JP2000028870A - 光結合装置 - Google Patents

光結合装置

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JP2000028870A
JP2000028870A JP10198394A JP19839498A JP2000028870A JP 2000028870 A JP2000028870 A JP 2000028870A JP 10198394 A JP10198394 A JP 10198394A JP 19839498 A JP19839498 A JP 19839498A JP 2000028870 A JP2000028870 A JP 2000028870A
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lens
semiconductor
groove
optical fiber
laser
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JP10198394A
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Kazuyuki Fukuda
和之 福田
Makoto Shimaoka
誠 嶋岡
Satoru Kikuchi
悟 菊池
Hiroshi Naka
弘 仲
Norihiro Yazaki
憲弘 矢崎
Takeshi Suzuki
鈴木  剛
Hideo Taguchi
英夫 田口
Koji Yoshida
幸司 吉田
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】特殊な設備を用いることなく、短時間かつ容易
な作業で非球面レンズの位置調整を行い、高い効率で半
導体素子と光ファイバとを光結合させる。 【解決手段】シリコン基板4は、2つのV溝5,55を
備えており、非球面レンズ3は、その外周面15が2つ
のV溝5,55の一方のV溝55に少なくとも4個所で
線接触するように、V溝55の斜面17の形成角度と略
同じ角度で非球面レンズ3の外周面15が面取り18形
成されており、V溝5,55に直接固定されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光通信の光
源に用いられ、レンズを介して半導体素子と光ファイバ
とを光学的に結合させる光結合装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の光結合装置の構造に係わ
る公知技術として、例えば、特開平5−37024号公報,特
開平4−261076号公報,特開平9−90174号公報、及び特
開平6−289256号公報がある。
【0003】特開平5−37024号公報に記載の光結合装置
は、半導体発光素子と光ファイバとの光結合を球レンズ
を介して行うものである。すなわち、半導体発光素子を
固定するための位置合せパターンを付けた台形溝,球レ
ンズを固定するためのV溝が、2枚の半導体ウェハから
なる光結合用基板にそれぞれ形成されている。そして、
それら台形溝及びV溝の深さは、半導体発光素子のレー
ザ出射部と、球レンズの中心部、及び光ファイバのコア
の中心部が一致するように、個々の光デバイスの大きさ
や形状に応じて設定されている。なお、球レンズの位置
調整は、傾き(水平断面内におけるレンズ光軸線とのず
れ、以下本明細書中において同様)・倒れ(鉛直断面内
におけるレンズ光軸線とのずれ、以下本明細書中におい
て同様)が生じても無視でき、光結合効率に影響はない
ため、半導体発光素子との距離及び高さを合せるだけで
足りる。
【0004】なお、特開平4−261076 号公報にも、ほぼ
同様の構成の光結合装置が開示されている。
【0005】特開平9−90174号公報に記載の光結合装置
は、半導体レーザと光ファイバとの光結合を第1及び第
2のレンズを備えた2レンズ系によって行うものであ
る。第1のレンズは半導体レーザから出射したレーザ光
を平行光にする非球面レンズであり、第2のレンズは第
1のレンズで平行光にされたレーザ光を集光し光ファイ
バへ入射させる上下部分を削り出した球レンズである。
それらのうち、第1のレンズは、半導体レーザを設置し
た金属材料からなるベースに溶接固定されたレンズホル
ダに保持されている。
【0006】なお、非球面レンズである第1のレンズ
は、上述した球面レンズと異なり、半導体レーザとの距
離や高さに加え、レンズの傾き・倒れを最小限にしなけ
れば、半導体レーザとの光軸がずれて高い結合効率を得
ることができなくなる。したがって、半導体レーザを駆
動させた状態で、第1のレンズを通ってきたレーザ光が
平行光となるように半導体レーザと第1のレンズ間の距
離・高さ及び第1レンズの傾き・倒れを調整した後、ベ
ースに溶接固定する。
【0007】なお、特開平6−289256 号公報にも、ほぼ
同様の構成の光結合装置が開示されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術には、以下の課題が存在する。
【0009】すなわち、特開平5−37024号公報及び特開
平4−261076 号公報に記載の光結合装置は、収差が大き
い球レンズを使った光結合系となるため、レーザ光の集
光性が悪くなる。その結果、半導体発光素子と光ファイ
バの結合効率が低くなり、光ファイバからの出力光のレ
ベルが低くなる。そのため、ファイバ出力光のレベルを
向上するためには、半導体発光素子から出射するレーザ
出力を高くするか、あるいは組立て精度を高めて半導体
発光素子と光ファイバの結合損失を最小とする等の方法
を取らざるを得ない。しかしながら、前者は半導体発光
素子の駆動電流を高くしなければならず、消費電力・発
熱量の増大及び半導体発光素子の寿命低下という不都合
が生じ、後者は部品コストや組立てコストの低減が困難
となる。
【0010】また、特開平9−90174号公報及び特開平6
−289256 号公報に記載の光結合装置は、2つのレンズ
のうちの第1のレンズとして、球レンズよりも収差が少
ない非球面レンズを使った光結合系である。そのため、
上記公知例と異なりレーザ光の集光性が良好となるの
で、半導体レーザと光ファイバの結合効率を高くするこ
とができる。
【0011】しかしながら、非球面レンズである第1の
レンズの組立時には、上記したように半導体レーザを駆
動させて非球面レンズを位置調整した後に第1のレンズ
を溶接固定する方法であるため、第1のレンズを通って
きたレーザ光をモニターしながら平行光となるようにレ
ンズを調整するための特殊な設備が別途必要となる。ま
たこのとき、半導体レーザとレンズとの間の距離・高さ
及びレンズの傾き・倒れを調整するために多大な時間が
必要となる。さらに、半導体レーザを設置したベースに
溶接固定した金属材料製のレンズホルダに第1のレンズ
を保持する構造であるため、組立て作業が頻雑となる。
【0012】また、レンズホルダの分だけ部品コストが
増大し、さらに装置が大型化するという不都合もある。
【0013】本発明の目的は、特殊な設備を用いること
なく、短時間かつ容易な作業で非球面レンズの無調整搭
載を行い、高い効率で半導体素子と光ファイバとを光結
合させることができる光結合装置及びその結合用レンズ
を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】(1)上記目的を達成す
るために、本発明は、半導体発光素子及び半導体受光素
子のうち少なくとも一方からなる半導体素子と、この半
導体素子を搭載する基板部材と、前記半導体素子と光学
的に結合されレーザ光を内部伝送する光ファイバと、前
記基板部材に搭載され、前記半導体素子と前記光ファイ
バとを光学的に結合させるレンズとを有する光結合装置
において、前記基板部材は、軸線が半導体素子と前記光
ファイバとの間のレーザ光の光軸方向と略同じ方向及び
略直角方向である直交する少なくとも2つの溝部を備え
ており、前記レンズは、その外周面が前記2つの溝部の
一方の溝部に少なくとも4個所で線接触するように、前
記溝部の斜面の形成角度と略同じ角度で前記レンズの外
周面が形成されており、前記溝部に直接固定されてい
る。
【0015】レンズが基板部材に形成した直交する2つ
の溝部の交点部に直接固定されていることにより、溝を
例えば異方性エッチング等によって所定の位置に所定の
深さと幅で精度良く形成することで、半導体素子とレン
ズの高さ合せ及び距離合せを無調整で行うことができ
る。また、溝部の軸線をレーザ光の光軸方向と略平行な
方向及び略直角な方向としておき、この直交する2つの
溝部の一方の溝部の斜面に対し、この溝部の斜面の形成
角度と略同じ角度で外周面が形成されたレンズを、その
外周面を少なくとも4個所で線接触させる。
【0016】これにより、その線接触する4線(又はそ
の延長線)が、レンズの外周面の形成角度と略同じ角度
になるように予め形成することで、レンズを直交する溝
部の交点部に設置するだけでレンズの傾きや倒れがゼロ
となるようにすることができる。さらに、例えば異方性
エッチングで形成される溝部の斜面に少なくとも4個所
で線接触させる等、線接触の4線の鉛直断面内でみた角
度を適宣設定することで、レンズを溝部に設置するだけ
でレンズの傾きや倒れがゼロとなるようにすることがで
きる。
【0017】以上により、レンズの位置調整において
は、レンズを溝部に設置するだけでレンズと半導体素子
との高さ及び距離が無調整で合うので、例えば簡単なレ
ンズ搭載装置を使うことで足りる。したがって、半導体
素子と光ファイバとの光結合の高効率化を図るために非
球面レンズを用いる場合も、従来構造のように半導体素
子を駆動させた状態で特殊な設備を用いることなく、短
時間かつ容易な作業でレンズの無調整搭載を行うことが
できる。
【0018】(2)上記(1)において、好ましくは、
前記溝部は、異方性エッチングによって形成されてお
り、その横断面形状が、略V字形状,略台形形状、及び
略矩形形状のうちのいずれか1つである。
【0019】(3)上記(1)において、さらに好まし
くは、前記レンズは、筒状部分を備えており、この筒状
部分の両側が、前記2つの溝部の一方の溝部に少なくと
も4個所で線接触するように前記溝部に直接固定されて
いる。
【0020】(4)上記目的を達成するために、また本
発明は、半導体発光素子及び半導体受光素子のうち少な
くとも一方からなる半導体素子と、この半導体素子と光
学的に結合されレーザ光を内部伝送する光ファイバと、
前記半導体素子と前記光ファイバとを光学的に結合させ
るレンズと、前記半導体素子と前記レンズとを搭載する
基板部材とを有する光結合装置の結合用レンズにおい
て、前記結合用レンズは、筒状部分を備えており、この
筒状部分の両側端面にレーザ入射側端部又は出射側端部
となる2つの曲率部分を備え、前記結合用レンズの外周
面が、異方性エッチングで形成される前記基板部材のレ
ンズ搭載溝部に線接触するようにレンズ搭載溝部の斜面
の形成角度と略同じ角度で面取り形成されている。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照しつつ説明する。なお、各図においては、煩雑を避
けるために一部のメタライズ配線やワイヤボンディング
及び接着剤等の図示を適宜省略している。
【0022】本発明の第1の実施形態を図1〜図3によ
り説明する。
【0023】本実施形態による光結合装置の全体構造を
表す水平断面図を図2に示す。
【0024】この図2において、光結合装置は、半導体
発光素子としてのレーザダイオード1及び半導体受光素
子としてのフォトダイオード2と、これらレーザダイオ
ード1及びフォトダイオード2を搭載するシリコン基板
4と、レーザダイオード1とフォトダイオード2と光学
的に結合されレーザ光を内部伝送する光ファイバ(図示
せず、後述するフェルール9内に設置)と、シリコン基
板4に搭載され、レーザダイオード1とフォトダイオー
ド2と光ファイバとを光学的に結合させる非球面レンズ
3と、レーザダイオード1及びフォトダイオード2を装
置外部に電気的に接続するためのメタライズ配線12及
びリード端子7と、シリコン基板4を収納するケース6
と、光ファイバを内設し、ケース6の一端に設けたパイ
プ8端に取り付けられたフェルール9とを有しており、
レーザダイオード1及びフォトダイオード2と光ファイ
バとの光結合を非球面レンズ3の単体で行うものであ
る。
【0025】ケース6は、箱型形状を備えた例えばセラ
ミックス材で構成されており、リード端子7を両側に4
本ずつ計8本備えている。このケース6の上面には、ケ
ース6内部を外部と遮断するためのキャップ(図示せ
ず)が接合されている。またこの箱型ケース6の寸法
は、例えば、高さ(図2中紙面に垂直方向)が4.6m
m、横幅(図2中上下方向)が7.4mm,長さ(図2中横
方向)が10.0mmとなっており、リード端子7が例え
ば2.54mm間隔で設けられている。
【0026】パイプ8は、金属部材であり、フェルール
9を取り付ける(後述)前に、あらかじめケース6に銀
ろう付け(図示せず)で固定されている。
【0027】フェルール9は、光ファイバの素線を内設
し固定しているジルコニア部材10と、光ファイバの被
覆を固定している金属部材11とから構成されている。
このフェルール9の取り付けの際は、非球面レンズ3か
ら通ってきたレーザ光を光ファイバに入射させ、そのと
きの光ファイバ出力が最大となるように位置を調整した
後、金属部材11をパイプ8端面にレーザ溶接(図示せ
ず)で固定している。
【0028】ジルコニア部材10の先端に露出した光フ
ァイバの先端14は、レーザダイオード1から発振した
レーザ光が光ファイバ先端14で反射戻り光として、レ
ーザダイオード1に戻るのを防ぐために斜めに加工され
ている。そしてこのとき、この斜め加工された光ファイ
バに対し、効率良くレーザ光を入射させるため、レーザ
ダイオード1と非球面レンズ3の光軸を相対的に数十μ
mずらして、レーザ光を斜めに出射させると共に、レー
ザダイオード1や非球面レンズ3を搭載したシリコン基
板4をケース6の中心から、やや図2中下側にずらして
設置することにより、非球面レンズ3から通ってきたレ
ーザ光が図2中右上がり方向に出射させるようにしてい
る。
【0029】本実施形態の光結合装置の特徴の1つであ
るレンズ搭載構造を表す斜視図を図1に、その縦断面図
及び側面図をそれぞれ図3(a)及び図3(b)に示
す。
【0030】これら図1,図3(a)及び図3(b)に
おいて、レーザダイオード1とフォトダイオード2は、
シリコン基板4の上面に形成したメタライズ配線12上
のマーカ(図示せず)を目印にそれぞれ所定位置に位置
決めして搭載されている。また、これらレーザダイオー
ド1及びフォトダイオード2は、ワイヤーボンディング
13を介して、シリコン基板4上面のメタライズ配線1
2にそれぞれ電気的に接続されている。
【0031】シリコン基板4には、横断面形状が有底の
略V字形状であるV溝5,55が異方性エッチングによ
って形成され、このV溝5,55は、両側の斜面17と
底面5aとから構成されている。また、V溝5,55
は、その軸線がレーザダイオード1及びフォトダイオー
ド2と光ファイバとの間のレーザ光の光軸方向と略平行
な方向及び略直角な方向となっている。さらに、V溝
5,55は、図3(b)に示されるように側面形状及び
横断面形状が逆等脚台形となっており、しかもこのと
き、底面5aの鉛直方向高さは軸方向に一定(すなわち
底面は水平面)となっている。なお、このシリコン基板
4は、例えば厚さ(図3中上下方向)が1.0mm,V溝の深
さが0.78mmとなっている。
【0032】非球面レンズ3は、レーザダイオード1か
ら出射するレーザ光に対して入射端面と出射端面に曲率
を設けた略円柱状形状となっており、主にガラスモール
ドあるいはプレス成形によって形成されている。詳細に
は、非球面レンズ3は、略円柱形状である筒状部分3a
と、この筒状部分3aの両側端面に位置しレーザ入射端
部又は出射側端部となる2つの曲率部分3b,3cと、
この筒状部分3aの外周面15の両側がV溝55の両斜
面17の形成角度と略同じ角度となる面取り部18とか
ら構成されており、筒状部分3aの外周面15の両側面
取り部18がV溝55の両斜面17に対して4個所で線
接触する(図3(b)中の線接触部位16参照)よう
に、接着剤(図示せず)で直接接合固定されている。
【0033】以上のように構成した本実施形態の作用効
果を以下に順に説明する。
【0034】レンズ搭載構造による作用効果としては、
非球面レンズ3を異方性エッチングでシリコン基板4に
形成したV溝5,55に直接固定されていることによ
り、予めV溝5,55を所定の位置に所定の深さと幅で
精度良く形成しておくことでレーザダイオード1のレー
ザ出射部及びフォトダイオード2のレーザ入射部と非球
面レンズ3の光軸の高さ合せ及び距離合せを無調整で行
うことができる。また、V溝5,55の軸線がレーザ光
の光軸方向と略平行な方向及び略直角な方向であり、そ
してこの直交する2つのV溝5,55の一方のV溝55
の両斜面17に対し、このV溝55の斜面17の形成角
度と略同じ角度で形成された非球面レンズ3の筒状部分
3aの外周面15の両側面取り部18が4個所の線接触
部位16で線接触していることにより、非球面レンズ3
をV溝55に設置するだけで非球面レンズ3の傾きや倒
れがゼロとなる(すなわち非球面レンズ3の中心軸方向
がレーザ光の光軸方向に一致する)。さらに、V溝5,
55は、側面形状及び横断面形状が逆等脚台形で、かつ
底面5aの鉛直方向高さが軸方向に一定となっているこ
とにより、非球面レンズ3の傾きや倒れがゼロとなる。
【0035】さらに、シリコン基板4のV溝5,55へ
非球面レンズ3を固定するとき、非球面レンズ3をV溝
5,55に設置しV溝5,55に軽く押し付けて保持す
ることにより、レンズ3の筒状部分3aの外周面15の
両側面取り部18とV溝55の両斜面17(線接触部位
16)に余分な外力が加わらず、レンズ外周面15がV
溝5,55に自然に倣うように搭載できるので、非球面
レンズ3を安定的に位置決めし固定することができ、確
実に非球面レンズ3の傾きや倒れを防止でき、高い結合
効率を確保できる。
【0036】これらの結果、非球面レンズ3の位置調整
においては、非球面レンズ3をV溝5,55に設置する
だけで非球面レンズ3とレーザダイオード1のレーザ出
射部又はフォトダイオード2のレーザ入射部との高さ及
び距離が無調整で合うので、例えば簡単なレンズ搭載装
置を使うことで足りる。したがって、従来構造のように
半導体素子を駆動させた状態で特殊な設備を用いること
なく、非球面レンズ3の位置調整を短時間かつ容易な作
業で行うことができる。また、従来構造のようにレンズ
ホルダを用いることなく非球面レンズ3をV溝5,55
に直接固定するので、部品点数減少及び作業工程低減に
よってコストダウンを図ることができ、また装置の小型
化を図ることもできるので、プリント基板への両面実装
を容易に実現できるという効果もある。
【0037】なお、上記第1の実施形態においては、半
導体素子としてレーザダイオード1とフォトダイオード
2との両方を備えている光結合装置を例にとって説明し
てきたが、これに限られず、いずれか一方のみを備えて
いる光結合装置にも適用でき、同様の効果を得る。
【0038】また、上記第1の実施形態においては、非
球面レンズ3を固定するためにシリコン基板4にV溝
5,55を形成したが、これに限られるものではなく、
例えば横断面形状が略台形形状(等脚台形でないもの)
や略矩形形状の溝であってもよい。これらの場合も、同
様の効果を得る。
【0039】さらに、上記第1の実施形態においては、
箱型ケース6の寸法を、高さ4.6mm,横幅7.4mm,長
さ10.0mmとしているが、これに限られるものではな
い。すなわち、プリント基板への両面実装を可能にする
には、ケース6の高さは少なくとも4.7mm 以下とすれ
ば足りる。これらの場合も、同様の効果を得る。
【0040】また、上記第1の実施形態においては、図
3(b)に示されるように、レンズ外周面15の両側面
取り部18とV溝55の両斜面17とは4つの線接触部
位16で線接触したが、これに限られず、5つ以上の個
所で線接触してもよい。例えば底面5aの高さをもっと
上に上げて、底面5aもレンズ外周面15の最下部と線
接触させる等が考えられる。これらの場合も、同様の効
果を得る。
【0041】さらに、上記第1の実施形態においては、
レーザダイオード1及びフォトダイオード2と光ファイ
バの光結合を1つの非球面レンズ3単体で行う光結合装
置を例にとって説明したが、これに限らない。すなわ
ち、少なくとも1つの非球面レンズを用いる結合光学系
であれば、そのうち非球面レンズ3の搭載構造について
上記第1の実施形態と同様の構成を適用することができ
るので、これらの場合も同様の効果を得ることができ
る。
【0042】
【発明の効果】本発明によれば、特殊な設備を用いるこ
となく、短時間かつ容易な作業で非球面レンズの無調整
搭載を行い、高い効率で半導体素子と光ファイバとを光
結合させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施形態による光結合装置の要
部であるレンズ搭載構造を表す斜視図である。
【図2】図1に示した光結合装置の全体構造を表す水平
断面図である。
【図3】(a)及び(b)は図1に示した構造の縦断面
図及び同図(a)の右側断面図である。
【符号の説明】
1…レーザダイオード(半導体発光素子)、2…フォト
ダイオード(半導体受光素子)、3…非球面レンズ(レ
ンズ)、4…シリコン基板(基板部材)、5,55…V
溝(溝部)、6…ケース、7…リード端子、8…パイ
プ、9…フェルール、10…ジルコニア部材、11…金
属部材、12…メタライズ配線、13…ワイヤボンディ
ング、14…光ファイバ先端、15…レンズ外周面、1
6…線接触部、17…溝部斜面、18…レンズ外周面の
面取り部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菊池 悟 長野県小諸市柏木190 日立東部セミコン ダクタ株式会社小諸工場内 (72)発明者 仲 弘 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 矢崎 憲弘 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 鈴木 剛 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 田口 英夫 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 吉田 幸司 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Fターム(参考) 2H037 AA01 BA03 BA12 CA15 DA05 DA12 5F041 EE04 EE08 EE12 5F088 AA01 BB01 JA05 JA12 JA14

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体発光素子及び半導体受光素子のうち
    少なくとも一方からなる半導体素子と、この半導体素子
    を搭載する基板部材と、前記半導体素子と光学的に結合
    されレーザ光を内部伝送する光ファイバと、前記基板部
    材に搭載され、前記半導体素子と前記光ファイバとを光
    学的に結合させるレンズとを有する光結合装置におい
    て、前記基板部材は、軸線が半導体素子と前記光ファイ
    バとの間のレーザ光の光軸方向と略同じ方向及び略直角
    方向である直交する少なくとも2つの溝部を備えてお
    り、前記レンズは、その外周面が前記2つの溝部の一方
    の溝部に少なくとも4個所で線接触するように、前記溝
    部の斜面の形成角度と略同じ角度で前記レンズの外周面
    が形成されており、前記溝部に直接固定されていること
    を特徴とする光結合装置。
JP10198394A 1998-07-14 1998-07-14 光結合装置 Pending JP2000028870A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100454972B1 (ko) * 2002-12-31 2004-11-06 삼성전자주식회사 광학소자의 수동정렬 장치
KR20050005632A (ko) * 2003-07-07 2005-01-14 삼성전자주식회사 실리콘광학벤치 그루브를 이용한 이중 렌즈 정렬 장치
JP2006330475A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Nec Electronics Corp 光半導体装置およびその製造方法
US7275877B2 (en) 2003-04-30 2007-10-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical module having individual housing for an optical processing unit and an optical sub-assembly
DE102005030277B4 (de) * 2005-06-21 2007-10-31 Fischer AG Präzisionsspindeln Spindelvorrichtung mit Innenkühlung
TWI651158B (zh) * 2014-10-28 2019-02-21 日商黑田精工股份有限公司 主軸裝置

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