JPS6381933A - Formation of single thin-film - Google Patents
Formation of single thin-filmInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は枚葉式プラズマ気相反応装置による薄膜形成方
法に関する。史に詳細には、本発明は枚葉式プラズマ気
相反応装置においてウェハを予備加熱または徐冷するこ
とにより膜ストレス値を低下させることのできる薄膜形
成方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for forming a thin film using a single-wafer plasma vapor phase reactor. More specifically, the present invention relates to a method for forming a thin film in which the film stress value can be reduced by preheating or slowly cooling a wafer in a single-wafer plasma vapor phase reactor.
［従来の技術］
薄膜の形成方法として半導体工業において一般に広く用
いられているものの一つに化学的気相成長法（ＣＶＤ：
Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓ ｉ ｔ
１ｏｎ）がある、ＣＶＤとは、ガス状物質を化学反応
で固体物質にし、基板上に堆積することをいう。[Prior Art] One of the methods widely used in the semiconductor industry for forming thin films is chemical vapor deposition (CVD).
Chemical Vapor Depos it
CVD refers to turning a gaseous substance into a solid substance through a chemical reaction and depositing it on a substrate.
ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりかな
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高＜、ＳｉやＳｉ上の熱酸化膜上
に成長した場合も電気的特性が安定であることで、広く
半導体表面のパッシベーション膜として利用されている
。Characteristics of CVD are that various thin films can be obtained at deposition temperatures considerably lower than the melting point of the thin film to be grown;
The grown thin film has a high purity and its electrical characteristics are stable even when grown on Si or a thermal oxide film on Si, so it is widely used as a passivation film on semiconductor surfaces.
ＣＶＤ法は大別すると、（Ｉ）常圧、（２）減圧および
（３）プラズマの３種類がある。CVD methods can be broadly classified into three types: (I) normal pressure, (2) reduced pressure, and (3) plasma.
最近の超ＬＳＩ技術の急速な進歩により、“超々ＬＳＩ
”という８ｇも聞かれはじめた。これに伴い、Ｓｉデバ
イスはますます高集積化、高速度化が進み、６インチか
ら８インチ、更には１２インチ大口径基板が使用される
ようになった。Due to recent rapid progress in ultra-LSI technology, “ultra-ultra
Along with this, Si devices have become increasingly highly integrated and fast, and large-diameter substrates from 6 inches to 8 inches and even 12 inches have come to be used.
半導体デバイスの高集積化が進むに伴い、高品質、高精
度な絶縁膜が求められ、常圧ＣＶＤ法では対応が困難に
なってきた。そこで、プラズマ化学を利用したプラズマ
ＣＶＤ法が注目を浴びている。As semiconductor devices become more highly integrated, high-quality, high-precision insulating films are required, and it has become difficult for normal pressure CVD methods to meet these demands. Therefore, plasma CVD method using plasma chemistry is attracting attention.
プラズマＣＶＤは生成膜（例えば、Ｓ ｉ Ｏｘ ｌｉ
）の構成原子を含む化合物気体（例えば５ｆＨｑおよび
Ｎ２０）をプラズマ状態にし、化学的に活性なイオンや
ラジカル（化学的に活性な中性原子または分子種のこと
）に分解させことによって、低温（例えば、約３００℃
前後）で薄膜を成長させる方法である。Plasma CVD produces a produced film (for example, S i Ox li
) by bringing it into a plasma state and decomposing it into chemically active ions and radicals (chemically active neutral atoms or molecular species). For example, about 300℃
This is a method in which a thin film is grown in two steps (before and after).
従来のＣＶＤ法は気体分子の分解や反応を高い基板温度
で純粋に熱的に行うのに対して、プラズマＣＶＤ法は放
電による電気的エネルギーの助けによって、Ｊλ板温度
を低く抑えることに特徴がある。While the conventional CVD method performs the decomposition and reaction of gas molecules purely thermally at a high substrate temperature, the plasma CVD method is characterized by keeping the Jλ plate temperature low with the help of electrical energy from discharge. be.
この方法はステップカバレージ（まわりこみ、またはパ
ターン段差部被覆性）が良く、膜の強度が強く、更に耐
湿性に優れているといった特長を打する。また、プラズ
マＣＶＤ法による成膜生成速度（デポレート）は、減圧
ＣＶＤ法に比べて極めて速い。This method has the advantages of good step coverage (wrapping or coverage of pattern steps), strong film strength, and excellent moisture resistance. Further, the film formation rate (deposition rate) by the plasma CVD method is extremely fast compared to the low pressure CVD method.
［発明が解決しようとする問題点コ
プラズマＣＶＤ法により大口径ウェハの表面に均一な膜
Ｐ１のＣＶＤ膜を成膜させる場合、枚葉式の装置を使用
することが最も好ましい。[Problems to be Solved by the Invention] When forming a uniform CVD film P1 on the surface of a large-diameter wafer by the coplasma CVD method, it is most preferable to use a single-wafer type apparatus.
枚葉式プラズマ気相反応装置はウェハを加熱するための
、いわゆるサセプタを１基しか有しない。A single-wafer plasma vapor phase reactor has only one so-called susceptor for heating the wafer.
このサセプタは成膜反応処理中は継続的に加熱状態に維
持されている。This susceptor is continuously maintained in a heated state during the film forming reaction process.
このような１ステージ搾ンの加熱ヒータの場合、サセプ
タ上にウェハをいきなり載置すると急激な熱サイクルを
ウェハに与えることとなり、ウェハの膜ストレス値を高
める欠点がある。その結果、ウェハに“反り”が発生し
たり、スリップラインなどの結晶欠陥が発生する。In the case of such a one-stage heating heater, if the wafer is suddenly placed on the susceptor, a rapid thermal cycle is applied to the wafer, which has the disadvantage of increasing the membrane stress value of the wafer. As a result, "warpage" occurs in the wafer and crystal defects such as slip lines occur.
膜ストレスは膜生成時の加熱温度と熱サイクルにより発
生するが、加熱温度を低く抑えると、膜中に不純物（例
えば、Ｈイオン等）が入り込み膜質を低ドさせる。従っ
て、膜ストレスを抑制するために加熱温度を低くするこ
とは現実的な解決策ではない。Film stress is generated by the heating temperature and thermal cycle during film formation, but if the heating temperature is kept low, impurities (for example, H ions, etc.) enter the film and deteriorate the film quality. Therefore, lowering the heating temperature to suppress membrane stress is not a realistic solution.
“反り”や結晶欠陥の発生を防止する為に、１ステージ
ジンでサセプタのヒータ温調の変動によりウェハの予備
加熱または徐冷を行うと電気制御が複雑になるだけでな
く、スループットモ大幅ニ低ドする。In order to prevent the occurrence of "warpage" and crystal defects, preheating or slow cooling of the wafer by changing the temperature control of the susceptor's heater during a one-stage gin not only complicates electrical control but also greatly reduces throughput. Do a low C.
予備加熱または徐冷を好うためにローダ側およびアンロ
ーダ側にもステーションを各々１箇所配設し、合計３ス
テーシロンで処理を行う場合、装置が高価になり、かつ
、スループットもその分低ドする。In order to prefer preheating or gradual cooling, one station is placed on the loader side and one on the unloader side, and when processing is performed with a total of three stations, the equipment becomes expensive and the throughput decreases accordingly. .
［発明の目的コ
従って、本発明の目的はウェハに過大な膜ストレス値を
５えることなく、シかも高いスループットを維持しなか
ら枚葉式プラズマＣＶＤ法で、ウェハにＣＶ Ｉ）膜を
成膜する方法を提供することである。[Object of the Invention] Accordingly, the object of the present invention is to form a CVI) film on a wafer by a single-wafer plasma CVD method without imposing an excessive film stress value on the wafer, while maintaining high throughput. An object of the present invention is to provide a method for forming a film.
