JPS638083Y2 - - Google Patents

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JPS638083Y2
JPS638083Y2 JP16943182U JP16943182U JPS638083Y2 JP S638083 Y2 JPS638083 Y2 JP S638083Y2 JP 16943182 U JP16943182 U JP 16943182U JP 16943182 U JP16943182 U JP 16943182U JP S638083 Y2 JPS638083 Y2 JP S638083Y2
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JP
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varistor
ceramic varistor
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voltage
ceramic
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JP16943182U
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は酸化亜鉛等の金属酸化物を主体とした
セラミツクバリスタを有するサージ吸収装置に関
するもので、セラミツクバリスタに流れ込むサー
ジ電流に基づくリード線の抵抗,インダクタンス
の影響にて引き起される電圧降下を低減し、低い
制限電圧を得るための電極構造を有したサージ吸
収装置を提供するものである。
第1図〜第4図に従来例を示す。第1図の1は
先に述べたセラミツクバリスタの電圧−電流特性
であり、また2は一般にバリスタ電圧と呼ばれ、
急に電流が流れはじめる電圧である。第1図から
も理解されるようにバリスタ電圧以下の電圧では
セラミツクバリスタは、ほとんど絶縁物として働
き、漏れ電流もほとんどない。通常このバリスタ
の使用回路電圧は、このバリスタ電圧以下に設定
されている。
しかしながら、回路の電圧に、雷サージのよう
に高いパルス状電圧が印加された場合、セラミツ
クバリスタは極めて低い抵抗値を示し、サージ電
圧に伴なうサージ電流を流し、サージ電圧を抑制
する。
このセラミツクバリスタの一般的な構造を第2
図に示す。第2図において、3はセラミツクバリ
スタの焼結体、4は焼結体3の上にAg等で焼付
けられた電極、5は電極4に半田付けされたリー
ド線である。半導体機器等をサージ電圧から保護
するためには、第2図で示したセラミツクバリス
タのリード線5を、電源線または信号線の線間に
取付け、サージ吸収を行わせる。また、場合によ
つては線と大地間にも挿入されることがある。
ここで、第2図のセラミツクバリスタのサージ
電流に対する等価回路を第3図に示す。ただし、
すでにセラミツクバリスタは電源線または信号線
に接続されているものとする。図中6は電源線ま
たは信号線で、サージ電圧の侵入口側である。7
はリード線5等の影響を一切除いた焼結体3のみ
の特性を有するバリスタ、8はリード線5のもつ
インダクタンス、9は同じくリード線5のもつ抵
抗、10は電源線または信号線で被保護機器に接
続される側の端子である。
今、第3図の矢印のようにサージ電流が流れた
場合、インダクタンス8,抵抗9において電圧降
下を生じ、制限電圧はバリスタ7のもつ本来の制
限電圧にこれらが加算され、保護特性が悪くな
る。この傾向はバリスタ7へ流れ込む電流が大き
ければ大きい程、また電流の周波数成分が高けれ
ば高い程、インダクタンス8,抵抗9における電
圧降下は大きくなり、バリスタ7の制限電圧の数
10%に達することも珍しくない。
この様子を示すのが第4図である。横軸は対数
表示のサージ電流、縦軸は同じく対数表示の制限
電圧である。図中11はバリスタ7のもつ本来の
制限電圧特性、12はインダクタンス8,抵抗9
において引き起された電圧降下を示す電圧−電流
特性、13は第3図の端子10、すなわち被保護
機器側からみた制限電圧で、電圧的に11ならび
に12の電圧−電流特性を加え合せたものであ
る。このように、本来バリスタ7は11のような
特性を有しているにもかかわらず、第2図のよう
な構造ではその制限電圧が13のようになつてし
まい、はなはだ保護という面から有害な特性であ
る。
本考案はこれらの有害な特性を電極構造を用い
て除去し、セラミツクバリスタ本来の特性を引き
出し、被保護機器をサージ電圧から守ろうとする
と同時にプリント基板への接続を容易にし、かつ
機械的にも安定な取付けを提供するものである。
本考案の第3図に対する等価回路を第5図に示
す。図より明らかなように、10の電源線または
信号線端子をバリスタ7の両端、すなわち端子1
4から引き出し、インダクタンス8,抵抗9の電
圧降下を一切端子10、すなわち被保護機器側へ
与えないような構造としている。
第6図に本考案におけるサージ吸収装置の一実
施例を示す。第6図において、15はセラミツク
バリスタ、16は第5図の等価回路を生み出すU
字形の電極、17は電極16の先端に設けられた
電気接続用の2つの端子である。この場合、電極
16を互いに反対方向に向けてバリスタ15の表
裏に取付け、U字形の足の部分をバリスタ15の
平面に対して略垂直方向に折り曲げ、足の長さは
水平なプリント基板等に取付けた時にバリスタ1
5が水平になるように、あらかじめバリスタ15
の厚みの分だけ一方のU字形電極の足を短かくし
てある。なお、バリスタ15と電極16は電気的
に、例えば半田等で接続されている。
第6図のようなU字形の電極16をもつたセラ
ミツクバリスタの動作原理を説明する。第6図
で、AはU字形電極16の中央部の点、B,Cは
