JPH0812353B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は液晶表示装置の製造方法に関するものでと
りわけ、TFT（薄膜トランジスタ）用いたマトリックス
タイプの液晶表示装置の製造方法に関するものである。

［従来の技術］ 従来のTFTを用いた液晶表示装置の例を第４、５、６
図により説明する。二枚の対向して設けた透明基板１、
２の間に液晶３が封入され、TFTは透明基板１の上に形
成されている。TFTはゲート電極４、ゲート絶縁膜５、
半導体層６、ITOなどの透明材よりなるソース電極７お
よびドレイン電極８を含む。上記ゲート電極４は横方向
に連続して形成されゲートライン4Aをなし、ソース電極
７は縦方向に連続して形成されソースライン7Aをなして
いる（第５図）。ドレイン電極８は透明画素電極９に接
続されている。このドレイン電極８と画素電極９とは一
体に形成してもよい。10は半導体層の保護膜で、さらに
その上に光遮蔽膜11、配向膜12が順次形成されている。
対向する透明基板２には透明電極13が形成され、その上
にカラーフィルタ層14が設けられ、赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂの
三色が交互に配置されている。これらカラーフィルタ
Ｒ、Ｇ、Ｂは上記画素電極９に対向する位置に形成され
ている。光を制御できるのは画素電極の部分だけであ
り、それ以外の部分は光を制御できず、とくにソース電
極７は直接液晶の駆動電極ではないのでドレイン電極８
による液晶の、ON、OFFとは関係なく動作してしまい、
光の洩れによりコントラストの低下、黒色の不鮮明さ、
隣接する画素との混色などの悪影響がある。そこでカラ
ーフィルタ層14の画素電極９に対向するＲ、Ｇ、Ｂ部分
以外の部分に、第６図示のようにブラックストライプ15
が形成されている。これはカラーフィルタ層14を黒色に
染めたものにより格子状に形成されている。その他のブ
ラックストライプの形成方法としては、光遮蔽金属膜に
て形成してもよい。そして最表部に配向膜16が形成され
ている。

［発明が解決しようとする問題点］ 上記従来例においてブラックストライプ15はTFTとは
反対側の基板２に設けられているので、両透明基板１、
２の合わせ精度や、光の回り込みを考慮して、ブラック
ストライプ15の幅は画素電極９間の間隔よりも広めに設
計する必要があり、ブラックストライプの幅を広くする
と有効画素の面積割合が低下し、光の利用効率が低下す
るという欠点があった。また、ブラックストライプを形
成するための工程が必要となるため、その分製造工程が
増加するという欠点もあった。

本発明の目的は、光の利用効率の低下を防止すること
が可能で、しかも製造工程の低減が可能な液晶表示装置
の製造方法を得ることがである。

［問題点を解決するための手段］ 本発明における液晶表示装置の製造方法は、ゲートラ
インを光に遮蔽する導電材料にて形成し、ソースライン
に沿ってかつソースラインと離間して上記導電材料にて
光遮蔽膜を形成し、ゲートラインおよび光遮蔽膜を同一
工程で形成したことを特徴とする。

［実施例］ この発明の実施例の液晶表示装置のTFTを設けた部分
における断面図、第２図が従来例について示した第４図
と異る点は、従来例におけるブラックストライプ15が設
けられていないことである。またこの実施例ではゲート
電極４はメモリブデン、クロム、アルミニゥムなどの光
を遮蔽する金属で形成する。その他の構成は第４図と同
様であり、同じ符号を付した個所は同じものを示す。こ
の発明の特徴は第１図においてよく表される。すなわ
ち、ゲートライン4Aと連続してゲートラインと同じ金属
材料にて光遮蔽膜4Bが形成されている。光遮蔽膜4Bはソ
ースライン7A方向にソースラインよりもやや幅広に形成
され、隣接するTFT、図面では下側のTFTの手前まで伸び
ている。したがって画素電極９は光遮蔽作用をするゲー
トライン4Aおよび光遮蔽膜4Bでほぼ囲まれる構成とな
る。もちろんこの光遮蔽膜4Bの形成はゲートライン４と
一緒にパターン形成することができる。マスク合せの精
度は２μｍ程度であり、２枚の基板１、２の合せ精度10
μｍ程度に比べてはるかに小さいので、精度よく形成す
ることができる。

第３図は光遮蔽膜4Cがゲートライン４から切り離して
形成された例で、この場合でもゲートライン4Aと光遮蔽
膜4Cとは一緒にパターン形成できることはいうまでもな
い。

上記実施例においてはカラーフイルタ層14にブラック
ストライプを設けていないが、光遮蔽効果を高めるため
にブラックストライプを設けておいて、光遮蔽膜とブラ
ックストライプの両方で光の洩れを防止するようにして
もよい。

また上記実施例においてはカラー液晶表示装置につい
て述べたが、白黒表示の液晶表示装置において、とりわ
け透過型の表示装置の場合にはソースラインの部分など
からの光の洩れによるコントラストの低下を防ぐため
に、光遮蔽性のゲート電極材料にてソースライン沿いに
光遮蔽膜を形成することができる。

このように、光遮蔽膜をゲートラインを構成する材料
で、ゲートラインとともにパターン形成することができ
るので製造プロセスが増えることなく、またTFTを設け
る側の基板に光遮蔽膜を形成するので画素電極に対して
精度よく形成することができるので、光の洩れの少ない
コントラストのよい表示装置を得ることができる。

［発明の効果］ 本発明では、光の利用効率の低下を防止することが可
能で、しかも製造工程の低減が可能な液晶表示装置の製
造方法を得ることができる。また、光遮蔽膜をソースラ
インに沿ってかつソースラインと離間して形成するた
め、光遮蔽膜をゲートラインと連続的に形成することが
でき、より効果的に光を遮蔽することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１、２、３図はこの発明の実施例を示し、第１図は１
実施例のゲートラインおよび光遮蔽膜のパターン説明
図、第２図は第１図の実施例のTFTを設けた部分の断面
図、第３図は他の実施例におけるゲートラインおよび光
遮蔽膜のパターン説明図であり、第４、５、６図は従来
例を示し、４図は従来例におけるTFTを設けた部分の断
面図、第５図はゲートライン、ソースライン、ドレイン
電極および画素電極のパターン説明図、第６図はブラッ
クストライプのパターン説明図である。 １……基板 ２……基板 ３……液晶 ４……ゲート電極 4A……ゲートライン 4B……光遮蔽膜 4C……光遮蔽膜 ７……ソース電極 7A……ソースライン ８……ドレイン電極 TFT……薄膜トランジスタ ９……画素電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金沢 由理 栃木県那須郡塩原町大字下田野531−１ 日本プレシジョン・サーキッツ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−5228（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−69683（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一方の基板に複数の薄膜トランジスタ、上
   記複数の薄膜トランジスタの各ドレイン電極に接続され
   た複数の画素電極、上記複数の薄膜トランジスタのゲー
   ト電極どうしを接続するゲートラインおよび上記複数の
   薄膜トランジスタのソース電極どうしを接続するソース
   ラインを設け、上記一方の基板と上記一方の基板に対向
   する他方の基板との間に液晶を封入してなるマトリック
   スタイプの液晶表示装置の製造方法において、 上記ゲートラインを光を遮蔽する導電材料にて形成し、
   上記一方の基板に上記ソースラインに沿ってかつ上記ソ
   ースラインと離間して上記導電材料にて光遮蔽膜を形成
   し、上記ゲートラインおよび上記光遮蔽膜を同一工程で
   形成した液晶表示装置の製造方法。