JPS6366539A - 強誘電性液晶パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は表示装置に係わり、特に強誘電性液晶パネルに
関わるものである。

従来の技術 従来の技術を以下、図面を用いて説明する。

まず強誘電性液晶自体について説明する。

第２図は強誘電性液晶分子の模式図である。強誘電性液
晶は通常、スメクチック液晶と呼ばれる、層構造を有す
る液晶である０分子は層の垂線方向に対してθだけ傾い
た構造を取っている。また通常、強誘電性液晶はラセミ
体でない光学活性な液晶分子によって構成されている。

第２図に示すように強誘電性液晶分子は分子の長軸に垂
直な方向に自発分極となる永久双極子モーメントを有し
ており、カイラルスメクチックＣ相においては第２図の
円錐形（以下コーンと呼ぶ）の外側を自由に動くことが
できる。またコーンの中心点Ｏより液晶分子に対して下
したヘクトルをＣダイレクタ−と呼ぶ。カイラルスメク
チックＣ相ではこのＣダイレクタ−はコーンの外側を自
由に動くことができる。

第２図において２１は液晶分子、２２は永久双極子、２
３はＣダイレクタ−１２４はコーン、２５は層構造、２
６は層法線方向、２７は傾き角θを示している。また強
誘電性液晶分子は不斉原子を有しているため通常ねじれ
構造を有している。

このねじれ構造を第３図に示す。

第３図において３１は液晶分子、３２は永久双極子モー
メント、３３はねじれの周期を表すピンチ（Ｌ）、３４
は層構造、３５は層の法線方向、３６は傾き角θを表す
。強誘電性液晶パネルのセル厚（ｄ）がピッチより厚い
とき（ｄ＞Ｌ）、通常、強誘電性液晶はセル基板表面の
影響がセル中央部まで及ばないため、ねじれ構造を持っ
た状態で存在する。しかしセル厚がピッチより小さいと
き（ｄくＬ）ねじれ構造は基板表面の力でほどかれ第４
図のような分子が基板表面と平行になった二つの領域が
現れる。この二つの領域は分子の持つ永久双極子モーメ
ントがそれぞれ反対の方向を向いているものであり、一
方は紙面塵から表方向へもう一方は紙面表から裏方向へ
向いている。これはそれぞれ層法線に対する分子の傾き
角に対応している。

第４図において４１は液晶分子、４２は紙面裏方向から
表方向を向いている永久双極子モーメント、４３は紙面
表方向から裏方向を向いている永久双極子モーメント、
４４は層構造、４５は層法線方向、４６は傾き角を表し
ている。

次に強誘電性液晶の動作原理について図を用いて説明す
る。このように強誘電性液晶セルにピッチがセル厚より
も大きな強誘電性液晶（ｄ　＜　Ｌ）を封入すると第４
図のような二つの領域を持つ状態となる。このとき紙面
裏方向から表方向に電界を印加すると永久双極子モーメ
ントは全て電界の方向に向き第５図＋ａ＋のように分子
が全て十〇の傾き角を持った状態となる。このような状
態で偏光板の偏光子（Ｐ）の偏光軸方向を分子の長軸方
向に検光子（Ａ）の偏光軸方向を分子の短軸方向に平行
にすると（第５図（８）参照）偏光子（Ｐ）を通過した
直線偏光は複屈折を受けずに透過し検光子（Ａ）により
遮られ暗状態が得られる。また電界を逆方向に印加する
と第６図（ｂｌのように分子が全て一〇の傾きを持つ状
態となり偏光子を通過した直線偏光は複屈折効果により
検光子を通り抜は明状態が得られる。

以上のように電界の正負により明暗の状態をそれぞれ得
ることができる。またこのようにセル厚がピッチより小
さいセル（ｄ　＜　Ｌ）においては通常ねしれ構造がほ
どけているため電界を取り除いた後も分子はそのままの
状態でいるというメモリー効果が生じるといわれている
。

第５図（ａｌ　ｂにおいて５１は電界の方向、５２は分
子の永久双極子モーメント、５３は層構造、５４は傾き
角θ、５５は偏光子（Ｐ）、検光子（Ａ）の偏光軸をそ
れぞれ表している。