それぞれの端子部である。例えば、今サージ電圧
がバリスタ15の両電極16間にCならびにCに
対向している端子を通じて印加されたとする。こ
の時、サージ電流はC点からA点に向いつつ、図
の表から裏へと流れる。この時、A〜C間にある
電圧降下を生じる。これが先に示したインダクタ
ンス8,抵抗9による電圧降下である。しかしな
がら、A〜B間には何らサージ電流が流れていな
いため、この間で電圧降下は発生しない。そのた
めB点の電位はA点と同等である。そして、A点
の電位はセラミツクバリスタ15の制限電圧を示
しているため、B点はバリスタ本来の制限電圧を
示していることとなり、第5図の等価回路を満足
することになる。なお、第5図に第7図のA,
B,Cに相当する点を同記号A,B,Cにて示し
た。
このようなU字形電極構造を有したサージ吸収
装置は従来の第2図と同様、プリント基板に4つ
の穴を設けることで極めて機械的にも安定な取付
けができる。
第7図はU字形電極16を、スリツト18を設
けることによつてU字形に形成したもので、構造
的に強固となり、さらに第5図のC,A,Bの負
荷電流通路を大きく取ることが可能となる。
第8図はU字形のくびれの部分を打ち抜きやス
リツトではなく、電極16の表裏、またはどちら
か一方に19で示す溝またはくぼみを設け、他の
部分よりもその部分の電極厚みを薄くし抵抗成分
を大きくすることによつて、サージ電流を第6
図,第7図と同様U字形部に流れるようにしたも
のである。この溝またはくぼみ19は第8図では
1本だけであるが、複数個設けることによつて効
果はより大きくなる。また、溝またはくぼみの代
わりにひだを設けて導電距離を長くするようにし
ても良い。
以上の各種の構造のものは、すべて外装等の電
気絶縁をほどこしていないが、他部品との絶縁の
関係から樹脂等でコーテイングまたはケーシング
する場合もある。
以上説明したように本考案によれば、U字形電
極構造を用いることにより、サージ吸収装置が4
端子構造を形成し、リード線に流れるサージ電流
による電圧降下の影響をほぼ皆無にした本来のセ
ラミツクバリスタの制限電圧が得られ、保護特性
が優れる。
また、2つのU字形電極を用いることにより、
上記の効果を有しながら同一方向に4端子を得、
プリント基板等への取付けに際し、機械的に強固
ならびにコンパクトな取付けが可能となる。
さらに、2つのU字形電極を反対方向にして用
いていることにより、プリント基板上の高さを低
くすることが可能である。
さらにまた、U字形電極の構成を中央にスリツ
トを設けることによつて得ることにより、U字形
部の電流容量を増加させることが可能である。
また、絶縁被覆または絶縁物内に収納すること
によつて電気絶縁特性と同時に湿度等の環境的な
影響を避けることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はセラミツクバリスタの電圧−電流特性
図、第2図は従来のバリスタの構成を示す図、第
3図は第2図のバリスタのサージ電流に対する等
価回路図、第4図は第2図のバリスタの電圧−電
流特性図、第5図は本考案の基本等価回路図、第
6図は本考案の一実施例におけるサージ吸収装置
の斜視図、第7図は同装置における電極の他の例
を示す正面図、第8図a,bは同装置における電
極のさらに他の例を示す正面図とX−Y線断面図
である。 15……バリスタ、16……U字形電極、17
……端子、18……スリツト、19……溝または
くぼみ。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 酸化亜鉛等の金属酸化物よりなる電圧非直線
    指数の優れたセラミツクバリスタと、良導電金
    属製で略U字形をなし、2つの先端を電気端子
    とした電極板とを設け、前記セラミツクバリス
    タの表裏両電極上におのおの前記電極板を互い
    に逆方向に位置せしめてセラミツクバリスタに
    電気的に接続し、かつそれぞれの前記電極板の
    先端の電気端子を、前記セラミツクバリスタの
    平面に対して略垂直の同一方向に折曲形成し、
    同一方向に4つの電気端子を突出せしめてなる
    サージ吸収装置。 (2) 電極板を、スリツトを入れることによつてU
    字形に構成したことを特徴とする実用新案登録
    請求の範囲第1項記載のサージ吸収装置。 (3) 電極板を、くびれに相当する部分に溝または
    くぼみを設けて他の部分より電極板厚みを薄く
    して構成したことを特徴とする実用新案登録請
    求の範囲第1項記載のサージ吸収装置。 (4) 電極板を、くびれに相当する部分にひだを設
    けて導電距離を長くして得たことを特徴とする
    実用新案登録請求の範囲第1項記載のサージ吸
    収装置。
JP16943182U 1982-11-08 1982-11-08 サ−ジ吸収装置 Granted JPS5889904U (ja)

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JP16943182U JPS5889904U (ja) 1982-11-08 1982-11-08 サ−ジ吸収装置

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JP16943182U JPS5889904U (ja) 1982-11-08 1982-11-08 サ−ジ吸収装置

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JPS5889904U JPS5889904U (ja) 1983-06-17
JPS638083Y2 true JPS638083Y2 (ja) 1988-03-10

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