JPS637610A - Manufacture of dielectric material for thin film of capacitor - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、コンデンサ用薄膜誘電体材料の製造方法に関
するものであり、産業上有益に、小型・軽量化フィルム
コンデンサを、大量生産することを目的とする。[Detailed Description of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a method for manufacturing a thin film dielectric material for capacitors, and is industrially useful for mass producing small and lightweight film capacitors. purpose.

（従来の技術）（発明が解決しようとする問題点）近年
、エレクトロニクス分野において、高集積回路の採用及
び部品の高密度実装の普及などに伴い１機器の小型・軽
量化志向がますます強くなってきている。その中にあっ
て、フィルムコンデンサも同様に小型化へと種々の開発
が試みられている。ところで、コンデンサの静電容量は
、誘電体の誘電率と電極面積に比例し、厚さに反比例す
る。(Prior Art) (Problem to be Solved by the Invention) In recent years, in the electronics field, with the adoption of highly integrated circuits and the spread of high-density packaging of components, there has been an increasing desire to make devices smaller and lighter. It's coming. Among these, various attempts have been made to develop film capacitors to make them smaller as well. Incidentally, the capacitance of a capacitor is proportional to the dielectric constant and electrode area of the dielectric, and inversely proportional to the thickness.

したがって、フィルムコンデンサの小型化をはかる場合
には２誘電体材料として使用するフィルムの誘電率を大
きく２厚さを薄くすることにより。Therefore, in order to reduce the size of a film capacitor, the dielectric constant of the film used as the dielectric material should be increased and the thickness should be reduced.

単位電極面積あたりの静電容量を太き（することが要求
される。It is required to increase the capacitance per unit electrode area.

一般にフィルムコンデンサの誘電体材料としては、ポリ
エチレンテレフクレート、ポリプロピレン、ポリスチレ
ン、ポリカーボネートなど力）らなる高分子フィルムが
使用される。これらの高分子フィルムの厚さは４〜６μ
ｍｈ＜ｑ通であるが、近年市場要請により２〜３μｍの
厚さのポリエチレンテレフタレートのフィルムも製品化
されてはいる。しかしながら、２〜３μｍの厚さの薄物
フィルムを工業的規模で生産する場合、そのフィルムの
薄さからくる多くの技術的問題点がでてくる。In general, a polymer film made of polyethylene terephrate, polypropylene, polystyrene, polycarbonate, etc. is used as a dielectric material for a film capacitor. The thickness of these polymer films is 4-6μ
Although mh<q, polyethylene terephthalate films with a thickness of 2 to 3 μm have recently been commercialized due to market demand. However, when producing a thin film with a thickness of 2 to 3 μm on an industrial scale, many technical problems arise due to the thinness of the film.

しわの発生を防止しつつ、厚み精度の高い薄物フィルム
を歩留りよく製造加工生産するには、原料ポリマーの精
製、未延伸フィルムの溶融成型、加熱延伸などの各工程
における最適の製造方法、製造条件の選択、製造ライン
の建屋内界囲気の防塵管理、高度の品質管理が必要とな
る。したがって。In order to manufacture and process thin films with high thickness accuracy and high yield while preventing the occurrence of wrinkles, optimal manufacturing methods and manufacturing conditions are required for each process, such as refining raw polymers, melting molding of unstretched films, and heating and stretching. selection, dust-proof management of the air surrounding the manufacturing line building, and advanced quality control. therefore.

１物フイルムを安価に量産するのは非常に難しく。It is extremely difficult to mass-produce one-product films at low cost.

