JPS636730A - 厚膜抵抗素子及びそれを内蔵する電子管 - Google Patents
厚膜抵抗素子及びそれを内蔵する電子管Info
- Publication number
- JPS636730A JPS636730A JP61149573A JP14957386A JPS636730A JP S636730 A JPS636730 A JP S636730A JP 61149573 A JP61149573 A JP 61149573A JP 14957386 A JP14957386 A JP 14957386A JP S636730 A JPS636730 A JP S636730A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- tube
- coating layer
- iron
- insulating coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 3
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 silconium Chemical compound 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- QPILZZVXGUNELN-UHFFFAOYSA-M sodium;4-amino-5-hydroxynaphthalene-2,7-disulfonate;hydron Chemical compound [Na+].OS(=O)(=O)C1=CC(O)=C2C(N)=CC(S([O-])(=O)=O)=CC2=C1 QPILZZVXGUNELN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は、カラー受像管、泥像管などの陰極線管、進
行波管、タライストロン、X線管などの電子銃構体、あ
るいはX線イメージインデンジファイアなど、複数個の
管内電極を右する電子管に係わり、とくにその真空容器
内に設けられ電子レンズを構成する複数個の管内電極に
、同様に真空容器内に内蔵した分圧抵抗素子から各電極
に動作電圧を分配するように構成された電子管に関する
。
行波管、タライストロン、X線管などの電子銃構体、あ
るいはX線イメージインデンジファイアなど、複数個の
管内電極を右する電子管に係わり、とくにその真空容器
内に設けられ電子レンズを構成する複数個の管内電極に
、同様に真空容器内に内蔵した分圧抵抗素子から各電極
に動作電圧を分配するように構成された電子管に関する
。
(従来の技術)
従来、例えばカラー受像管において陽極電圧以外に、例
えばコンバージェンス電極ヤ)フォーカス電極等に高電
圧を供給する場合、ステム部からリード線を介して高電
圧を供給すると不所望な放電などを生じるので、受像管
内の電子銃溝体部分に分圧用の抵抗素子を組み込み、こ
れによって陽極電圧を分圧して夫々の電極に高電圧を供
給する構成が採用される。その−例は、持回[455−
14627号公報に示されている。管内に内蔵される分
圧抵抗素子は、アルミナセラミックス製の絶縁基板−り
に酸化ルデニウム(RIJ 02 >−ガラス系からな
る抵抗層をジグザグパターン状に印刷塗布し、これを焼
成したうえこの抵抗層を覆うように硼珪酸鉛ガラスから
なる絶縁被覆層を形成づ゛る。ぞしてこれを550〜6
50’Cでおよそ20〜30分焼成する。また、この絶
縁被覆層の月利に酸化アルミニウムをS右させてカラー
受像管の製造工程のとくに高電圧ノッキングによる抵抗
値の変化を抑制するものである。
えばコンバージェンス電極ヤ)フォーカス電極等に高電
圧を供給する場合、ステム部からリード線を介して高電
圧を供給すると不所望な放電などを生じるので、受像管
内の電子銃溝体部分に分圧用の抵抗素子を組み込み、こ
れによって陽極電圧を分圧して夫々の電極に高電圧を供
給する構成が採用される。その−例は、持回[455−
14627号公報に示されている。管内に内蔵される分
圧抵抗素子は、アルミナセラミックス製の絶縁基板−り
に酸化ルデニウム(RIJ 02 >−ガラス系からな
る抵抗層をジグザグパターン状に印刷塗布し、これを焼
成したうえこの抵抗層を覆うように硼珪酸鉛ガラスから
なる絶縁被覆層を形成づ゛る。ぞしてこれを550〜6
50’Cでおよそ20〜30分焼成する。また、この絶
縁被覆層の月利に酸化アルミニウムをS右させてカラー
受像管の製造工程のとくに高電圧ノッキングによる抵抗
値の変化を抑制するものである。
ところで、内部が真空の電子管に内蔵されるこの種分圧
抵抗素子に要求される条件としては、■ 電子管製造工
程中の加熱工程などを経てし抵抗値が安定であること、 ■ 動作中に発生するジュール熱や高電界中に晒されて
も抵抗値変化やガス放出が少ないこと、■ 散乱電子が
当っても、二次電子放出源にならないこと、 等が挙げられる。
抵抗素子に要求される条件としては、■ 電子管製造工
程中の加熱工程などを経てし抵抗値が安定であること、 ■ 動作中に発生するジュール熱や高電界中に晒されて
も抵抗値変化やガス放出が少ないこと、■ 散乱電子が
当っても、二次電子放出源にならないこと、 等が挙げられる。
(発明が解決しようとする問題点)
ところが、従来から知られるこの種分圧抵抗素子を内蔵
する電子管では、第6図に点線曲線Pで示すように、動
作初期からおよそ200乃至300 ++、’7間内で
抵抗値が大ぎく変化する現象をもつことが確認される。
する電子管では、第6図に点線曲線Pで示すように、動
作初期からおよそ200乃至300 ++、’7間内で
抵抗値が大ぎく変化する現象をもつことが確認される。
またこの抵抗値の変化は、高電圧がかかる部分でとくに
顕著である。このように部分的に抵抗値が変化すると、
各管内電極への供給電圧配分が変化してしまう。このた
め電子レンズ作用が劣化してしまい、例えばカラー受像
管などでは画面のフォーカスが劣化し、画質低下となっ
てしまう。
顕著である。このように部分的に抵抗値が変化すると、
各管内電極への供給電圧配分が変化してしまう。このた
め電子レンズ作用が劣化してしまい、例えばカラー受像
管などでは画面のフォーカスが劣化し、画質低下となっ
てしまう。
この発明は以上のような事情に鑑み、管内に配設された
分圧抵抗素子の抵抗値の変化がきわめて少なく、電子レ
ンズを構成する各電極への電圧配分が艮肋間の動作でも
ほとんど変化しない複数個の管内電極を有する電子管を
提供することを目的とする。
分圧抵抗素子の抵抗値の変化がきわめて少なく、電子レ
ンズを構成する各電極への電圧配分が艮肋間の動作でも
ほとんど変化しない複数個の管内電極を有する電子管を
提供することを目的とする。
(発明の概要)
この発明は、真空容器内に設けられた複数個の管内電極
に接続された分圧抵抗素子が、絶縁基板上に、酸化ルテ
ニウム、酸化鉛、酸化硅素を主成分とづる照は混合物か
らなる抵抗体層が被着され、この抵抗体層を覆うように
硼珪酸鉛ガラスを主体とする絶縁被覆)C1が92りら
れるとともに、この絶縁被覆層が鉄、ニッケル、クロム
、コバルト、亜鉛、銅、シルコニ【クム、カドミウムの
中から選択された少なくとも1つの遷移金属酸化物を含
んでなる複数個の管内電極を有する電子管である。
に接続された分圧抵抗素子が、絶縁基板上に、酸化ルテ
ニウム、酸化鉛、酸化硅素を主成分とづる照は混合物か
らなる抵抗体層が被着され、この抵抗体層を覆うように
硼珪酸鉛ガラスを主体とする絶縁被覆)C1が92りら
れるとともに、この絶縁被覆層が鉄、ニッケル、クロム
、コバルト、亜鉛、銅、シルコニ【クム、カドミウムの
中から選択された少なくとも1つの遷移金属酸化物を含
んでなる複数個の管内電極を有する電子管である。
(作用)
このような複数個の管内電極を右づる電子管によれば、
比較的高温、あるいは高電圧が印加される条件で長時間
動作されても、抵抗体層の抵抗値の変化をきわめて小さ
い範囲にとどめることができる。
比較的高温、あるいは高電圧が印加される条件で長時間
動作されても、抵抗体層の抵抗値の変化をきわめて小さ
い範囲にとどめることができる。
後述するJ:うに、従来の構成の場合は抵抗体層からそ
れを覆う絶縁被覆層に、これら抵抗体層及び絶縁被覆層
の共通構成成分である酸化鉛が溶出し、これが原因とな
って抵抗値を大きく変化させているものと考えられる。
れを覆う絶縁被覆層に、これら抵抗体層及び絶縁被覆層
の共通構成成分である酸化鉛が溶出し、これが原因とな
って抵抗値を大きく変化させているものと考えられる。
それに対してこの発明によれば、分圧抵抗素子の絶縁被
覆層が鉄笠の遷移金属酸化物を含有することにより、抵
抗体層から絶縁被覆層への酸化鉛の溶出が大きく抑えら
れ、それによって高温、あるいはlOI電界中で長時間
動作させても抵抗値の変化がきわめて少なく、電子レン
ズ作用の劣化等を防止することができる。したがってき
わめて信頼性の昌い電子管を17にとができる。
覆層が鉄笠の遷移金属酸化物を含有することにより、抵
抗体層から絶縁被覆層への酸化鉛の溶出が大きく抑えら
れ、それによって高温、あるいはlOI電界中で長時間
動作させても抵抗値の変化がきわめて少なく、電子レン
ズ作用の劣化等を防止することができる。したがってき
わめて信頼性の昌い電子管を17にとができる。
(発明の実施例)
以下図面を参照してその実施例を説明する。
第1図は、この発明をカラー受像管に適用した例である
。図中の符号11は真空容器を構成するガラス容器のネ
ック部、12はそれに連続するファンネル部、13はそ
れらの内面に塗i5されたアノード電極被膜、14はス
テム部、15は外部リード、16は電子銃構体、Kはそ
のカソード電極、G、は第1グリツド電極、G2は第2
グリツド電極、G3は第3グリツド電極、G、は第4グ
リツド電極、G5は第5グリツド電極、G、は第6グリ
ツド電極、G7は第7グリツド電極、G8は第8グリツ
ド電極、Gcはコンバージェンス電極、17はスプリン
グ接触子、18.19は一対の電極支持用絶縁ビードガ
ラスをあられしている。各電極は、3原色に対応して3
組整列されている。なお各電極間の管内での電気的な短
絡接続の構成は、図面および説明を筒中にする意味で省
略しである。
。図中の符号11は真空容器を構成するガラス容器のネ
ック部、12はそれに連続するファンネル部、13はそ
れらの内面に塗i5されたアノード電極被膜、14はス
テム部、15は外部リード、16は電子銃構体、Kはそ
のカソード電極、G、は第1グリツド電極、G2は第2
グリツド電極、G3は第3グリツド電極、G、は第4グ
リツド電極、G5は第5グリツド電極、G、は第6グリ
ツド電極、G7は第7グリツド電極、G8は第8グリツ
ド電極、Gcはコンバージェンス電極、17はスプリン
グ接触子、18.19は一対の電極支持用絶縁ビードガ
ラスをあられしている。各電極は、3原色に対応して3
組整列されている。なお各電極間の管内での電気的な短
絡接続の構成は、図面および説明を筒中にする意味で省
略しである。
そこで、この電子銃、構体の一部に、細長い板状の分圧
抵抗素子Vが、ビードガラスの1つの外側に沿わせて固
定されている。そしてこの抵抗素子21の高電圧側端子
22がコンバージェンス電極GCに、また分圧用中間端
子23.24.25がそれぞれ第7グリツド電極G’/
N第6グリツド電極Gus第5グリツド電極G、に、各
導線を介して電気的に接続されている。さらにステム側
すなわら低電圧側端子26は、ステムに貫通植ムシされ
たり一部15の1つに接続されている。こうして、複数
個の管内電極には、分圧抵抗素子ζによりアノード電圧
から所定の分圧比で電圧配分され、供給されろ。そして
所要の電子レンズを構成する。
抵抗素子Vが、ビードガラスの1つの外側に沿わせて固
定されている。そしてこの抵抗素子21の高電圧側端子
22がコンバージェンス電極GCに、また分圧用中間端
子23.24.25がそれぞれ第7グリツド電極G’/
N第6グリツド電極Gus第5グリツド電極G、に、各
導線を介して電気的に接続されている。さらにステム側
すなわら低電圧側端子26は、ステムに貫通植ムシされ
たり一部15の1つに接続されている。こうして、複数
個の管内電極には、分圧抵抗素子ζによりアノード電圧
から所定の分圧比で電圧配分され、供給されろ。そして
所要の電子レンズを構成する。
さて、分圧抵抗素子Vは、第2図および第3図に示すよ
うな構成を右する。第2図はその中央縦断面図、第3図
は外表部を構成する絶縁被覆層−ヒから透視した平面図
である。
うな構成を右する。第2図はその中央縦断面図、第3図
は外表部を構成する絶縁被覆層−ヒから透視した平面図
である。
好ましい製造手順にしたがって説明すると、まず酸化ア
ルミニウムが約96千呈パーセントのセラミックス製の
細長い絶縁基板27を用意する。なJ3この絶縁基板の
材料としては、酸化アルミニウムを主成分に、他に酸化
硅素、酸化マグネシウム、あるいは酸化カルシウム等を
含有したセラミックスいだでらよく、あるいはまたガラ
ス基板笠であってもJ−い。このII!!縁基板27の
所要箇所に低抵抗の島状電極層28.28・・・および
貴通ピンを含むステンレス製の端子22.23.24.
25.26を設ける。
ルミニウムが約96千呈パーセントのセラミックス製の
細長い絶縁基板27を用意する。なJ3この絶縁基板の
材料としては、酸化アルミニウムを主成分に、他に酸化
硅素、酸化マグネシウム、あるいは酸化カルシウム等を
含有したセラミックスいだでらよく、あるいはまたガラ
ス基板笠であってもJ−い。このII!!縁基板27の
所要箇所に低抵抗の島状電極層28.28・・・および
貴通ピンを含むステンレス製の端子22.23.24.
