JPS6364382A - 半導体レ−ザ駆動回路 - Google Patents

半導体レ−ザ駆動回路

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JPS6364382A
JPS6364382A JP61208342A JP20834286A JPS6364382A JP S6364382 A JPS6364382 A JP S6364382A JP 61208342 A JP61208342 A JP 61208342A JP 20834286 A JP20834286 A JP 20834286A JP S6364382 A JPS6364382 A JP S6364382A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
output
semiconductor laser
signal
sample
Prior art date
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Pending
Application number
JP61208342A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Miyazawa
孝雄 宮澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS6364382A publication Critical patent/JPS6364382A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/06835Stabilising during pulse modulation or generation

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Head (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体レーザを光源として用いて、記録・再生
を行なう光学式情報記録再生装置の、半導体レーザの駆
動回路て関する。
〔従来の技術〕
半導体レーザな光源として用いた光学式情報記録再生装
置では、情報再生時においては光出力が一定に僅たれろ
ようシて、半導体レーザへ供給するバイアス電流を制御
する(以下A p a : hwtomtxticPo
wer Controlと呼ぶ)。また、記録時におい
てJ、+テコC件≦で%這仕1ノー→Iシ賓冶バメ77
1rパルスを重畳する形式でパルス駆動するのb;一般
的である。
第2図は従来の半導体レーザ駆動回路図である。
半導体レーザ1の光出力をモニタホトダイオード2でモ
ニタする。モニタホトダイオードからの検出信号は電流
信号として得られる為、抵抗21で電圧値に変換して増
幅器22で増幅して、光出力モニタ信号13を得る。ロ
ーパスフィルタけAPCループの帯域を決定するもので
、記録時においては記録信号でパルス駆動され九半導体
レーザの光出力の平均値をそニタするように、記録信号
帯域はカットする。まず再生時にはスイッチ28は再生
出力苓単電圧25と接続されていて、この電圧は差動増
幅器5によりローパスフィルタ23を通った光出力モニ
タ信号24と差をとられ、トランジスタ29のペースに
印加される。トランジスタ29と抵抗30により電流源
が構成されていて半導体レーザ1にバイアス電流を供給
する。なおAPOのループは負帰還b’−かかり、半導
体レーザ1の光出力が一定となるように制御が行なわれ
る。
次に情報記録時の動作について説明する。端子10から
記録信号11が入力され、バッファ34トインパータ3
3によりトランジスタ31と32h;交互にスイッチン
グされる。トランジスタ35と抵抗36で定電流源が構
成されている。スイッチ37#−を再生時にはGNDI
C,記録時にはパルス電流設定用基準電圧68に接続さ
れる。記録信号11がハイレベルの時にはトランジスタ
31がオン、トランジスタ32はオフとなり、ローレベ
ルの時は逆にトランジスタ31 h′−オフ、トランジ
スタ32がオンとなり、半導体レーザ1にはパルス電流
が印加される。一方、スイッチ28は記録時には記録出
力基進電圧26と接続されてシリ、この電圧と光出力の
平均値をモニタしたモニタ信号24とを差動増幅器5で
蓬をとり光出力の平均値が一定となるように、バイアス
電流の制御を行なう。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、前述の従来技術では記録時に記録信号の“11
と“0′の発生確率がイでない場合にけ第3図に示すよ
うに光出力の平均値PMは変わらなくてモ、ローレベル
pLとハイレベルpHhソhソれ祝、踵へ変化してしま
う。このような記録信号は例えば、2−7変調をNRZ
 (ピット有りが“11、ピット無しが”θ′に対応)
で記録しようとする場合に発生する。2−7変調の場合
、#11と”11の間の“0′の数は2個から7個とる
ことができる。例えば”1001’  のパターンが続
くとき、記録信号は11のようになりモニタ信号は13
のようになる。平均値24けモニタ信号のハイレペルヲ
vg、ローレベルヲvLトスると、VM = (vm 
+ 2VL )/3となる。一方、 7! −VL =△7 とすると上式は VM : (ΔV +3 Vt、 )15 = ΔV/
S +VLとなる。次に記録情報が”10000000
1’ のパターンの時には、 7u’ = (yI/+ 7 VL’ V8VW +V
L’ =ΔV より。
W=ΔV/a +VL/ となる。回路は平均値が等しくなるように、すなわち7
M=vM’ となるように動作するので。
y+、 −vdシーJ 7g −vtl =−!−、hv なる量だけ光出力のハイレベルとローレベルが記録信号
のパターンにより変動してしまう。その結果記録され九
ビットの大きさが変動して、再生時にジッタが大きくな
りエラーレートht増加したり最悪の場合にはピットが
記録できなくなる場合も生ずるという問題点を有する。
そこで1本発明は従来のこのような問題点を解決するも
ので、その目的とするところは記録時だ記録信号の“1
′と”0′の発生確率t″−上イでない変調方式を用い
ても、ハイレベルトローレベルが常に安定し次元出力が
得られる半導体レーザ駆動回路を提供することにある。
〔問題点を解決する之めの手段〕
本発明の半導体レーザ厖動回路は、記録信号によりパル
ス電流を半導体レーザに印加するパルス電流駆動回路と
、半導体レーザの光出力をモニタするモニタホトダイオ
ードからの電流信号を電圧値に変換増幅する工→V変換
増幅回路と、前記記録信号により前記工→V変換増幅回
路の出力をサンプルまたはホールドするタイミングを発
生させるサンプルタイミング発生回路と、前記サンプル
タイミング発生回路からの信号により前記工→V変換増
幅回路の出力をサンプリングまたはホールドするサンプ
ル・ホールド回路と、前記サンプル・ホールド回路の出
力と基準電圧とを比較する差動増幅回路と、前記差動増
幅回路からの出力だより半導体レーザヘバイアス電流を
供給するバイアス電流駆動回路からなることを特徴とす
る。
〔作用〕
本発明の上記の構成によれば、記録信号に応じて光出力
のモニタ信号をサンプル・ホールドする之め、記録信号
の/l 11 と“09の発生穆率が%でない変調方式
を用いて記録しても、半導体レーザの光出力の7・イレ
ベルとローレベルメ;常にe 定した光出力を得ること
ができる。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例における半導体レーザ駆動回
路のブロック図、第5図は本発明の具体的な回路図であ
る。従来例の第2図と同一のものに関しては、同一番号
で衣示しである。以下図面に基いて詳細に説明する。半
導体レーザ1の光出力をモニタホトダイオード2でモニ
タして、得られた電流信号を抵抗21で電圧に変換し、
増幅器22で増幅して光出力モニタ信号13を得る。第
5図で8がサンプルタイミング発生回路である。
41は記録信号11の立ち上がりでパルスを出力する単
安定マルチバイブレータである。パルス時間幅は抵抗3
9とコンデンサ40で決定される値である。4はサンプ
ルホールド回路で、抵抗42、コンデンサ44、スイッ
チ43、バッファ45から成る。スイッチ43は例えば
アナログスイッチなどの工Oで構成され、コントロール
信号12でスイッチがオンまたはオフされる。サンプリ
ング時の時定数は抵抗42をR,コンデンサ44をCと
すると、τ−,+ORで与えられる値で、従来例のロー
パスフィルタを兼ねている。なお、信号再生時において
は、スイッチ43けオンしたままである。
バッファ45ば、利得が+1でオペアンプ等で構成する
ものである。信号再生時νてけスイッチ28は再生出力
基準電圧25と接続されていて、記鈴時には記録出力基
準電圧27と接続されていて、差動増幅器5の非反転入
力端子に入力されている。
サンプルホールド回路4の出力14と上記の基準電圧と
を差動増幅器5で差をとりトランジスタ29のベースに
印加する。トランジスタ29と抵抗30によりバイアス
電流駆動回路が構成されていて、半導体レーザ1のバイ
アス電流を制御することによりAPC動作を行なう。パ
ルス電流駆動回路部分は従来例の第2図の回範と同一で
あるので、動作の説明は省略する。
第6図は第5図の各部信号波形を示した図であろ一!P
@償碧11の立もトがりのタイミングでサンプル・ホー
ルド回路4のスイッチ43のオン・オフのコントロール
信号12が作られる。本実施例においてはコントロール
信号12がハイレベル時にサンプリング、すなわちスイ
ッチ43め;オン、ローレベル時にホールド、すなわち
スイッチ43がオフの状態となる。サンプリング時間は
記録信号11のハイレベル(データ”1′に対応)時間
の2倍としたため、71′と“1′の間に長く続(N 
o lの箇所はホールドされていて、71′と”0′の
光出力レベルの平均値pM= pH+ pL をモニタ
していることになる。
〔発明の効果〕
以上述べ友ように本発明によれば以下に述べろような効
果がもたらされる。記録信号の”1′と”0″の発生率
が%でない変調方式であってもサンプル・ホールド回路
により光出力の平均値のモニタが記録信号パターンによ
らずに行なえるため常に安定し定光出力の制御が行な+
hる。従って記録されたピットの太きさけ一定となり、
再生信号のエラーレートが向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の半導体レーザ駆動回路のブロック図。 第2図は従来の半導体レーザ駆動回路図。 第3図は半導体レーザのX−P特性図。 第4図は第2図の各邪信号波形図。 第5図は本発明の半導体レーザ駆動回路図。 第6図1−j第5図の各部信号波形図。 1・・・・・・半導体レーザ 2・・・・・・モニタホトダイオード 4・・・・・・サンプル番ホールド回路8・・・・・・
サンプルタイミング発生回路以  上 出願人 セイコーエプソン株式会社 葛 1 回 並2図 易4L?7 $S図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 a)半導体レーザにより記録および再生を行なう光学式
    情報記録再生装置の半導体レーザ駆動回路において、 b)記録信号によりパルス電流を半導体レーザに印加す
    る、パルス電流駆動回路と、 c)半導体レーザの光出力をモニタするモニタホトダイ
    オードからの電流信号を電圧値に変換増幅する、I→V
    変換増幅回路と、 d)前記記録信号により、前記I→V変換増幅回路の出
    力をサンプルまたはホールドするタイミングを発生させ
    るサンプルタイミング発生回路と、 e)前記サンプルタイミング発生回路からの信号により
    、前記I→V変換増幅回路の出力をサンプリングまたは
    ホールドするサンプル・ホールド回路と、 f)前記サンプル・ホールド回路の出力と、基準電圧と
    を比較する差動増幅回路と、 g)前記差動増幅回路からの出力により、半導体レーザ
    へバイアス電流を供給するバイアス電流駆動回路からな
    ることを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
JP61208342A 1986-09-04 1986-09-04 半導体レ−ザ駆動回路 Pending JPS6364382A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01256034A (ja) * 1988-04-05 1989-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザー駆動回路
EP0683552A3 (en) * 1994-05-20 1996-05-01 Cselt Centro Studi Lab Telecom Method and device for controlling the peak power of a laser transmitter in discontinuous optical transmission systems.
JPH08172236A (ja) * 1994-12-15 1996-07-02 Nec Corp Apc回路

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01256034A (ja) * 1988-04-05 1989-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザー駆動回路
EP0683552A3 (en) * 1994-05-20 1996-05-01 Cselt Centro Studi Lab Telecom Method and device for controlling the peak power of a laser transmitter in discontinuous optical transmission systems.
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