フィルム厚みは２μｍ程度が限界と考えられている。さ
らに、２〜３μｍ厚みのＴＪ＊フィルムを誘電体として
フィルムコンデンサに加工する際１通常はフィルムの両
面に電極を構成するために真空装置内でアルミニウム金
属の蒸着を行い、いわゆる金属化フィルムとし、帯状に
切り出して素子巻きする加工工程を経るが、フィルムの
薄さからくる技術上の困難度は大きく、生産性の低下を
もたらしている。−方、フィルムコンデンサの誘電体材
料として求められている電気特性は、誘電率が高く温度
依存性が小さいもの、誘電正接が小さく電気絶縁耐圧特
性に優れたものがよい。種々の高分子フィルムが開発さ
れてはいるが、ポリエチレンテレフタレーロポリプロピ
レンフイルム以上に電気特性、物理特性、経済性に優れ
た誘電体材料としての有機高分子フィルムはない。高誘
電率を有する高分子フィルム、たとえば最近開発された
ポリフッ化ビニリデンフィルムは、誘電率が８〜９とポ
リエチレンテレフタレートフィルムの誘電率３と比べて
３倍近く大きく、フィルムコンデンサの誘電体材料とし
て有望視されたが、誘電正接が５％と大きく、致命的な
欠点となっている。It is thought that the limit for film thickness is about 2 μm. Furthermore, when processing a TJ* film with a thickness of 2 to 3 μm as a dielectric into a film capacitor, 1. Usually, in order to form electrodes on both sides of the film, aluminum metal is vapor-deposited in a vacuum apparatus to form a so-called metallized film. The process involves cutting out the film into strips and winding them into elements, but this is technically difficult due to the thinness of the film, resulting in a drop in productivity. - On the other hand, the electrical properties required for a dielectric material for a film capacitor include a material with a high dielectric constant and low temperature dependence, and a material with a small dielectric loss tangent and excellent electrical dielectric strength characteristics. Although various polymer films have been developed, there is no organic polymer film used as a dielectric material that has better electrical properties, physical properties, and economical efficiency than polyethylene terephthalate polypropylene film. Polymer films with a high dielectric constant, such as the recently developed polyvinylidene fluoride film, have a dielectric constant of 8 to 9, which is nearly three times higher than that of polyethylene terephthalate film, which has a dielectric constant of 3, and is promising as a dielectric material for film capacitors. However, the dielectric loss tangent is as large as 5%, which is a fatal drawback.

以上の問題点を解決するための手段として５有機高分子
フィルムを支持体基板とし、その少な（とも−方の面に
、下部電極としての導電性金属層。As a means to solve the above problems, an organic polymer film is used as a support substrate, and a conductive metal layer is used as a lower electrode on both sides.

有機高分子薄膜層、ａ膜銹電体層、及び上部電極として
の導電性金属層を１１ル次、積層してなるコンデンサ用
薄膜誘電体材料が提案されている。しかしながら、この
ようなフィルムコンデンサの誘電体材料として非常に優
れた電気特性を有するコンデンサ用薄膜誘電体材料を製
造するにおいて、産業上、安価に９歩留りよく製造する
方法がないのが現状である。A thin film dielectric material for capacitors has been proposed, which is formed by laminating eleven layers of an organic polymer thin film layer, an A-film electric material layer, and a conductive metal layer as an upper electrode. However, in manufacturing a thin film dielectric material for a capacitor having very excellent electrical properties as a dielectric material for such a film capacitor, there is currently no industrial method for manufacturing it at low cost and with a good yield.

（問題点を解決するための手段） 本発明者らは、前記コンデンサ用薄膜誘電体材料の産業
上、有益な製造方法を開発すべく鋭意研究を進めた結果
、有機高分子フィルムを支持体成板とし、その少なくと
も一方の面に下部電極としての導電性金属層、有機高分
子薄膜層、水溶性高分子層、薄膜誘電体層、及び上部電
極としての導電性金属層を順次各層の必要パターンに応
じて積層した後、水洗により、水溶性高分子層ならびに
その上の薄膜誘電体層及び上部電極を一括洗い出すこと
によって、下部電極を露出させるという本発明に到達し
たのである。(Means for Solving the Problems) As a result of intensive research to develop an industrially useful manufacturing method for the thin film dielectric material for capacitors, the present inventors have discovered that an organic polymer film is used as a support. A conductive metal layer as a lower electrode, an organic polymer thin film layer, a water-soluble polymer layer, a thin film dielectric layer, and a conductive metal layer as an upper electrode are sequentially formed on at least one surface of the plate in the required pattern for each layer. After laminating the layers in accordance with the above, the present invention was achieved in which the water-soluble polymer layer, the thin film dielectric layer thereon, and the upper electrode are all washed out by washing with water, thereby exposing the lower electrode.

以下に９図面を参照して本発明を具体的に説明する。The present invention will be specifically described below with reference to nine drawings.

まず、下部電極は、有機高分子フィルムの長平方向に、
必要な設計で、非蒸着部分が存在するように電極形成さ
れる。導電性金属層としては、アルミニウム、亜鉛等が
あげられ、好ましくはアルミニウムを用いるのがよい。First, the lower electrode is placed in the longitudinal direction of the organic polymer film.
According to the necessary design, the electrode is formed so that a non-evaporated part exists. Examples of the conductive metal layer include aluminum, zinc, etc., and aluminum is preferably used.

ただし、フィルムの長手方向とはフィルムの巻き取り方
向、フィルムの幅方向とは長手方向に交差する方向を意
味する。However, the longitudinal direction of the film means the winding direction of the film, and the width direction of the film means the direction intersecting the longitudinal direction.

有機高分子フィルム基板（１）上に（第１図）。on an organic polymer film substrate (1) (Fig. 1).

コート法または印刷法により、フィルムの長手方向に必
要な設計で水溶性高分子層を形成する（第２図）。水溶
性高分子層としては、ポリアクリル酸ソーダ、ポリビニ
ルアルコール、メチルセルローズ、カルボキシメチルセ
ルローズ、ポリエチレンオキサイド、ポリビニルピロリ
ドン、ポリアクリル酸アミド等があげられ、好ましくは
セルローズ系を用いるのがよい、形成法としては、どの
ような方法を用いてもよいが、好ましくはグラビア印刷
法を用いるのがよい。次に、この上全面に。A water-soluble polymer layer is formed in the required design in the longitudinal direction of the film by a coating method or a printing method (FIG. 2). Examples of the water-soluble polymer layer include sodium polyacrylate, polyvinyl alcohol, methyl cellulose, carboxymethyl cellulose, polyethylene oxide, polyvinylpyrrolidone, polyacrylic acid amide, etc., and it is preferable to use a cellulose type. Although any method may be used for this purpose, it is preferable to use a gravure printing method. Next, cover the entire surface of this.

導電性金属層を蒸着法、イオンプレーティング法あるい
はスパッタリング法で形成し、水洗により。A conductive metal layer is formed by vapor deposition, ion plating, or sputtering, and then washed with water.

水溶性高分子層ならびにその上の導電性金属層を洗い出
すことによって下部電極（２）を形成する（第３図）。A lower electrode (2) is formed by washing out the water-soluble polymer layer and the conductive metal layer thereon (FIG. 3).

あるいは、テープマージン法、オイルマージン法におい
て下部電極を形成してもよい。Alternatively, the lower electrode may be formed using a tape margin method or an oil margin method.

この下部電極（２）上に（第３図）、必要なパターンに
応じて、任意の幅で、それぞれの下部電極中央部分に非
印刷部分が残るように（第４図）。On this lower electrode (2) (Fig. 3), a non-printed part is left at the center of each lower electrode (Fig. 4) with an arbitrary width depending on the required pattern.

有機高分子薄膜層（３）を形成する。有機高分子薄膜層
としては、１ｋＨｚで測定した誘電正接が１％以下であ
り、膜厚０．１〜０．７μｍの範囲である熱可塑性樹脂
、熱硬化性樹脂及び両者の混合物を用いるのがよい。た
だし膜厚が０．１μｍ以下では、十分な電気絶縁抵抗が
得られず、膜厚が０．７μｍ以上では、断面積あたり、
大きな静電容量が得られないので実用的でない。たとえ
ば、熱可塑性樹脂としては、ポリスチレン、ポリエチレ
ン。An organic polymer thin film layer (3) is formed. As the organic polymer thin film layer, it is preferable to use a thermoplastic resin, a thermosetting resin, or a mixture thereof, which has a dielectric loss tangent measured at 1 kHz of 1% or less and a film thickness in the range of 0.1 to 0.7 μm. good. However, if the film thickness is 0.1 μm or less, sufficient electrical insulation resistance cannot be obtained, and if the film thickness is 0.7 μm or more, per cross-sectional area,
It is not practical because a large capacitance cannot be obtained. For example, thermoplastic resins include polystyrene and polyethylene.

ポリアミド、ポリエステル等があげられ、熱硬化性樹脂
としては、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、
エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル。Examples include polyamide, polyester, etc., and thermosetting resins include urea resin, melamine resin, phenol resin,
Epoxy resin, unsaturated polyester.

アルキド樹脂、ウレタン樹脂等があげられる。好ましく
はポリエステル系樹脂を用いるのがよい。Examples include alkyd resins and urethane resins. Preferably, polyester resin is used.

両者の非印刷部分上に、当該部分よりも広い幅で水溶性
高分子層（４）を形成する（第５図）。その上全面に、
薄膜誘電体層（５）（第６図）、上部電極（６）として
の導電性金属層（第７図）を。A water-soluble polymer layer (4) is formed on both non-printing parts with a width wider than the said parts (FIG. 5). Moreover, all over the
A thin film dielectric layer (5) (Fig. 6), a conductive metal layer (Fig. 7) as the upper electrode (6).

蒸着法、イオンプレーティング法あるいはスパッタリン
グ法を用いて、順次積層する。薄膜誘電体層としては、
硫化亜鉛、酸化鉛、酸化珪素、酸化チタン、イツトリウ
ム酸化物等があげられ、好ましくは硫化亜鉛を用いるが
よい。また、その膜厚は０．１〜０．８μｍの範囲がよ
い。ただし、膜厚が０．１μｍ以下では、十分な電気絶
縁抵抗が得られず、膜厚が０．８μｍ以上では、膜自身
の亀裂を生じ９歩留り率の低下を招く。また、より高い
電気絶縁抵抗及び、誘電特性が望まれる場合には、必要
に応じて、薄膜誘電体層（５）と上部電極（６）との間
に有機高分子薄膜層を付加してもよい。次に、これらを
水洗により、水溶性高分子層（４）ならびに水溶性高分
子層（４）上の薄膜誘電体層（５）及び上部電極（６）
を洗い出し、下部電極を露出させる。連続乾燥炉に入れ
、水分を十分取り除いた後、スリッターにより、任意の
幅で切り出すことによって（７）、コンデンサ用薄膜誘
電体材料を得るのである。これらを所望の容量単位を得
るため、任意の長さで切り出すことによって。The layers are sequentially stacked using a vapor deposition method, an ion plating method, or a sputtering method. As a thin film dielectric layer,
Examples include zinc sulfide, lead oxide, silicon oxide, titanium oxide, yttrium oxide, etc., and zinc sulfide is preferably used. Moreover, the film thickness is preferably in the range of 0.1 to 0.8 μm. However, if the film thickness is 0.1 μm or less, sufficient electrical insulation resistance cannot be obtained, and if the film thickness is 0.8 μm or more, the film itself will crack, resulting in a decrease in yield rate. Furthermore, if higher electrical insulation resistance and dielectric properties are desired, an organic polymer thin film layer may be added between the thin film dielectric layer (5) and the upper electrode (6) as necessary. good. Next, by washing with water, the water-soluble polymer layer (4), the thin film dielectric layer (5) on the water-soluble polymer layer (4), and the upper electrode (6) are removed.
to expose the lower electrode. After putting it in a continuous drying oven and removing enough moisture, it is cut into arbitrary widths using a slitter (7) to obtain a thin film dielectric material for capacitors. By cutting these to any length to obtain the desired capacity unit.

巻き回し型コンデンサ、あるいは単位容量を切り出し、
積層することよって、チップ型コンデンサを得るのであ
る。Cut out a wound capacitor or unit capacity,
By laminating them, a chip-type capacitor is obtained.

以上、有機高分子フィルムを支持体基板とし。In the above, an organic polymer film is used as a support substrate.

その少なくとも一方の面に、下部電極としての導電性金
属層、有機高分子薄膜層、薄膜誘電体層。A conductive metal layer as a lower electrode, an organic polymer thin film layer, and a thin dielectric layer on at least one surface thereof.

及び下部電極としての４電性金属層を順次積層してなる
コンデンサ用薄膜誘電体材料を製造するに際して、水溶
性高分子層を形成し、−括洗い出すことによって、下部
電極を露出させることにより。In manufacturing a thin film dielectric material for a capacitor which is formed by sequentially laminating four electrically conductive metal layers as a lower electrode, a water-soluble polymer layer is formed and washed out to expose the lower electrode.

連続大量生産が可能となり、産業上、有益であり。Continuous mass production becomes possible, which is industrially beneficial.

かつ歩留りのよい製造が可能となったのである。Moreover, it has become possible to manufacture with high yield.

（実施例） 以下に、実施例を示して本発明を図面を参照して具体的
に説明する。(Example) The present invention will be specifically described below with reference to the drawings by showing examples.

実施例１〜５ 支持体基板（１）として、フィルム厚６μｍのポリエス
テルフィルムを用い（第１図）、このフィルムのｌｆｆ
１方向に、１８ｍ−のピッチ、幅２龍のパターンで、水
溶性高分子層として、ヒドロキシプロピルセルローズ（
ＴＣＩ−Ｅ、Ｐ、、東京化成）をフィルムの長平方向に
、グラビア印刷法により１μｍ形成した（第２図）。次
に、この上全面に。Examples 1 to 5 A polyester film with a film thickness of 6 μm was used as the support substrate (1) (Fig. 1), and the lff of this film was
Hydroxypropylcellulose (
TCI-E, P, Tokyo Kasei) was formed to a thickness of 1 μm in the longitudinal direction of the film by gravure printing (FIG. 2). Next, cover the entire surface of this.

ＡＩを下部電極（２）として、真空蒸着法により０．０
６μｍ蒸着し、水洗により、水溶性高分子層ならびに水
溶性高分子層上のＡＩを同時に洗い出し、連続乾燥炉に
て水分を蒸発させた（第３図）。0.0 by vacuum evaporation method using AI as the lower electrode (2)
6 μm was deposited, the water-soluble polymer layer and the AI on the water-soluble polymer layer were washed out at the same time by washing with water, and the water was evaporated in a continuous drying oven (FIG. 3).

次に、有機高分子薄膜層（３）として、それぞれ下部電
極中央部分に２ｍｌの幅で非印刷部分が残るように、フ
ィルムの長平方向にグラビア印刷法によりポリエステル
樹脂（バイロン２００．東洋紡）を０゜３μｍ形成した
（第４図）。ついで、この非印刷部分の両端にｌ　ｓｍ
ずつ重なるように、水溶性高分子層（４）を１μｍグラ
ビア印刷した（第５図）。さらに、この有機高分子薄膜
層（３）、水溶性高分子層（４）上全面に、硫化亜鉛薄
膜誘電体層（５）を、ＲＦビイオンプレーティング法よ
り形成した（第６図）。すなわち、アルゴンをペルジャ
ー内に導入し、真空度７　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒに保ち
、電圧２　ｋ　Ｖ、、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波
電界を１００Ｗ印加しながら、電子銃により硫化亜鉛蒸
発母材を加熱蒸発させ、０．５μｍ形成した。Next, as the organic polymer thin film layer (3), 0% polyester resin (Vylon 200, Toyobo) was applied in the longitudinal direction of the film by gravure printing so that a non-printed part with a width of 2 ml remained at the center of each lower electrode. A thickness of 3 μm was formed (Fig. 4). Next, mark l sm on both ends of this non-printing part.
The water-soluble polymer layer (4) was gravure printed with a thickness of 1 μm so as to overlap each other (FIG. 5). Furthermore, a zinc sulfide thin film dielectric layer (5) was formed on the entire surface of the organic polymer thin film layer (3) and the water-soluble polymer layer (4) by RF bioion plating (FIG. 6). That is, argon was introduced into the Pelger, the vacuum level was kept at 7 x 10 Torr, and the zinc sulfide evaporated base material was heated with an electron gun while applying a 100 W high-frequency electric field with a voltage of 2 kV and a frequency of 13.56 MHz. It was evaporated to form a 0.5 μm layer.

ただし、蒸発母材は、純度９９．９９％の微粉末をプレ
ス成型し、８００℃で６時間真空焼結を行ったものを用
いた。この硫化亜鉛１膜誘電体層（５）上に、上部電極
（６）としてＡＩを０．０６μｍ真空蒸着した（第７図
）。次に、水洗により、水溶性高分子層（４）ならびに
水溶性高分子層（４）上の薄膜誘電体層（５）及び上部
電極（６）を−括洗い出し、下部電極（２）を露出させ
た（第８図）。次に、連続乾燥炉に入れ、水分を十分取
り除いた後、スリッターにより、それぞれの下部電極及
び下部電極間中央部分を切断しく７）１巻き取り、コン
デンサ用薄膜誘電体材料を得た。このコンデンサ用薄膜
誘電体材料を素子巻機にかけて。However, the evaporation base material used was one obtained by press-molding fine powder with a purity of 99.99% and performing vacuum sintering at 800° C. for 6 hours. On this zinc sulfide one-film dielectric layer (5), AI was vacuum-deposited to a thickness of 0.06 μm as an upper electrode (6) (FIG. 7). Next, by washing with water, the water-soluble polymer layer (4), the thin film dielectric layer (5) on the water-soluble polymer layer (4), and the upper electrode (6) are washed out, and the lower electrode (2) is exposed. (Figure 8). Next, it was placed in a continuous drying oven to sufficiently remove moisture, and then cut each of the lower electrodes and the center portion between the lower electrodes using a slitter (7) and wound up once to obtain a thin film dielectric material for a capacitor. This thin film dielectric material for capacitors is passed through an element winding machine.

設計静電容１ｉ２０ｎＦ（実施例１）、４０ｎＦ　（実
施例２）、６’０ｎＦ（実施例３）、８０ｎＦ（実施例
４）、１００ｎＦ（実施例５）コンデンサ素子を形成し
た。ただし、フィルムの幅方向に切断する場合には、バ
ーンオフをおこなった。これらのコンデンサ素子に、亜
鉛溶射により外部電極を形成し。Capacitor elements having design capacitances of 1i20 nF (Example 1), 40 nF (Example 2), 6'0 nF (Example 3), 80 nF (Example 4), and 100 nF (Example 5) were formed. However, when cutting the film in the width direction, burn-off was performed. External electrodes are formed on these capacitor elements by zinc spraying.

樹脂モールド後、静電容量（ｌｋＨｚで測定）。Capacitance (measured at lkHz) after resin molding.

電気絶縁抵抗（３０Ｖで測定）及び歩留り率を測定した
。その結果を表１．に示す。ただし歩留り率は、それぞ
れサンプル１００点を作成し、その内で、電気絶縁抵抗
が５Ｘ１０９Ω以上のものを百分率で表したものである
。Electrical insulation resistance (measured at 30V) and yield rate were measured. The results are shown in Table 1. Shown below. However, the yield rate is expressed as a percentage of 100 samples each having an electrical insulation resistance of 5×10 9 Ω or more.

表　　１゜ （発明の効果） 本発明によれば５次の効果を得ることができる。Table 1゜ (Effect of the invention) According to the present invention, the fifth-order effect can be obtained.

（１１従来の金属化フィルムコンデンサと比較して、大
幅に小型化されたコンデンサ用薄膜誘電体材料を２産業
上、安価に製造できる。(11) Thin-film dielectric materials for capacitors that are significantly smaller than conventional metallized film capacitors can be manufactured at low cost in the industry.

（２）従来の薄膜コンデンサと比較して、電気絶縁抵抗
の大きい、誘電正接の小さなコンデンサ用薄膜誘電体材
料を歩留りよく、製造できる。(2) Compared to conventional thin film capacitors, thin film dielectric materials for capacitors with high electrical insulation resistance and small dielectric loss tangent can be manufactured with high yield.

つまり、水溶性高分子層を形成し、−括洗い出すことに
よってコンデンサ用薄膜誘電体材料を形成することより
、従来の方法に比べて、工程が簡略化され、大幅なコス
トダウンが可能となった。In other words, by forming a water-soluble polymer layer and washing it out to form a thin film dielectric material for capacitors, the process is simplified and costs can be significantly reduced compared to conventional methods. .

また同時に、誘電正接が低く、電気絶縁抵抗１歩留り率
の高いものを、安定して製造することが可能となった。At the same time, it has become possible to stably manufacture products with a low dielectric loss tangent and a high yield rate of electrical insulation resistance.

本発明により製造された薄膜誘電体材料は、従来のフィ
ルムコンデンサの誘電体材料である金属化フィルムに比
べて、装造加工工程上の取り扱いはほとんど変わらず、
コンデンサ用の全く新規な優れた薄膜誘電体材料を、産
業上有益に製造することができる。The thin film dielectric material manufactured according to the present invention can be handled almost unchanged in the packaging process compared to the metallized film that is the dielectric material of conventional film capacitors.
An entirely new and superior thin film dielectric material for capacitors can be manufactured to industrial advantage.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図〜第８図は、本発明の一例の態様を示す断面図で
ある。 １　有機高分子フィルム基板 ２　下部電極 ３　有機高分子薄膜層 ４　水溶性高分子層 ５１膜誘電体層 ６　上部電極 ７　切断位置FIGS. 1 to 8 are cross-sectional views showing an example of an embodiment of the present invention. 1 Organic polymer film substrate 2 Lower electrode 3 Organic polymer thin film layer 4 Water-soluble polymer layer 51 membrane dielectric layer 6 Upper electrode 7 Cutting position

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）有機高分子フィルムを支持体基板とし、その少な
くとも一方の面に下部電極としての導電性金属層、有機
高分子薄膜層、水溶性高分子層、薄膜誘電体層、及び上
部電極としての導電性金属層を順次各層の必要パターン
に応じて積層した後、水洗により、水溶性高分子層なら
びにその上の薄膜誘電体層及び上部電極を一括洗い出す
ことによって、下部電極を露出させ、また、これら下部
電極、薄膜誘電体層及び上部電極は、蒸着法、イオンプ
レーティング法あるいはスパッタリング法により、有機
高分子薄膜層及び水溶性高分子層がコート法あるいは印
刷法により形成されることを特徴とするコンデンサ用薄
膜誘電体材料の製造方法。(1) An organic polymer film is used as a support substrate, and at least one surface thereof is provided with a conductive metal layer as a lower electrode, an organic polymer thin film layer, a water-soluble polymer layer, a thin film dielectric layer, and an upper electrode. After sequentially laminating the conductive metal layers according to the required pattern of each layer, the water-soluble polymer layer, the thin film dielectric layer thereon, and the upper electrode are all washed out by washing with water, thereby exposing the lower electrode. These lower electrodes, thin film dielectric layers, and upper electrodes are formed by vapor deposition, ion plating, or sputtering, and organic polymer thin film layers and water-soluble polymer layers are formed by coating or printing. A method for manufacturing a thin film dielectric material for capacitors. （２）下部電極が有機高分子フィルムの長手方向に、必
要な設計で非蒸着部分が存在するように電極形成され、
有機高分子薄膜層は、下部電極中央部分に、必要なパタ
ーンに応じて、任意の幅で、非印刷部分が残るように形
成され、次に、水溶性高分子層が非印刷部分上に、当該
部分よりも広い幅で形成され、さらに薄膜誘電体層が有
機高分子薄膜層、水溶性高分子層上全面に形成され、ま
た上部電極は薄膜誘電体層上全面に電極形成されること
をを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の製造方法。(2) The lower electrode is formed in the longitudinal direction of the organic polymer film so that a non-evaporated part exists according to the necessary design,
The organic polymer thin film layer is formed on the central part of the lower electrode with an arbitrary width depending on the required pattern, leaving a non-printed part, and then a water-soluble polymer layer is formed on the non-printed part. The thin film dielectric layer is formed on the entire surface of the organic polymer thin film layer and the water-soluble polymer layer, and the upper electrode is formed on the entire surface of the thin film dielectric layer. A manufacturing method according to claim 1, characterized in that: