JPS635518A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS635518A JPS635518A JP14917886A JP14917886A JPS635518A JP S635518 A JPS635518 A JP S635518A JP 14917886 A JP14917886 A JP 14917886A JP 14917886 A JP14917886 A JP 14917886A JP S635518 A JPS635518 A JP S635518A
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体層に不純物を塗布して拡散する半導
体装置の製造方法に係り、特に、高濃度ドープに関する
。
体装置の製造方法に係り、特に、高濃度ドープに関する
。
従来、多結晶層を電極として形成する半導体装置の製造
方法には、第３図に示すようなドープド・ポリ法が用い
られている。たとえば、Ｎ型のシリコン基板２の表面に
Ｐ型の導電領域４を形成し、その表面部分を覆う酸化膜
６を選択的に除いて開口８を形成した後、この開口８を
覆うポリシリコン層１０を形成する。このポリシリコン
層１０の表面に不純物を含有した有機塗布剤からなる不
純物塗布液１２を塗布し、ポリシリコン層１０から不純
物を矢印ａに示すように、拡散してシリコン基板２の導
電領域４に到達させてポリシリコン層１０を導電領域４
に対して電極としてのオーミックコンタクトとして形成
する。
方法には、第３図に示すようなドープド・ポリ法が用い
られている。たとえば、Ｎ型のシリコン基板２の表面に
Ｐ型の導電領域４を形成し、その表面部分を覆う酸化膜
６を選択的に除いて開口８を形成した後、この開口８を
覆うポリシリコン層１０を形成する。このポリシリコン
層１０の表面に不純物を含有した有機塗布剤からなる不
純物塗布液１２を塗布し、ポリシリコン層１０から不純
物を矢印ａに示すように、拡散してシリコン基板２の導
電領域４に到達させてポリシリコン層１０を導電領域４
に対して電極としてのオーミックコンタクトとして形成
する。
ところで、このようにポリシリコン層１０の表面に不純
物塗布液１２を塗布して、ポリシリコン層１０の表面に
不純物を拡散させた場合、ポリシリコン層１０およびシ
リコン基板２の導電領域４における不純物濃度分布は、
第４図の０に示すように、ポリシリコン層１０において
高濃度を呈し、第４図のＰに示すように、シリコン基板
２の表面では極端に低濃度となり、導電領域４での濃度
を高めることができない。
物塗布液１２を塗布して、ポリシリコン層１０の表面に
不純物を拡散させた場合、ポリシリコン層１０およびシ
リコン基板２の導電領域４における不純物濃度分布は、
第４図の０に示すように、ポリシリコン層１０において
高濃度を呈し、第４図のＰに示すように、シリコン基板
２の表面では極端に低濃度となり、導電領域４での濃度
を高めることができない。
そこで、この発明は、不純物拡散された半導体層に対し
て不純物の拡散濃度を高めた半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
て不純物の拡散濃度を高めた半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
この発明の半導体装置の製造方法は、第１図に示すよう
に、第１の半導体Ｎ（シリコン基板２）の表面に不純物
（不純物塗布液１２Ａ）を塗布した後、その不純物（不
純物塗布液１２Ａ）上に第２の半導体Ｎ（ポリシリコン
層１０）を形成し、第１および第２の半導体層（シリコ
ン基板２およびポリシリコンＮ１０）に対して両者の間
から塗布した不純物（不純物塗布液１２Ａ）を拡散する
ことを内容とする。
に、第１の半導体Ｎ（シリコン基板２）の表面に不純物
（不純物塗布液１２Ａ）を塗布した後、その不純物（不
純物塗布液１２Ａ）上に第２の半導体Ｎ（ポリシリコン
層１０）を形成し、第１および第２の半導体層（シリコ
ン基板２およびポリシリコンＮ１０）に対して両者の間
から塗布した不純物（不純物塗布液１２Ａ）を拡散する
ことを内容とする。
このようにすると、従来のポリシリコンＪｉｌＯに不純
物（不純物塗布液１２）を塗布して、シリコン基板２に
不純物を拡散する方法に対して、第１および第２の半導
体層（シリコン基板２およ〜びポリシリコン層１０）の
間から不純物（不純物塗布液１２Ａ）を拡散するので、
高濃度ドープが可能になり、第１および第２の半導体層
の境界領域から第１および第２の半導体層に向かって不
純物濃度を高めることができる。
物（不純物塗布液１２）を塗布して、シリコン基板２に
不純物を拡散する方法に対して、第１および第２の半導
体層（シリコン基板２およ〜びポリシリコン層１０）の
間から不純物（不純物塗布液１２Ａ）を拡散するので、
高濃度ドープが可能になり、第１および第２の半導体層
の境界領域から第１および第２の半導体層に向かって不
純物濃度を高めることができる。
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図はこの発明の半導体装置の製造方法の実施例を示
す。
す。
この実施例は、第３図に示した半導体装置の製造方法と
同様にポリシリコン層を電極として形成する方法である
。
同様にポリシリコン層を電極として形成する方法である
。
第１図のＡに示すように、Ｎ型のシリコン基板２の表面
にＰ型の導電領域４を形成し、その表面部分を覆う酸化
膜６を選択的に除いて開口８を形成した後、この開口８
を覆って不純物塗布液１２Ａを塗布する。この不純物塗
布液１２Ａは、たとえば、ボロンなどの不純物を含有さ
せた有機塗布剤を用いる。
にＰ型の導電領域４を形成し、その表面部分を覆う酸化
膜６を選択的に除いて開口８を形成した後、この開口８
を覆って不純物塗布液１２Ａを塗布する。この不純物塗
布液１２Ａは、たとえば、ボロンなどの不純物を含有さ
せた有機塗布剤を用いる。
次に、第１図のＢに示すように、不純物塗布液Ｌ２Ａを
塗布したシリコン基板２０表面にポリシリコンＮ１０を
形成した後、第１図のＣに示すように、ポリシリコン層
１０の表面にも不純物塗布液１２Ａと同様の不純物塗布
液１２Ｂを塗布して加熱処理を行う。
塗布したシリコン基板２０表面にポリシリコンＮ１０を
形成した後、第１図のＣに示すように、ポリシリコン層
１０の表面にも不純物塗布液１２Ａと同様の不純物塗布
液１２Ｂを塗布して加熱処理を行う。
この結果、第１図のＣに示すように、不純物塗布液１２
Ａによって矢印ａ、ｂで示す方向に不純物が拡散される
とともに、不純物塗布液１２Ｂによって矢印Ｃで示すよ
うに不純物が拡散されてシリコン基板２の導電領域４に
到達させることができ、この結果、第１図のＤに示すよ
うに、ポリシリコン層１０は不純物の拡散によって、電
極として形成される。
Ａによって矢印ａ、ｂで示す方向に不純物が拡散される
とともに、不純物塗布液１２Ｂによって矢印Ｃで示すよ
うに不純物が拡散されてシリコン基板２の導電領域４に
到達させることができ、この結果、第１図のＤに示すよ
うに、ポリシリコン層１０は不純物の拡散によって、電
極として形成される。
したがって、このようにすれば、シリコン基板２および
ポリシリコン層１０における不純物濃度分布は、第２図
のＸに示すようになる。すなわち、ポリシリコン層ｌＯ
の領域０の部分から領域Ｐで示す導電領域４に至る広い
範囲に亘って高濃度分布となり、シリコン基ｖｉ２側の
不純物濃度分布を向上させることができるとともに、ポ
リシリコン層１０を導電性の高い電極として形成するこ
とができる。
ポリシリコン層１０における不純物濃度分布は、第２図
のＸに示すようになる。すなわち、ポリシリコン層ｌＯ
の領域０の部分から領域Ｐで示す導電領域４に至る広い
範囲に亘って高濃度分布となり、シリコン基ｖｉ２側の
不純物濃度分布を向上させることができるとともに、ポ
リシリコン層１０を導電性の高い電極として形成するこ
とができる。
なお、実施例ではポリシリコン１１１０の表面に不純物
塗布液１２Ｂを設置したが、これを省略した場合の不純
物濃度は、第２図のＹに示すように、ポリシリコンＭ１
０と導電領域４との境界面が掻大点となる濃度分布を呈
する。このような不純物濃度でもポリシリコン層１０を
電極として形成することができる。
塗布液１２Ｂを設置したが、これを省略した場合の不純
物濃度は、第２図のＹに示すように、ポリシリコンＭ１
０と導電領域４との境界面が掻大点となる濃度分布を呈
する。このような不純物濃度でもポリシリコン層１０を
電極として形成することができる。
また、実施例ではＮ型のシリコン基板を用いたが、この
発明はＰ型のシリコン基板、その他の半導体層による基
板を用いても同様に実現でき、不純物はボロンの他に他
の不純物を用いても同様に適用できる。
発明はＰ型のシリコン基板、その他の半導体層による基
板を用いても同様に実現でき、不純物はボロンの他に他
の不純物を用いても同様に適用できる。
以上説明したように、この発明によれば、第１および第
２の半導体層の間から不純物を第１および第２の半導体
層に対して直接ドープすることができるとともに、第１
および第２の半導体層に対する不純物の高濃度ドープを
実現することができ、たとえば、第１の半導体層に対し
て第２の半導体層を電極としてのオーミックコンタクト
として形成することができる。
２の半導体層の間から不純物を第１および第２の半導体
層に対して直接ドープすることができるとともに、第１
および第２の半導体層に対する不純物の高濃度ドープを
実現することができ、たとえば、第１の半導体層に対し
て第２の半導体層を電極としてのオーミックコンタクト
として形成することができる。
第１図はこの発明の半導体装置の製造方法を示す図、第
２図は第１図に示した半導体装置の製造方法を実施した
場合の不純物濃度を示す図、第３図は従来の半導体装置
の製造方法を示す図、第４図は第３図に示した半導体装
置の製造方法を実施した場合の不純物濃度を示す図であ
る。 ２・・・第１の半導体層としてのシリコン基板、１０・
・・第２の半導体層としてのポリシリコン層、１２Ａ、
１２Ｂ・・・不純物塗布液。 第２図 と 第１図
２図は第１図に示した半導体装置の製造方法を実施した
場合の不純物濃度を示す図、第３図は従来の半導体装置
の製造方法を示す図、第４図は第３図に示した半導体装
置の製造方法を実施した場合の不純物濃度を示す図であ
る。 ２・・・第１の半導体層としてのシリコン基板、１０・
・・第２の半導体層としてのポリシリコン層、１２Ａ、
１２Ｂ・・・不純物塗布液。 第２図 と 第１図
Claims (1)
- 第１の半導体層の表面に不純物を塗布した後、その不純
物上に第２の半導体層を形成し、第１および第２の半導
体層に対して両者の間から不純物を拡散することを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14917886A JPS635518A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14917886A JPS635518A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS635518A true JPS635518A (ja) | 1988-01-11 |
Family
ID=15469501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14917886A Pending JPS635518A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS635518A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5491107A (en) * | 1993-01-21 | 1996-02-13 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method for providing large grain polysilicon films |
| US5792700A (en) * | 1996-05-31 | 1998-08-11 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method for providing large grain polysilicon films |
| US6024661A (en) * | 1997-10-28 | 2000-02-15 | Wilson Sporting Goods Co. | Sweat-absorbing game ball |
| KR100351553B1 (ko) * | 1997-07-29 | 2002-10-18 | 주식회사 엘지씨아이 | 고체상을 이용한 컴비너토리얼 화학에 사용되는 반응용기 |
| US8778126B2 (en) | 2006-05-30 | 2014-07-15 | Kuraray Co., Ltd. | Base material for artificial leather and grained artificial leather |
| US8883662B2 (en) | 2007-03-30 | 2014-11-11 | Kuraray Co., Ltd. | Leather-like sheet bearing grain finish and process for producing the same |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP14917886A patent/JPS635518A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5491107A (en) * | 1993-01-21 | 1996-02-13 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method for providing large grain polysilicon films |
| US5792700A (en) * | 1996-05-31 | 1998-08-11 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method for providing large grain polysilicon films |
| US6048781A (en) * | 1996-05-31 | 2000-04-11 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method for providing large grain polysilicon films |
| KR100351553B1 (ko) * | 1997-07-29 | 2002-10-18 | 주식회사 엘지씨아이 | 고체상을 이용한 컴비너토리얼 화학에 사용되는 반응용기 |
| US6024661A (en) * | 1997-10-28 | 2000-02-15 | Wilson Sporting Goods Co. | Sweat-absorbing game ball |
| US8778126B2 (en) | 2006-05-30 | 2014-07-15 | Kuraray Co., Ltd. | Base material for artificial leather and grained artificial leather |
| US8883662B2 (en) | 2007-03-30 | 2014-11-11 | Kuraray Co., Ltd. | Leather-like sheet bearing grain finish and process for producing the same |
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