25.26を設ける。
次にこの絶縁基板27の一面上に、酸化ルテニウム(R
u O2>粉末と、酸化1f(Pbo)および酸化硅素
(Si O2)を主成分とするガラスl利粉末との無機
混合物を溶融、混練してiQられる抵抗材料をジグザグ
パターン状に印刷塗布する。
u O2>粉末と、酸化1f(Pbo)および酸化硅素
(Si O2)を主成分とするガラスl利粉末との無機
混合物を溶融、混練してiQられる抵抗材料をジグザグ
パターン状に印刷塗布する。
これは各市(※端子に電気的に接合され、抵抗体層29
となる1、なj3この抵抗体層29は、酸化ルテニウム
、酸化鉛、および酸化硅素を主成分とするものであるが
、これに加え酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ビス
マスを含有させてもよい。なお、低抵抗のI;3状電極
層部28.28・・・は、抵抗体層29と同様に酸化ル
テニウム、酸化鉛、酸化硅素を主成分とするが、それに
酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ビスマス等を含有
させて酸化ルテニウム/ガラス成分比を抵抗体層29よ
りも大ぎくしで低抵抗値を得る。
となる1、なj3この抵抗体層29は、酸化ルテニウム
、酸化鉛、および酸化硅素を主成分とするものであるが
、これに加え酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ビス
マスを含有させてもよい。なお、低抵抗のI;3状電極
層部28.28・・・は、抵抗体層29と同様に酸化ル
テニウム、酸化鉛、酸化硅素を主成分とするが、それに
酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ビスマス等を含有
させて酸化ルテニウム/ガラス成分比を抵抗体層29よ
りも大ぎくしで低抵抗値を得る。
そして次に、このように抵抗体層等を塗布した絶縁基板
を、大気中において、約550〜1000℃の範囲の温
度、例えば650°Cで焼成する。そして抵抗体層の抵
抗値をレーザートリミングにより調整する。
を、大気中において、約550〜1000℃の範囲の温
度、例えば650°Cで焼成する。そして抵抗体層の抵
抗値をレーザートリミングにより調整する。
次に、抵抗体層29を覆うJ:うに、囲硅酸鉛ガラスv
Jおlすなわら10手足パーゼントの酸化硼素(B20
3 ) 、 27重量パーセントの酸化硅素(S+ 0
2 ) 、55mff1パ tントのM化鉛(r)bO
>、5Iロバ−セン1への酸化)アルミニウム(Af
203 ) 、さらにこれに3重量パーセント(Fe2
03として添加されているものとして亦出)の酸化鉄を
含有する絶縁被覆層30の材料を、ペースト状にして厚
膜印刷により塗布する。なお各端子上にはlイl’iせ
ず露出したままとする。
Jおlすなわら10手足パーゼントの酸化硼素(B20
3 ) 、 27重量パーセントの酸化硅素(S+ 0
2 ) 、55mff1パ tントのM化鉛(r)bO
>、5Iロバ−セン1への酸化)アルミニウム(Af
203 ) 、さらにこれに3重量パーセント(Fe2
03として添加されているものとして亦出)の酸化鉄を
含有する絶縁被覆層30の材料を、ペースト状にして厚
膜印刷により塗布する。なお各端子上にはlイl’iせ
ず露出したままとする。
次にこれを大気中において、約550〜1000℃の範
囲の温度、例えば600 ’Cで焼成する。次いでさら
にこれを、窒素(N2)に約10体積%の水素(H2)
を添加した雰囲気で中で、先の焼成温度よりも低い40
0〜550’Cの範囲の温度、例えば450℃で約30
時間の熱処理をする。
囲の温度、例えば600 ’Cで焼成する。次いでさら
にこれを、窒素(N2)に約10体積%の水素(H2)
を添加した雰囲気で中で、先の焼成温度よりも低い40
0〜550’Cの範囲の温度、例えば450℃で約30
時間の熱処理をする。
なおこの絶縁被覆層30の熱処理は、塗イ[後に水素雰
囲気中において550〜1000 ’Cの温度で処理し
てもよい。このような熱処理によってガラス質の絶縁被
覆層30を得る。
囲気中において550〜1000 ’Cの温度で処理し
てもよい。このような熱処理によってガラス質の絶縁被
覆層30を得る。
以上の製造工程を経て、全抵抗値が500MΩの分圧抵
抗素子を得た。
抗素子を得た。
なお、抵抗体層および絶縁基板面を覆う絶縁被覆層30
の材料としては、IW1硅MK’+ガラスを主体とし、
これに鉄、ニッケル、クロム、コバルト、亜鉛、銅、ジ
ルコニウム、カドミウムの中から選択された少なくとも
1つの遷移金属酸化物を含右させる。このうちとくに酸
化鉄を必須とすることが望ましい。そして酸化鉄を0.
5・〜10ffltaパーセント(Fe 20.t )
としで添加されているものとして粋出)、より好ましく
は2〜5重但%を含有させる。
の材料としては、IW1硅MK’+ガラスを主体とし、
これに鉄、ニッケル、クロム、コバルト、亜鉛、銅、ジ
ルコニウム、カドミウムの中から選択された少なくとも
1つの遷移金属酸化物を含右させる。このうちとくに酸
化鉄を必須とすることが望ましい。そして酸化鉄を0.
