JPS635518A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS635518A JPS635518A JP14917886A JP14917886A JPS635518A JP S635518 A JPS635518 A JP S635518A JP 14917886 A JP14917886 A JP 14917886A JP 14917886 A JP14917886 A JP 14917886A JP S635518 A JPS635518 A JP S635518A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impurity
- semiconductor
- coating liquid
- impurities
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体層に不純物を塗布して拡散する半導
体装置の製造方法に係り、特に、高濃度ドープに関する
。
体装置の製造方法に係り、特に、高濃度ドープに関する
。
従来、多結晶層を電極として形成する半導体装置の製造
方法には、第3図に示すようなドープド・ポリ法が用い
られている。たとえば、N型のシリコン基板2の表面に
P型の導電領域4を形成し、その表面部分を覆う酸化膜
6を選択的に除いて開口8を形成した後、この開口8を
覆うポリシリコン層10を形成する。このポリシリコン
層10の表面に不純物を含有した有機塗布剤からなる不
純物塗布液12を塗布し、ポリシリコン層10から不純
物を矢印aに示すように、拡散してシリコン基板2の導
電領域4に到達させてポリシリコン層10を導電領域4
に対して電極としてのオーミックコンタクトとして形成
する。
方法には、第3図に示すようなドープド・ポリ法が用い
られている。たとえば、N型のシリコン基板2の表面に
P型の導電領域4を形成し、その表面部分を覆う酸化膜
6を選択的に除いて開口8を形成した後、この開口8を
覆うポリシリコン層10を形成する。このポリシリコン
層10の表面に不純物を含有した有機塗布剤からなる不
純物塗布液12を塗布し、ポリシリコン層10から不純
物を矢印aに示すように、拡散してシリコン基板2の導
電領域4に到達させてポリシリコン層10を導電領域4
に対して電極としてのオーミックコンタクトとして形成
する。
ところで、このようにポリシリコン層10の表面に不純
物塗布液12を塗布して、ポリシリコン層10の表面に
不純物を拡散させた場合、ポリシリコン層10およびシ
リコン基板2の導電領域4における不純物濃度分布は、
第4図の0に示すように、ポリシリコン層10において
高濃度を呈し、第4図のPに示すように、シリコン基板
2の表面では極端に低濃度となり、導電領域4での濃度
を高めることができない。
物塗布液12を塗布して、ポリシリコン層10の表面に
不純物を拡散させた場合、ポリシリコン層10およびシ
リコン基板2の導電領域4における不純物濃度分布は、
第4図の0に示すように、ポリシリコン層10において
高濃度を呈し、第4図のPに示すように、シリコン基板
2の表面では極端に低濃度となり、導電領域4での濃度
を高めることができない。
そこで、この発明は、不純物拡散された半導体層に対し
て不純物の拡散濃度を高めた半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
て不純物の拡散濃度を高めた半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
この発明の半導体装置の製造方法は、第1図に示すよう
に、第1の半導体N(シリコン基板2)の表面に不純物
(不純物塗布液12A)を塗布した後、その不純物(不
純物塗布液12A)上に第2の半導体N(ポリシリコン
層10)を形成し、第1および第2の半導体層(シリコ
ン基板2およびポリシリコンN10)に対して両者の間
から塗布した不純物(不純物塗布液12A)を拡散する
ことを内容とする。
に、第1の半導体N(シリコン基板2)の表面に不純物
(不純物塗布液12A)を塗布した後、その不純物(不
純物塗布液12A)上に第2の半導体N(ポリシリコン
層10)を形成し、第1および第2の半導体層(シリコ
ン基板2およびポリシリコンN10)に対して両者の間
から塗布した不純物(不純物塗布液12A)を拡散する
ことを内容とする。
このようにすると、従来のポリシリコンJilOに不純
物(不純物塗布液12)を塗布して、シリコン基板2に
不純物を拡散する方法に対して、第1および第2の半導
体層(シリコン基板2およ〜びポリシリコン層10)の
間から不純物(不純物塗布液12A)を拡散するので、
高濃度ドープが可能になり、第1および第2の半導体層
の境界領域から第1および第2の半導体層に向かって不
純物濃度を高めることができる。
物(不純物塗布液12)を塗布して、シリコン基板2に
不純物を拡散する方法に対して、第1および第2の半導
体層(シリコン基板2およ〜びポリシリコン層10)の
間から不純物(不純物塗布液12A)を拡散するので、
高濃度ドープが可能になり、第1および第2の半導体層
の境界領域から第1および第2の半導体層に向かって不
純物濃度を高めることができる。
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図はこの発明の半導体装置の製造方法の実施例を示
す。
す。
この実施例は、第3図に示した半導体装置の製造方法と
同様にポリシリコン層を電極として形成する方法である
。
同様にポリシリコン層を電極として形成する方法である
。
第1図のAに示すように、N型のシリコン基板2の表面
にP型の導電領域4を形成し、その表面部分を覆う酸化
膜6を選択的に除いて開口8を形成した後、この開口8
を覆って不純物塗布液12Aを塗布する。この不純物塗
布液12Aは、たとえば、ボロンなどの不純物を含有さ
せた有機塗布剤を用いる。
にP型の導電領域4を形成し、その表面部分を覆う酸化
膜6を選択的に除いて開口8を形成した後、この開口8
を覆って不純物塗布液12Aを塗布する。この不純物塗
布液12Aは、たとえば、ボロンなどの不純物を含有さ
せた有機塗布剤を用いる。
次に、第1図のBに示すように、不純物塗布液L2Aを
塗布したシリコン基板20表面にポリシリコンN10を
形成した後、第1図のCに示すように、ポリシリコン層
10の表面にも不純物塗布液12Aと同様の不純物塗布
液12Bを塗布して加熱処理を行う。
塗布したシリコン基板20表面にポリシリコンN10を
形成した後、第1図のCに示すように、ポリシリコン層
10の表面にも不純物塗布液12Aと同様の不純物塗布
液12Bを塗布して加熱処理を行う。
この結果、第1図のCに示すように、不純物塗布液12
Aによって矢印a、bで示す方向に不純物が拡散される
とともに、不純物塗布液12Bによって矢印Cで示すよ
うに不純物が拡散されてシリコン基板2の導電領域4に
到達させることができ、この結果、第1図のDに示すよ
うに、ポリシリコン層10は不純物の拡散によって、電
極として形成される。
Aによって矢印a、bで示す方向に不純物が拡散される
とともに、不純物塗布液12Bによって矢印Cで示すよ
うに不純物が拡散されてシリコン基板2の導電領域4に
到達させることができ、この結果、第1図のDに示すよ
うに、ポリシリコン層10は不純物の拡散によって、電
極として形成される。
したがって、このようにすれば、シリコン基板2および
ポリシリコン層10における不純物濃度分布は、第2図
のXに示すようになる。すなわち、ポリシリコン層lO
の領域0の部分から領域Pで示す導電領域4に至る広い
範囲に亘って高濃度分布となり、シリコン基vi2側の
不純物濃度分布を向上させることができるとともに、ポ
リシリコン層10を導電性の高い電極として形成するこ
とができる。
ポリシリコン層10における不純物濃度分布は、第2図
のXに示すようになる。すなわち、ポリシリコン層lO
の領域0の部分から領域Pで示す導電領域4に至る広い
範囲に亘って高濃度分布となり、シリコン基vi2側の
不純物濃度分布を向上させることができるとともに、ポ
リシリコン層10を導電性の高い電極として形成するこ
とができる。
なお、実施例ではポリシリコン1110の表面に不純物
塗布液12Bを設置したが、これを省略した場合の不純
物濃度は、第2図のYに示すように、ポリシリコンM1
0と導電領域4との境界面が掻大点となる濃度分布を呈
する。このような不純物濃度でもポリシリコン層10を
電極として形成することができる。
塗布液12Bを設置したが、これを省略した場合の不純
物濃度は、第2図のYに示すように、ポリシリコンM1
0と導電領域4との境界面が掻大点となる濃度分布を呈
する。このような不純物濃度でもポリシリコン層10を
電極として形成することができる。
また、実施例ではN型のシリコン基板を用いたが、この
発明はP型のシリコン基板、その他の半導体層による基
板を用いても同様に実現でき、不純物はボロンの他に他
の不純物を用いても同様に適用できる。
発明はP型のシリコン基板、その他の半導体層による基
板を用いても同様に実現でき、不純物はボロンの他に他
の不純物を用いても同様に適用できる。
以上説明したように、この発明によれば、第1および第
2の半導体層の間から不純物を第1および第2の半導体
層に対して直接ドープすることができるとともに、第1
および第2の半導体層に対する不純物の高濃度ドープを
実現することができ、たとえば、第1の半導体層に対し
て第2の半導体層を電極としてのオーミックコンタクト
として形成することができる。
2の半導体層の間から不純物を第1および第2の半導体
層に対して直接ドープすることができるとともに、第1
および第2の半導体層に対する不純物の高濃度ドープを
実現することができ、たとえば、第1の半導体層に対し
て第2の半導体層を電極としてのオーミックコンタクト
として形成することができる。
第1図はこの発明の半導体装置の製造方法を示す図、第
2図は第1図に示した半導体装置の製造方法を実施した
場合の不純物濃度を示す図、第3図は従来の半導体装置
の製造方法を示す図、第4図は第3図に示した半導体装
置の製造方法を実施した場合の不純物濃度を示す図であ
る。 2・・・第1の半導体層としてのシリコン基板、10・
・・第2の半導体層としてのポリシリコン層、12A、
12B・・・不純物塗布液。 第2図 と 第1図
2図は第1図に示した半導体装置の製造方法を実施した
場合の不純物濃度を示す図、第3図は従来の半導体装置
の製造方法を示す図、第4図は第3図に示した半導体装
置の製造方法を実施した場合の不純物濃度を示す図であ
る。 2・・・第1の半導体層としてのシリコン基板、10・
・・第2の半導体層としてのポリシリコン層、12A、
12B・・・不純物塗布液。 第2図 と 第1図
Claims (1)
- 第1の半導体層の表面に不純物を塗布した後、その不純
物上に第2の半導体層を形成し、第1および第2の半導
体層に対して両者の間から不純物を拡散することを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14917886A JPS635518A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14917886A JPS635518A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS635518A true JPS635518A (ja) | 1988-01-11 |
Family
ID=15469501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14917886A Pending JPS635518A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS635518A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5491107A (en) * | 1993-01-21 | 1996-02-13 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method for providing large grain polysilicon films |
US5792700A (en) * | 1996-05-31 | 1998-08-11 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method for providing large grain polysilicon films |
US6024661A (en) * | 1997-10-28 | 2000-02-15 | Wilson Sporting Goods Co. | Sweat-absorbing game ball |
KR100351553B1 (ko) * | 1997-07-29 | 2002-10-18 | 주식회사 엘지씨아이 | 고체상을 이용한 컴비너토리얼 화학에 사용되는 반응용기 |
US8778126B2 (en) | 2006-05-30 | 2014-07-15 | Kuraray Co., Ltd. | Base material for artificial leather and grained artificial leather |
US8883662B2 (en) | 2007-03-30 | 2014-11-11 | Kuraray Co., Ltd. | Leather-like sheet bearing grain finish and process for producing the same |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP14917886A patent/JPS635518A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5491107A (en) * | 1993-01-21 | 1996-02-13 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method for providing large grain polysilicon films |
US5792700A (en) * | 1996-05-31 | 1998-08-11 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method for providing large grain polysilicon films |
US6048781A (en) * | 1996-05-31 | 2000-04-11 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method for providing large grain polysilicon films |
KR100351553B1 (ko) * | 1997-07-29 | 2002-10-18 | 주식회사 엘지씨아이 | 고체상을 이용한 컴비너토리얼 화학에 사용되는 반응용기 |
US6024661A (en) * | 1997-10-28 | 2000-02-15 | Wilson Sporting Goods Co. | Sweat-absorbing game ball |
US8778126B2 (en) | 2006-05-30 | 2014-07-15 | Kuraray Co., Ltd. | Base material for artificial leather and grained artificial leather |
US8883662B2 (en) | 2007-03-30 | 2014-11-11 | Kuraray Co., Ltd. | Leather-like sheet bearing grain finish and process for producing the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3664896A (en) | Deposited silicon diffusion sources | |
KR970004078A (ko) | 반도체소자 및 그 제조방법 | |
US3456168A (en) | Structure and method for production of narrow doped region semiconductor devices | |
JPS635518A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US3933541A (en) | Process of producing semiconductor planar device | |
KR970054357A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
KR850000786A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
JPS6212669B2 (ja) | ||
JPS61105868A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6028141B2 (ja) | 半導体装置の製法 | |
JPS62102560A (ja) | ダイオ−ド | |
US3959810A (en) | Method for manufacturing a semiconductor device and the same | |
JPS5830735B2 (ja) | ハンドウタイソウチノ セイゾウホウホウ | |
JPH01194453A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6129538B2 (ja) | ||
JP2532392B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS57133672A (en) | Semiconductor device | |
JPH02203526A (ja) | 半導体装置 | |
JPS57199251A (en) | Semiconductor device | |
JPH05283715A (ja) | 高安定ツェナーダイオード | |
JPH02281732A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS61150223A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS58122769A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS59117217A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JPS61198674A (ja) | 半導体装置の製造方法 |