JPS6354222B2 - - Google Patents
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- JPS6354222B2 JPS6354222B2 JP57228953A JP22895382A JPS6354222B2 JP S6354222 B2 JPS6354222 B2 JP S6354222B2 JP 57228953 A JP57228953 A JP 57228953A JP 22895382 A JP22895382 A JP 22895382A JP S6354222 B2 JPS6354222 B2 JP S6354222B2
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 25
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 20
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は回路ブロツクの樹脂封止構造に関す
る。
る。
以下、腕時計用の回路ブロツクを中心に述べ
る。第2図aは従来方式による樹脂封止構造の概
念図であり、第2図bは第2図aの断面図であ
り、第3図aは従来方式による他の樹脂封止構造
の概念図であり、第3図bは第3図aの断面図で
ある。従来一般的に腕時計用の回路ブロツクにお
いては、その組み込まれた集積回路素子(以下
ICチツプと呼ぶ。)をエポキシ系樹脂にてモール
ドすることにより、その信頼性を確保しており、
回路基板にICチツプがフエースダウンボンデイ
ングされている場合、そのICチツプのモールド
方法は、第2図a,bに示すように、回路基板4
のICチツプ1の能動面に対向した部分に穴5を
設け、これを利用して樹脂を流し込み封止するも
のであつた。
る。第2図aは従来方式による樹脂封止構造の概
念図であり、第2図bは第2図aの断面図であ
り、第3図aは従来方式による他の樹脂封止構造
の概念図であり、第3図bは第3図aの断面図で
ある。従来一般的に腕時計用の回路ブロツクにお
いては、その組み込まれた集積回路素子(以下
ICチツプと呼ぶ。)をエポキシ系樹脂にてモール
ドすることにより、その信頼性を確保しており、
回路基板にICチツプがフエースダウンボンデイ
ングされている場合、そのICチツプのモールド
方法は、第2図a,bに示すように、回路基板4
のICチツプ1の能動面に対向した部分に穴5を
設け、これを利用して樹脂を流し込み封止するも
のであつた。
しかし前述の従来技術では、第2図a,bのよ
うな場合には問題ないが、第3図a,bに示すよ
う、ICチツプ1の能動面に対向した部分に、回
路導体パターン7が穴5を取り囲むように配置さ
れている場合には集積回路素子封止用樹脂6(以
下モールド用樹脂と呼ぶ)の流れがその導体パタ
ーンに妨げられて、IC表面全面にモールド用樹
脂6が流れ込まずに充填不足となる場合が発生す
るという問題点を有する。特にこの現象はフエー
スダウンボンデイング後、ICチツプ表面と導体
パターン3の空隙すなわちバンプ2の高さが小さ
い場合には顕著である。また、ICチツプの能動
面に対向した位置にあるオーバーハングしていな
い導体パターン7のようなICチツプの能動面に
対向した部分の導体パターン引き回しは、高密度
ICを実装する必要がある場合及び他の同種の商
品とICを共通に用いたい場合などに必然的に要
求される配置である。
うな場合には問題ないが、第3図a,bに示すよ
う、ICチツプ1の能動面に対向した部分に、回
路導体パターン7が穴5を取り囲むように配置さ
れている場合には集積回路素子封止用樹脂6(以
下モールド用樹脂と呼ぶ)の流れがその導体パタ
ーンに妨げられて、IC表面全面にモールド用樹
脂6が流れ込まずに充填不足となる場合が発生す
るという問題点を有する。特にこの現象はフエー
スダウンボンデイング後、ICチツプ表面と導体
パターン3の空隙すなわちバンプ2の高さが小さ
い場合には顕著である。また、ICチツプの能動
面に対向した位置にあるオーバーハングしていな
い導体パターン7のようなICチツプの能動面に
対向した部分の導体パターン引き回しは、高密度
ICを実装する必要がある場合及び他の同種の商
品とICを共通に用いたい場合などに必然的に要
求される配置である。
そこで本発明はこのような問題点を解決するも
ので、その目的とするところは、前述のように
ICチツプの能動面に対向した部分に回路導体パ
ターンの引き回しがある場合でも、特にコストア
ツプすることなく、IC裏面、つまり能動面全域
に渡つてモールド用樹脂を流し込むことを可能に
できる回路ブロツクの樹脂封止構造を提供すると
ころにある。
ので、その目的とするところは、前述のように
ICチツプの能動面に対向した部分に回路導体パ
ターンの引き回しがある場合でも、特にコストア
ツプすることなく、IC裏面、つまり能動面全域
に渡つてモールド用樹脂を流し込むことを可能に
できる回路ブロツクの樹脂封止構造を提供すると
ころにある。
本発明の回路ブロツクの樹脂封止構造は、回路
基板の表面にフエースダウンボンデイングされた
集積回路素子を有する回路ブロツクの樹脂封止構
造において、前記集積回路素子の能動面に対向す
る位置の回路基板に、前記集積回路素子の外形よ
りは小さいモールド用穴が形成され、回路の導体
パターンが前記モールド用穴上に形成され、且つ
樹脂封止されることを特徴とする。
基板の表面にフエースダウンボンデイングされた
集積回路素子を有する回路ブロツクの樹脂封止構
造において、前記集積回路素子の能動面に対向す
る位置の回路基板に、前記集積回路素子の外形よ
りは小さいモールド用穴が形成され、回路の導体
パターンが前記モールド用穴上に形成され、且つ
樹脂封止されることを特徴とする。
以下本発明の実施例を図面に基づいて詳しく説
明する。第1図a,bは本発明による樹脂封止構
造の概念図である。第1図において、1はICチ
ツプであり、バンプ2により、回路基板4上に引
き回された回路導体パターン3及び8にフエース
ダウンボンデイングされている。8は本発明によ
る構造の回路導体パターンであり、モールド用樹
脂6の注入用の穴5の上をオーバーハング状に横
断している点に特徴がある。このような構造とす
ることにより、穴5よりモールド用樹脂6を注入
した際に、8の導体パターンを包み込む状態にて
樹脂がIC裏面(能動面)に向かつて流入するた
め、第3図bにて示すようにモールド用樹脂6が
導体パターン7にて妨げられて流れない、あるい
は流れにくくなるという現象は解消され、ICチ
ツプ1の能動面全域をモールド用樹脂6にて完全
に覆うことが可能となる。
明する。第1図a,bは本発明による樹脂封止構
造の概念図である。第1図において、1はICチ
ツプであり、バンプ2により、回路基板4上に引
き回された回路導体パターン3及び8にフエース
ダウンボンデイングされている。8は本発明によ
る構造の回路導体パターンであり、モールド用樹
脂6の注入用の穴5の上をオーバーハング状に横
断している点に特徴がある。このような構造とす
ることにより、穴5よりモールド用樹脂6を注入
した際に、8の導体パターンを包み込む状態にて
樹脂がIC裏面(能動面)に向かつて流入するた
め、第3図bにて示すようにモールド用樹脂6が
導体パターン7にて妨げられて流れない、あるい
は流れにくくなるという現象は解消され、ICチ
ツプ1の能動面全域をモールド用樹脂6にて完全
に覆うことが可能となる。
具体例をあげると、穴5の大きさはφ1.3mm、導
体パターン8の厚みは35μ、幅60μ、IC1と導体
パターン8との間隔は15μである。
体パターン8の厚みは35μ、幅60μ、IC1と導体
パターン8との間隔は15μである。
以上述べたように本発明によれば、集積回路素
子の能動面に対向する位置の回路基板に、前記集
積回路素子の外形よりは小さいモヘルド用穴を形
成し、回路の導体パターンが前記モールド用穴上
に形成されることにより、前記集積回路素子封止
用樹脂を注入する際には、該樹脂は前記モールド
用穴上の前記導体パターンを包み込むようにして
前記集積回路素子の能動面に向かつて流入し、前
記集積回路素子の外周部に至る前記樹脂の流動距
離も短くなり、従来のように前記導体パターンに
よつて前記樹脂の流動が妨げられないので、前記
集積回路素子の能動面全域が充填不足になること
なく完全に覆うことができ、前記集積回路素子と
導体パターンが湿気、外部圧力等から保護され品
質の安定化が図れる。また集積回路素子の能動面
に対向したモールド穴用を含む部分には他の導体
パターンを引き回すことも可能であり、これによ
り高密度に集積回路素子が実装できるという効果
を有する。さらに、導体パターンの新構造部につ
いても基板製作上他のオーバハング部と同一工程
にて製造することができるので、コストアツプす
ることなく形成可能である。
子の能動面に対向する位置の回路基板に、前記集
積回路素子の外形よりは小さいモヘルド用穴を形
成し、回路の導体パターンが前記モールド用穴上
に形成されることにより、前記集積回路素子封止
用樹脂を注入する際には、該樹脂は前記モールド
用穴上の前記導体パターンを包み込むようにして
前記集積回路素子の能動面に向かつて流入し、前
記集積回路素子の外周部に至る前記樹脂の流動距
離も短くなり、従来のように前記導体パターンに
よつて前記樹脂の流動が妨げられないので、前記
集積回路素子の能動面全域が充填不足になること
なく完全に覆うことができ、前記集積回路素子と
導体パターンが湿気、外部圧力等から保護され品