［問題点を解決するための手段］
前記の問題点を解決し、あわせて本発明の目的を達成す
るための手段として、この発明は、反応炉内に、ヒータ
により加熱されるサセプタおよびこのサセプタ上にウェ
ハを載せたり、あるいは上げたりするための爪上下機構
を仔する枚葉式プラズマ気相反応装置によりウェハの表
面に薄膜を形成させる方法において、ウェハを前記爪上
下機構に保持させた状態で前記サセプタの直」二で所定
時間待機させることにより該ウェハを予備加熱または徐
冷し、この待機時間中に反応炉内のガス雰囲気を調整す
ることを特徴とする枚葉式薄膜形成方法を提供する。[Means for Solving the Problems] As a means for solving the above-mentioned problems and also achieving the object of the present invention, the present invention provides a susceptor heated by a heater and a susceptor heated by a heater in a reactor. In a method of forming a thin film on the surface of a wafer using a single-wafer plasma vapor phase reactor having a claw vertical mechanism for placing or lifting the wafer thereon, a state in which the wafer is held by the claw vertical mechanism. A single wafer thin film forming method characterized in that the wafer is preheated or slowly cooled by waiting directly in the susceptor for a predetermined time, and the gas atmosphere in the reactor is adjusted during this waiting time. provide.
［作用］
前記のように、本発明の方法によれば、ウェハをサセプ
タの上端面に載置する前に、ウニ／Ｘはサセプタの直−
ヒで爪上下機構に保持されたまま所定時間待機され予備
加熱を受ける。予備加熱後、爪上下機構が降下してウェ
ハをサセプタ上端面に載置する。[Operation] As described above, according to the method of the present invention, before placing the wafer on the upper end surface of the susceptor, the sea urchin/X is placed directly on the susceptor.
The sample is held in the claw up/down mechanism for a predetermined period of time and subjected to preliminary heating. After preheating, the claw up/down mechanism descends to place the wafer on the upper end surface of the susceptor.
また、成膜反応処理が終了したら爪上下機構がウェハを
サセプタ上端面から持ち上げ、そのままの状態で所定時
間待機させ、ウェハを徐冷する。Further, when the film-forming reaction process is completed, the claw up-and-down mechanism lifts the wafer from the upper end surface of the susceptor, and the wafer is left to stand by for a predetermined period of time to slowly cool the wafer.
この予備加熱または徐冷のための待機時間中に、同時に
反応炉内のガス雰囲気を調整する。During this waiting time for preheating or slow cooling, the gas atmosphere inside the reactor is adjusted at the same time.
このように、ウェハは予備加熱または徐冷されるので、
急激な熱サイクルがウェハに加えられることは無くなり
、膜ストレスの発生も極めて効果的に抑制される。In this way, the wafer is preheated or slowly cooled;
Rapid thermal cycles are no longer applied to the wafer, and the generation of film stress is extremely effectively suppressed.
従来のプラズマ気相反応装置においても、反応炉内のガ
ス雰囲気を調整してからでなければ成膜反応処理を開始
したり、あるいは成膜済みのウェハを反応炉外へ搬出し
たりすることはできなかった。従って、本発明の方法は
、この反応炉内のガス雰囲気の調整時間を効果的に利用
することにより、ウェハを予備加熱または徐冷するもの
である。Even in conventional plasma vapor phase reactors, the gas atmosphere inside the reactor must be adjusted before starting the film-forming reaction process or transporting the film-formed wafers out of the reactor. could not. Therefore, the method of the present invention preheats or slowly cools the wafer by effectively utilizing the time for adjusting the gas atmosphere in the reactor.
よって、本発明の方法を実施してもスループットは全（
低下しない。Therefore, even if the method of the present invention is implemented, the total throughput (
Does not decrease.
か（して、従来通りの１ステージｑンのサセプタか一一
なるプラズマ気相反応装置でスループットを低下させる
ことなく、優れた膜質を有する薄膜をウェハ表面に成膜
させることができる。また、サセプタのヒータ温調も常
に設定温度を維持するだけでよく、制御も極めて簡単で
ある。(Thus, a thin film with excellent film quality can be formed on the wafer surface without reducing the throughput using a conventional one-stage susceptor or other plasma vapor phase reactor. The temperature control of the susceptor heater is extremely simple, as it is only necessary to maintain the set temperature at all times.
［実施例コ
以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について更
に詳細に説明する。[Example 1] Hereinafter, an example of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.
第１図（ａ）および（ｂ）は在来型のプラズマ気相反応
装置で本発明の方法を実施した場合の状態を示すＷ１要
図である。FIGS. 1(a) and 1(b) are W1 diagrams showing the state when the method of the present invention is carried out in a conventional plasma vapor phase reactor.
第１図において、１０はサセプタを示す。サセプタ１０
はヒータユニット１２と均熱盤１４とからなる。ウェハ
２０は爪−Ｌ下機構ｌｅａおよび１６ｂに保持され、こ
の均熱盤１４の１ユ端而に載置され、また持ち上げられ
る。均熱盤はアルミニウムまたはステンレス等の金属で
構成されており、爪上下機構のアームの本数は三木に限
らず、三木または四本とすることもできる。In FIG. 1, 10 indicates a susceptor. Susceptor 10
consists of a heater unit 12 and a soaking plate 14. The wafer 20 is held by the claw L lower mechanisms lea and 16b, placed on one end of the soaking plate 14, and lifted up. The soaking plate is made of metal such as aluminum or stainless steel, and the number of arms of the claw up and down mechanism is not limited to three arms, but can also be three arms or four arms.
図示されていないが、サセプタおよび爪上下機構は密閉
可能な反応炉内に配設されている。反応炉は開閉可能な
ゲート部を介して予備室に接続されている。ウェハはこ
の予備室からゲート部を介して反応炉内へ搬入あるいは
搬出される。ウェハの搬入および搬出はウェハハンドリ
ングアームにより行われる。Although not shown, the susceptor and the claw up/down mechanism are placed in a sealable reactor. The reactor is connected to the preliminary chamber via an openable and closable gate. The wafer is carried into or out of the reactor from this preliminary chamber via the gate section. Wafer loading and unloading is performed by a wafer handling arm.
ウェハハンドリングアームにより予備室からゲート部を
くぐって反応炉内に搬入されたウェハ２０は爪、Ｌ下機
横１８ａおよび１８ｂに受は渡される。第１図（ａ）に
示されるように、爪上下機構にウェハを保持させたら、
このままの状態で所定時間待機させ、ウェハを予備加熱
する。この間にゲート部を閉じて反応炉を密閉し、炉内
のガス雰囲気を成膜反応の実施に必要な状態に調整する
。The wafer 20 carried into the reactor from the preliminary chamber through the gate by the wafer handling arm is transferred to the claws and the L lower machine sides 18a and 18b. As shown in Figure 1(a), once the wafer is held by the claw up/down mechanism,
The wafer is kept in this state for a predetermined period of time and preheated. During this time, the gate portion is closed to seal the reactor, and the gas atmosphere in the reactor is adjusted to a state necessary for carrying out the film-forming reaction.
第１図（ｂ）に示されるように、ガス雰囲気の調整が完
了したら、爪上下機構を降下させ、ウェハ２０を均熱盤
１４の上端面に載置する。その後、高周波発振を印加さ
せ、所望の成膜反応処理を開始する。As shown in FIG. 1(b), when the adjustment of the gas atmosphere is completed, the claw up/down mechanism is lowered and the wafer 20 is placed on the upper end surface of the soaking plate 14. Thereafter, high frequency oscillation is applied to start a desired film forming reaction process.
第１図（ａ）に示されるように、成膜反応処理が完了し
たら直ちに爪上下機構を１昇させ、ウェハを均熱盤から
持ちヒげる。このままの状態で所定時間待機させ、ウェ
ハを徐冷する。ウェハ待機中に、炉内に残留している反
応ガスを炉外に排出し、炉内のガス雰囲気を調整する。As shown in FIG. 1(a), immediately after the film-forming reaction process is completed, the claw up/down mechanism is raised by one level to lift the wafer from the soaking plate. The wafer is left in this state for a predetermined period of time to gradually cool the wafer. While the wafer is on standby, the reaction gas remaining in the furnace is discharged to the outside of the furnace to adjust the gas atmosphere inside the furnace.
