JPS6376252A - 位置決め装置 - Google Patents
位置決め装置Info
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- JPS6376252A JPS6376252A JP21919586A JP21919586A JPS6376252A JP S6376252 A JPS6376252 A JP S6376252A JP 21919586 A JP21919586 A JP 21919586A JP 21919586 A JP21919586 A JP 21919586A JP S6376252 A JPS6376252 A JP S6376252A
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- Japan
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- stage
- scanning
- positioning
- pattern
- control member
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Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 18
- 238000012937 correction Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
半導体ウェーハのパターンなど被測定部材に形成された
所定のパターンを走査型t+顕微鏡の定位置に自動位置
決めする位置決め装置に関する。
所定のパターンを走査型t+顕微鏡の定位置に自動位置
決めする位置決め装置に関する。
(従来の技術)
半導体装置の分野では、集積回路の高密度化にともなっ
て、半導体ウェーハの表面に形成された微細なパターン
を高速、高精度に測定する装置を必要としている。通常
このような微細パターンの測定は、光学式顕微鏡を用い
た測微計、光学式顕微鏡と工業用テレビジ璽ンを組合せ
た電子式測定器など光学的手段を用いた測定器が広く用
いられているが、パターン寸法がサブミクロンになると
分解能上これら光学的手段を用いた測定器では測定困難
となる。
て、半導体ウェーハの表面に形成された微細なパターン
を高速、高精度に測定する装置を必要としている。通常
このような微細パターンの測定は、光学式顕微鏡を用い
た測微計、光学式顕微鏡と工業用テレビジ璽ンを組合せ
た電子式測定器など光学的手段を用いた測定器が広く用
いられているが、パターン寸法がサブミクロンになると
分解能上これら光学的手段を用いた測定器では測定困難
となる。
非光学的手段、たとえば走査型電子顕微鏡をモニタテレ
ビジ曹ンと組合せた測定器は、このような微細パターン
に対しても分解能上測定可能である。しかし、パターン
を高精度測定するために倍率を高くすると、所要のパタ
ーンをさがし出して位置決めするのに時間がかかり、検
査や測定の能率をいちじるしく低下させる。したがって
走査型電子顕微鏡に対して、所定のバター/を高速、高
精度に位置決めする装置が必要となる。
ビジ曹ンと組合せた測定器は、このような微細パターン
に対しても分解能上測定可能である。しかし、パターン
を高精度測定するために倍率を高くすると、所要のパタ
ーンをさがし出して位置決めするのに時間がかかり、検
査や測定の能率をいちじるしく低下させる。したがって
走査型電子顕微鏡に対して、所定のバター/を高速、高
精度に位置決めする装置が必要となる。
しかし、たとえば半導体ウェーハに形成されているオリ
7うを:&:準ピンに押し当てるなどのメカ的な方法で
は、位置決め誤差が大きく、又、回遊しようとすると、
高精度、高価なステージが必要となる。
7うを:&:準ピンに押し当てるなどのメカ的な方法で
は、位置決め誤差が大きく、又、回遊しようとすると、
高精度、高価なステージが必要となる。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は、走査型電子顕微鏡における所定のパターンの
位置決め精度及び能率に問題があることを参酌してなさ
れたもので、走査型電子顕微鏡から得られる所定のパタ
ーンが形成されている被測定部材の画像データを処理し
て、高精度かつ容易に上記所要のパターンを位置決めす
ることにある。
位置決め精度及び能率に問題があることを参酌してなさ
れたもので、走査型電子顕微鏡から得られる所定のパタ
ーンが形成されている被測定部材の画像データを処理し
て、高精度かつ容易に上記所要のパターンを位置決めす
ることにある。
(問題点を解決するための手段と作用)本発明の位置決
め装置は、走査型電子顕微鏡と、所定のパターンが形成
されている被測定部材の所定領域を電子ビームが走査す
るように、走査型電子顕微鏡に対して被測定部材を位置
決めするX−Yステージと、このX−Yステージの移動
を制御スるステージコントロール部と、上記電子ビーム
が指定の倍率で走査するように制御するスキャンコント
ロール部と、走査型電子顕微鏡から送出される画像信号
を再生して上記所定領域の画像を表示する表示部と、上
記画像Gi号を画像データとして格納するフレームメモ
リ部と、スキャンコントロール部へ走査指令およびフレ
ームメモリ部の画像データを使い、位置合せマークの位
蓋検出を行ない、ステージコントロール部へステージの
移動指令を送る演算制御部より構成され、画像データの
演算処理によりパターンの位置決めを行うようにしたも
のである。
め装置は、走査型電子顕微鏡と、所定のパターンが形成
されている被測定部材の所定領域を電子ビームが走査す
るように、走査型電子顕微鏡に対して被測定部材を位置
決めするX−Yステージと、このX−Yステージの移動
を制御スるステージコントロール部と、上記電子ビーム
が指定の倍率で走査するように制御するスキャンコント
ロール部と、走査型電子顕微鏡から送出される画像信号
を再生して上記所定領域の画像を表示する表示部と、上
記画像Gi号を画像データとして格納するフレームメモ
リ部と、スキャンコントロール部へ走査指令およびフレ
ームメモリ部の画像データを使い、位置合せマークの位
蓋検出を行ない、ステージコントロール部へステージの
移動指令を送る演算制御部より構成され、画像データの
演算処理によりパターンの位置決めを行うようにしたも
のである。
(実施例)
以下、図面を参照してこの発明を半導体ウェーハに形成
されている所定のパターンを位置決めする実施例につい
て説明する。
されている所定のパターンを位置決めする実施例につい
て説明する。
この例の位置決め装置は、第1図に示すように、走査型
電子顕微鏡(1)と、半導体ウェーハ(ト)を足位置に
位置決めするX−Yステージ(2)を有する。
電子顕微鏡(1)と、半導体ウェーハ(ト)を足位置に
位置決めするX−Yステージ(2)を有する。
走査型電子顕微鏡(1)は、電子銃(3)から放出され
た電子ビーム(4)を電子レンズ系(5)集束し、これ
を偏向系(6)で偏向して、上記定位置に位置決めされ
た半導体ウェーハ(W)を走査し、この走査により発生
した二次電子検出器(8)に捕捉された二次電子(7)
は、画像信号として表示部(9)およびフレームメモリ
部α呻に送出される。上記X−Yステージ(2)の移動
は、コンピュータ、メモリなどを内蔵する演算制御部a
のから送出される駆動指令に基づいてステージコントロ
ール部(13から送出される信号により制御される。ま
た、上記電子ビーム(4)の偏向は、同じく演算制御部
(I2から送出される電子ビーム(4)の走査幅および
走査角を指定する走査指令と走査の倍率を指定する倍率
指令に基づいて、スキャンコントロール部α4により制
御される。上記表示部(9)は、二次電子検出器(8)
から送出される画像信号を、スキャンコントロール部I
から送出される信号により電子ビーム(4)の走査と同
期して取り込み、表示装置すなわちこの例では、図示し
ない表示用プラクン管の画面上に再生表示する。また、
フレ−ムメモリ部αQに送出される画像信号は、〜0(
アナログ−デジタル)変換されフレームメモリ部(1(
1に格納される。上記演算制御部Q3は、第2図に示す
ように、スキャンコントロール部uL7レームメモリ部
a〔を制御する制御手段(12a)と、7レームメモ’
J&lSα1の画像データをX、Y方向に投影処理する
投影処理手段(12b)と、この投影処理手段(12b
)にて得られた投影データに基づいて後述するマーク(
Ml)、 (M2)の位置検出を行う位置検出手段(1
2C)を有している。
た電子ビーム(4)を電子レンズ系(5)集束し、これ
を偏向系(6)で偏向して、上記定位置に位置決めされ
た半導体ウェーハ(W)を走査し、この走査により発生
した二次電子検出器(8)に捕捉された二次電子(7)
は、画像信号として表示部(9)およびフレームメモリ
部α呻に送出される。上記X−Yステージ(2)の移動
は、コンピュータ、メモリなどを内蔵する演算制御部a
のから送出される駆動指令に基づいてステージコントロ
ール部(13から送出される信号により制御される。ま
た、上記電子ビーム(4)の偏向は、同じく演算制御部
(I2から送出される電子ビーム(4)の走査幅および
走査角を指定する走査指令と走査の倍率を指定する倍率
指令に基づいて、スキャンコントロール部α4により制
御される。上記表示部(9)は、二次電子検出器(8)
から送出される画像信号を、スキャンコントロール部I
から送出される信号により電子ビーム(4)の走査と同
期して取り込み、表示装置すなわちこの例では、図示し
ない表示用プラクン管の画面上に再生表示する。また、
フレ−ムメモリ部αQに送出される画像信号は、〜0(
アナログ−デジタル)変換されフレームメモリ部(1(
1に格納される。上記演算制御部Q3は、第2図に示す
ように、スキャンコントロール部uL7レームメモリ部
a〔を制御する制御手段(12a)と、7レームメモ’
J&lSα1の画像データをX、Y方向に投影処理する
投影処理手段(12b)と、この投影処理手段(12b
)にて得られた投影データに基づいて後述するマーク(
Ml)、 (M2)の位置検出を行う位置検出手段(1
2C)を有している。
つぎに、半導体ウェーハ(W)に形成されている位置合
せマーク(M、1 ) 、 (M2 )を使い、半導体
ウェーハ(W)の位置決めをする方法について述べる。
せマーク(M、1 ) 、 (M2 )を使い、半導体
ウェーハ(W)の位置決めをする方法について述べる。
まず、X−Yステージ(2)に半導体ウェーハ(W)を
走査型電子顕微@! (1)に対して定位置に送り込む
。
走査型電子顕微@! (1)に対して定位置に送り込む
。
この送り込みは、演算制御部αりから送出される指令に
基づいて、ステージコントロー#flQ3にヨリ一定の
精度でおこなわれる。半導体ウェーハ(W)には、第3
図及び第4図に示す様に、たとえばチップ(A)、 (
B)に近接した場所に位置合せマーク(Ml)、 (M
2)が作っである。なお、第4図は第3図の円内の拡大
図である。しかして、演算制御部Q2には、この位置合
せマーク(Ml)、 (M2)の位置データと、チップ
(A)、 (H)のアドレスが$前に登録されている。
基づいて、ステージコントロー#flQ3にヨリ一定の
精度でおこなわれる。半導体ウェーハ(W)には、第3
図及び第4図に示す様に、たとえばチップ(A)、 (
B)に近接した場所に位置合せマーク(Ml)、 (M
2)が作っである。なお、第4図は第3図の円内の拡大
図である。しかして、演算制御部Q2には、この位置合
せマーク(Ml)、 (M2)の位置データと、チップ
(A)、 (H)のアドレスが$前に登録されている。
つぎに、チップ(A)の位置合せマーク(Ml )のア
ドレスを検出する。つづいて、送り込まれた半導体クエ
ーハ(W)に対して、走査型電子顕微鏡(1)の偏向系
(6)は、演算制御部側からスキャンコントロール部α
4に送出される走査指令および倍率指令に基づいて、電
子銃(3)から放出され電子レンズ系(5)で集束され
た電子ビーム(4)を数100倍ないし1000倍の低
倍率で偏向してチップ(A)の位置合せマーク(Ml)
の付近を走査する。この走査にしたがって、半導体ウェ
ーハ(W)から放出される二次電子は、二次電子検出器
(8)に捕捉され、画像信号として表示部(9)および
フレームメモリ部atJlに送出される。表示部(9)
は、これを再生して表示用プ2クン管の画面に上記所定
領域の画像を表示する。フレームメモリ部0Qは、A/
D変換して、デジタルデータとして、それを1画像デー
タとして格納する。上記電子ビーム(4)の偏向走介を
低倍率でおこなうことは、上記のように半導体ウェーハ
(W)を比較的低い一定の精度で送り込んでも、この電
子ビーム(4)の走査領域内に目的とする位置合せマー
クが含まれ、第5図(A)に示される様に、表示用ブラ
ウン管の画面に、位置合わせマーク(Ml)が表示され
、フレームメモリ部GQに格納された画像データにも含
まれることを意味する。フレームメモリ部O1に格納さ
れた画像データは、演算制御部α2によって容易に読み
誉きができる様になっている。位置合せマーク(Ml)
、 (M2)は、第5図(A)に示す様に、ダイシング
ライン(DL)の中央部に形成されている。かくて、演
算制御部u4は、次の処理を行なって、位置合せマーク
(Ml)の中心位置を求める。第5図(A)の画像に対
して、水平方向。
ドレスを検出する。つづいて、送り込まれた半導体クエ
ーハ(W)に対して、走査型電子顕微鏡(1)の偏向系
(6)は、演算制御部側からスキャンコントロール部α
4に送出される走査指令および倍率指令に基づいて、電
子銃(3)から放出され電子レンズ系(5)で集束され
た電子ビーム(4)を数100倍ないし1000倍の低
倍率で偏向してチップ(A)の位置合せマーク(Ml)
の付近を走査する。この走査にしたがって、半導体ウェ
ーハ(W)から放出される二次電子は、二次電子検出器
(8)に捕捉され、画像信号として表示部(9)および
フレームメモリ部atJlに送出される。表示部(9)
は、これを再生して表示用プ2クン管の画面に上記所定
領域の画像を表示する。フレームメモリ部0Qは、A/
D変換して、デジタルデータとして、それを1画像デー
タとして格納する。上記電子ビーム(4)の偏向走介を
低倍率でおこなうことは、上記のように半導体ウェーハ
(W)を比較的低い一定の精度で送り込んでも、この電
子ビーム(4)の走査領域内に目的とする位置合せマー
クが含まれ、第5図(A)に示される様に、表示用ブラ
ウン管の画面に、位置合わせマーク(Ml)が表示され
、フレームメモリ部GQに格納された画像データにも含
まれることを意味する。フレームメモリ部O1に格納さ
れた画像データは、演算制御部α2によって容易に読み
誉きができる様になっている。位置合せマーク(Ml)
、 (M2)は、第5図(A)に示す様に、ダイシング
ライン(DL)の中央部に形成されている。かくて、演
算制御部u4は、次の処理を行なって、位置合せマーク
(Ml)の中心位置を求める。第5図(A)の画像に対
して、水平方向。
垂直方向に、画素データを加算し、第5図(13)、
(C)の様なヒストグラムを求める。すると、2次電子
画像では、チップ(A)の端部(ダイシングライン(D
L)とチップ(A)の境界線(BL)・・・)は暗く見
える。
(C)の様なヒストグラムを求める。すると、2次電子
画像では、チップ(A)の端部(ダイシングライン(D
L)とチップ(A)の境界線(BL)・・・)は暗く見
える。
これは、境界i (BL)・・・を構成しているレジス
トなどの2次電子発生率が低いためと考えられる。次に
、第6図(A)に示す様に1任意のしきい値T1でヒス
トグラムを切り、ダイシング2イン(1)L)の境界線
(BL)、 (BL)を求める。次に、第6図(B)に
示す様に、ダイシングライン(DL)内のヒスドグ2ム
の最低点を、しきい値T2を使って求める。しきい値T
2とヒストグラムの交点c1.c2.y−、求め、その
中央点が求めるアドレスとなる。この様な方法で、第5
図(B)、 (C)について行ない、位置合わせマーク
(Ml)の中心アドレス(ax、ay)を決定する。
トなどの2次電子発生率が低いためと考えられる。次に
、第6図(A)に示す様に1任意のしきい値T1でヒス
トグラムを切り、ダイシング2イン(1)L)の境界線
(BL)、 (BL)を求める。次に、第6図(B)に
示す様に、ダイシングライン(DL)内のヒスドグ2ム
の最低点を、しきい値T2を使って求める。しきい値T
2とヒストグラムの交点c1.c2.y−、求め、その
中央点が求めるアドレスとなる。この様な方法で、第5
図(B)、 (C)について行ない、位置合わせマーク
(Ml)の中心アドレス(ax、ay)を決定する。
演算制御部(lりは、次に、第3図のチップ(B)へス
テージコントロール部(13へ指令を送って移動させ、
同様の作業を行ない、中心アドレス(bx、 by)を
求める。コレら中心アトL/ /< (ax、ay)、
(bx、by) ヨリ、ステージQ3)に対する半導
体ウェーハ(〜■)の回転角θ。を求める。測定点への
半導体ウェーハ(W)の移動の場盆、演算制御部は、θ
補正を行なってアドレスを算出する。
テージコントロール部(13へ指令を送って移動させ、
同様の作業を行ない、中心アドレス(bx、 by)を
求める。コレら中心アトL/ /< (ax、ay)、
(bx、by) ヨリ、ステージQ3)に対する半導
体ウェーハ(〜■)の回転角θ。を求める。測定点への
半導体ウェーハ(W)の移動の場盆、演算制御部は、θ
補正を行なってアドレスを算出する。
以上のように、この%M例の位置決め装:11は、所定
のパターンが形成さnている被測定部Zを、X−Yステ
ージに搭載して、走査型電子顕微鏡の定位置へ送り込み
、低倍率で、その所定領域を走査して、位置合せマーク
の位置を検出し、異なりた2チツプの位置を求めること
により、X−Yステージに対するウェーハの回転ズレを
求め、測長パターンの位置決めの時に、角度補正を行な
うようにしたことにより、容易かつ高1%?夏に、さら
にまた自動的に位置合せできる。
のパターンが形成さnている被測定部Zを、X−Yステ
ージに搭載して、走査型電子顕微鏡の定位置へ送り込み
、低倍率で、その所定領域を走査して、位置合せマーク
の位置を検出し、異なりた2チツプの位置を求めること
により、X−Yステージに対するウェーハの回転ズレを
求め、測長パターンの位置決めの時に、角度補正を行な
うようにしたことにより、容易かつ高1%?夏に、さら
にまた自動的に位置合せできる。
なお、第7図に示すように、ウェーハの膜の糎類、パタ
ーンの様子によって、ダイシングライン(DL)とチッ
プ(G)・・・との境界がはつきりしていない場合があ
る。この場合は、8EMの低倍の観察視野(例えば50
0倍で200μm)より看干長めに且つ故意に、境界M
(BL)を位置合わせマーク(MO)を囲繞するように
−1*ijに形成しておけば対応できる。
ーンの様子によって、ダイシングライン(DL)とチッ
プ(G)・・・との境界がはつきりしていない場合があ
る。この場合は、8EMの低倍の観察視野(例えば50
0倍で200μm)より看干長めに且つ故意に、境界M
(BL)を位置合わせマーク(MO)を囲繞するように
−1*ijに形成しておけば対応できる。
本発明の位置決め装置は、所定のパターンが形成されて
いる対象部材の位置決めを高精度かつ高能率に行うこと
ができる。
いる対象部材の位置決めを高精度かつ高能率に行うこと
ができる。
第1図は本発明の一笑施例の位置決め装置の構成図、第
2図は同じく演算制御部の構成図、第3図は位置決め対
象である半導体ウェーハの千面因、第4図は第3図の円
内の拡大図、第5図及び第6図は第1図に示す位置決め
装置による位置決めの説明図、第7図は第4図に示す位
置決め対象の変形例である。 (1):走査型電子顕微鏡。 (2) : X −Yステージ。 (1z:演算制御部。 a3ニスチーシコントロール部。 α4ニスキヤンコントロ一ル部。 (W)二手導体ウェーハ(被測定部材)。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第1図 第2図 第3図 114図
2図は同じく演算制御部の構成図、第3図は位置決め対
象である半導体ウェーハの千面因、第4図は第3図の円
内の拡大図、第5図及び第6図は第1図に示す位置決め
装置による位置決めの説明図、第7図は第4図に示す位
置決め対象の変形例である。 (1):走査型電子顕微鏡。 (2) : X −Yステージ。 (1z:演算制御部。 a3ニスチーシコントロール部。 α4ニスキヤンコントロ一ル部。 (W)二手導体ウェーハ(被測定部材)。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第1図 第2図 第3図 114図
Claims (2)
- (1)所定のパターンが形成されている被測定部材の所
定領域を電子ビームで走査しこの走査により上記領域か
ら放出される二次電子を捕捉して画像信号として送出す
る走査型電子顕微鏡の対物面に対向して上記被測定部材
を搭載してX、Y方向に移動し上記被測定部材の所定領
域を電子ビームが走査できるように上記走査型電子顕微
鏡に対して上記被測定部材を位置決めするX−Yステー
ジと、このX−Yステージの移動を制御するステージコ
ントロール部と、上記電子ビームが複数の倍率から選択
された指定の倍率で走査するように上記電子ビームの走
査を制御するスキャンコントロール部と、上記画像信号
から表示装置に上記所定領域の画像を再生して表示する
表示部と、上記画像信号を画像データとして格納するフ
レームメモリ部と、上記スキャンコントロール部に上記
電子ビームの走査および走査倍率を指定する走査指令及
び上記フレームメモリ部に格納されている画像データを
用いて上記パターンの位置検出によるX−Yステージと
のずれを算出するとともにこの算出結果に基づいて上記
ステージコントロール部に上記パターン位置決めのため
の駆動指令信号を出力する演算制御部とを具備すること
を特徴とする位置決め装置。 - (2)演算制御部は、画像データをX、Y方向に投影処
理する投影処理手段と、この投影処理手段により得られ
た投影データに基づいてパターンの位置検出を行う位置
検出手段とを有することを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の位置決め装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21919586A JPS6376252A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 位置決め装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21919586A JPS6376252A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 位置決め装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6376252A true JPS6376252A (ja) | 1988-04-06 |
Family
ID=16731699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21919586A Pending JPS6376252A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 位置決め装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6376252A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006138864A (ja) * | 2001-08-29 | 2006-06-01 | Hitachi Ltd | 試料寸法測定方法及び走査型電子顕微鏡 |
JP2007003535A (ja) * | 2001-08-29 | 2007-01-11 | Hitachi Ltd | 試料寸法測定方法及び走査型電子顕微鏡 |
US7659508B2 (en) | 2001-08-29 | 2010-02-09 | Hitachi, Ltd. | Method for measuring dimensions of sample and scanning electron microscope |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP21919586A patent/JPS6376252A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006138864A (ja) * | 2001-08-29 | 2006-06-01 | Hitachi Ltd | 試料寸法測定方法及び走査型電子顕微鏡 |
JP2007003535A (ja) * | 2001-08-29 | 2007-01-11 | Hitachi Ltd | 試料寸法測定方法及び走査型電子顕微鏡 |
US7659508B2 (en) | 2001-08-29 | 2010-02-09 | Hitachi, Ltd. | Method for measuring dimensions of sample and scanning electron microscope |
US8080789B2 (en) | 2001-08-29 | 2011-12-20 | Hitachi, Ltd. | Sample dimension measuring method and scanning electron microscope |
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