この明状態の透過光強度Ｉは次式によって与えられる。

１＝Ｉ、　　　ｓｉｎ　　２　４　　θ　ｘｓｉｎ　　
２　（π　１＝ツｎｄ／　　λ　）・・・・・・（１） ここでｊｎは強誘電性液晶の屈折率の異方性、１１は偏
光子を通った後の入射光強度、λは波長、θは液晶分子
の傾き角、ｄは液晶層の厚みを表している。この表示方
式：よ−最に複屈折モードと呼ばれている。

この弐を人間の眼によって感じる明るさの量である輝度
（Ｙ値）で表すと次式のようになる６Ｙ−１／ＫＯ／　
［Ｓ（λ＞−ＩＣλｉ　ｙ（λ）］　ｄλ・・・・・・
（２） 但し、Ｓ（λ）：光源の分光分布（等エネルギー光源） ■　（λ）８強誘電性液晶パネルの分光分布ｙ（λ）：
視怒度曲線 積分範囲：３８０ｎｍ〜７００　ｎｍ このＹ値を２ｎｄ（位相差）に対して計算式によりプロ
ットしたものを第６図に示す。このとき傾き角θは最も
明るい状態をとるようにθ＝２２゜５度とした。

第６図より、Δｎｄ（位相差）によりＹ値が大きく変化
することがわかる。また、このときセル厚むらによる色
差ΔＥ＊（セル厚むらに沫る色むらを表す）をΔｎｄに
対してプロットしたものを第７図に示す。第７図におい
てセル厚むらは０．２μｍとして計算した。色差の計算
はＣＩ　Ｅ　Ｌ　Ａ　Ｂ均等色差空間を用いて次式によ
って行った。

ΔＥ＊胃　〔（ΔＬ＊）２＋（Δａ＊）２＋　（Δｂ＊
）２１　　　　　　　　　　・・・・・・（３）但し、 Ｌｍ−１１６（Ｙ／Ｙ、　）　−１６ ａ＊−５００［（Ｘ／Ｘ０）　　　（Ｙ／Ｙ０）］ｂ＊
−２００［（Ｙ／Ｙ０）−（Ｚ／Ｚ０）］ここでｘ、、
ｙ０．ｚ０は基準白色面の三刺激値であり、ｘ、ｙ、ｚ
は測色物の三刺激値を示している。ΔＬ＊、Δａ＊、Δ
ｂ＊は異なる測色物におけるＬｍ、ａ＊、ｂ＊の差を示
しており、ここではあるセル厚（ｄ）とそれより０．２
μｍ厚いセル厚（ｄ＋０．２μｍ）との差を示している
。

第６図、第７図より、最も明るく、色差（色むら）の小
さいΔｎｄ（位相差）は約０．２８μｍであることがわ
かる。強誘電性液晶の複屈折の異方性（−〇）は通常、
０．１３〜０．１８であるためセル厚は１．５〜２．２
μｍ程度と非常に薄くする必要があることがわかる。（
文献：福山、性感、否応、８強誘電性液晶を使った高速
ディスプレイ、オプトロニクス、９号、６４頁、１９８
３年） しかし、以上のような表示方法を用いるためには第５図
ｒａｔ、　（ｂｌのように強誘電性液晶層はある一定の
方向付けがなされていなければならない、ある一定の方
向付けがなされたセルはモノドメインセルと呼ばれてい
る。

強誘電性液晶は層構造を有するため通常のネマチック液
晶よりも配向させにくいと言われていた。

従来では強誘電性液晶を配向させる手段としてシアリン
グ法、温度勾配法、ラビング法などが用いられていた。

これらの配向法でシアリング法、温度勾配法は生産性が
悪いという欠点があった。ラビング法はネマチック液晶
で広く用いられており強誘電性液晶でもよく用いられて
いる。このラビング法について図を用いて説明する。

第８図＜ａｌ、　（ｂｌは等方性液体（Ｉｓｏ）からス
メクチックＡ相（ＳｍＡ）　、を経て強誘電性を示すス
メクチックＣカイラル相（Ｓｍ（、ｋ）となる相転移系
列を有する強誘電性液晶をラビング法′によって配向さ
せたときの模式図である。配向について説明する前にス
メクチックＡ相およびスメクチックＣカイラル相につい
て図を用いて説明する。

第８図（ａｌ、　（ｂｌはスメクチックＡ相とスメクチ
ックＣカイラル相の構造をそれぞれ模式化したものであ
る。この図は強誘電性液晶パネルとしてみると基板に対
して垂直方向から見た図である。スメクチックＡ［、ス
メクチックＣカイラル相のどちらも層構造を存している
がスメクチックＡ相では第８１ｍｆａｌのように分子の
長袖方向が層重線方向に対して平行になっており、第８
図（ｂｌのスメクチックＣカイラル相では分子の長軸方
向は層重線方向に対して＋θだけ傾いていることがわか
る。

第８図ｉａ＋、　ｆ（１）において８１は液晶分子、８
２は層構造、８３は分子長軸方向、８４は層重線方向、
８５は傾き角（θ）、８６は上下基板のラビング方向を
表している。

次にこのような相転移系列を有する強誘電性液晶の配向
について説明する。

第８１Ｆ（ａｌは等方性液体からスメクチック人相に転
移したときの分子の配向の松弐図で、ここで分子はスメ
クチックＡ相であるため層構造に対して垂直にその分子
長軸を有している。そのためラビングを施した場合その
ラビング方向（配向容易軸）に対して液晶分子長軸が平
行に配向し結果として第８図ｉａ＋のように層重線方向
と層は平行となる。

次にスメクチックＡ相から強誘電性を示すスメクチック
Ｃカイラル相に相転移するとき層構造は弾性変形に要す
るエネルギーが大きいため分子が層内で傾き層構造はそ
のまま保たれる。結果として第８図ｆｂｌのように層重
線方向はラビング方向に平行のままで分子がラビング方
向よりずれた配向状態となる。しかしながらこのような
配向状態では強誘電性液晶分子は層内で第２図のように
コーンの外側を自由に動くことができるため配向容易軸
であるラビング方向にもどってしまうことが考えられる
。

斜方蒸着の従来例 斜方蒸着法はネマチック液晶の配向法として従来、一部
で用いられていたが現在はラビング法が主流を占めてい
る。斜め蒸着法について図を用いて説明する。

斜め蒸着法の実際のやり方を第９図に示す。

真空状態となる蒸着釜（ペルジャー）内に１着源があり
、抵抗加熱、あるいは電子ビームを照射することにより
加熱することができるようになつ°ζいる。セル基板は
基板垂線方向から蒸着方向に対してθだけ（頃けてセッ
トされる。９１はペルジャー、９２はセル基板、９３は
蒸着源、９４は傾き角θ、斜め蒸着を行うことによって
表面には第１Ｏ図に示すようなカラム状の小さな突起１
０１が無数に存在する構造ができる。これは通常、セル
フシャドウィングと呼ばれる効果により生じるものと言
われている。この時、傾き角θ１０２を変化させること
によりネマチック液晶分子の配向に違いが生じる。この
ことについて図を用いて説明する。

■　蒸着角度（θ）７５度〜８５度のときθが７５度〜
８５度のとき第１１図（ａｌに示すように液晶分子は蒸
着方向にその分子長軸方向（ｎ）１１１を平行に配向す
る。このため液晶分子はプレチルト角を１５度から３０
度程度有するとされている。

■　１着角度（θ）〜６０度のとき θが〜６０度のとき第１１図（ｂｌに示すように液晶分
子は蒸着方向にその分子長軸方向を垂直に配向する。こ
のときプレチルト角は約０度である。

これらの蒸着角度の違いによる配向の違いは表面のカラ
ム構造に対して分子がどの方向に配列したとき最も弾性
変形のエネルギーが小さくてすむかに依存していると言
われている。

スメクチック液晶、あるいは強誘電性液晶において配向
方法に斜め蒸着法が用いられた例は２〜３ある。しかし
、それらはセル厚が厚い状態（〜７μｍ以上）で用いて
おり、完全なメモリー性などについて電圧−輝度曲線（
Ｂ−Ｖ曲線）などは測定しておらず、またプレチルト角
の表示装置としての有用性についても殆ど言及していな
い。

斜め蒸着法の参考文献：■ダブリュ、アルノ＼ツク、エ
ム、ボイクス、イー、ギイヨン；蒸着膜上のネマチック
相とスメクチック相の配向、アブライフド　フィジック
ス　レター、２５巻　９号（１１４７９頁　１９７４年
（Ｗ、　Ｕｒｂａｃｈ、　　Ｍ、　Ｂｏｉｘ。

ａｎｄ　　Ｅ、　Ｇｕｙｏｎ　；　　Ａｌｉｇｎｍｅｎ
ｔ　　ｏｆ　　ｎｅｍａｔｉｃｓａｎｄ　Ｓｍｅｃｔｉ
ｃｓ　ｏｎ　ｅｖａｐｏｒａｔｅｄ　ｆｉｌｍｓ、　　
ＡｐｐｔｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ　　ＬｅｔＬｅｒｓ、　
Ｖｏｌ、　　２５．　Ｎｏ、９．　　Ｉ　Ｐ、４７９　
　Ｎｏｖｅｍｂｅｒ　　１９７４）　、■上本勉、岩崎
泰部、吉野勝己、大石嘉雄；スメクチック強誘電性液晶
の電気光学的性質（２）、第４回　液晶討論会　予稿集
（１９７８年）講演番号　３Ｒ１３発明が解決しようと
する問題点 ｆｉｌ　　従来、強誘電性液晶の配向制御には工業的に
有利なラビング法が用いられていたがこの方法では強誘
電性液晶分子に電圧が印加された場合、メモリー効果が
小さいことが問題であった。以下、図面を用いてこのこ
とを説明する。

第１２図（ａｌ、　（ｂｌ、　ｔｃ＋はラビング配向さ
れた強誘電性液晶パネルに電圧を印加した状態を役人的
に表したものである。こ、二で第１２図ｔａｌ　ｉ；：
紙面の裏から表方向に電圧を印加した状Ｇ、第１２７山
）は紙面の表から裏方向に電圧を印加した状態を示して
いる。この二つの状態で強誘電性液晶層の大部分は電界
方向にそれぞれ向いている。そのため適当に偏光子と検
光子の位置を決めてやれば明暗の状態を電界の極性によ
って得ることができる１、ここまでは第５図ｆａ１．　
（ｂｌと同じである。次に電界をゼロ、つまり無印加状
態にすると配向容易軸であるラビング軸に強誘電性液晶
分子はもどってしまい第１２１ｐ（ｃ＋のような状態に
なってしまう。これは結局、メモリー性が劣化している
ことを示している。

第１２図（ａｉ、　（ｈ）、　（ｃｌにおいて１２１は
強誘電性液晶分子、１２２は層構造、１２３はラビング
方間、１２４は電界の方向を表している。

これらのことを実際に示すため第１３図に示すようなラ
ビングによる液晶パネルを作成した。

ここで１３１は上下の偏光板、１３２は上下のガラス基
板、１３３はｊ５明電極層、１３４は配向処理を施した
有典高分子膜層、１３５は強誘電性液晶層、１３６は対
向基板間Ｏ距ＭＩ（セル厚）を一定にさせるためのスペ
ーサーを表している。

このように対向電極間に強誘電性液晶を封入し強誘電性
液晶パネルを作成した。

実験に用いた強誘電性液晶材料はエステル系の温度範囲
が０℃〜５８℃まで強誘電性を示す液晶材料を用いて行
った。下に用いた強誘電性液晶の相転移温度を示す。

Ｃｒ　　　　Ｓ　ｍ　Ｃ＊−−→Ｓ　ｍ　Ａ−ｍ−→ｃ
　ｈ〜Ｏ℃　　　　５８℃　　　８２℃ −一一一→Ｉｓ。

９５℃ ここで、Ｃｒ　　：結晶相 ＳｍＣ＊：スメクチックＣカイラル相 ＳｍＡ　　：スメクチックＡ相 Ｃｈ　　：コレステリック相 ＩＳＯ＝等方性液体 また、この液晶の複屈折異方性（−〇）はセナルモン型
コンベンセイターを用いて測定したところ０．１３であ
った。

配向方法はガラス基板上に設けた有機高分子膜をラビン
グし、液晶注入後、１００℃までパネルを加熱し等方性
液体とした後、ゆっくりと徐冷する（０．６℃、／ｍ１
ｎ）ことによりスメクチックＣカイラル相のモノドメイ
ンを得た。

次にこのパネルを用いて電圧−透過率曲線（以下、Ｂ−
Ｖ曲線とする）を測定した。

Ｂ−Ｖ曲線の測定に用いた光学実験系を第１４図に示す
、第１４図において光源＋４１より発せられた白色光は
偏光子１４２を通り液晶セル１４３に直線偏光として入
射した後、検光子１４４を通って集光レンズ１４５によ
って集光され光電子倍増管１４６で怒知され、ストレー
ジオシロ１４７によりＢ−Ｖ曲線として測定される。な
お液晶セルにはプログラマブルパルスジェネレーター１
４８により任意の波形を加えることができるようにした
。

このような実験系において前述の構成を有する強誘電性
液晶パネルのＢ−Ｖ曲線を測定した。

また強誘電性液晶パネルのセル厚は２．８μｍのものを
用いた。得られたＢ　−Ｖ　［ｉｔｌ線を第１５図に示
す、第１５図において横軸は時間（Ｌ）であり、縦軸は
電圧（Ｖ）あるいは輝度（Ｂ）である。上図は印加した
電圧波形であり、下図は対応する輝度曲線である。第１
５図を電圧波形の順に従って説明するとまずパルス高さ
＋１０Ｖ、幅２．（ｌｎｓの電圧が印加されたときに輝
度は約３２％と大きく明状態が得ら杵た。次に電圧が無
印加（ＯＶ）のときに輝度は小さくなり、分子がラビン
グ方向にもどっていることがわかる。また−１０ｖの電
圧が印加されたとき輝度は小さくなり約１％と最も暗い
状態となる。しかし、また電圧無印加の状態となると輝
度は再び大きくなり先程の無印加の状態と同じ輝度とな
ってしまう。これは電界無印加時に分子がもどってしま
うことに起因することでメモリー効果の無いことを示し
ている。

（２）従来、強誘電性液晶パネルは複屈折効果を利用す
るため明るさ、色むらの点でセル厚を〜２μｍ程度と非
常に薄くする必要があった。これは生産性から考えると
非常に不利なことであった。

問題点を解決するための手段 前記、問題点を解決するため酸化イツトリウムを斜め方
向から蒸着することにより生産性のよい、またメモリー
効果の大きい強誘電性液晶パネルを実現できる。

作用 （１）　　ラビング法による一軸処理とは異なり無機物
を斜め方向から蒸着することにより無機物がある一定方
向に微細な突起群を持つような表面構造にする。この表
面構造により、液晶分子は弾性変形の最も少ない構造に
配向することになる。

この効果による配向はラビング法による強い一軸処理と
は異なり、メモリー効果の大きい強誘電性液晶パネルを
実現できる。

（２）基板表面に対して大きなプレチルト角を持たせる
ことにより見掛けのΔｎを小さくすることでセル厚を厚
くしても明るい、色づきの少ない強誘電性液晶パネルを
得ることができ、生産性が良い強誘電性液晶パネルを実
現できる。

実施例 一実施例について図面を用いて説明する。

実施例１ 一実施例に用いた斜方蒸着法の行い方は従来例で述べた
第９図の構成を用いた。蒸着物質として酸化インドリウ
ム（Ｙ２Ｏ５）を用い、これに電子ビームを照射するこ
とにより加熱し、蒸着を行った。基板はガラス基板上に
導電性インジウム・スズ酸化物を蒸着したもの（ＩＴＯ
基板）を用いた。蒸着角度は８５度と６０度の両方を用
いた。

蒸着速度は約２０人／ｓｅｃ、ＩＩＱ厚は基板垂直方向
からの厚さで約３０００人とした。このように斜方蒸着
を行ったＩＴＯ基板を用いて強誘電性液晶パネルを作成
した。セル構成は第１３図に示したセル構成と本質的に
同じである。上下基板の蒸着方向は上下で反平行となる
ようにした。

実施例に用いた強誘電性液晶材料は従来例で用いたもの
と同じエステル系の混合物である。このようなセルに強
誘電性液晶を真空中で注入し徐冷することにより良好に
配向したモノドメインの強誘電性液晶パネルを得た。セ
ル厚は２．５μｍとした。このときの配向は蒸着角度に
より異なっていた。蒸着角度が８５度のとき液晶分子の
長軸方向は蒸着方向と一致していたが６０度のときは蒸
着方向に垂直にその長軸方向を有していた。

この強誘電性液晶パネルを従来例で述べた光学系を用い
てＢ−Ｖ曲線を測定し、メモリー効果を調べた。結果を
第１図（ａｌ、　（ｂｌに示す、ここで第１図＋ａｌは
蒸着角度が８５度、第１図中）は６０度の強誘電性液晶
パネルである。第１図ｔａ＋を用いて説明する。

第１図（ａ）より、パルス高さ＋ＩＯＶ、幅２．　０間
のパルスが印加されたとき輝度は約３２％と大きく明状
態が得られた０次に電圧が無印加（０■）となったとき
にも輝度はそのままで分子がパルス印加時と同じ場所に
おり、メモリー効果があることがわかる。また、−１０
■のパルスが印加されると輝度は小さくなり約１％と最
も暗い状態となった。また、電圧無印加の状態となって
も輝度はそのままでメモリー効果の強いことがわかる。

これは第１図ｆｂｌでも同じであり、蒸着角度が８５度
でも６０度でも強いメモリー効果が得られた。

実施例２ 次にくさび型にセル厚を徐々に厚くしたセルを用いて色
相の変化を測定した。

くさび型セルの構成を第１６図に示す。第１６図におい
て、１６１はガラス基板、１６２は１７０層とそのうえ
にＹ２Ｏ５斜方１着層あるいはラビングを施された’Ｉ
ｒＪＩｉ高分子膜層を有する層、１６３は強誘電性液晶
層、１６４はセル厚調整のためのスペーサー、１６５は
蒸着方向、あるいはラビング方向の組合せ方を示す。セ
ル厚の変化は１μｍ〜７μｍとし、８５度蒸着、６０度
蒸着及びラビング法によって配向させた強誘電性液晶パ
ネルをそれぞれ作成した。これらの強誘電性液晶パネル
のセル厚の違いによる電界時の輝度を及び色相を色彩光
度計により測定した。色彩光度計はマクベス社製のもの
を用いた。まず、６０度蒸着およびラビングセルについ
てセル厚と輝度の関係を第１７図に示す。ここで○印は
６０度蒸着、×印はラビングセルをそれぞれ示す。

次に８５度蒸着の強誘電性液晶パネルのセル厚と輝度の
関係を第１８図に示す。強誘電性液晶パネルのセル厚と
輝度の関係は従来例で述べたように理論的に（１）式で
与えられる。第６図における理論式より与えられる輝度
曲線は大体、Δｎｄが約０．２８あたりで最も明るい状
態を持つようになっている。これは第１７図から６０度
蒸着セル、ラビングセルにおいてはどちらもセル厚が約
２．０μｍで最も明るい状態になっており、本実施例の
液晶材料はΔｎが約０．１３であるためΔｎｄとして０
．２８あたりとなり、理論式と対応している。第１８図
における８５度蒸着セルでは最も明るくなるセル厚が約
２．６μｍとなっておりΔｎｄで０．３６あたりと、理
論式よりもセル厚の厚いところで明るいことがわかる。

これは斜め蒸着法の説明で述べたように８５度蒸着では
大きなプレチルト角を有するからと考えられる。

プレチルト角を有するため見掛けの複屈折異方性（Δｎ
）をΔｎｅｆｆとし、プレチルト角をθｐとすると屈折
率楕円体の式よりΔｎｅｆｆは次式で与えられる。

Δｎｅｆｆ　＝Δｎ−ｃｏｓ２　θｐ０１０（７）ここ
で実際のプレチルト角を測定した０強誘電性液晶状態の
プレチルト角は測定しにくいのでネマチック液晶を用い
た。このプレチルト角の測定法はヌルキャパシタンス法
と呼ばれる方法で行った。

この結果、８５度蒸着セルのプレチルト角は約２５度で
あることがわかった。（７）式にプレチルト角の２５度
とΔｎの０．１３の値をそれぞれ代入するとΔｎｅｆｆ
は０．１０７という値になる。（１）式による理論計算
より最も明るくなるΔｎｄは約０．２８であるためセル
厚は一〇が０．１３のとき２．１μｍの必要があったが
プレチルト角を有するためΔｎｅｆｆが０．１１５と小
さくなった場合、セル厚が約２．６μｍで最も明るくな
ることになる。これは８５度蒸着セルの輝度の測定結果
とほぼ一致している。

次にプレチルト角を０度から大きくしていったときのΔ
ｎｅｆｆ　／−〇の変化をプロットした図を第１９図に
示す。

第１９図よりプレチルト角が約１０度ぐらいまでではΔ
ｎｅｆｆ　／Δｎは１からあまり変化せずΔｎｅｆｆは
あまり小さくなっていないことがわかる。プレチルト角
が１０度以上ではΔｎｅｆｆ／Δｎの変化量は大きくな
り、Δｎｅｆｆが小さくなりセル厚が厚くとも明るい状
態が得られることがわかった。また斜め蒸着法は強誘電
性液晶パネルの配向を損なわずにプレチルト角を太き（
する良い方法であることがわかった。

発明の効果 （１）　　本発明は蒸着物質としてＹ２Ｏ５を用いて斜
め蒸着法を行い、強誘電性液晶の配向を行うことでメモ
リー製の強い、表示品位の良好な強誘電性液晶パネルを
得ることができる効果を有する。

（２）　　また大きなプレチルト角を存することで強誘
電性液晶パネルの見掛けのΔｎｅｆｆ　ｄを小さくし、
セル厚が厚くても明るい強誘電性液晶パネルを作成する
ことを可能とし、強誘電性液晶パネルの生産性を向上さ
せる効果を持つものである。

（３）大きなプレチルト角は斜め蒸着法により良好な配
向とともに得ることができ強いメモリー性を持ち、かつ
セル厚の厚い生産性の良い強誘電性液晶パネルを得るこ
とができる効果も有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は斜め蒸着を行った強誘電性液晶パネルのメモリ
ー性を示すための電圧波形と輝度の関係を表わすグラフ
、第２図は強誘電性液晶の構造を表す模式図、第３図は
強誘電性；・夜晶のねじれ構造を表す模式図、第４図は
１ｊＩＪＩ誘電性液晶の薄いセル厚のパネルでねじれ構
造がほどけた状態を表す模式図、第５図は薄いセル厚の
強誘電性液晶パネルにおいての動作原理を表す模式図、
第６図は強誘電性液晶パネルのΔｎｄと輝度の関係の理
論計算値をプロットしたグラフ、第７図は強誘電性液晶
パネルにおいて各々のΔｎｄに対してセル厚むらとして
の色差の理論計算値をプロットしたグラフ、第８図ｆａ
ｌ、　ｆｂｌはＳｍΔ相とＳｍＣ＊相の構造とラビング
を行ったときの配向状態を示す模式図、第９図は蒸着装
置および蒸着方法を示す模式図、第１０図は斜め蒸着を
行ったときの表面状態を表す模式図、第１１図＋ａｌ、
　ｔｂｌは蒸着方向を変えたときの液晶分子の配向方向
を表す模式図、第１２図（ａ）。 （ｂ）、　ｆｃｌはラビング法による電界印加による強
誘電性液晶の動作とメモリー効果が小さいことを表す模
式図、第１３図は従来例および実施例で用いた強誘電性
液晶パネルの構造図、第１４図は従来例および実施例の
Ｂ−Ｖ曲線測定に用いた光学系の模式図、第１５図はラ
ビングセルのメモリー効果を示すための電圧波形と輝度
との関係を表わすグラフ、第１６図は色測定ゆ用いたく
さび型セルの模式図、第１７図はラビングセルおよび６
０度蒸着セルのセル厚と輝度の実測値をプロットしたグ
ラフ、第１８図は８０度蒸着セルにおけるセル厚と輝度
の実測値をプロットしたグラフ、第１９図はプレチルト
角とΔｎｅｆｆの計算イ直をプロットしたグラフである
。 １０２・・・・・・斜方蒸着法の蒸着角度を示す、１１
１・・・・・・斜方蒸着法による分子の配向方向を示す
。 代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　はか１名第１図 １］％　７ａ’Ｔ　（ｍｓｅｃ〕 ジＳ１図 許関　（ｍｓｅｃ’Ｊ ダΔ　２　図 第３図 第　４　図 し、　５　図 乙Ｅ（ＬｔＮｂ＊） （ｃＬ、Ｕ） 鋼 第９図 第１０ｔｊ４ ＾　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　コ為ζ　　　　　　　Ｃ３−／ イ３１ 第１４図 第１５図 持Ｍ（ｒｎｓｅａ＋ 第１７図 第１８図 セル、１（ｐｒｎ）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）液晶層と前記液晶層を挟持するように配置した少
   なくとも一枚は透明である複数の基板と、前記液晶層に
   電圧印加が行えるように前記、基板に付設した電圧印加
   手段とを具備したパネルにおいて基板に対して斜め方向
   から酸化イットリウムを蒸着することにより、強誘電性
   液晶の配向制御を行うことを特徴とする強誘電性液晶パ
   ネル。
2. （２）液晶層の厚みが５μｍ以下であることを特徴とす
   る特許請求の範囲第（１）項記載の強誘電性液晶パネル
   。