JPS6378229U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6378229U JPS6378229U JP17225786U JP17225786U JPS6378229U JP S6378229 U JPS6378229 U JP S6378229U JP 17225786 U JP17225786 U JP 17225786U JP 17225786 U JP17225786 U JP 17225786U JP S6378229 U JPS6378229 U JP S6378229U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor chip
- integrated semiconductor
- sensor
- diaphragm
- semiconductor pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
第1図は本考案の一実施例の構成説明図、第2
図は第1図の動作説明図、第3図は従来より一般
に使用されている従来例の構成説明図、第4図は
従来より一般に使用されている他の従来例の構成
説明図である。 1……センサチツプ、11……圧力感知部、1
11……凹部、112……ダイアフラム、2……
ピエゾ抵抗ゲージ、3……基板、31……導圧孔
、4……信号処理回路。
図は第1図の動作説明図、第3図は従来より一般
に使用されている従来例の構成説明図、第4図は
従来より一般に使用されている他の従来例の構成
説明図である。 1……センサチツプ、11……圧力感知部、1
11……凹部、112……ダイアフラム、2……
ピエゾ抵抗ゲージ、3……基板、31……導圧孔
、4……信号処理回路。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体からなるセンサチツプと、該センサ
チツプにダイアフラムを形成する凹部と、前記ダ
イアフラムに設けられたピエゾ抵抗ゲージと、前
記センサチツプに設けられ該ピエゾ抵抗ゲージの
出力信号を処理する信号処理回路とを具備する集
積形半導体圧力センサにおいて、前記処理回路が
測定スパン圧力によつて発生する二つの主応力が
ほぼ等しくなる前記センサチツプの位置に配置さ
れたことを特徴とする集積形半導体圧力センサ。 (2) ピエゾ抵抗素子として剪断形ゲージが用い
られたことを特徴とする集積形半導体圧力センサ
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17225786U JPS6378229U (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17225786U JPS6378229U (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6378229U true JPS6378229U (ja) | 1988-05-24 |
Family
ID=31108635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17225786U Pending JPS6378229U (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6378229U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003302298A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Denso Corp | 力学量検出装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53114689A (en) * | 1977-03-17 | 1978-10-06 | Hitachi Ltd | Semiconductor strain gauge type diaphragm |
JPS53114690A (en) * | 1977-03-17 | 1978-10-06 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Thin film strain gauge convertor |
JPS53126880A (en) * | 1977-04-13 | 1978-11-06 | Hitachi Ltd | Silicon diaphragm type strain gauge |
-
1986
- 1986-11-10 JP JP17225786U patent/JPS6378229U/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53114689A (en) * | 1977-03-17 | 1978-10-06 | Hitachi Ltd | Semiconductor strain gauge type diaphragm |
JPS53114690A (en) * | 1977-03-17 | 1978-10-06 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Thin film strain gauge convertor |
JPS53126880A (en) * | 1977-04-13 | 1978-11-06 | Hitachi Ltd | Silicon diaphragm type strain gauge |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2003302298A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Denso Corp | 力学量検出装置 |