5・〜10ffltaパーセント(Fe 20.t )
としで添加されているものとして粋出)、より好ましく
は2〜5重但%を含有させる。
このようにして得られる分圧抵抗素子Uを、第1図に示
すように電子管内の電子銃構体に沿わせて配設し、各電
極と分圧端子とを電気的に接続する。この発明の電子管
によれば、各管内電極に供給される分圧電位は長時間動
作でもほとんど変化しないことが確められた。すなわち
、電子管が比較的高温状態を経たり、抵抗体層自身に発
生づるジュール熱で高温となり、また高電圧が印加され
る条件で長時間動作されてし、抵抗体層の抵抗値の変化
を極めて小さな範囲にとどめることができた。
すように電子管内の電子銃構体に沿わせて配設し、各電
極と分圧端子とを電気的に接続する。この発明の電子管
によれば、各管内電極に供給される分圧電位は長時間動
作でもほとんど変化しないことが確められた。すなわち
、電子管が比較的高温状態を経たり、抵抗体層自身に発
生づるジュール熱で高温となり、また高電圧が印加され
る条件で長時間動作されてし、抵抗体層の抵抗値の変化
を極めて小さな範囲にとどめることができた。
このようにこの発明により高温、高電界で長時間動作さ
れても抵抗体層の抵抗値変化を極めて小さな範囲にとど
めることができる理由について以下説明する。
れても抵抗体層の抵抗値変化を極めて小さな範囲にとど
めることができる理由について以下説明する。
本発明者らは、この抵抗値変動の要因に関し、ガラス中
に含まれる各種酸化物の性質との関係を考察した。その
結果、従来の単なる硼珪r!A鉛ガラスを主体とする絶
縁被覆層をもつ分圧抵抗素子では、抵抗体層から絶縁被
覆層へ両省に共通して含まれる酸化鉛(PbO)の溶出
が起こり抵抗値を変えているものと世論できる。それに
対してこの発明による抵抗体素子の絶縁被覆層は、硼硅
酸鉛ガラスを主体としこれに鉄、ニッケル、クロム、コ
バルト、亜鉛、銅、ジルコニウム、カドミウムの中から
選択された少なくとも1つの遷移金属酸化物を含右して
いる。このような遷移金属酸化物を含有することにより
、抵抗体層から絶縁被覆層へのPbOの溶出が抑制され
、抵抗体層の抵抗値の変化が抑えられるものと考えられ
る。
に含まれる各種酸化物の性質との関係を考察した。その
結果、従来の単なる硼珪r!A鉛ガラスを主体とする絶
縁被覆層をもつ分圧抵抗素子では、抵抗体層から絶縁被
覆層へ両省に共通して含まれる酸化鉛(PbO)の溶出
が起こり抵抗値を変えているものと世論できる。それに
対してこの発明による抵抗体素子の絶縁被覆層は、硼硅
酸鉛ガラスを主体としこれに鉄、ニッケル、クロム、コ
バルト、亜鉛、銅、ジルコニウム、カドミウムの中から
選択された少なくとも1つの遷移金属酸化物を含右して
いる。このような遷移金属酸化物を含有することにより
、抵抗体層から絶縁被覆層へのPbOの溶出が抑制され
、抵抗体層の抵抗値の変化が抑えられるものと考えられ
る。
なおとくに、酸化鉄を含む絶縁被覆層をもつ抵抗素子は
、その抵抗変化が従来のしのより大幅に低く迎えられる
。しかし、酸化鉄(FQ、、04、鉄は3(iffiと
して含まれる)は酸性酸化物であるのに対しPbo+a
塩H性酸塩物性酸化物分されるので、酸性/塩基性酸化
物間で依然として反応が起こり易いものと考えられる。
、その抵抗変化が従来のしのより大幅に低く迎えられる
。しかし、酸化鉄(FQ、、04、鉄は3(iffiと
して含まれる)は酸性酸化物であるのに対しPbo+a
塩H性酸塩物性酸化物分されるので、酸性/塩基性酸化
物間で依然として反応が起こり易いものと考えられる。
絶縁液rri層中に含まれる鉄には、2価および3(i
IIi(即ちFQOJjよびFe20aとして仔在)が
共存し、3価の鉄が全て2価の鉄に変わるまで抵抗体層
から絶縁被覆層へのPbOの溶出が起こりうるので、よ
り好ましくは酸化鉄中の鉄の90%以上が2価の鉄(F
O”)となっているようにする。
IIi(即ちFQOJjよびFe20aとして仔在)が
共存し、3価の鉄が全て2価の鉄に変わるまで抵抗体層
から絶縁被覆層へのPbOの溶出が起こりうるので、よ
り好ましくは酸化鉄中の鉄の90%以上が2価の鉄(F
O”)となっているようにする。
この上うな世論に以き、実証を試みた。種々の状態で含
右される酸化鉄を含む絶縁被覆層をもつ抵抗素子の、各
絶縁被覆層の状態を分析した。すなわら、電子管に抵抗
素子を内蔵させる前の段階で、各絶縁被覆層の断面の構
成元素の分イ[状態を電子線励起X線マイクロ)ノナラ
イザ(EPM△)により分析した。なお使用した装置は
、日本電子(株〉製の高速広域マルチアナライザーJC
HA−733で、元素分イ5をその元素の淵度分イ(i
として表示できる機能を有する特殊なEPMΔである。
右される酸化鉄を含む絶縁被覆層をもつ抵抗素子の、各
絶縁被覆層の状態を分析した。すなわら、電子管に抵抗
素子を内蔵させる前の段階で、各絶縁被覆層の断面の構
成元素の分イ[状態を電子線励起X線マイクロ)ノナラ
イザ(EPM△)により分析した。なお使用した装置は
、日本電子(株〉製の高速広域マルチアナライザーJC
HA−733で、元素分イ5をその元素の淵度分イ(i
として表示できる機能を有する特殊なEPMΔである。
そして各抵抗素子を受像管内に組込み、30kVのアノ
ード電圧で約OOO時開動作させた。そして動作所期の
抵抗値に対する3000時間後の抵抗値の変化ωの程度
に応じてほぼ3つのランクに分類し、抵抗値の変化)B
と動作前の絶縁被覆層の状態分析とを対応させた。その
結果、動作前に第4図の八に示すような鉄のL線スペク
トルが確認されたものは、抵抗値の変化聞が約4%で、
とくに200〜300時間付近で大ぎく抵抗値が変化す
る傾向を示したものである。なおこの測定は、化学結合
の変化による影響がその波長や形状に敏感に表われる鉄
のL線を、加速電圧10KcVで行なった。また、同図
Bに示すものは、抵抗値の変化が約2%のものである。
ード電圧で約OOO時開動作させた。そして動作所期の
抵抗値に対する3000時間後の抵抗値の変化ωの程度
に応じてほぼ3つのランクに分類し、抵抗値の変化)B
と動作前の絶縁被覆層の状態分析とを対応させた。その
結果、動作前に第4図の八に示すような鉄のL線スペク
トルが確認されたものは、抵抗値の変化聞が約4%で、
とくに200〜300時間付近で大ぎく抵抗値が変化す
る傾向を示したものである。なおこの測定は、化学結合
の変化による影響がその波長や形状に敏感に表われる鉄
のL線を、加速電圧10KcVで行なった。また、同図
Bに示すものは、抵抗値の変化が約2%のものである。
さらにまた同図にCで示すものは約3000時開動作さ
せても抵抗値の変化がほとんどなかったものである。そ
して対比のために第4図には標、It試料として用いた
FeO及びF(! 20aの鉄のL線スペクトルを示し
ている。
せても抵抗値の変化がほとんどなかったものである。そ
して対比のために第4図には標、It試料として用いた
FeO及びF(! 20aの鉄のL線スペクトルを示し
ている。
第4図に示す分析の比較から、への状態のものは、Fe
O(Fe ”)とFe 203 (F(43″)と
が共存しており、Bの状態のものは、FC”73よびF
e3+の共存が認められるもののFe3”、:L、で存
在する量が減っていること、Cの状態のものはFe2+
だCプの単一状態になっていることがわかる。
O(Fe ”)とFe 203 (F(43″)と
が共存しており、Bの状態のものは、FC”73よびF
e3+の共存が認められるもののFe3”、:L、で存
在する量が減っていること、Cの状態のものはFe2+
だCプの単一状態になっていることがわかる。
したがって、抵抗値の変化をより一層小さく抑えるため
には、初期から絶縁被覆層の酸化鉄の鉄が「e2+だり
の甲−状態になっていることが望ましいことがわかる。
には、初期から絶縁被覆層の酸化鉄の鉄が「e2+だり
の甲−状態になっていることが望ましいことがわかる。
また本発明者らは、分圧抵抗素子として、全抵抗値を5
00MΩとし、絶縁被覆層が酸化鉄をCむか、含まない
以外は同一の抵抗体素子を種々作製し、これらを第1図
に示したような構造を打する受像管内に取り付【プ、両
端F+、1子間に受像管のアノード電圧である30kV
の電圧を印加し約3000時開動作さけ、全抵抗値の変
化mを調べた。第5図に、絶縁被覆層の酸化鉄の含有量
(FepOaとして添加されているものとして亦出、重
は比)と、その3000時111動作後の初期抵抗値に
対する抵抗値変化量との関係について示す。この第5図
の結果から明らかな如く、絶縁被覆層中の酸化鉄の足が
0.5乃至10重量パーセントの範囲にある場合、特に
2〜5重但パーセントの範囲にある場合に、長時間動作
での抵抗値の変化を実用上問題にならない程度の小さい
値に抑えることができる。
00MΩとし、絶縁被覆層が酸化鉄をCむか、含まない
以外は同一の抵抗体素子を種々作製し、これらを第1図
に示したような構造を打する受像管内に取り付【プ、両
端F+、1子間に受像管のアノード電圧である30kV
の電圧を印加し約3000時開動作さけ、全抵抗値の変
化mを調べた。第5図に、絶縁被覆層の酸化鉄の含有量
(FepOaとして添加されているものとして亦出、重
は比)と、その3000時111動作後の初期抵抗値に
対する抵抗値変化量との関係について示す。この第5図
の結果から明らかな如く、絶縁被覆層中の酸化鉄の足が
0.5乃至10重量パーセントの範囲にある場合、特に
2〜5重但パーセントの範囲にある場合に、長時間動作
での抵抗値の変化を実用上問題にならない程度の小さい
値に抑えることができる。
また、絶縁被覆層に含まれる酸化鉄を形成する鉄イオン
の90%以上、さらにより望ましくは95%以上がFe
2+Tあることが望ましい。すなわち、絶縁被覆層にg
まれる酸化鉄を形成する鉄イオンの約90%がFe2+
T−あるものは、第6図に曲線Q、で示すように約30
00時間の動作で抵抗値の変化は約2%程度にとどめる
ことができた。また同様に95%がFe2+Tあるもの
は、同図に曲線Q2で示すように1%程度に、さらに同
様に100%がFC”rあるものは、同図に曲線Q、で
示すJ:うに動作初期からtrLとんと抵抗値の変化が
黙視できる程度にとどめることができた。
の90%以上、さらにより望ましくは95%以上がFe
2+Tあることが望ましい。すなわち、絶縁被覆層にg
まれる酸化鉄を形成する鉄イオンの約90%がFe2+
T−あるものは、第6図に曲線Q、で示すように約30
00時間の動作で抵抗値の変化は約2%程度にとどめる
ことができた。また同様に95%がFe2+Tあるもの
は、同図に曲線Q2で示すように1%程度に、さらに同
様に100%がFC”rあるものは、同図に曲線Q、で
示すJ:うに動作初期からtrLとんと抵抗値の変化が
黙視できる程度にとどめることができた。
そしてこのように動作初期から絶縁被覆層に含まれる酸
化鉄を形成する鉄イオンの90%以上が[e ”Tある
にうに構成するには、前述のJ、うに絶縁被覆層が酸化
鉄を0.5乃至10小量パーセント(Fe20aの形で
添加されているしのとして篩用)含むようにし、あるい
は少なくとも水素を含む雰囲気で熱処理を施すことによ
り確実に1!するこ ・とができる。
化鉄を形成する鉄イオンの90%以上が[e ”Tある
にうに構成するには、前述のJ、うに絶縁被覆層が酸化
鉄を0.5乃至10小量パーセント(Fe20aの形で
添加されているしのとして篩用)含むようにし、あるい
は少なくとも水素を含む雰囲気で熱処理を施すことによ
り確実に1!するこ ・とができる。
なお、酸化鉄の代わりに酸化り[Iム、酸化ニッケル、
酸化コバルト、酸化亜鉛、酸化銅、酸化ジルコニウム、
酸化カドミウムでも同様の効果が1!7られるがその効
果の程度は酸化鉄の場合と比較して少さく、したがって
より好ましくは酸化鉄にそれらの中から選択された少な
くとも1つを複合添加しC使用することが望ましい。
酸化コバルト、酸化亜鉛、酸化銅、酸化ジルコニウム、
酸化カドミウムでも同様の効果が1!7られるがその効
果の程度は酸化鉄の場合と比較して少さく、したがって
より好ましくは酸化鉄にそれらの中から選択された少な
くとも1つを複合添加しC使用することが望ましい。
[発明の効果]
以上説明したようにこの発明によれば、電子管内に内蔵
された分圧抵抗素子を構成する絶縁被覆層が酸化鉄のよ
うな遷移金属酸化物を含有しているので、抵抗体層から
絶縁被覆層への酸化鉛の溶出が抑制され、比較的高温、
且つ?3電界のもとでて長時間動作されても抵抗値の変
化を小さな範囲にとどめることができる。こうして管内
の複数電極による電子レンズ作用の変化がほとんどない
、信頼性の高い電子管を得ることができる。
された分圧抵抗素子を構成する絶縁被覆層が酸化鉄のよ
うな遷移金属酸化物を含有しているので、抵抗体層から
絶縁被覆層への酸化鉛の溶出が抑制され、比較的高温、
且つ?3電界のもとでて長時間動作されても抵抗値の変
化を小さな範囲にとどめることができる。こうして管内
の複数電極による電子レンズ作用の変化がほとんどない
、信頼性の高い電子管を得ることができる。
第1図はこの発明の実施例を示ず凹部縦断面図、第2図
はその要部断面図、第3図はその平面図、第4図は状態
比較図、第5図および第6図はそれぞれ特性比較図でお
る。 16・・・電子銃溝体 に′、G、〜Gθ・・・管内電極、 21・・・分圧抵抗素子、 22〜26・・・端子、 27・・・絶縁基板、 29・・・抵抗体層、 30・・・絶縁被覆層。 代理人弁理士 則 ′ii 志 イイj同 大胡典夫 第1面 第41.i
はその要部断面図、第3図はその平面図、第4図は状態
比較図、第5図および第6図はそれぞれ特性比較図でお
る。 16・・・電子銃溝体 に′、G、〜Gθ・・・管内電極、 21・・・分圧抵抗素子、 22〜26・・・端子、 27・・・絶縁基板、 29・・・抵抗体層、 30・・・絶縁被覆層。 代理人弁理士 則 ′ii 志 イイj同 大胡典夫 第1面 第41.i
Claims (4)
- (1)真空容器内に設けられた複数個の管内電極と、上
記真空容器内に配設されその分圧端子が前記各管内電極
に接続された分圧抵抗素子とを具備する複数個の管内電
極を有する電子管において、 上記分圧抵抗素子は、絶縁基板上に酸化ルテニウム、酸
化鉛、酸化硅素を主成分とする無機混合物からなる抵抗
体層が被着され、この抵抗体層を覆うように硼硅酸鉛ガ
ラスを1体とする絶縁被覆層が設けられるととらに、前
記絶縁被覆層が鉄、ニッケル、クロム、コバルト、亜鉛
、銅、ジルコニウム、カドミウムの中から選択された少
なくとも1つの遷移金属酸化物を含んでなることを特徴
とする複数個の管内電極を有する電子管。 - (2)分圧抵抗素子の絶縁被覆層は、酸化鉄と、ニッケ
ル、クロム、コバルト、亜鉛、銅、ジルコニウム、カド
ミウムの中から選択された少なくとも1つの金属酸化物
とを含んでなる特許請求の範囲第1項記載の複数個の管
内電極を有する電子管。 - (3)分圧抵抗素子の絶縁被覆層は、酸化鉄が被覆層全
体の0.5乃至10重量%の範囲で含有されている特許
請求の範囲第2項記載の複数個の管内電極を有する電子
管。 - (4)分圧抵抗素子の絶縁被覆層は、酸化鉄中の鉄の9
0%以上が2価の鉄(Fe^2^+)である特許請求の
範囲第2項または第3項記載の複数個の管内電極を有す
る電子管。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61149573A JPH0682540B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 厚膜抵抗素子及びそれを内蔵する電子管 |
EP87108981A EP0251137B1 (en) | 1986-06-27 | 1987-06-23 | A resistor and an electron tube incorporating the same |
DE8787108981T DE3774943D1 (de) | 1986-06-27 | 1987-06-23 | Ein widerstand und eine diesen widerstand enthaltende elektronenroehre. |
KR1019870006437A KR900006171B1 (ko) | 1986-06-27 | 1987-06-25 | 저항소자 및 저항소자를 구비한 전자관 |
US07/066,200 US4760370A (en) | 1986-06-27 | 1987-06-25 | Resistor and an electron tube incorporating the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61149573A JPH0682540B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 厚膜抵抗素子及びそれを内蔵する電子管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS636730A true JPS636730A (ja) | 1988-01-12 |
JPH0682540B2 JPH0682540B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=15478142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61149573A Expired - Lifetime JPH0682540B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 厚膜抵抗素子及びそれを内蔵する電子管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0682540B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1061546A2 (en) * | 1999-06-17 | 2000-12-20 | Kyocera Corporation | Spacers used for picture display devices and a method of producing the same |
WO2003019995A1 (fr) * | 2001-08-29 | 2003-03-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dispositif de production de rayons x |
US6624561B2 (en) | 2000-09-19 | 2003-09-23 | Hitachi, Ltd. | Color cathode ray tube having an internal voltage-dividing resistor |
US7117828B2 (en) | 2001-07-25 | 2006-10-10 | Shuttleworth Axial Motor Company Limited | Axial motors |
JP2009231358A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Hitachi Ltd | 厚膜抵抗器 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0528882A (ja) * | 1991-07-18 | 1993-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | 開閉機器用操作装置 |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP61149573A patent/JPH0682540B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0528882A (ja) * | 1991-07-18 | 1993-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | 開閉機器用操作装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1061546A2 (en) * | 1999-06-17 | 2000-12-20 | Kyocera Corporation | Spacers used for picture display devices and a method of producing the same |
EP1061546A3 (en) * | 1999-06-17 | 2001-04-25 | Kyocera Corporation | Spacers used for picture display devices and a method of producing the same |
US6624561B2 (en) | 2000-09-19 | 2003-09-23 | Hitachi, Ltd. | Color cathode ray tube having an internal voltage-dividing resistor |
US7117828B2 (en) | 2001-07-25 | 2006-10-10 | Shuttleworth Axial Motor Company Limited | Axial motors |
WO2003019995A1 (fr) * | 2001-08-29 | 2003-03-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dispositif de production de rayons x |
US6944268B2 (en) | 2001-08-29 | 2005-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray generator |
JP2009231358A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Hitachi Ltd | 厚膜抵抗器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0682540B2 (ja) | 1994-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS648441B2 (ja) | ||
US3557576A (en) | Electrical resistance body and process for its manufacture | |
JP3735151B2 (ja) | 積層型チップバリスタ及びその製造方法 | |
JPH0116780B2 (ja) | ||
JPS6217347B2 (ja) | ||
US4760370A (en) | Resistor and an electron tube incorporating the same | |
US4397915A (en) | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
JPS636730A (ja) | 厚膜抵抗素子及びそれを内蔵する電子管 | |
US4322477A (en) | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
US5610570A (en) | Voltage non-linear resistor and fabricating method thereof | |
JPH0381242B2 (ja) | ||
JPH0528882B2 (ja) | ||
JPS636803A (ja) | 厚膜抵抗素子の製造方法 | |
JPH0725568B2 (ja) | ガラス組成物およびそれを用いた絶縁体 | |
JP2001006569A (ja) | 電子管内蔵用抵抗器 | |
DE9402373U1 (de) | Elektrische Lampe | |
JP4352770B2 (ja) | 電極被覆用ガラス、電極被覆用着色粉末およびプラズマディスプレイ装置 | |
JPS58102445A (ja) | 電子銃構体における分圧用抵抗器 | |
JPH02267839A (ja) | 電子管内蔵用分圧抵抗素子及び電子管 | |
JPH02243536A (ja) | 絶縁被覆用ガラス組成物 | |
JP2823223B2 (ja) | 電子管内蔵用分圧抵抗素子および電子管 | |
JPH0334827Y2 (ja) | ||
JPH09293602A (ja) | 電子管用厚膜抵抗素子、電子銃構体および電子管 | |
JP2507951B2 (ja) | バリスタ | |
US3201632A (en) | Electroluminescent element employing a chrome iron base plate with matching glass enamels |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |