JPS6381988A - 光電子装置 - Google Patents
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- JPS6381988A JPS6381988A JP61226016A JP22601686A JPS6381988A JP S6381988 A JPS6381988 A JP S6381988A JP 61226016 A JP61226016 A JP 61226016A JP 22601686 A JP22601686 A JP 22601686A JP S6381988 A JPS6381988 A JP S6381988A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
- H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光電子装置、特に搭載した発光部または受光部
の位置確認が行なえるキャリアブロックを組み込んだ光
電子装置に関する。
の位置確認が行なえるキャリアブロックを組み込んだ光
電子装置に関する。
光通信用の発光源の一つとして、たとえば、工業調査会
発行「電子材料J 1983年10月号、昭和58年1
0月1日発行、P39〜P44頁に記載されているよう
に、光通信用レーザモジュール(半導体レーザ装置)が
開発されている。この半導体レーザ装置は、半導体レー
ザ素子の共振器端面に光ファイバの先端が対抗する、い
わゆる直接対向方式として組み立てられ、パッケージが
箱型となる偏平形モジュールとして提供されている。
発行「電子材料J 1983年10月号、昭和58年1
0月1日発行、P39〜P44頁に記載されているよう
に、光通信用レーザモジュール(半導体レーザ装置)が
開発されている。この半導体レーザ装置は、半導体レー
ザ素子の共振器端面に光ファイバの先端が対抗する、い
わゆる直接対向方式として組み立てられ、パッケージが
箱型となる偏平形モジュールとして提供されている。
この半導体レーザ装置は金属製ステムの主面中央部を金
属板からなるキャップで封止したパッケージ構造となっ
ていて、パフケージ内部に半導体レーザ素子(レーザダ
イオードチップ)およびこのレーザダイオードチップの
共振器端面から発光されるレーザ光の光出力を検出する
受光素子(たとえば、InGaAsP系PINホトダイ
オードチップ)が内臓されている。また、前記受光素子
はセラミックの直方体からなるブロック、すなわちチッ
プキャリアに搭載されてパッケージ内に組み込まれいる
。
属板からなるキャップで封止したパッケージ構造となっ
ていて、パフケージ内部に半導体レーザ素子(レーザダ
イオードチップ)およびこのレーザダイオードチップの
共振器端面から発光されるレーザ光の光出力を検出する
受光素子(たとえば、InGaAsP系PINホトダイ
オードチップ)が内臓されている。また、前記受光素子
はセラミックの直方体からなるブロック、すなわちチッ
プキャリアに搭載されてパッケージ内に組み込まれいる
。
一方、光電子装置に組み込まれる前述のような光素子を
搭載したブロックの例としては、オブトロニクス社発行
「オプトロニクスJ1986年1月号、昭和61年1月
10日発行、#20(広告頁)に記載されている。
搭載したブロックの例としては、オブトロニクス社発行
「オプトロニクスJ1986年1月号、昭和61年1月
10日発行、#20(広告頁)に記載されている。
上記チップキャリアは、パフケージ内に高精度に固定し
難く作業性が悪いということが本発明者によってあきら
かにされた。すなわち、受光素子が搭載される前記チッ
プキャリアは、1〜2mm程度の大きさのブロックであ
るため取り扱い難い。
難く作業性が悪いということが本発明者によってあきら
かにされた。すなわち、受光素子が搭載される前記チッ
プキャリアは、1〜2mm程度の大きさのブロックであ
るため取り扱い難い。
受光素子はレーザ光をモニタするために、受光素子はチ
ップキャリアの側面に位置するようになるため、受光素
子の受光領域の位置を直接確認できず、レーザ光との光
軸合わせが難しくなりかつ手間取ってしまう。
ップキャリアの側面に位置するようになるため、受光素
子の受光領域の位置を直接確認できず、レーザ光との光
軸合わせが難しくなりかつ手間取ってしまう。
本発明の目的はキャリアブロックの位置決め作業が正確
かつ確実に行える光電子装置を提供することにある。
かつ確実に行える光電子装置を提供することにある。
本発明の他の目的はキャリアブロックの位置決め作業が
容易となる光電子装置を提供することにある。
容易となる光電子装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
すなわち、本発明にあっては、受光素子を搭載したキャ
リアブロックの搭載面とパッケージに組み込まれた際目
視できる面との間に亘って傾斜して設けられた面に、前
記受光素子に対応した位置決めマークが設けられている
。
リアブロックの搭載面とパッケージに組み込まれた際目
視できる面との間に亘って傾斜して設けられた面に、前
記受光素子に対応した位置決めマークが設けられている
。
上記した手段によれば、レーザチフブの出射面に受光素
子を対面させるようにしてキャリアブロックをパフケー
ジ内に固定する際、キャリアブロックに設けられた位置
決めマークを検出しながらキャリアブロックの位置決め
を行った後キャリアブロックを固定できるため、レーザ
チフブに対する受光素子の位置決めが正確となるととも
に、位置決め作業も容易となり、作業効率が向上する。
子を対面させるようにしてキャリアブロックをパフケー
ジ内に固定する際、キャリアブロックに設けられた位置
決めマークを検出しながらキャリアブロックの位置決め
を行った後キャリアブロックを固定できるため、レーザ
チフブに対する受光素子の位置決めが正確となるととも
に、位置決め作業も容易となり、作業効率が向上する。
以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例によるキャリアブロックを示
す斜視図、第2図は同じくキャリアブロックを組み込ん
だ光電子装置の要部を示す斜視図である。
す斜視図、第2図は同じくキャリアブロックを組み込ん
だ光電子装置の要部を示す斜視図である。
本発明の光電子装置(半導体レーザ装置)にあっては、
半導体レーザ素子(レーザダイオードチップ)の出射面
から発光されるレーザ光を受光する受光素子lは、第1
図に示されるようなチップキャリア2に搭載されてパフ
ケージ内に組み込まれる。前記チップキャリア2は1辺
が1〜2mmの略直方体からなるセラミックブロックで
構成されている。チップキャリア2の検出可能面3と搭
載面4との間の部分は、傾斜面5となっている。
半導体レーザ素子(レーザダイオードチップ)の出射面
から発光されるレーザ光を受光する受光素子lは、第1
図に示されるようなチップキャリア2に搭載されてパフ
ケージ内に組み込まれる。前記チップキャリア2は1辺
が1〜2mmの略直方体からなるセラミックブロックで
構成されている。チップキャリア2の検出可能面3と搭
載面4との間の部分は、傾斜面5となっている。
また、前記搭載面4から傾斜面5を介して検出可能面3
に至る領域には、たとえば、金からなる2つのメタライ
ズ層6,7がそれぞれ設けられている。一方のメタライ
ズN6の搭載面4の部分は、受光素子1が搭載される幅
広矩形のバンド8を構成している。また、他方のメタラ
イズN7の搭載面4の部分は、ワイヤポンディングパッ
ド9を構成している。このワイヤポンディングパッド9
には、前記バッド8上に固定された受光素子1の上面電
極に一端を接続されるワイヤ10の他端が固定される。
に至る領域には、たとえば、金からなる2つのメタライ
ズ層6,7がそれぞれ設けられている。一方のメタライ
ズN6の搭載面4の部分は、受光素子1が搭載される幅
広矩形のバンド8を構成している。また、他方のメタラ
イズN7の搭載面4の部分は、ワイヤポンディングパッ
ド9を構成している。このワイヤポンディングパッド9
には、前記バッド8上に固定された受光素子1の上面電
極に一端を接続されるワイヤ10の他端が固定される。
さらに、メタライズN6,7の検出可能面3の部分は、
それぞれ後述するリードとの接続部11.12となる。
それぞれ後述するリードとの接続部11.12となる。
まな、このチップキャリア2の傾斜面5には位置決め用
マーク13が設けられている。この位置決め用マーク1
3は、前記メタライズ層6.7を形成する際同時にメタ
ライズ層によって形成され、たとえば中央に十文字状の
パターンを形成するようになっている。そして、この十
文字の中心が、チップキャリア2の横方向における受光
素子1の受光面の中心を表示するようになる。したがっ
て、このチップキャリア2のパッド8上に受光素子1を
図示しないソルダーで固定する際、受光素子1のチップ
キャリア2の横方向における位置決めは、傾斜面5に設
けられた位置決め用マーク13に一致するようにして行
なわれる。なお、前記傾斜面5はチップキャリア2をパ
フケージ内に組み込んだ際、目視等検出可能な面となっ
ている。たとえば、傾斜面5は検出可能面3および搭載
面4に対してそれぞれ45°傾斜している。
マーク13が設けられている。この位置決め用マーク1
3は、前記メタライズ層6.7を形成する際同時にメタ
ライズ層によって形成され、たとえば中央に十文字状の
パターンを形成するようになっている。そして、この十
文字の中心が、チップキャリア2の横方向における受光
素子1の受光面の中心を表示するようになる。したがっ
て、このチップキャリア2のパッド8上に受光素子1を
図示しないソルダーで固定する際、受光素子1のチップ
キャリア2の横方向における位置決めは、傾斜面5に設
けられた位置決め用マーク13に一致するようにして行
なわれる。なお、前記傾斜面5はチップキャリア2をパ
フケージ内に組み込んだ際、目視等検出可能な面となっ
ている。たとえば、傾斜面5は検出可能面3および搭載
面4に対してそれぞれ45°傾斜している。
つぎに、このようなチップキャリア2を組み込んだ半導
体レーザ装置について説明する。半導体レーザ装置は、
第2図に示されるように、偏平形モジュールとなってい
て、パッケージ14は、各部品をその主面側窪みに組み
込んだ箱型金属製のステム15と、このステム15の窪
み部分を塞ぐ金属製のキャップ16とによって形成され
ている。
体レーザ装置について説明する。半導体レーザ装置は、
第2図に示されるように、偏平形モジュールとなってい
て、パッケージ14は、各部品をその主面側窪みに組み
込んだ箱型金属製のステム15と、このステム15の窪
み部分を塞ぐ金属製のキャップ16とによって形成され
ている。
このパッケージ14からは、−本の光フアイバケーブル
17と、一対2組合計4本のリード18が突出した構造
となっている。なお、ステム15の二隅には取付孔19
が設けられている。
17と、一対2組合計4本のリード18が突出した構造
となっている。なお、ステム15の二隅には取付孔19
が設けられている。
前記ステム15の窪み底中央の矩形の台座部20上には
支持小片21が固定されている。この支持小片21上に
はレーザダイオードチップ22および小片からなるペデ
スタル23が固定されている。このペデスタル23は、
レーザダイオードチップ22をステム15に取付ける前
に行われる特性検査時のワイヤが張られる小片であって
、表面部分が導電層となった絶縁体で構成されている。
支持小片21が固定されている。この支持小片21上に
はレーザダイオードチップ22および小片からなるペデ
スタル23が固定されている。このペデスタル23は、
レーザダイオードチップ22をステム15に取付ける前
に行われる特性検査時のワイヤが張られる小片であって
、表面部分が導電層となった絶縁体で構成されている。
したがって、このペデスタル23はステム15に固定さ
れた段階では不要となる。また、前記支持小片21は図
示しない鑞材によってステム15に固定され、レーザダ
イオードチップ22はこの上に図示しない鑞材によって
固定されている。
れた段階では不要となる。また、前記支持小片21は図
示しない鑞材によってステム15に固定され、レーザダ
イオードチップ22はこの上に図示しない鑞材によって
固定されている。
また、ステム15の周壁には、筒状のファイバガイド2
4が貫通状態で挿入されるとともに、図示しない鑞材に
よって気密的に固定されている。
4が貫通状態で挿入されるとともに、図示しない鑞材に
よって気密的に固定されている。
このファイバガイド24は、ステム15に挿入される長
いスリーブ25.ステム15の側面に当接する大径のス
トッパー26.ストッパー26部分よりも細いカシメ部
27とによって構成されている。このファイバガイド2
4には、光フアイバケーブル17の先端部が挿入されて
いる。この挿入部分は、ジャケットが付いた部分と、そ
の先端のジャケットが剥がされてコアとクラッドからな
る芯線28とからなっていて、ジャケット部分はカシメ
部27のカシメによってファイバガイド24に固定され
るとともに、先端の芯B28は図示しない鑞材でファイ
バガイド24に固定されている。
いスリーブ25.ステム15の側面に当接する大径のス
トッパー26.ストッパー26部分よりも細いカシメ部
27とによって構成されている。このファイバガイド2
4には、光フアイバケーブル17の先端部が挿入されて
いる。この挿入部分は、ジャケットが付いた部分と、そ
の先端のジャケットが剥がされてコアとクラッドからな
る芯線28とからなっていて、ジャケット部分はカシメ
部27のカシメによってファイバガイド24に固定され
るとともに、先端の芯B28は図示しない鑞材でファイ
バガイド24に固定されている。
また、前記ファイバガイド24から突出する芯線28は
前記ステム15に固定された固定ボスト29の挿入孔に
挿入されかつ図示しない固定材で固定されている。
前記ステム15に固定された固定ボスト29の挿入孔に
挿入されかつ図示しない固定材で固定されている。
一方、ステム15の側面に突出するレーザダイオードチ
ップ22用の2本のリード18にあっては、一方のリー
ド18は絶縁体30を介してステム15に貫通固定され
ている。このリード18の内端には、一端が前記レーザ
ダイオードチップ22の表面電極に固定されたワイヤ3
1の他端が固定されている。また、レーザダイオードチ
ップ22用の他のリード18は、ステム15に直接固定
されている。このリード18は、ステム15を介してレ
ーザダイオードチップ22の下部電極に電気的に接続さ
れている。したがって、この一対のリード18間に所定
の電圧が印加されると、レーザダイオードチップ22の
両端の発光面からレーザ光を発光する。
ップ22用の2本のリード18にあっては、一方のリー
ド18は絶縁体30を介してステム15に貫通固定され
ている。このリード18の内端には、一端が前記レーザ
ダイオードチップ22の表面電極に固定されたワイヤ3
1の他端が固定されている。また、レーザダイオードチ
ップ22用の他のリード18は、ステム15に直接固定
されている。このリード18は、ステム15を介してレ
ーザダイオードチップ22の下部電極に電気的に接続さ
れている。したがって、この一対のリード18間に所定
の電圧が印加されると、レーザダイオードチップ22の
両端の発光面からレーザ光を発光する。
また、前記ファイバガイド24に対して反対側に位置す
る2本のリード18の内端はステム15を貫通するとと
もに、その先端は、前述のチップキャリア2の接続部1
1.12にソルダー32゜33を介して固定されている
。したがって、これら一対のり−ド18は受光素子1の
出力端子となる。なお、これら一対のリード18は絶縁
体34を介してステム15に固定されている。
る2本のリード18の内端はステム15を貫通するとと
もに、その先端は、前述のチップキャリア2の接続部1
1.12にソルダー32゜33を介して固定されている
。したがって、これら一対のり−ド18は受光素子1の
出力端子となる。なお、これら一対のリード18は絶縁
体34を介してステム15に固定されている。
このような半導体レーザ装置は、その組立において、特
に受光素子1を搭載したチップキャリア2を図示しない
鑞材を介してステム15に固定する際、受光素子1のレ
ーザダイオードチップ22から発光されるレーザ光35
と直交するチップキャリア2の長手方向の位置のアライ
メントは、前記チップキャリア2の位置決め用マーク1
3を検出してこの位置と一致するようにしてチップキャ
リア2をステム15に固定する。この結果、チップキャ
リア2の固定時、直接受光素子1の受光領域等の受光面
を検出できなくとも、レーザダイオードチップ22と受
光素子1との光軸合せが高精度に行なえるとともに、作
業が容易となり、作業性が向上する。なお、このような
、半導体レーザ装置は、一対のリード18間に所定の電
圧が印加されと、レーザダイオードチップ22の共振器
の両端面からレーザ光35を発光する。レーザ光35に
よる光情報は光フアイバケーブル17を伝送媒体として
、所望箇所に伝送される。また、レーザ光35の光出力
は常時受光素子1によってモニターされ、光出力が一定
となるようにfillmされる。
に受光素子1を搭載したチップキャリア2を図示しない
鑞材を介してステム15に固定する際、受光素子1のレ
ーザダイオードチップ22から発光されるレーザ光35
と直交するチップキャリア2の長手方向の位置のアライ
メントは、前記チップキャリア2の位置決め用マーク1
3を検出してこの位置と一致するようにしてチップキャ
リア2をステム15に固定する。この結果、チップキャ
リア2の固定時、直接受光素子1の受光領域等の受光面
を検出できなくとも、レーザダイオードチップ22と受
光素子1との光軸合せが高精度に行なえるとともに、作
業が容易となり、作業性が向上する。なお、このような
、半導体レーザ装置は、一対のリード18間に所定の電
圧が印加されと、レーザダイオードチップ22の共振器
の両端面からレーザ光35を発光する。レーザ光35に
よる光情報は光フアイバケーブル17を伝送媒体として
、所望箇所に伝送される。また、レーザ光35の光出力
は常時受光素子1によってモニターされ、光出力が一定
となるようにfillmされる。
このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。
る。
(1)本発明の半導体レーザ装置にあっては、その組立
時、すなわち、レーザダイオードチップと受光素子との
光軸合わせ時、受光素子が搭載されたチップキャリアを
チップキャリアの傾斜面に設けられた位置決め用マーク
を検出して、受光素子のチップキャリアの長手方向に沿
う位置決めを行なえることから、光軸合わせが高精度に
行なえるという効果が得られる。
時、すなわち、レーザダイオードチップと受光素子との
光軸合わせ時、受光素子が搭載されたチップキャリアを
チップキャリアの傾斜面に設けられた位置決め用マーク
を検出して、受光素子のチップキャリアの長手方向に沿
う位置決めを行なえることから、光軸合わせが高精度に
行なえるという効果が得られる。
(2)上記(1)により、本発明の半導体レーザ装置は
、ステムにチップキャリアを固定する際、チップキャリ
アに設けられた位置決め用マークを検出しながら、チッ
プキャリアにおける受光素子の正確な位置を確認しつつ
固定できるため、作業がし易くなり、生産性が向上する
という効果が得られる。
、ステムにチップキャリアを固定する際、チップキャリ
アに設けられた位置決め用マークを検出しながら、チッ
プキャリアにおける受光素子の正確な位置を確認しつつ
固定できるため、作業がし易くなり、生産性が向上する
という効果が得られる。
(3)上記(1)および(2)により、本発明によれば
、半導体レーザ装置製造におけるレーザダイオードチッ
プと受光素子との光軸合わせ作業がし易いとともに、高
い光結合状態を存する半導体レーザ装置を供給すること
ができるという相乗効果が得られる。
、半導体レーザ装置製造におけるレーザダイオードチッ
プと受光素子との光軸合わせ作業がし易いとともに、高
い光結合状態を存する半導体レーザ装置を供給すること
ができるという相乗効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、位置決め用マ
ーク13は、チップキャリア2の角部を斜めに切り取る
ようにして構成した傾斜面5に設けることなく、受光素
子1を搭載した搭載面4の隣りとなる面であって、かつ
チップキャリア2をステム15に固定させる際、目視で
きる検出可能面3に設けても、チップキャリア2の位置
決め固定は高精度かつ作業性良く行なえる。また、チッ
プキャリアにレーザダイオードチップを搭載した場合に
も前記実施例同様な効果が得られる。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、位置決め用マ
ーク13は、チップキャリア2の角部を斜めに切り取る
ようにして構成した傾斜面5に設けることなく、受光素
子1を搭載した搭載面4の隣りとなる面であって、かつ
チップキャリア2をステム15に固定させる際、目視で
きる検出可能面3に設けても、チップキャリア2の位置
決め固定は高精度かつ作業性良く行なえる。また、チッ
プキャリアにレーザダイオードチップを搭載した場合に
も前記実施例同様な効果が得られる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である光通信用技術に適用
した場合について説明したが、それに限定されるもので
はなく、たとえば、光集積回路(OEIC)等による光
通信技術、あるいは光による計測技術等にも適用できる
。
をその背景となった利用分野である光通信用技術に適用
した場合について説明したが、それに限定されるもので
はなく、たとえば、光集積回路(OEIC)等による光
通信技術、あるいは光による計測技術等にも適用できる
。
本発明は少なくとも受光素子やレーザダイオードチップ
等の光素子を内蔵した光電子部品に対して適用できる。
等の光素子を内蔵した光電子部品に対して適用できる。
本順において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
本発明にあっては、受光素子を搭載したキャリアブロッ
クの搭載面とパンケージに組み込まれた際目視できる面
との間に亘って傾斜して設けられた面に、前記受光°素
子に対応した位置決めマークが設けられている。したが
って、パッケージ内に配設されたレーザチップの出射面
に対面して受光素子を搭載したキャリアブロックをパッ
ケージに固定する際、キャリアブロックに設けられた位
置決めマークを検出しながらキャリアブロックを固定で
きるため、レーザチップに対する受光素子の位置決めが
正確となるとともに、位置決め作業も容易となり、作業
効率が向上する。
クの搭載面とパンケージに組み込まれた際目視できる面
との間に亘って傾斜して設けられた面に、前記受光°素
子に対応した位置決めマークが設けられている。したが
って、パッケージ内に配設されたレーザチップの出射面
に対面して受光素子を搭載したキャリアブロックをパッ
ケージに固定する際、キャリアブロックに設けられた位
置決めマークを検出しながらキャリアブロックを固定で
きるため、レーザチップに対する受光素子の位置決めが
正確となるとともに、位置決め作業も容易となり、作業
効率が向上する。
以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。 第1図は本発明の一実施例によるキャリアブロックを示
す斜視図、 第2図は同じくキャリアブロックを組み込んだ光電子装
置の要部を示す斜視図である。 1・・・受光素子、2・・・チップキャリア、3・・・
検出可能面、4・・・搭載面、5・・・傾斜面、6.7
・・・メタライズ層、8・・・パッド、9・・・ワイヤ
ポンディングパッド、10・・・ワイヤ、11.12・
・・接続部、13・・・位置決め用マーク、14・・・
パンケージ、15・・・ステム、16・・・キャップ、
17・・・光フアイバケーブル、18・・・リード、1
9・・・取付孔、20・・・台座部、21・・・支持小
片、22・・・レーザダイオードチップ、23・・・ペ
デスタル、24・・・ファイバガイド、25・・・スリ
ーブ、26・・・ストッパー、27・・・カシメ部、2
8・・・芯線、29・・・固定ポスト、30・・・絶縁
体、31・・・ワイヤ、32.33・・・ソルダー、3
4・・・絶縁体、35・・・レーザ光。
。 第1図は本発明の一実施例によるキャリアブロックを示
す斜視図、 第2図は同じくキャリアブロックを組み込んだ光電子装
置の要部を示す斜視図である。 1・・・受光素子、2・・・チップキャリア、3・・・
検出可能面、4・・・搭載面、5・・・傾斜面、6.7
・・・メタライズ層、8・・・パッド、9・・・ワイヤ
ポンディングパッド、10・・・ワイヤ、11.12・
・・接続部、13・・・位置決め用マーク、14・・・
パンケージ、15・・・ステム、16・・・キャップ、
17・・・光フアイバケーブル、18・・・リード、1
9・・・取付孔、20・・・台座部、21・・・支持小
片、22・・・レーザダイオードチップ、23・・・ペ
デスタル、24・・・ファイバガイド、25・・・スリ
ーブ、26・・・ストッパー、27・・・カシメ部、2
8・・・芯線、29・・・固定ポスト、30・・・絶縁
体、31・・・ワイヤ、32.33・・・ソルダー、3
4・・・絶縁体、35・・・レーザ光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、発光部と受光部とを有する光電子装置であって、発
光部または受光部を搭載したキャリアブロックには発光
部または受光部位置確認用の位置合わせマークが設けら
れていることを特徴とする光電子装置。 2、前記キャリアブロックに設けられた位置決めマーク
は、発光部または受光部を搭載した面とは異なる面に設
けられていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の光電子装置。 3、前記位置決めマークは発光部または受光部を搭載し
た面に対して傾斜した面に設けられていることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の光電子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61226016A JPS6381988A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 光電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61226016A JPS6381988A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 光電子装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6381988A true JPS6381988A (ja) | 1988-04-12 |
Family
ID=16838466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61226016A Pending JPS6381988A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 光電子装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6381988A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0322486A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-30 | Siemens Ag | 表面実装可能なオプトデバイス |
JPH04241474A (ja) * | 1991-01-14 | 1992-08-28 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
US8378475B1 (en) | 2008-05-30 | 2013-02-19 | Wavefront Research, Inc. | Optoelectronic chip carriers |
CN110335850A (zh) * | 2019-04-15 | 2019-10-15 | 中国科学院半导体研究所 | 一种光电芯片的封装结构 |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP61226016A patent/JPS6381988A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0322486A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-30 | Siemens Ag | 表面実装可能なオプトデバイス |
JPH04241474A (ja) * | 1991-01-14 | 1992-08-28 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
US8378475B1 (en) | 2008-05-30 | 2013-02-19 | Wavefront Research, Inc. | Optoelectronic chip carriers |
CN110335850A (zh) * | 2019-04-15 | 2019-10-15 | 中国科学院半导体研究所 | 一种光电芯片的封装结构 |
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