JPS6355945A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPS6355945A JPS6355945A JP20100686A JP20100686A JPS6355945A JP S6355945 A JPS6355945 A JP S6355945A JP 20100686 A JP20100686 A JP 20100686A JP 20100686 A JP20100686 A JP 20100686A JP S6355945 A JPS6355945 A JP S6355945A
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- Japan
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- mounting part
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法に関し、特
に半導体素子と内部リードを接続した後から樹脂封止す
るまでの間の工程に関する。
に半導体素子と内部リードを接続した後から樹脂封止す
るまでの間の工程に関する。
従来、樹脂封止型半導体装置は第２図に示す様に半導体
素子１を素子搭載部２（素子搭載部支持リード２′を介
してリードフレーム外枠５に連結）に搭載しく同図（ａ
））、半導体素子１と内部リード８とをワイヤー３にて
接続しく同図（ｂ）、（ｃ））、樹脂４にて全体を封止
（同図（ｄ））した後に外部リードを成形して製造して
いた。
素子１を素子搭載部２（素子搭載部支持リード２′を介
してリードフレーム外枠５に連結）に搭載しく同図（ａ
））、半導体素子１と内部リード８とをワイヤー３にて
接続しく同図（ｂ）、（ｃ））、樹脂４にて全体を封止
（同図（ｄ））した後に外部リードを成形して製造して
いた。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法では、
製造した樹脂封止型半導体装置の素子搭載部２は素子搭
載部支持リード２′によりリードフレーム外枠５と接続
しており樹脂封止後も第２図（ｃ）で示される様に素子
搭載部２は、外部と素子搭載部支持リード２′を通して
接続している。このため、支持リード２′と樹脂４との
接触面を通し、外部より水分等の異質物が半導体装置】
まで浸入し、内部の半導体素子１を破壊しうる６特に、
同図（ｂ）に示すワイヤー接続工程は約２００℃以上と
いう高温で行なわれるなめ、この素子搭載部支持リード
２′には金属が使用される事が多い。金属と樹脂とは熱
膨張係数に大巾な差異があるため温度サイクル等の封止
後の熱履歴により、素子搭載部支持リード２と樹脂４と
の界面に隣間が生じやすく、外部からの水分の浸入を容
易にしている。
製造した樹脂封止型半導体装置の素子搭載部２は素子搭
載部支持リード２′によりリードフレーム外枠５と接続
しており樹脂封止後も第２図（ｃ）で示される様に素子
搭載部２は、外部と素子搭載部支持リード２′を通して
接続している。このため、支持リード２′と樹脂４との
接触面を通し、外部より水分等の異質物が半導体装置】
まで浸入し、内部の半導体素子１を破壊しうる６特に、
同図（ｂ）に示すワイヤー接続工程は約２００℃以上と
いう高温で行なわれるなめ、この素子搭載部支持リード
２′には金属が使用される事が多い。金属と樹脂とは熱
膨張係数に大巾な差異があるため温度サイクル等の封止
後の熱履歴により、素子搭載部支持リード２と樹脂４と
の界面に隣間が生じやすく、外部からの水分の浸入を容
易にしている。
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、半導体素
子をリードフレームの素子搭載部に搭載する工程と、前
記半導体素子と前記リードフレームの内部リードとを電
気的に接続する工程と、支持材を前記内部リードの一部
又は全部と前記素子搭載部とに接着する工程と、この工
程の後で前記内部リードのうち前記素子搭載部に連結し
ていたものを切断する工程と、この工程の後で前記半導
体素子と前記内部リードを樹脂封止する工程とを含んで
構成される。
子をリードフレームの素子搭載部に搭載する工程と、前
記半導体素子と前記リードフレームの内部リードとを電
気的に接続する工程と、支持材を前記内部リードの一部
又は全部と前記素子搭載部とに接着する工程と、この工
程の後で前記内部リードのうち前記素子搭載部に連結し
ていたものを切断する工程と、この工程の後で前記半導
体素子と前記内部リードを樹脂封止する工程とを含んで
構成される。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を工程順に示す断面図である
。本実施例は、第１図（ａ）に示すように素子搭載部２
に搭載された半導体素子１にワイヤー３を接続し、封止
する樹脂４の材料と同種の材料の素子搭載部支持材６を
リード２′の一部と素子搭載部２の素子１と反対側に接
着しく同図（ｂ））、この後に素子搭載部２に接続する
支持リード２′の一部である切断部７を切断して素子搭
載部２と素子搭載部支持リード２′とを素子搭載部支持
材６で連結するようにしく同図（Ｃ））、樹脂４にて封
止する（同図（ｄ〉）。
。本実施例は、第１図（ａ）に示すように素子搭載部２
に搭載された半導体素子１にワイヤー３を接続し、封止
する樹脂４の材料と同種の材料の素子搭載部支持材６を
リード２′の一部と素子搭載部２の素子１と反対側に接
着しく同図（ｂ））、この後に素子搭載部２に接続する
支持リード２′の一部である切断部７を切断して素子搭
載部２と素子搭載部支持リード２′とを素子搭載部支持
材６で連結するようにしく同図（Ｃ））、樹脂４にて封
止する（同図（ｄ〉）。
素子搭載部支持リード２′の切断はレーザー光等を用い
れば容易に行う事が出来、何ら素子１への悪影響と及ぼ
さないことは明らかである。又切断部７を前もってハー
フエツチング等を用いて細くしておけば素子搭載部支持
リード２′に力を加える等の力学的方法でも容易にリー
ド２′を切断することが出来る。
れば容易に行う事が出来、何ら素子１への悪影響と及ぼ
さないことは明らかである。又切断部７を前もってハー
フエツチング等を用いて細くしておけば素子搭載部支持
リード２′に力を加える等の力学的方法でも容易にリー
ド２′を切断することが出来る。
この様にすると樹脂封止後の半導体装置は素子搭載部と
外部とが完全に遮断され、外部からの水分浸入を防ぐこ
とが出来、樹脂封止型半導体装置の最大の欠点であった
耐湿性を大巾に向上する事が出来る。
外部とが完全に遮断され、外部からの水分浸入を防ぐこ
とが出来、樹脂封止型半導体装置の最大の欠点であった
耐湿性を大巾に向上する事が出来る。
ここで、使用される支持材６は封正に使用する樹脂４と
同種のものを用いるべきであるが、特にその使用方法と
しては半硬化のものをワイヤー３の接続後、素子搭載部
２と支持リード２′に接着し、封止後に封止樹脂４と同
時に硬化させた方がより効果は大きいものであることは
明白である。
同種のものを用いるべきであるが、特にその使用方法と
しては半硬化のものをワイヤー３の接続後、素子搭載部
２と支持リード２′に接着し、封止後に封止樹脂４と同
時に硬化させた方がより効果は大きいものであることは
明白である。
又、特にリード数の太い半導体装置に於いては、支持材
の形状を種々変更し、支持材を内部リード間に入れたり
、内部リード間をこの支持材にて接続しておくことによ
り、樹脂封止工程中の内部リードの変形を防ぐことが出
来、ワイヤーの切断及び素子への接触が防げ、半導体装
置の歩留りの向上及び信頼性の向上が出来る。
の形状を種々変更し、支持材を内部リード間に入れたり
、内部リード間をこの支持材にて接続しておくことによ
り、樹脂封止工程中の内部リードの変形を防ぐことが出
来、ワイヤーの切断及び素子への接触が防げ、半導体装
置の歩留りの向上及び信頼性の向上が出来る。
以上説明したように本発明は、内部への水分等の浸入を
防止でき、耐湿性に優れた樹脂封止型半導体装置を製造
できる効果がある。
防止でき、耐湿性に優れた樹脂封止型半導体装置を製造
できる効果がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例による樹脂封
止型半導体装置を製造工程順に示す断面図、第２図（ａ
）、（ｂ）、（ｄ）は従来の樹脂封止型半導体装置を工
程順に示す断面図、第２図（Ｃ）は第２図（ｂ）に示す
製造途中の樹脂封止型半導体装置の平面図である。 １・・・半導体素子、２・・・素子搭載部、２′・・・
素子搭載部支持リード、３・・・接続ワイヤー、４・・
・封止樹脂、５・・・リードフレーム外枠、６・・・素
子搭載部支持材、７・・・切断部。 ／＊辱林倉１ 茅 ／ 回 ＄ ２ 図
止型半導体装置を製造工程順に示す断面図、第２図（ａ
）、（ｂ）、（ｄ）は従来の樹脂封止型半導体装置を工
程順に示す断面図、第２図（Ｃ）は第２図（ｂ）に示す
製造途中の樹脂封止型半導体装置の平面図である。 １・・・半導体素子、２・・・素子搭載部、２′・・・
素子搭載部支持リード、３・・・接続ワイヤー、４・・
・封止樹脂、５・・・リードフレーム外枠、６・・・素
子搭載部支持材、７・・・切断部。 ／＊辱林倉１ 茅 ／ 回 ＄ ２ 図
Claims (1)
- 半導体素子をリードフレームの素子搭載部に搭載する工
程と、前記半導体素子と前記リードフレームの内部リー
ドとを電気的に接続する工程と、支持材を前記内部リー
ドの一部又は全部と前記素子搭載部とに接着する工程と
、この工程の後で前記内部リードのうち前記素子搭載部
に連結していたものを切断する工程と、この工程の後で
前記半導体素子と前記内部リードを樹脂封止する工程と
を含むことを特徴とした樹脂封止型半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20100686A JPS6355945A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20100686A JPS6355945A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355945A true JPS6355945A (ja) | 1988-03-10 |
Family
ID=16433930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20100686A Pending JPS6355945A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6355945A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5198964A (ja) * | 1975-02-26 | 1976-08-31 |
-
1986
- 1986-08-26 JP JP20100686A patent/JPS6355945A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5198964A (ja) * | 1975-02-26 | 1976-08-31 |
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