ウェハの待機時間はガス雰囲気の調整時間に依存して変
化する。しかし、ガス雰囲気の調整時間よりも短いこと
はない。ガス雰囲気の調整が完了しなければ結局、成膜
反応を開始させることも、あるいはウェハを炉外へ搬出
することもできないからである。待機時間の方が調整時
間よりも長くなるとスループットか低下する。従って、
ウェハ待機時間はガス雰囲気の調整時間と一致させるこ
とが！Ｉｒましい。The waiting time of the wafer varies depending on the adjustment time of the gas atmosphere. However, it is never shorter than the gas atmosphere adjustment time. This is because unless the adjustment of the gas atmosphere is completed, it is impossible to start the film forming reaction or to transport the wafer out of the furnace. If the waiting time is longer than the adjustment time, the throughput will decrease. Therefore,
The wafer standby time can be made to match the gas atmosphere adjustment time! Irish.
以」−１本発明の方法をプラズマＣＶＤ薄膜形成装置に
ついて詳細に説明してきたが、本発明の方法はプラズマ
ＣＶＤ薄膜形成装置に限らず、ウェハをサセプタで加熱
してから処理するような他の膜生成あるいは膜処理装置
についても同様に実施できることは当業者に明らかであ
る。1. Although the method of the present invention has been explained in detail with respect to a plasma CVD thin film forming apparatus, the method of the present invention is not limited to the plasma CVD thin film forming apparatus, but can be applied to other devices such as heating a wafer with a susceptor before processing. It will be obvious to those skilled in the art that similar implementations can be made for membrane production or membrane processing equipment.
［発明の効果］
以上説明したようなウェハ搬送機構にすれば、爪が上が
っている状態ではウェハの予備加熱または徐冷の機能を
果たし、かつ、この間に炉内のガス雰囲気が調整される
ので、スルーブツトは全く低下せず、１ステージ珪ンで
本発明の方法を申し分な〈実施できる。また、ヒータ温
調も常に設定温度を維持しているだけでよく、制御もい
たって簡単である。[Effects of the Invention] With the wafer transport mechanism as described above, the function of preheating or slow cooling of the wafer is achieved when the claws are raised, and the gas atmosphere in the furnace is adjusted during this time. However, the throughput does not decrease at all, and the method of the present invention can be carried out satisfactorily with a one-stage silicon. Furthermore, the heater temperature can be easily controlled by simply maintaining the set temperature at all times.
このように、ウェハは予備加熱または徐冷されるので、
急激な熱サイクルがウェハに加えられることは無くなり
、膜ストレスの発生も極めて効果的に伸側される。かく
して、ウェハに“反り”が発生したり、スリップライン
などの結晶欠陥が発生することもな（なり、膜質を向上
させることができる。In this way, the wafer is preheated or slowly cooled;
Rapid thermal cycles are no longer applied to the wafer, and the generation of film stress is very effectively suppressed. In this way, the wafer will not be warped or crystal defects such as slip lines will occur, and the film quality can be improved.
従来のプラズマ気相反応装置においても、反応炉内のガ
ス雰囲気を調整してからでなければ成膜反応処理を開始
したり、あるいは成膜済みのウェハを反応炉外へ搬出し
たりすることはできなかった。従って、本発明の方法は
、この反応炉内のガス雰囲気の調整時間を効果的に利用
することにより、ウェハを予備加熱または徐冷するもの
である。Even in conventional plasma vapor phase reactors, the gas atmosphere inside the reactor must be adjusted before starting the film-forming reaction process or transporting the film-formed wafers out of the reactor. could not. Therefore, the method of the present invention preheats or slowly cools the wafer by effectively utilizing the time for adjusting the gas atmosphere in the reactor.
よって、本発明の方法を実施してもスループットは全く
低下しない。Therefore, even if the method of the present invention is implemented, the throughput does not decrease at all.
かくして、従来通りの１ステーシヨンのサセプタからな
るプラズマ気相反応装置でスループットを低下させるこ
となく、優れた膜質を有する薄膜をウェハ表面に成膜さ
せることができる。他の予備加熱方式に比較して、付帯
設備が全く不要であり、しかもスルーブツトが低ドしな
いので、本発明の方法の実施コストは安価に抑えること
ができる。In this way, a thin film having excellent film quality can be formed on the surface of a wafer without reducing throughput using a conventional plasma vapor phase reactor comprising a one-station susceptor. Compared to other preheating methods, the implementation cost of the method of the present invention can be kept low because no additional equipment is required and the throughput is not reduced.
第１図（ａ）および（ｂ）は在来型のプラズマ気相反応
装置で本発明の方法を実施した場合の状態を示す概要図
であり、（ａ）は予備加熱または徐冷状態を示し、（ｂ
）は加熱状態を示す。
１０・・・サセプタ、１２・・・ヒータユニット。
１４・・・均熱盤、１６ａおよび１８ｂ・・・爪上下機
構。
２０・・・ウェハFIGS. 1(a) and 1(b) are schematic diagrams showing the state when the method of the present invention is implemented in a conventional plasma gas phase reactor, and (a) shows the preheating or slow cooling state. , (b
) indicates the heating state. 10... Susceptor, 12... Heater unit. 14... Soaking plate, 16a and 18b... Claw up and down mechanism. 20... wafer
Claims (3)
よびこのサセプタ上にウェハを載せたり、あるいは上げ
たりするための爪上下機構を有する枚葉式プラズマ気相
反応装置によりウェハの表面に薄膜を形成させる方法に
おいて、ウェハを前記爪上下機構に保持させた状態で前
記サセプタの直上で所定時間待機させることにより該ウ
ェハを予備加熱または徐冷し、この待機時間中に反応炉
内のガス雰囲気を調整することを特徴とする枚葉式薄膜
形成方法。(1) A thin film is deposited on the surface of the wafer using a single-wafer plasma vapor phase reactor, which has a susceptor heated by a heater in the reactor and a claw mechanism for placing and lifting the wafer onto the susceptor. In the forming method, the wafer is preheated or gradually cooled by waiting for a predetermined period of time directly above the susceptor while the wafer is held by the claw up/down mechanism, and during this waiting time, the gas atmosphere in the reactor is A single-wafer thin film forming method characterized by adjustment.
している特許請求の範囲第１項に記載の枚葉式薄膜形成
方法。(2) The single-wafer thin film forming method according to claim 1, wherein the wafer standby time is approximately equal to the gas atmosphere adjustment time.
装置である特許請求の範囲第１項に記載の枚葉式薄膜形
成方法。(3) The single-wafer thin film forming method according to claim 1, wherein the plasma vapor phase reaction device is a plasma CVD thin film forming device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22763786A JPS6381933A (en) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | Formation of single thin-film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22763786A JPS6381933A (en) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | Formation of single thin-film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6381933A true JPS6381933A (en) | 1988-04-12 |
Family
ID=16864008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22763786A Pending JPS6381933A (en) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | Formation of single thin-film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6381933A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03211822A (en) * | 1990-01-17 | 1991-09-17 | Fujitsu Ltd | Semiconductor manufacturing equipment |
| WO1998005061A1 (en) * | 1996-07-31 | 1998-02-05 | Sony Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6130237B2 (en) * | 1981-04-06 | 1986-07-11 | Doryokuro Kakunenryo Kaihatsu Jigyodan |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP22763786A patent/JPS6381933A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6130237B2 (en) * | 1981-04-06 | 1986-07-11 | Doryokuro Kakunenryo Kaihatsu Jigyodan |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH03211822A (en) * | 1990-01-17 | 1991-09-17 | Fujitsu Ltd | Semiconductor manufacturing equipment |
| WO1998005061A1 (en) * | 1996-07-31 | 1998-02-05 | Sony Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
| US6306183B1 (en) | 1996-07-31 | 2001-10-23 | Sony Corporation | Method of forming manufacturing semiconductor device |
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