JPS6358909A - 磁性体の磁気バイアス方法 - Google Patents
磁性体の磁気バイアス方法Info
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- JPS6358909A JPS6358909A JP61201901A JP20190186A JPS6358909A JP S6358909 A JPS6358909 A JP S6358909A JP 61201901 A JP61201901 A JP 61201901A JP 20190186 A JP20190186 A JP 20190186A JP S6358909 A JPS6358909 A JP S6358909A
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/40—Means for preventing magnetic saturation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F29/00—Variable transformers or inductances not covered by group H01F21/00
- H01F29/14—Variable transformers or inductances not covered by group H01F21/00 with variable magnetic bias
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
- H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
- H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/335—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
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- Power Engineering (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はトランス及びインダクター等の磁性体を応用
した機器の小型化を実現するための磁性体の磁気バイア
ス方法に関する。
した機器の小型化を実現するための磁性体の磁気バイア
ス方法に関する。
けい素鋼又はフェライト等の磁性体は第２図に示すよう
な磁化飽和曲線特性を有する。図中、Ｂは磁性体内部の
磁束密度、Ｂｔｎは最大磁束密度、Ｂｒは残留磁束密度
、Ｈは磁界の強さ、Ｈｃは保磁力、ｒｓは飽和磁化力を
表わす。この特性曲線かられかるように、磁性体に一定
以上の磁界Ｈ（巻線電流と巻線回数の積で表わされる）
を与えても、内部の磁束密度Ｂが飽和し一定値Ｂｍ以上
にはならない。この値Ｂｍは磁性体の材質、形状及び磁
路内の空隙等により決定される固有のものである。この
飽和点Ｂｍが高ければ高いほど、インダクタの場合には
一定のインダクタンス値と通電電流値をより小型の磁性
体で実現でき、トランスの場合にはより少ない巻線数で
より小型のトランスを作ることができる。
な磁化飽和曲線特性を有する。図中、Ｂは磁性体内部の
磁束密度、Ｂｔｎは最大磁束密度、Ｂｒは残留磁束密度
、Ｈは磁界の強さ、Ｈｃは保磁力、ｒｓは飽和磁化力を
表わす。この特性曲線かられかるように、磁性体に一定
以上の磁界Ｈ（巻線電流と巻線回数の積で表わされる）
を与えても、内部の磁束密度Ｂが飽和し一定値Ｂｍ以上
にはならない。この値Ｂｍは磁性体の材質、形状及び磁
路内の空隙等により決定される固有のものである。この
飽和点Ｂｍが高ければ高いほど、インダクタの場合には
一定のインダクタンス値と通電電流値をより小型の磁性
体で実現でき、トランスの場合にはより少ない巻線数で
より小型のトランスを作ることができる。
いま磁性体に巻かれた巻線の一方向にのみ断続的に電流
を流し又は電圧を印加する場合を考えると、磁性体が磁
性体として機能する範囲は第２図における最大磁束密度
Ｂｍと残留磁束密度Ｂｒの間である。巻線の一方向にの
み電流を流し又は電圧を印加する場合、従来のように単
に磁性体に巻線を施しただけではこの範囲（ＢｍがらＢ
ｒまでの範囲）を超えて磁性体を使用することはできな
いＯ しかし、第２図から明らかなように磁性体自体の特性と
しては磁束密度は＋８ｍがら−Ｂｍの範囲で変化するこ
とが可能な、のであり、この点に着目して考えられたの
が第３図の有極コア１ｏである。これは、磁化力Ｈが０
のときの磁束密度、すなわち残留磁束密度Ｂｒがマイナ
ス値を示すように磁路内部に永久磁石１２を挿入し、実
質的に利用可能な磁束密度の変動範囲を広げるものであ
る。
を流し又は電圧を印加する場合を考えると、磁性体が磁
性体として機能する範囲は第２図における最大磁束密度
Ｂｍと残留磁束密度Ｂｒの間である。巻線の一方向にの
み電流を流し又は電圧を印加する場合、従来のように単
に磁性体に巻線を施しただけではこの範囲（ＢｍがらＢ
ｒまでの範囲）を超えて磁性体を使用することはできな
いＯ しかし、第２図から明らかなように磁性体自体の特性と
しては磁束密度は＋８ｍがら−Ｂｍの範囲で変化するこ
とが可能な、のであり、この点に着目して考えられたの
が第３図の有極コア１ｏである。これは、磁化力Ｈが０
のときの磁束密度、すなわち残留磁束密度Ｂｒがマイナ
ス値を示すように磁路内部に永久磁石１２を挿入し、実
質的に利用可能な磁束密度の変動範囲を広げるものであ
る。
これにより、磁性体の使用体積を減らすことができ、装
置の小型化を可能にした。
置の小型化を可能にした。
しかしながら、この永久磁石１２を使用した磁気バイア
ス方法（有極コア１０）は、コア１ｏが特殊で高価であ
るのに加えて、永久磁石１２によりバイアスされるもの
であるためにバイアス・レベルが固定であり、さらに永
年の使用により永久磁石１０が劣化する等の問題があっ
た。
ス方法（有極コア１０）は、コア１ｏが特殊で高価であ
るのに加えて、永久磁石１２によりバイアスされるもの
であるためにバイアス・レベルが固定であり、さらに永
年の使用により永久磁石１０が劣化する等の問題があっ
た。
本発明は以上の従来技術の欠点に鑑みて成されたもので
、特殊なコアを使用することなく利用可能な磁束密度の
変動範囲を広げ、もって磁性体の使用体積を減じて機器
の小型化を可能にした磁性体の磁気バイアス方法を提供
することをその目的とする。
、特殊なコアを使用することなく利用可能な磁束密度の
変動範囲を広げ、もって磁性体の使用体積を減じて機器
の小型化を可能にした磁性体の磁気バイアス方法を提供
することをその目的とする。
上記目的を達成するために、本発明では、従来の磁性体
コア及び主巻線の他に、主巻線が磁路内に発生させる磁
束の増加期間中、該磁束の増加に同期して該磁束を一定
量減少させるような補助巻線を付加して、磁性体の磁気
飽和を防ぐよう構成した。
コア及び主巻線の他に、主巻線が磁路内に発生させる磁
束の増加期間中、該磁束の増加に同期して該磁束を一定
量減少させるような補助巻線を付加して、磁性体の磁気
飽和を防ぐよう構成した。
この発明を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明をトランスに適用した場合の１実施例を
示す回路図である。第１図において、主巻線Ｎ１に図に
示すような波形の入力電圧を印加すると、巻線Ｎ′５に
は入力電圧のＮ３／Ｎｌの大きさの相似波形の電圧が出
力される。
示す回路図である。第１図において、主巻線Ｎ１に図に
示すような波形の入力電圧を印加すると、巻線Ｎ′５に
は入力電圧のＮ３／Ｎｌの大きさの相似波形の電圧が出
力される。
２は磁性体から成るコアであり、コア２、主巻線Ｎ１及
び出力巻線Ｎ３により通常のトランスを構成している。
び出力巻線Ｎ３により通常のトランスを構成している。
ここでコア２が飽和しないための条件は下記の式（１）
により導かれる。
により導かれる。
ここでｎｌ：主巻線Ｎ１の巻数、Ｖ：入力最大電圧（Ｖ
）、ｔｌ：入力電圧印加時間（秒）、Ａ：コア２の最小
磁路断面積（ｍ ｄ ）、ΔＢ：Ｂｍ可能な磁束密度変
動範囲すなわちＢｍ−Ｂｒ（ガウス）である。
）、ｔｌ：入力電圧印加時間（秒）、Ａ：コア２の最小
磁路断面積（ｍ ｄ ）、ΔＢ：Ｂｍ可能な磁束密度変
動範囲すなわちＢｍ−Ｂｒ（ガウス）である。
とコア２の磁路断面積Ａとの関係は、ΔＢ１つまりコア
２の最大磁束密度Ｂｍと残留磁束密度Ｂｒの差によって
決定されることを示している。これは、逆の見方をする
と、ΔＢが大きければ主巻線Ｎ１の巻数をより少なく又
はコア２の磁路断面積Ａをより小さくしても、コア２を
飽和させずに使用できることを示している。従来技術の
有極コアはこの点に着目して、永久磁石を用いて残留磁
束Ｂｒをマイナス値まで下げるようにバイアスすること
によりΔＢを拡大するようにしたものである。
２の最大磁束密度Ｂｍと残留磁束密度Ｂｒの差によって
決定されることを示している。これは、逆の見方をする
と、ΔＢが大きければ主巻線Ｎ１の巻数をより少なく又
はコア２の磁路断面積Ａをより小さくしても、コア２を
飽和させずに使用できることを示している。従来技術の
有極コアはこの点に着目して、永久磁石を用いて残留磁
束Ｂｒをマイナス値まで下げるようにバイアスすること
によりΔＢを拡大するようにしたものである。
これに対し本発明は、主巻＃１ｌＮ１に印加される入力
電圧の波形に同期して減磁するよう動作する減磁用巻線
（補助巻線）Ｎ２により、残留磁束密度Ｂｒをマイナス
値にバイアスするものである。
電圧の波形に同期して減磁するよう動作する減磁用巻線
（補助巻線）Ｎ２により、残留磁束密度Ｂｒをマイナス
値にバイアスするものである。
第１図に示す実施例の動作について説明する。
主巻ＭＮｌに入力電圧が印加されている期間（ｔｌの期
間）中、出力巻線Ｎ３にはダイオードＤ２が順バイアス
、ダイオードＤ３が逆バイアスされる方向の電圧が誘起
され、補助巻線Ｎ２にはトランジスタＴｒ２がＯＮされ
る方向の電圧が誘起されるように、それぞれの巻線Ｎ３
、Ｎ２が施されている。
間）中、出力巻線Ｎ３にはダイオードＤ２が順バイアス
、ダイオードＤ３が逆バイアスされる方向の電圧が誘起
され、補助巻線Ｎ２にはトランジスタＴｒ２がＯＮされ
る方向の電圧が誘起されるように、それぞれの巻線Ｎ３
、Ｎ２が施されている。
今、主巻１ＩｉｉＮ１に入力電圧が印加されたとすると
（ｔ１期間）、巻線Ｎ３によりコンデンサｃ１の両端に
は電工ＥＯが出力される。一方補助巻線Ｎ２にも電圧が
誘起され、トランジスタＴｒ２のエミッタ・ペース間は
抵抗Ｒ１，Ｒ２によって順バイアスされるのでトランジ
スタＴｒ２はオン、する。Ｔｒ２がオンすると、抵抗Ｒ
３を介してトランジスタＴｒｉヘベース電流が供給され
るので、トランジスタＴｒｉはオン状態となる。Ｔｒｉ
がオン状態になると、巻線Ｎ２に電圧ＥＯが印加さレル
。コノトキ、電圧ＥＯがＶＸ（Ｎ２／Ｎｌ）の値よりも
大きければ、巻線）１２に巻線Ｎ１の励磁電流を減じる
方向の電流ＩＮ２が流れる。この減磁電流工Ｎ２は、第
１図に示すようなトランジスタＴｒ １、抵抗Ｒ４、ツ
ェナー・タイオードＤ１、（ツェナー電圧ｖｚ）の回路
構成により常に一定に保たれる。その関係を式（２）と
して下記に示す。
（ｔ１期間）、巻線Ｎ３によりコンデンサｃ１の両端に
は電工ＥＯが出力される。一方補助巻線Ｎ２にも電圧が
誘起され、トランジスタＴｒ２のエミッタ・ペース間は
抵抗Ｒ１，Ｒ２によって順バイアスされるのでトランジ
スタＴｒ２はオン、する。Ｔｒ２がオンすると、抵抗Ｒ
３を介してトランジスタＴｒｉヘベース電流が供給され
るので、トランジスタＴｒｉはオン状態となる。Ｔｒｉ
がオン状態になると、巻線Ｎ２に電圧ＥＯが印加さレル
。コノトキ、電圧ＥＯがＶＸ（Ｎ２／Ｎｌ）の値よりも
大きければ、巻線）１２に巻線Ｎ１の励磁電流を減じる
方向の電流ＩＮ２が流れる。この減磁電流工Ｎ２は、第
１図に示すようなトランジスタＴｒ １、抵抗Ｒ４、ツ
ェナー・タイオードＤ１、（ツェナー電圧ｖｚ）の回路
構成により常に一定に保たれる。その関係を式（２）と
して下記に示す。
ＶＢＦ；＋ｌＮ２−Ｒ１４−Ｖ４
（Ｖｎｇ：Ｔｒｉのエミッタ・ベース間電圧’）このよ
うに本発明ではツェナー・ダイオードＤ１を用いた回路
構成により減磁電流工Ｎ２をｔ１期間中一定に保つので
、主巻線Ｎ１の励磁電流は一切影響を受けない。つまり
、コア２内部の磁束はｔ１期間のみ常時一定の値だけ減
磁される。減磁分をΔＢ１とすれば、下記式（６）が成
立する。
うに本発明ではツェナー・ダイオードＤ１を用いた回路
構成により減磁電流工Ｎ２をｔ１期間中一定に保つので
、主巻線Ｎ１の励磁電流は一切影響を受けない。つまり
、コア２内部の磁束はｔ１期間のみ常時一定の値だけ減
磁される。減磁分をΔＢ１とすれば、下記式（６）が成
立する。
ΔＢｌ−μＨ−，１ｌ−ｎ２ ＠ｌＮ２−・−−−−式
（６）（ｎ２：Ｎ２の巻数、μ：磁性体の透磁率）以上
の説明からもわかるように、本発明は、電圧ＥＯが補助
巻線Ｎ２による誘起電圧よりも大きくなるよう構成し、
かつツェナー・ダイオードを用いた回路により減磁電流
ＩＮ２を一定に保つよう構成することにより、ｔ１期間
中、コア２の内部磁束を一定値ΔＢ１だけ減磁して、コ
ア２の飽和を防ぐものである。
（６）（ｎ２：Ｎ２の巻数、μ：磁性体の透磁率）以上
の説明からもわかるように、本発明は、電圧ＥＯが補助
巻線Ｎ２による誘起電圧よりも大きくなるよう構成し、
かつツェナー・ダイオードを用いた回路により減磁電流
ＩＮ２を一定に保つよう構成することにより、ｔ１期間
中、コア２の内部磁束を一定値ΔＢ１だけ減磁して、コ
ア２の飽和を防ぐものである。
次に巻線Ｎ１に電圧が印加されていない期間ｔ２につい
て説明する。ｔ２期間中、トランジスタＴｒ２はオフで
あるので、トランジスタＴｒｌもオフとなり巻線Ｎ２に
は電流が流れない。巻線Ｎ２に減磁電流１Ｎ２が流れな
いと、コア２は減磁されないので、ｔｌからｔ２に変化
した瞬間コア２の磁束密度は一瞬上昇するが、その時は
巻線Ｎ１に電圧は印加されていないので、たとえコア２
が飽和しても問題はない。
て説明する。ｔ２期間中、トランジスタＴｒ２はオフで
あるので、トランジスタＴｒｌもオフとなり巻線Ｎ２に
は電流が流れない。巻線Ｎ２に減磁電流１Ｎ２が流れな
いと、コア２は減磁されないので、ｔｌからｔ２に変化
した瞬間コア２の磁束密度は一瞬上昇するが、その時は
巻線Ｎ１に電圧は印加されていないので、たとえコア２
が飽和しても問題はない。
コア２内部の磁束密度の変化を第４図に示す、ｔ１期間
中、磁性体内の磁束密度は式（３）より、μ・ｎ２・Ｉ
Ｎ２だけ減磁されるので、その分飽和点が実質的に上昇
したのと同じことになる。
中、磁性体内の磁束密度は式（３）より、μ・ｎ２・Ｉ
Ｎ２だけ減磁されるので、その分飽和点が実質的に上昇
したのと同じことになる。
本発明をインダクタに適用する場合には、外部に第１図
の電圧ＥＯに相当する直流電圧源を必要とする他は、ト
ランスの場合と同様にして実施することができる。
の電圧ＥＯに相当する直流電圧源を必要とする他は、ト
ランスの場合と同様にして実施することができる。
以上説明したように、本発明は磁性体に補助巻線と簡単
な回路を附加するだけで、磁性体をより小さくすること
ができ、又は主巻線をより少なくすることができ、それ
により磁性体応用機器を小型化することができた。本発
明をトランス、インダクタに実施した場合、一定の使用
条件の下で、何ら磁気バイアスしない場合と比較して約
３０％磁性体の体積を減少できた。
な回路を附加するだけで、磁性体をより小さくすること
ができ、又は主巻線をより少なくすることができ、それ
により磁性体応用機器を小型化することができた。本発
明をトランス、インダクタに実施した場合、一定の使用
条件の下で、何ら磁気バイアスしない場合と比較して約
３０％磁性体の体積を減少できた。
第１図は本発明の磁性体の磁気ノ（イアス方法をトラン
スに適用した場合の実施例を示す回路図であり、第２図
は磁性体の磁化飽和曲線（Ｈ−Ｂ曲線）を示す図である
。第３図は従来技術である有極コアの内部構成を示す図
であり、第４図は本発明を適用した場合の磁性体内部の
磁石密度の変化を表わす図である。 Ｎ１・・・主巻線、Ｎ２・・・出力巻線、Ｎ３・・・減
磁用補助巻線、Ｒ１−１１・・・抵抗、Ｄｌ・・・ツェ
ナー・ダイオード、Ｄ２．Ｄ５・・・ダイオード、Ｔｒ
ｉ・・・ＮＰＮ型トランジスタ、Ｔｒ２・・・ＰＮＰ型
トランジスタ、ＬＬ・・・平滑用インダクタ、Ｃ１・・
・コンデンサ ２・・・磁性体コア、１０・・・有極コア、１２・・・
永久磁石 出願代理人 斉藤 勲 才／ Ｑ ’ｔ’４５Ｊ
スに適用した場合の実施例を示す回路図であり、第２図
は磁性体の磁化飽和曲線（Ｈ−Ｂ曲線）を示す図である
。第３図は従来技術である有極コアの内部構成を示す図
であり、第４図は本発明を適用した場合の磁性体内部の
磁石密度の変化を表わす図である。 Ｎ１・・・主巻線、Ｎ２・・・出力巻線、Ｎ３・・・減
磁用補助巻線、Ｒ１−１１・・・抵抗、Ｄｌ・・・ツェ
ナー・ダイオード、Ｄ２．Ｄ５・・・ダイオード、Ｔｒ
ｉ・・・ＮＰＮ型トランジスタ、Ｔｒ２・・・ＰＮＰ型
トランジスタ、ＬＬ・・・平滑用インダクタ、Ｃ１・・
・コンデンサ ２・・・磁性体コア、１０・・・有極コア、１２・・・
永久磁石 出願代理人 斉藤 勲 才／ Ｑ ’ｔ’４５Ｊ
Claims (1)
- 少なくとも磁性体コア２及び主巻線Ｎ１を有する磁性体
応用機器において、前記磁性体コア２に補助巻線Ｎ２を
附加するとともに前記主巻線Ｎ１の発生する磁束の増加
に同期して前記補助巻線Ｎ２に前記主巻線Ｎｉの発生す
る磁束を一定量減少させるような一定の減磁電流を流し
て、主巻線の発生する磁束の増加期間中磁性体コアの磁
気飽和を防ぐようにしたことを特徴とする磁性体の磁気
バイアス方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61201901A JPS6358909A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 磁性体の磁気バイアス方法 |
| US07/079,853 US4782437A (en) | 1986-08-29 | 1987-07-30 | Magnetic material biasing method and apparatus |
| DE8787905695T DE3782334T2 (de) | 1986-08-29 | 1987-08-10 | Materialmagnetisierungsmethode und -vorrichtung. |
| PCT/US1987/001952 WO1988001791A1 (en) | 1986-08-29 | 1987-08-10 | Magnetic material biasing method and apparatus |
| EP87905695A EP0284615B1 (en) | 1986-08-29 | 1987-08-10 | Magnetic material biasing method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61201901A JPS6358909A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 磁性体の磁気バイアス方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358909A true JPS6358909A (ja) | 1988-03-14 |
Family
ID=16448699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61201901A Pending JPS6358909A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 磁性体の磁気バイアス方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4782437A (ja) |
| EP (1) | EP0284615B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6358909A (ja) |
| DE (1) | DE3782334T2 (ja) |
| WO (1) | WO1988001791A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3724590A1 (de) * | 1987-07-24 | 1989-02-02 | Gert Guenther Niggemeyer | Gleichspannungswandler |
| DE3724649A1 (de) * | 1987-07-25 | 1989-02-02 | Leybold Ag | Einrichtung fuer eine unipolar betriebene, energiespeicherfaehige komponente |
| US4876638A (en) * | 1988-02-10 | 1989-10-24 | Electronic Research Group, Inc. | Low-noise switching power supply having variable reluctance transformer |
| US4994952A (en) * | 1988-02-10 | 1991-02-19 | Electronics Research Group, Inc. | Low-noise switching power supply having variable reluctance transformer |
| DE102014011582A1 (de) * | 2014-08-02 | 2016-02-04 | Fsm Ag | Transformator und Verfahren zum Einschalten eines Transformators |
| US10712405B2 (en) | 2015-06-30 | 2020-07-14 | A. Todd McMullen | External air core flux measurement system for a production magnetizing system |
| CN114325517A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-12 | 江西大有科技有限公司 | 一种b-h磁化曲线测试方法及装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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