｍ、亜酸化窒素ガスの流量
を０．０１３ＣＣｍ、シランガスの流量を１０１００５
ｅ。

水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボランガスの流
量を１０１０５ｅとなるように設定し、反応室（７３３
）内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反応室
（７３３）内の圧力が０．９Ｔｏｒｒとなるように圧力
調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成さ
れている導電性基板（７５２）は、２３０℃に加熱して
おき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源
（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加
電極（７３６）に４５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー
放電を発生させた。この放電を５分間行ない、厚き０．
３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−３ｉ膜につき、金属中○ＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２２原子％、硼素原子は１０原子ｐｐｍ
％酸素原子は０．００１原子％、ゲルマニウム原子は１
０．１原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正１！Ｆ電時の測定値を括弧内に示すが、
最高帯電電位は一５０５Ｖ　（＋５２０Ｖ）で有り、即
ち、全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ
当りの帯電能は３３■／μｍ　（３４Ｖ／μｍ）と極め
て高く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解
された。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１３秒（約１２
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は１．３ルツク
ス・秒（１，２ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。また、最高帯
電電位に初期帯電した後、半導体レーザー光（発光波長
７８０ｎｍ）を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位
にまで明減衰させたところ必要とされた光量は８．５ｅ
ｒｇ／ｃｍ２（８，３ｅｒｇ／ａｍ２）であり、このこ
とから充分な長波長光感度性能を有する事が理解された
。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

＾施例旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０＝Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高真
空にした後、第３調節弁（７０９）を解放い第３タンク
（７０３）よ亜酸化窒素ガスを出力圧１．０Ｋｇ／Ｃｍ
２の下で第３流量制御器（７１５）内へ流入させな。同
時に、第１容器（７１９）よりスチレンガスを第１温調
器（７２２）温度３０℃のもと第７流量制御器（７２８
）内へ流入させた。亜酸化窒素ガスの流量を１５ｓｃａ
ｍ、及びスチレンガスの流量を４５ｓｅｃｍとなるよう
に設定して、途中混合器（７３１）を介して、主管（７
３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量
が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１．８Ｔ
ｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。

一方、導電性基板（７５２）としては、！５０Ｘ横５０
Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め１５０℃
に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、
予め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた
低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６
）に１３０Ｗａｔｔの電力を周波数４０ＫＨｚの下で印
加して約１時間１５分プラズマ重合反応を行ない、導電
性基板（７５２）上に厚ざ１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸
送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し
、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した
。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４２原子％であった。また
、オージェ分析より含有きれる酸素原子の量は、全構成
原子に対して、１．９原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２ＦＩ節弁（７０８）、第５調節弁（７１１）、及び
第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）
から水素ガス、第２タンク（７０２）からゲルマンガス
、第５タンク（７０５）から亜酸化窒素ガス、及び第６
タンク（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ａ
ｍ２の下で第１、第２、第５、及び第６流量制御器（７
１３，７１４，７１７、及び７１８）内へ流入させた。

同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（
７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボ
ランガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量
制御器（７１６）内へ、流入させた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、ゲルマ
ンガスの流量を６　ｓ　ｃ　ａｍ、亜酸化窒素ガスの流
量を３ｓｅｃｍ１シランガスの流量を１０１００５ｅ、
水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボランガスの流
量を１０１０５ｅに設定し、反応室（７３３）内に流入
させな。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）
内の圧力が１．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７
４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導
電性基板（７５２）は、２４０℃に加熱しておき、ガス
流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源（７３９）
より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３
６）に４５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生
させた。この放電を５分間行ない、厚ざ０．３μｍの電
荷発生層を得た。

得られたａ−３ｉ膜につ苦、金属中ＯＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）、オージェ分析、及びＩＭ
Ａ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構成
原子に対して２１原子％、硼素原子は１１原子ｐＩ）ｍ
Ｎ酸素原子は０．３１原子％、ゲルマニウム原子は９．
７原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如さ一性能が得られ
た。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最
高帯電電位は一７２０Ｖ　（＋７４０Ｖ）で有り、即ち
、全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当
りの帯電能は４７Ｖ／μｍ（４８Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約２７秒（約２８
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は２．５ルツク
ス・秒（２，０ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解きれた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作偉して転写したところ、鮮明な画体が得られた
。

害旋伝旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−’Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１、第２、及び第３（７０７，７０８、及
び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガ
ス、第２タンク（７０２）よりエチレンガス、及び第３
タンク（７０３）より酸素ガスを各々出力圧１．０Ｋｇ
／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第３流量制御器（７１
３，７１４、及び７１５）内へ流入きせた。そして各流
量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を６０ｓｅ
ｃｍ、エチレンガスの流量を６０ｓｅｃｍ１及び酸素ガ
スの流量を１０１０５ｅとなるように設定して、途中混
合器（７３１）を介して、主！　（７３２）より反応室
（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定した後に、
反応室（７３３）内の圧力が２．２Ｔｏｒｒとなるよう
に圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、導電性基板
（７５２）としては、樅５０Ｘ横５０Ｘ厚３ｍｍのアル
ミニウム基板を用いて、予め２５０℃に加熱しておき、
ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイ
ッチ（７４４）により接続しておいた高周波電源（７３
９）を投入し、電力印加電極（７３６）に１５０Ｗａｔ
ｔの電力を周波数１３．５６ＭＨｚの下で印加して約３
時間プラズマ重合反応を行ない、導電性基板（７５２）
上に厚き１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層として形成し
た。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、
反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して３９原子％、また、オージェ
分析より含有きれる酸素原子の量は全構成原子に対して
３．０原子％であっ電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、第５調節弁（７１１）、及び第
６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）か
ら水素ガス、第２タンク（７０２）からゲルマンガス、
第５タンク（７０５）から酸素ガス、及び第６タンク（
７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下
で第１、第２、第５、及び第６流量制御器（７１３，７
１４，７１７、及び７１８）内へ流入させた。同時に、
第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（７０４）
より水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボランガス
を、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量制御器（
７１６）内へ、流入きせた。

シランガスの流量を１０１００５ｅ、水素ガスで１００
　ｐ　ｐｍに希釈されたジボランガスの流量を５０ｓｅ
ｃｍに設定し、反応室（７３３）内に流入きせた。各々
の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０
．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整
した。一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７
５２）は、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力
が安定した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１
３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に４０Ｗ
ａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生きせな。この
放電を５分間行ない、厚さ０．３μｍの電荷発生層を得
た。

得られたａ−５ｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２４原子％、硼素原子は４５原子ｐｐｍ
、酸素原子は１原子％、ゲルマニウム原子は１１原子％
であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一９２０Ｖ　（＋８４０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は６０Ｖ／μｍ（５４Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａＸからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約３５秒（約３６
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要ときれた光量は７．２ルツク
ス・秒（４，３ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

Ｘ塵遡４ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，７０
８、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）より
水素ガス、第２タンク（７０２）よりブタジェンガス、
及び第３タンク（７０３）より酸素ガスを各々出力圧１
．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第３流量制御
器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入させた。

水素ガスの流量を９０ｓｅｃｍ、ブタジェンガスの流量
を７０ｓｅｃｍ、及び酸素ガスの流量を１８ｓｅｃｍと
なるように設定して、途中混合器（７３１）を介して、
主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各
々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が
２．２７ｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調
整した。

一方、導電性基板（７５２）としては、樅５０Ｘ横５０
×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め１２０℃
に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、
予め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた
低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６
）に１００Ｗａ１１の電力を周波数５００ＫＨｚの下で
印加して約３０分間プラズマ重合反応を行ない、導電性
基板（７５２）上に厚％１５μｍのａ−Ｃｌｌ！を電荷
輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止
し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気し
た。

以上のようにして得られたａ　−ＣＪｉにつき有機元素
分析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素
原子と水素原子の総量に対して５５原子％、また、オー
ジェ分析より含有される酸素原子の量は全構成原子に対
して４．８原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調筋弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、第３．７］節弁（７０９）、第
５調節弁（７１１）、及び第６調節弁（７１２）を解放
し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第２タンク（
７０２）からゲルマンガス、第３タンク（７０３）から
四弗化シランガス、第５タンク（７０５）から亜酸化窒
素ガス、及び第６タンク（７０６）からシランガスを、
出力圧ＩＫｇ／ａｍ２の下で第１、第２、第３、第５、
及び第６流量制御器（７１３，７１４，７１５，７１７
、及び７１８）内へ流入きせた。同時に、第４調節弁（
７１０）を解放し、第４タンク（７０４）より水素ガス
で１１００ｐｐに希釈されたジボランガスを、出力圧１
．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量制御器（７１６）内へ
、流入させた。各流量制御器の目盛を調整して水素ガス
の流量を２００ｓｅｃｍ、ゲルマンガスの流量を１０１
０５ｅ。

四弗化シランガスの流量を５０ｓｅｃｍ、亜酸化窒素ガ
スの流量をｌｓｅｃｍｓシランガスの流量を５０ｓｅｃ
ｍｓ水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボランガス
の流量を１０１０５ｅとなるように設定し、反応室（７
３３）内に流入させた。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が０．９Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、ａ　−Ｃ膜が形成きれている導電性基
板（７５２）は、２５０’Ｃに加熱しておき、ガス流量
及び圧力が安定した状態で、高周波電源（７３９）より
周波数１３．５６ＭＨ２の下で電力印加電極（７３６）
に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させ
た。この放電を５分間行ない、厚ざ０．３μｍの電荷発
生層を得た。

得られたａ−３ｔ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２２原子％、硼素原子は１０原子ｐｐｍ
、弗素原子は５原子％、酸素原子は０．１原子％、ゲル
マニウム原子は１７原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。２ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最
高帯電電位は一７４０Ｖ　（＋７７０Ｖ）で有り、即ち
、全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当
りの帯電能は４８■／μｍ（５１Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶ’ｍ　ａ　ｘからＶｍａｘの９０％の
表面電位にまで暗減衰するのに要した時間は約４３秒（
約４５秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を
有する事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電
した後、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電
位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は４．８
ルツクス・秒（４，５ルツクス・秒）であり、このこと
から充分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

大旅別旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程； 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，
７０８、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）
より水素ガス、第２タンク（７０２）よりアセチレンガ
ス、及び第３タンク（７０３）より酸素ガスを各々出力
圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第３流量
制ｔｎ！（７１３，７１４、笈び７１５）内へ流入させ
た。

そして各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量
を８８ｓｅｃｍ、アセチレンガスの流量を４５ｓｅｃｍ
、及び酸素ガスの流量が２４ｓｅｃｍとなるように設定
して、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）
より反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定
した後に、反応室（７３３）内の圧力が２．０Ｔｏｒｒ
となるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、
導電性基板（７５２）としては、樅５０Ｘ横５０×厚３
ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２００℃に加熱
しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接
続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた高周波
電源（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に１
００Ｗａｔｔの電力を周波数４ＭＨｚの下で印加して約
４時間４０分プラズマ重合反応を行ない、導電性基板（
７５２）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層とし
て形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁
を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なうたところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して３０原子％、また、オージ
ェ分析より含有される酸素原子の量は全構成原子に対し
て６．１原子％であつ電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、第５調節弁（７１１）、及び第
６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）か
ら水素ガス、第２タンク（７０２）からゲルマンガス、
第５タンク（７０５）から酸素ガス、及び第６タンク（
７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ａｍ２の下
で第１、第２、第５、及び第６流量制御器（７１３，７
１４，７１７、及び７１８）内へ流入させな。同時に、
第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（７０４）
より水素ガスで１０ｐｐｍに希釈されたホスフィンガス
を、出力圧１．５Ｋｇ／ａｍ２の下で第４流量制御器（
７１６）内へ、流入させた。

各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を２００
ｓｅｃｍ、ゲルマンガスの流量を３ｓｅｃｍ１酸素ガス
の流量を１．３ｓｅｃｍ、シランガスの流量を２００ｓ
ｅｃｍ、水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたホスフィ
ンガスの流量を１１０５ＣＣに設定し、反応室（７３３
）内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反応室
（７３３）内の圧力が０．９Ｔｏｒｒとなるように圧力
調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ１％が形成
されている導電性基板（７５２）は、２５０℃に加熱し
ておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波電
源（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印
加電極（７３６）に３５　Ｗ　ａｌｌの電力を印加し、
グロー放電を発生させた。

この放電を５分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層
を得た。

得られたａ−３ｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（見場製
作所袈ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して１８原子％、燐原子は１１原子ｐｐｍ、
酸素原子は０．３原子％ゲルマニウム原子は４．２原子
％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一７２０Ｖ　（＋９３０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は４７Ｖ／μｍ（６１Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約４１秒（約５０
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高Ｎ電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は５．６ルツク
ス・秒（１５，８ルツクス・秒）であり、このことから
充分な光感度性能を有する事が理解きれた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明感光体の構成を示す図面、第
７図乃至第８図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第１図　　第２図 第３図　　第４図 第５図　　第６図 手続補正書 昭和６２年１０月２１日 特許庁長官　小　川　邦　夫　殿 昭和６１年特許顆第６／−２２ｃ／ｊと７号２、発明の
名称 感光体 ３、補正をする者 事件との関係　　出願人 住所　大阪市東区安土町２丁目３０番地　大阪国際ビル
名称　（６０７）　　　ミ／ルタカメラ株式会社代表者
　山鳩英雄。 自発補正 ５、補正の対象 図面 ６、補正の内容 図面第８図を「訂正第８図」の通り補正します。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
   おいて、該電荷輸送層は少なくとも酸素原子を含有して
   なる水素化アモルファスカーボン膜であり、かつ、該電
   荷発生層は酸素原子を含有すると共に燐原子及び硼素原
   子のうち少なくとも一方を含有してなる水素化アモルフ
   ァスシリコンゲルマニウム膜或は酸素原子を含有すると
   共に燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有し
   てなる弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム膜であ
   ることを特徴とする感光体。