JPS6356626A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPS6356626A JPS6356626A JP61200310A JP20031086A JPS6356626A JP S6356626 A JPS6356626 A JP S6356626A JP 61200310 A JP61200310 A JP 61200310A JP 20031086 A JP20031086 A JP 20031086A JP S6356626 A JPS6356626 A JP S6356626A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は液晶表示装置に関するものでとりわけ、TP
T (薄膜トランジスタ)用いたマトリックスタイプの
液晶表示装置に関するものである。
T (薄膜トランジスタ)用いたマトリックスタイプの
液晶表示装置に関するものである。
し従来の技術〕
従来のTPTを用いた液晶表示装置の例を第4.5.6
図により説明する。 二枚の対向して設けた透明基板1
.2の間に液晶3が封入され、TPTは透明基板1の上
に形成されている。TPTはゲート電極4、ゲート絶縁
膜5、半導体層6、ITOなどの透明材よりなるソース
電極7およびドレイン電極8を含む。上記ゲート電極4
は横方向に連続して形成されゲートライン4Aをなし、
ソース電極7は縦方向に連続して形成されソースライン
7Aをなしている(第5図)。ドレイン電極8は透明画
素電極9に接続されている。このドレイン電極8と画素
電極9とは一体に形成してもよい。10は半導体層の保
護膜で、さらにその上に光遮蔽膜11、配向膜12が順
次形成されている。
図により説明する。 二枚の対向して設けた透明基板1
.2の間に液晶3が封入され、TPTは透明基板1の上
に形成されている。TPTはゲート電極4、ゲート絶縁
膜5、半導体層6、ITOなどの透明材よりなるソース
電極7およびドレイン電極8を含む。上記ゲート電極4
は横方向に連続して形成されゲートライン4Aをなし、
ソース電極7は縦方向に連続して形成されソースライン
7Aをなしている(第5図)。ドレイン電極8は透明画
素電極9に接続されている。このドレイン電極8と画素
電極9とは一体に形成してもよい。10は半導体層の保
護膜で、さらにその上に光遮蔽膜11、配向膜12が順
次形成されている。
対向する透明基板2には透明電極13が形成され、その
上にカラーフィルタ層14が設けられ、赤R1緑G1青
Bの三色が交互に配置されている。これらカラーフィル
タR,G、Bは上記画素電極9に対向する位置に形成さ
れている。光を制御できるのは画素電極の部分だけであ
り、それ以外の部分は光を制御できず、とくにソース電
極7は直接液品の駆動電極ではないのでドレイン電極8
による液晶の、ON、OFFとは関係なく動作してしま
い、光の洩れによりコントラストの低下、黒色の不鮮明
さ、隣接する画素との混色などの悪影響がある。そこで
カラーフィルタ層14の画素電極9に対向するR、G、
B部分以外の部分に、第6図示のようにブラックストラ
イプ15が形成されている。これはカラーフィルタ層1
4を黒色に染めたものにより格子状に形成されている。
上にカラーフィルタ層14が設けられ、赤R1緑G1青
Bの三色が交互に配置されている。これらカラーフィル
タR,G、Bは上記画素電極9に対向する位置に形成さ
れている。光を制御できるのは画素電極の部分だけであ
り、それ以外の部分は光を制御できず、とくにソース電
極7は直接液品の駆動電極ではないのでドレイン電極8
による液晶の、ON、OFFとは関係なく動作してしま
い、光の洩れによりコントラストの低下、黒色の不鮮明
さ、隣接する画素との混色などの悪影響がある。そこで
カラーフィルタ層14の画素電極9に対向するR、G、
B部分以外の部分に、第6図示のようにブラックストラ
イプ15が形成されている。これはカラーフィルタ層1
4を黒色に染めたものにより格子状に形成されている。
その他のブラックストライプの形成方法としては、光遮
蔽金属膜にて形成してもよい。そして最表部に配向膜1
6が形成されている。
蔽金属膜にて形成してもよい。そして最表部に配向膜1
6が形成されている。
[発明が解決しようとする問題点]
上記従来例においてブラックストライプ15はTPTと
は反対側の基板2に設けられているので、両透明基板1
.2の合わせ精度や、光の回り込みを考慮して、ブラッ
クストライプ15の幅は画素電極9間の間隔よりも広め
に設計する必要があり、ブラックストライプの幅を広く
すると有効画素の面積割合が低下し、光の利用効率が低
下するという欠点があった。
は反対側の基板2に設けられているので、両透明基板1
.2の合わせ精度や、光の回り込みを考慮して、ブラッ
クストライプ15の幅は画素電極9間の間隔よりも広め
に設計する必要があり、ブラックストライプの幅を広く
すると有効画素の面積割合が低下し、光の利用効率が低
下するという欠点があった。
[問題点を解決するための手段]
この発明は上記従来における欠点を解決するためのもの
で、TPT側にゲート電極の金属材料で光遮蔽膜を形成
する構成としたものである。
で、TPT側にゲート電極の金属材料で光遮蔽膜を形成
する構成としたものである。
[実施例」
この発明の実施例の液晶表示装置のTPTを設けた部分
における断面図、第2図が従来例について示した第4図
と異る点は、従来例におけるブラックストライプ15が
設けられていないことである。またこの実施例ではゲー
ト電極4はモリブデン、クロム、アルミニウムなどの光
を遮蔽する金属で形成する。その他の構成は第4図と同
様であり、同じ符号を付した個所は同じものを示す。こ
の発明の特徴は第1図においてよく表される。すなわち
、ゲートライン4Aと連続してゲートラインと同じ金属
材料にて光遮蔽膜4Bが形成されている。光遮蔽膜4B
はソースライン7A方向にソースラインよりもやや幅広
に形成され、隣接するTPT、図面では下側のTPTの
手前まで伸びている。したがって画素電極9は光遮蔽作
用をするゲートライン4Aおよび光遮蔽膜4Bでほぼ囲
まれる構成となる。もちろんこの光遮蔽膜4Bの形成は
ゲートライン4と一緒にパターン形成することができる
。マスク合せの精度は2μm程度であり、2枚の基板1
.2の合せ精度10μm程度に比べてはるかに小さいの
で、精度よく形成することができる。
における断面図、第2図が従来例について示した第4図
と異る点は、従来例におけるブラックストライプ15が
設けられていないことである。またこの実施例ではゲー
ト電極4はモリブデン、クロム、アルミニウムなどの光
を遮蔽する金属で形成する。その他の構成は第4図と同
様であり、同じ符号を付した個所は同じものを示す。こ
の発明の特徴は第1図においてよく表される。すなわち
、ゲートライン4Aと連続してゲートラインと同じ金属
材料にて光遮蔽膜4Bが形成されている。光遮蔽膜4B
はソースライン7A方向にソースラインよりもやや幅広
に形成され、隣接するTPT、図面では下側のTPTの
手前まで伸びている。したがって画素電極9は光遮蔽作
用をするゲートライン4Aおよび光遮蔽膜4Bでほぼ囲
まれる構成となる。もちろんこの光遮蔽膜4Bの形成は
ゲートライン4と一緒にパターン形成することができる
。マスク合せの精度は2μm程度であり、2枚の基板1
.2の合せ精度10μm程度に比べてはるかに小さいの
で、精度よく形成することができる。
第3図は光遮蔽膜4Cがゲートライン4から切り離して
形成された例で、この場合でもゲートライン4Aと光遮
蔽膜4Cとは一緒にパターン形成できることはいうまで
もない。
形成された例で、この場合でもゲートライン4Aと光遮
蔽膜4Cとは一緒にパターン形成できることはいうまで
もない。
上記実施例においてはカラーフィルタ層14にブラック
ストライプを設けていないが、光遮蔽効果を高めるため
にブラックストライプを設けておいて、光遮蔽膜とブラ
ックストライプの両方で光の洩れを防止するようにして
もよい。
ストライプを設けていないが、光遮蔽効果を高めるため
にブラックストライプを設けておいて、光遮蔽膜とブラ
ックストライプの両方で光の洩れを防止するようにして
もよい。
また上記実施例においてはカラー液晶表示装置について
述べたが、白黒表示の液晶表示装置において、とりわけ
透過型の表示装置の場合にはソースラインの部分などか
らの光の洩れによるコントラストの低下を防ぐために、
光遮蔽性のゲート電極材料にてソースライン沿いに光遮
蔽膜を形成することができる。
述べたが、白黒表示の液晶表示装置において、とりわけ
透過型の表示装置の場合にはソースラインの部分などか
らの光の洩れによるコントラストの低下を防ぐために、
光遮蔽性のゲート電極材料にてソースライン沿いに光遮
蔽膜を形成することができる。
[発明の効果]
この発明においては、光遮蔽膜をゲートラインを構成す
る材料で、ゲートラインとともにパターン形成すること
ができるので製造プロセスが増えることなく、またTP
Tを設ける側の基板に光遮蔽膜を形成するので画素電極
に対して精度よく形成することができるので、光の洩れ
の少ないコントラストのよい表示装置を得ることができ
る。
る材料で、ゲートラインとともにパターン形成すること
ができるので製造プロセスが増えることなく、またTP
Tを設ける側の基板に光遮蔽膜を形成するので画素電極
に対して精度よく形成することができるので、光の洩れ
の少ないコントラストのよい表示装置を得ることができ
る。
第1.2.3図はこの発明の実施例を示し、第1図は1
実施例のゲートラインおよび光遮蔽膜のパターン説明図
、第2図、は第1図の実施例のTPTを設けた部分の断
面図、第3図は他の実施例におけるゲートラインおよび
光遮蔽膜のパターン説明図であり、第4.5.6図は従
来例を示し、4図は従来例におけるTPTを設けた部分
の断面図、第5図はゲートライン、ソースライン、ドレ
イン電極および画素電極のパターン説明図、第6図はブ
ラックストライプのパターン説明図である。 1・・・基板 2・・・基板 3・・・液晶 4・・・ゲート電極 4B・・・光遮蔽膜 4C・・・光遮蔽膜 5・・・ゲート絶縁膜 6・・・半導体層 7・・・ソース電極 8・・・ドレイン電極 TPT・・・薄膜トランジスタ 9・・・画素電極 以 上 第2図 2 第414
実施例のゲートラインおよび光遮蔽膜のパターン説明図
、第2図、は第1図の実施例のTPTを設けた部分の断
面図、第3図は他の実施例におけるゲートラインおよび
光遮蔽膜のパターン説明図であり、第4.5.6図は従
来例を示し、4図は従来例におけるTPTを設けた部分
の断面図、第5図はゲートライン、ソースライン、ドレ
イン電極および画素電極のパターン説明図、第6図はブ
ラックストライプのパターン説明図である。 1・・・基板 2・・・基板 3・・・液晶 4・・・ゲート電極 4B・・・光遮蔽膜 4C・・・光遮蔽膜 5・・・ゲート絶縁膜 6・・・半導体層 7・・・ソース電極 8・・・ドレイン電極 TPT・・・薄膜トランジスタ 9・・・画素電極 以 上 第2図 2 第414
Claims (1)
- 一方の基板にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソ
ース電極、ドレイン電極を含む薄膜トランジスタおよび
上記ドレイン電極と接続する画素電極を設け、他方の基
板に対向電極を設け、上両基板の間に液晶を封入してな
るマトリックスタイプの液晶表示装置において、上記ゲ
ート電極は光を遮蔽する金属材料にて形成し、さらに上
記一方の基板に上記金属材料にて光遮蔽膜を形成したこ
とを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61200310A JPH0812353B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61200310A JPH0812353B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 液晶表示装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9025280A Division JPH09185084A (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6356626A true JPS6356626A (ja) | 1988-03-11 |