質の安定化が図れる。また集積回路素子の能動面
に対向したモールド穴用を含む部分には他の導体
パターンを引き回すことも可能であり、これによ
り高密度に集積回路素子が実装できるという効果
を有する。さらに、導体パターンの新構造部につ
いても基板製作上他のオーバハング部と同一工程
にて製造することができるので、コストアツプす
ることなく形成可能である。
第1図aは本発明による樹脂封止構造の概念
図。第1図bは第1図aの断面図。第2図aは従
来方式による樹脂封止構造の概念図。第2図bは
第2図aの断面図。第3図aは従来方式による他
の樹脂封止構造の概念図。第3図bは第3図aの
断面図。 1…ICチツプ、2…バンプ、3…回路基板導
体パターン、4…回路基板、5…モールド用穴、
6…モールド用樹脂、7,8…導体パターン。
図。第1図bは第1図aの断面図。第2図aは従
来方式による樹脂封止構造の概念図。第2図bは
第2図aの断面図。第3図aは従来方式による他
の樹脂封止構造の概念図。第3図bは第3図aの
断面図。 1…ICチツプ、2…バンプ、3…回路基板導
体パターン、4…回路基板、5…モールド用穴、
6…モールド用樹脂、7,8…導体パターン。
Claims (1)
- 1 回路基板の表面にフエースダウンボンデイン
グされた集積回路素子を有する回路ブロツクの樹
脂封止構造において、前記集積回路素子の能動面
に対向する位置の回路基板に、前記集積回路素子
の外形よりは小さいモールド用穴が形成され、回
路の導体パターンが前記モールド用穴上に形成さ
れ、且つ樹脂封止されることを特徴とする回路ブ
ロツクの樹脂封止構造。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57228953A JPS59120884A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 回路ブロツクの樹脂封止構造 |
CH694183A CH660551GA3 (ja) | 1982-12-27 | 1983-12-27 | |
US06/891,084 US4644445A (en) | 1982-12-27 | 1986-07-31 | Resin mounting structure for an integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57228953A JPS59120884A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 回路ブロツクの樹脂封止構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59120884A JPS59120884A (ja) | 1984-07-12 |
JPS6354222B2 true JPS6354222B2 (ja) | 1988-10-27 |
Family
ID=16884439
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57228953A Granted JPS59120884A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 回路ブロツクの樹脂封止構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59120884A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62184494U (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-24 | ||
JPH0749433Y2 (ja) * | 1987-10-02 | 1995-11-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電子時計用回路ブロック |
US5438216A (en) * | 1992-08-31 | 1995-08-01 | Motorola, Inc. | Light erasable multichip module |
JP3683996B2 (ja) * | 1996-07-30 | 2005-08-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP57228953A patent/JPS59120884A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59120884A (ja) | 1984-07-12 |
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