JPS6358827A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPS6358827A JPS6358827A JP61201633A JP20163386A JPS6358827A JP S6358827 A JPS6358827 A JP S6358827A JP 61201633 A JP61201633 A JP 61201633A JP 20163386 A JP20163386 A JP 20163386A JP S6358827 A JPS6358827 A JP S6358827A
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- light path
- laser beam
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体集積回路などの製造時に用いられる
露光装置に関するものである。
露光装置に関するものである。
近年、半導体集積回路はチップ内の回路密度を大きくす
るため、よシ微細なパタンを形成することに努力が払わ
れておシ、露光装置の光源の波長を短かくシ、パタンの
寸法を微細化するため、エキシマレーザを光源とするも
のが提案されている。
るため、よシ微細なパタンを形成することに努力が払わ
れておシ、露光装置の光源の波長を短かくシ、パタンの
寸法を微細化するため、エキシマレーザを光源とするも
のが提案されている。
纂8図はマイクロサーキットエンジニアリング83 (
Microcircuit Engineering
83) +73〜83頁(著者G、M、 Dubroe
ucq 、D 。
Microcircuit Engineering
83) +73〜83頁(著者G、M、 Dubroe
ucq 、D 。
Zahorsky ) に示されている露光装置であ
シ、1はエキシマレーザ、2は反射鏡、3は拡散板、4
は照明用のレンズ、5は絞シ、6はレチクル、7は投影
用のレンズ、8はクエハ、9はXYステージである。こ
の装置は投影用のレンズTのフィールドが狭く、マたエ
キシマレーザ1の光として波長λ= 249 nm %
波長の半値幅0.32nmOものを用いているが、コヒ
ーレンジティが低いため、スペックルは発生していない
。
シ、1はエキシマレーザ、2は反射鏡、3は拡散板、4
は照明用のレンズ、5は絞シ、6はレチクル、7は投影
用のレンズ、8はクエハ、9はXYステージである。こ
の装置は投影用のレンズTのフィールドが狭く、マたエ
キシマレーザ1の光として波長λ= 249 nm %
波長の半値幅0.32nmOものを用いているが、コヒ
ーレンジティが低いため、スペックルは発生していない
。
ところで、エキシマレーザによる光を用いる露光装置を
実用的なものにするためには、投影用のレンズとしてフ
ィールドが大きく、NA(開口数)の大きなものが必要
となる。このようなレンズを適用した露光装置では、光
学系における色収差の影響を避けるため、エキシマレー
ザ光の半値幅を0.1nm以下にすることが必要となる
。ここで半値幅が0.1nm以下のエキシマレーザ光は
、コヒーレンジティが高いという性質を有するので、ス
ペックルの発生が避けられず、第8図に示す装置をその
まま用いることはできない。
実用的なものにするためには、投影用のレンズとしてフ
ィールドが大きく、NA(開口数)の大きなものが必要
となる。このようなレンズを適用した露光装置では、光
学系における色収差の影響を避けるため、エキシマレー
ザ光の半値幅を0.1nm以下にすることが必要となる
。ここで半値幅が0.1nm以下のエキシマレーザ光は
、コヒーレンジティが高いという性質を有するので、ス
ペックルの発生が避けられず、第8図に示す装置をその
まま用いることはできない。
スペックルのバタン形成への影響を除去する方法として
、位相の異なる光によシ多重露光する方法がジャーナル
Φオプ・オプティカル・ソサイティφオブーアメリカ(
Journal of 0pticalSociety
of America) Vol、 66、 No、
11゜1976.1257〜1260頁に示されてい
る(著者Adam Kogma and Charle
s R,ChristeHsen、厘毛Effects
of 5peckle onresolution
)。この文献によるとスペックルのバタン形成への影響
を除去するためには位相の異なる光を200回以上多重
露光すれば良いことが屏析されている。
、位相の異なる光によシ多重露光する方法がジャーナル
Φオプ・オプティカル・ソサイティφオブーアメリカ(
Journal of 0pticalSociety
of America) Vol、 66、 No、
11゜1976.1257〜1260頁に示されてい
る(著者Adam Kogma and Charle
s R,ChristeHsen、厘毛Effects
of 5peckle onresolution
)。この文献によるとスペックルのバタン形成への影響
を除去するためには位相の異なる光を200回以上多重
露光すれば良いことが屏析されている。
〔発明が解決しようとする間1点〕
しかし々からエキシマレーザによるパルス発振回数は毎
秒約100パルスであるため、200回の照射を行なお
うとすると2秒間露光しなければならず、生産性を向上
させるにはこの露光時間を短縮することが望まれていた
。
秒約100パルスであるため、200回の照射を行なお
うとすると2秒間露光しなければならず、生産性を向上
させるにはこの露光時間を短縮することが望まれていた
。
このような問題を解決するためにこの発明は、光源から
のパルス元の進行方向を複数に分岐し、その光路長が異
なシかつ各光路の出力が拡散装置の異なる個所に入射す
るか、入射角が異なるように入射するようにしたもので
ある。
のパルス元の進行方向を複数に分岐し、その光路長が異
なシかつ各光路の出力が拡散装置の異なる個所に入射す
るか、入射角が異なるように入射するようにしたもので
ある。
複数のかつ位相が異なる光によって露光が行なわれる。
第1図はこの発明の一実施例を示す図であり、10.1
5はプリズム、2a〜2dは反射鏡、11は円板状で軸
11aを中心として回転する拡散板、12は絞り、13
はコリメーション用のレンズ、14はマスク面あるいは
レチクル面、16.1T、1Bは光路である。ここでプ
リズム1Qの詳細を第2図に示す。第2図(a)は平面
図、第2図(b)は斜視図であシ、面10aと面10d
1面10bと面10cは平行になっている。面10aお
よび面tabに入射した光路16の光はその進行方向が
光路1Tと光路18の2つに分割され、光路1Tと光路
18は光路16の進行方向と平行になる。
5はプリズム、2a〜2dは反射鏡、11は円板状で軸
11aを中心として回転する拡散板、12は絞り、13
はコリメーション用のレンズ、14はマスク面あるいは
レチクル面、16.1T、1Bは光路である。ここでプ
リズム1Qの詳細を第2図に示す。第2図(a)は平面
図、第2図(b)は斜視図であシ、面10aと面10d
1面10bと面10cは平行になっている。面10aお
よび面tabに入射した光路16の光はその進行方向が
光路1Tと光路18の2つに分割され、光路1Tと光路
18は光路16の進行方向と平行になる。
第1図において光路18の光はそのままプリズム15に
入射するが、光路1Tの光は反射92a〜2dによって
反射した後、プリズム15に入射する。プリズム15は
入射した光が拡散板11上において同一範囲に重なるよ
うに、各面の角度が決められている(このことによって
入射角が異なる〕。また、拡散板11は軸11a を中
心にして回転をするので、パルス状のレーザ光が発生す
る度にそのレーザ光が照射される拡散板上の位置が移動
する。また拡散板11けその照射位置によって拡散方向
が異ぬるので、拡散板11を通過したレーザ光は時々刻
々と位相が変化し7ている。
入射するが、光路1Tの光は反射92a〜2dによって
反射した後、プリズム15に入射する。プリズム15は
入射した光が拡散板11上において同一範囲に重なるよ
うに、各面の角度が決められている(このことによって
入射角が異なる〕。また、拡散板11は軸11a を中
心にして回転をするので、パルス状のレーザ光が発生す
る度にそのレーザ光が照射される拡散板上の位置が移動
する。また拡散板11けその照射位置によって拡散方向
が異ぬるので、拡散板11を通過したレーザ光は時々刻
々と位相が変化し7ている。
拡散板11以降の光学系においては、拡散板11におけ
る光路17.18の照射領域が光源となυ、コリメーシ
ョンレンズ13により、マスク面14に光が一様に照射
される。第1図において、光路1Tは光路18よシも光
路長が3m以上長くなるようにしている。光はInsの
間に約0.3 m進み、この例では行路長の差が3m以
上おるので、光路1γのレーザ光は光路18のレーザ光
よりも10n3以上遅れて拡散板11に到達する。レー
ザ光はその時間遅れが20nsa度であることが知られ
ているから、Ions以上の時間遅れの後に拡散板11
に到達するレーザ光は先に到達したレーザ光のエネルギ
が十分小さくなってから到達することになる。すなわち
、光源から送出された1回のパルス状のレーザ光の発光
は時間間隔10ns以上を有する2回のレーザ光の照射
となって拡散板11に達することになる。
る光路17.18の照射領域が光源となυ、コリメーシ
ョンレンズ13により、マスク面14に光が一様に照射
される。第1図において、光路1Tは光路18よシも光
路長が3m以上長くなるようにしている。光はInsの
間に約0.3 m進み、この例では行路長の差が3m以
上おるので、光路1γのレーザ光は光路18のレーザ光
よりも10n3以上遅れて拡散板11に到達する。レー
ザ光はその時間遅れが20nsa度であることが知られ
ているから、Ions以上の時間遅れの後に拡散板11
に到達するレーザ光は先に到達したレーザ光のエネルギ
が十分小さくなってから到達することになる。すなわち
、光源から送出された1回のパルス状のレーザ光の発光
は時間間隔10ns以上を有する2回のレーザ光の照射
となって拡散板11に達することになる。
したがって拡散板11には光源から出た1回のレーザ光
の発光が1on3以上の時間間隔を有する2回のレーザ
光の発光として到達し、これらが回転する拡散板11を
通過することによってマスク面14に達する光は時々刻
々位相が変る。このため、マスク面は刻々と位相の異な
る光で毎秒200回照射され、露光時間を従来の半分す
なわち1秒に短縮することができる。
の発光が1on3以上の時間間隔を有する2回のレーザ
光の発光として到達し、これらが回転する拡散板11を
通過することによってマスク面14に達する光は時々刻
々位相が変る。このため、マスク面は刻々と位相の異な
る光で毎秒200回照射され、露光時間を従来の半分す
なわち1秒に短縮することができる。
第3図は第2の実施例であり、20はビームスプリッタ
、21は牛透明鏡である。この実施例では光路16のレ
ーザ光をビームスプリッタ20により光路17,18に
分け、光路17,18の光のパワーは略等しくなるよう
にしておき、光路1Tの光路長は光路18の光路長より
3m以上長くなるようにし1おく。また、第1図の例と
同様に光路17と光路18で拡散板11へ入射するレー
ザ光の入射角が異なるようにしておく。このように構成
することによって第1図に示す装置と同様の理由により
、露光時間は従来のものの半分の1秒で良くなる。
、21は牛透明鏡である。この実施例では光路16のレ
ーザ光をビームスプリッタ20により光路17,18に
分け、光路17,18の光のパワーは略等しくなるよう
にしておき、光路1Tの光路長は光路18の光路長より
3m以上長くなるようにし1おく。また、第1図の例と
同様に光路17と光路18で拡散板11へ入射するレー
ザ光の入射角が異なるようにしておく。このように構成
することによって第1図に示す装置と同様の理由により
、露光時間は従来のものの半分の1秒で良くなる。
第4図は第3の実施例であり、2Qa、20bはビーム
スプリッタ、2a〜2eは反1rfn、21a。
スプリッタ、2a〜2eは反1rfn、21a。
21bは牛透明鏡、25はレンズ、26はオプティカル
インチクレータ、27はレンズ25を固定する枠、28
は加振器、29は観測面、17a。
インチクレータ、27はレンズ25を固定する枠、28
は加振器、29は観測面、17a。
17bはビームスプリッタ20bにより分岐された光路
でちる。この場合、ビームスプリッタ20aで分岐され
るエネルギは光路1Tが3分の2、光路18が3分の1
となるようにし、ビームスプリッタ20b で分岐され
るエネルギは光路17aと17b とで等しくなるよう
にしておく。そして、観測面29において光路18.1
7a、17bの光路が一致するようにし、各光路から観
測面29に入射する入射角は相互に少しずつ異なるよう
にしておく。また、各光路を通る光はそれぞれIons
以上の時間間隔をもってオプティカルインチクレータ2
6に到達するように、各行路長を設定しておく。
でちる。この場合、ビームスプリッタ20aで分岐され
るエネルギは光路1Tが3分の2、光路18が3分の1
となるようにし、ビームスプリッタ20b で分岐され
るエネルギは光路17aと17b とで等しくなるよう
にしておく。そして、観測面29において光路18.1
7a、17bの光路が一致するようにし、各光路から観
測面29に入射する入射角は相互に少しずつ異なるよう
にしておく。また、各光路を通る光はそれぞれIons
以上の時間間隔をもってオプティカルインチクレータ2
6に到達するように、各行路長を設定しておく。
このような装置においてレンズ25に撮動が与えられる
ことによってマスク面14に照射される光の位相が時々
刻々変化する。そして1回のレーザ光の発光によって3
回の照射が行なわれるので、露光時間を従来の3分の1
である3分の2秒に短縮することができる。この場合、
レンズ25の位置変化はその方向が光軸に垂直でも平行
でも、これらを組合わせた方向でもよく、変化量は±5
0μm程度で艮い。このため、レンズ25の位置変化が
マスク面14における光のパワー変化や均一性に影響す
ることはほとんどない。
ことによってマスク面14に照射される光の位相が時々
刻々変化する。そして1回のレーザ光の発光によって3
回の照射が行なわれるので、露光時間を従来の3分の1
である3分の2秒に短縮することができる。この場合、
レンズ25の位置変化はその方向が光軸に垂直でも平行
でも、これらを組合わせた方向でもよく、変化量は±5
0μm程度で艮い。このため、レンズ25の位置変化が
マスク面14における光のパワー変化や均一性に影響す
ることはほとんどない。
第5図は第4の実施例であシ2a〜2には反射鏡、40
はプリズムでちゃ、ビームスプリッタ20a で分岐さ
れる光路18a、18bのエネルギは等しく、ビームス
プリッタ20bで分岐される光路17a、17bのエネ
ルギも畳しくなるように分岐される。第6図はプリズム
40の詳細を示す図であp、40a〜40eはプリズム
の面であ)、光路17a、17b、18a、18bの元
が面40m に垂直に入射し、たとき、プリズム40か
ら出射した各光路の光は拡散板11の同−N囲にくるよ
うに、プリズム40、拡散板11の位置を決めている。
はプリズムでちゃ、ビームスプリッタ20a で分岐さ
れる光路18a、18bのエネルギは等しく、ビームス
プリッタ20bで分岐される光路17a、17bのエネ
ルギも畳しくなるように分岐される。第6図はプリズム
40の詳細を示す図であp、40a〜40eはプリズム
の面であ)、光路17a、17b、18a、18bの元
が面40m に垂直に入射し、たとき、プリズム40か
ら出射した各光路の光は拡散板11の同−N囲にくるよ
うに、プリズム40、拡散板11の位置を決めている。
また各光路は各々の光路長が3m以上異なるようにして
いる。
いる。
このように構成することによって一回のレーザ光の発光
から時間間隔が1Qa3以上の四回のレーザ光の照射が
得られ、拡散板11に入射する。そして、四回のレーザ
光の拡散板11への入射角が各々異なるため、拡散板1
1からは位相の異なるレーザ光が4回出射する。このた
め、従来装置と比較して露光時間を4分の1、すなわち
0.5秒に短縮できる。
から時間間隔が1Qa3以上の四回のレーザ光の照射が
得られ、拡散板11に入射する。そして、四回のレーザ
光の拡散板11への入射角が各々異なるため、拡散板1
1からは位相の異なるレーザ光が4回出射する。このた
め、従来装置と比較して露光時間を4分の1、すなわち
0.5秒に短縮できる。
第7図は第5の実施例であシ、41〜43はプリズムで
ある。プリズム42.43の屈折率f N 。
ある。プリズム42.43の屈折率f N 。
そのプリズム中を光か伝播する距濫をdとすると、プリ
ズム42.43中の光路長はN−dで与えられる。プリ
ズム42.43に石英ガラス製とするとN=1.5であ
るため、光路1Tの光路長を第1図の場合と同じにする
場合、プリズム42.43の長さは第1図の光路の長さ
の1/1.5にできる。
ズム42.43中の光路長はN−dで与えられる。プリ
ズム42.43に石英ガラス製とするとN=1.5であ
るため、光路1Tの光路長を第1図の場合と同じにする
場合、プリズム42.43の長さは第1図の光路の長さ
の1/1.5にできる。
すなわち、第7図の実施例では第1図の実施例と同じ効
果を得ようとした場合、光学系を狭い領域に構成するこ
とができる。この実施例ではプリズム41に入射した光
がオプティカルインチクレータ26の入射面で一致する
ような溝底にしておシ、また加振器28によシブリズム
41を微小な角度回転して、オプティカルインチクレー
タ26(て入射するレーザ光の位置がエキシマレーザの
発振周期毎に異なるようKL、発振周期毎にオプティカ
ルインチクレータ26を出射する光の位相が異なるよう
にしてhる。発振周期毎のプリズム41の回転角の変化
は、オプテづカルインテグレータ26の入射面における
レーザ光の位置の変化が1〜5μmKなる程度で良い。
果を得ようとした場合、光学系を狭い領域に構成するこ
とができる。この実施例ではプリズム41に入射した光
がオプティカルインチクレータ26の入射面で一致する
ような溝底にしておシ、また加振器28によシブリズム
41を微小な角度回転して、オプティカルインチクレー
タ26(て入射するレーザ光の位置がエキシマレーザの
発振周期毎に異なるようKL、発振周期毎にオプティカ
ルインチクレータ26を出射する光の位相が異なるよう
にしてhる。発振周期毎のプリズム41の回転角の変化
は、オプテづカルインテグレータ26の入射面における
レーザ光の位置の変化が1〜5μmKなる程度で良い。
このためプリズム41の回転がマスク面14上での光の
パワーや均一性に影響することはほとんどない。
パワーや均一性に影響することはほとんどない。
第1〜第4の実施例において、レーザ光の光路に石英ガ
ラスを用いることで、第5の実施例のように光学系を構
成する領域を狭くすることができる。またバタン形成装
置に存在する空間、あるいはバタン形成装置の周辺の空
間を利用して、反射鏡、プリズムなどを設置するように
すれば、レーザ光の光路長を長くするために、バタン形
成装置全体が大きくなることはない。レーザ光の光路長
を変えるために、長さの異なる光ファイバを利用するよ
うにしても良い。そして、反射鏡の代シにプリズムを用
いることもでき、さらにレーザ光を分割するために第2
図において面10m、10bを反射鏡にしたような光学
部品を用いることもでき・る。第1〜第5の実施例では
、エキシマレーザから1回発生するレーザ光を2〜4回
照射するレーザ光に分割するようにしたが、光学部品を
適当に配t’iることによって分割するレーザ光の数を
4以上にすることができる。
ラスを用いることで、第5の実施例のように光学系を構
成する領域を狭くすることができる。またバタン形成装
置に存在する空間、あるいはバタン形成装置の周辺の空
間を利用して、反射鏡、プリズムなどを設置するように
すれば、レーザ光の光路長を長くするために、バタン形
成装置全体が大きくなることはない。レーザ光の光路長
を変えるために、長さの異なる光ファイバを利用するよ
うにしても良い。そして、反射鏡の代シにプリズムを用
いることもでき、さらにレーザ光を分割するために第2
図において面10m、10bを反射鏡にしたような光学
部品を用いることもでき・る。第1〜第5の実施例では
、エキシマレーザから1回発生するレーザ光を2〜4回
照射するレーザ光に分割するようにしたが、光学部品を
適当に配t’iることによって分割するレーザ光の数を
4以上にすることができる。
なお以上の実施例では各光路から出た光が拡散装置間−
m囲に入射されるようにして、そこへの入射角度が異な
るようにしているが、拡散装置の同一個所でなく、異な
る位置に入射するようにすれば、それぞれの光路の光は
入射角度が同一であっても良い。
m囲に入射されるようにして、そこへの入射角度が異な
るようにしているが、拡散装置の同一個所でなく、異な
る位置に入射するようにすれば、それぞれの光路の光は
入射角度が同一であっても良い。
第1〜第5の実施例ではエキシマレーザを光源とするバ
タン形成装置について説明したが、qスイッチ・レーザ
のように、パルス発振させたレーザを光源とするバタン
形成装置にも適用でき、またバタン形成装置以外にレー
ザcvo < Chemical Vapor Dep
osition )、エピタキシャル放炎、レーザエツ
チングなどにおいて、照射するレーザ光のビークパワー
を低くするのにも適用できる。そしてこれらに適用する
場合にはスペックルの影響が無視できることもあシ、そ
の場合には第1〜第5の実施例で示したスペックルに対
する対策は不要である。第1〜第5の実施例では、エキ
シマレーザからの一つのパルス光を時間間隔10 ns
程度で複数のパルスに分割しているが、この時間間隔は
必要に応じてその惟の値にも設定できる。
タン形成装置について説明したが、qスイッチ・レーザ
のように、パルス発振させたレーザを光源とするバタン
形成装置にも適用でき、またバタン形成装置以外にレー
ザcvo < Chemical Vapor Dep
osition )、エピタキシャル放炎、レーザエツ
チングなどにおいて、照射するレーザ光のビークパワー
を低くするのにも適用できる。そしてこれらに適用する
場合にはスペックルの影響が無視できることもあシ、そ
の場合には第1〜第5の実施例で示したスペックルに対
する対策は不要である。第1〜第5の実施例では、エキ
シマレーザからの一つのパルス光を時間間隔10 ns
程度で複数のパルスに分割しているが、この時間間隔は
必要に応じてその惟の値にも設定できる。
以上説明したようにこの発明は、光源から発振する一つ
のパルス状のレーザ光を、時間間隔をおめた複数のパル
ス状のレーザ光にし、かつ光拡散装置の異なる位置に照
射するか、異なる入射角で入射させるようにしたので、
コヒーレンジティが高い光源を利用したバタン形成装置
においてスペックルの影響を除去しながら露光時間を短
縮できるという効果を有する。
のパルス状のレーザ光を、時間間隔をおめた複数のパル
ス状のレーザ光にし、かつ光拡散装置の異なる位置に照
射するか、異なる入射角で入射させるようにしたので、
コヒーレンジティが高い光源を利用したバタン形成装置
においてスペックルの影響を除去しながら露光時間を短
縮できるという効果を有する。
第1図はこの発明の一実施例を示す構成図、第2図は第
1囚に示す装置に使用するプリズム1゜の詳細を示す図
、第3図、第4図、第5図、第7図は他の実施例を示す
構成図、第6図は第5図におけるプリズム40の詳細を
示す図、第8図は従来装置の一例を示す構成図である。 1舎・・・エキシマレ−f、2 、2a〜2e ・・
・・反射fi、3,11・・・・拡散板、4,7.13
.25・・・・レンズ、5・・・φ絞り、6・・・・レ
チクル、8もφ・・ウェハ、9@8・@XYステージ、
12* 暢e 11絞シ、15,40.4111111
111プリズム、2 G + 20a + 20b
”・・・ビームスプリンタ、21・・・・半透明鏡、2
6Φφ・φオプティカルインチクレータ、28・令争・
加振器。
1囚に示す装置に使用するプリズム1゜の詳細を示す図
、第3図、第4図、第5図、第7図は他の実施例を示す
構成図、第6図は第5図におけるプリズム40の詳細を
示す図、第8図は従来装置の一例を示す構成図である。 1舎・・・エキシマレ−f、2 、2a〜2e ・・
・・反射fi、3,11・・・・拡散板、4,7.13
.25・・・・レンズ、5・・・φ絞り、6・・・・レ
チクル、8もφ・・ウェハ、9@8・@XYステージ、
12* 暢e 11絞シ、15,40.4111111
111プリズム、2 G + 20a + 20b
”・・・ビームスプリンタ、21・・・・半透明鏡、2
6Φφ・φオプティカルインチクレータ、28・令争・
加振器。
Claims (1)
- 光源から発するパルス光を拡散装置によつて拡散して露
光を行なう露光装置において、パルス光の進光方向が複
数となるように分岐する光分岐装置と、分岐された光の
進行方向毎に設けられた光路長の異なる光路とから構成
され、光路はその出力光が拡散装置の異なる個所に入射
するか、異なる入射角で入射するように配設されたこと
を特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61201633A JPS6358827A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61201633A JPS6358827A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6358827A true JPS6358827A (ja) | 1988-03-14 |
Family
ID=16444309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61201633A Pending JPS6358827A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6358827A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01198759A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-10 | Nikon Corp | 照明装置 |
JPH02215117A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-28 | Canon Inc | 露光装置 |
WO2001035451A1 (fr) * | 1999-11-09 | 2001-05-17 | Nikon Corporation | Illuminateur, aligneur, et procede de fabrication d'un tel dispositif |
WO2006095855A1 (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 画像投影装置 |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP61201633A patent/JPS6358827A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01198759A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-10 | Nikon Corp | 照明装置 |
JPH02215117A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-28 | Canon Inc | 露光装置 |
WO2001035451A1 (fr) * | 1999-11-09 | 2001-05-17 | Nikon Corporation | Illuminateur, aligneur, et procede de fabrication d'un tel dispositif |
WO2006095855A1 (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 画像投影装置 |
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