JPH0812353B2 JPH0812353B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=16422188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61200310A Expired - Lifetime JPH0812353B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0812353B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02308131A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-21 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
JPH03146926A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-21 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
US5150240A (en) * | 1988-11-30 | 1992-09-22 | Goldstar Co., Ltd. | Thin film active matrix circuit |
US5426523A (en) * | 1992-05-13 | 1995-06-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display having a light blocking film on stepped portions |
US7271870B2 (en) | 1995-07-25 | 2007-09-18 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device and method of making same |
USRE40770E1 (en) | 1996-03-14 | 2009-06-23 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and electronic equipment |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5669683A (en) * | 1979-11-12 | 1981-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Image display device |
JPS595228A (ja) * | 1982-07-01 | 1984-01-12 | Asahi Glass Co Ltd | 画像表示装置 |
-
1986
- 1986-08-27 JP JP61200310A patent/JPH0812353B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5669683A (en) * | 1979-11-12 | 1981-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Image display device |
JPS595228A (ja) * | 1982-07-01 | 1984-01-12 | Asahi Glass Co Ltd | 画像表示装置 |
Cited By (12)
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US7271870B2 (en) | 1995-07-25 | 2007-09-18 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device and method of making same |
US7375786B2 (en) | 1995-07-25 | 2008-05-20 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device and method of making same |
US7450192B2 (en) | 1995-07-25 | 2008-11-11 | Hitachi, Ltd. | Display device |
US7535536B2 (en) | 1995-07-25 | 2009-05-19 | Hitachi, Ltd. | Display device |
US7907225B2 (en) | 1995-07-25 | 2011-03-15 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
US8107028B2 (en) | 1995-07-25 | 2012-01-31 | Hitachi Displays, Ltd. | Display device having improved step coverage for thin film transistors |
US8421943B2 (en) | 1995-07-25 | 2013-04-16 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display device having a third electrode formed over a second insulating film and overlapped with a pair of gate lines |
USRE40770E1 (en) | 1996-03-14 | 2009-06-23 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and electronic equipment |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0812353B2 (ja) | 1996-02-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |