JPS6347689A - 放射線写真用の像検出装置を製造する方法 - Google Patents
放射線写真用の像検出装置を製造する方法Info
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- JPS6347689A JPS6347689A JP62197987A JP19798787A JPS6347689A JP S6347689 A JPS6347689 A JP S6347689A JP 62197987 A JP62197987 A JP 62197987A JP 19798787 A JP19798787 A JP 19798787A JP S6347689 A JPS6347689 A JP S6347689A
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- H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
九」
本発明は、少なくとも像記録素子の行列から成るマトリ
ックスが半導体物質の基板に形成された像記録装置、を
製造するだめの方法に関する。
ックスが半導体物質の基板に形成された像記録装置、を
製造するだめの方法に関する。
ff
放射線写真法において、米国特許第4,179゜100
号から知られているように、線状配置の多数の像記録素
子から成る像記録装置に対し平らで扇状のX線放射ビー
ムが被検体を介して向けられる。このプロセスにおいて
、各像記録素子は、被検体の対応部分を透過したその放
射線(これは更に処理されてもされなくてもよい)を受
ける。後続の処理として、その放射線は、像記録装置が
これを受は取る前に、例えば、X線検出器において可視
光に変換される。
号から知られているように、線状配置の多数の像記録素
子から成る像記録装置に対し平らで扇状のX線放射ビー
ムが被検体を介して向けられる。このプロセスにおいて
、各像記録素子は、被検体の対応部分を透過したその放
射線(これは更に処理されてもされなくてもよい)を受
ける。後続の処理として、その放射線は、像記録装置が
これを受は取る前に、例えば、X線検出器において可視
光に変換される。
線状に配置されていてしかも寸法が例えば0、IXo、
1mm2の多数の像記録素子から成る像記録装置におい
て、各像記録素子の露出時間は、被検体の通常の走査速
度に対しては極めて短い。
1mm2の多数の像記録素子から成る像記録装置におい
て、各像記録素子の露出時間は、被検体の通常の走査速
度に対しては極めて短い。
その結果、得られる像の信号/雑音比は非常に悪くなる
か、さもなければ良好な信号/雑音比を得るためにソー
ス負荷を望ましくない程高いレベルにまで上げなければ
ならない。比較的低いソース負荷で満足な信号/雑音比
を得るためには、1像記録素子よりも大きくない厚みの
扇状ビームで可能となるよりも一層効率的にX線ソース
を使用することが必要である。
か、さもなければ良好な信号/雑音比を得るためにソー
ス負荷を望ましくない程高いレベルにまで上げなければ
ならない。比較的低いソース負荷で満足な信号/雑音比
を得るためには、1像記録素子よりも大きくない厚みの
扇状ビームで可能となるよりも一層効率的にX線ソース
を使用することが必要である。
米国特許第4,383,327号から知られているよう
に、像記録素子の行列を有するマトリックスから成る像
記録装置が使用され、これにおいて、電荷が、所与の像
記録素子にて所与の期間の間にこの期間にその素子が受
ける放射線の結果として発生され、そして読出期間の間
に隣接の関連した垂直シフトレジスタへ転送される。こ
れは、各行内の全ての像記録素子についてその読出期間
の間に生ずる。これと同時に、それら連続した期間の合
間で、被検体と像記録装置との間に相対移動がもたらさ
れ、それによって次の期間の間に、被検体のそれと同一
の部分、即ち被検体の同一行の像点が次の行の像記録素
子上に結像されるようにする。また、放射線を電荷に変
換する機能と電荷を垂直CCDシフトレジスタ内で輸送
する機能とを組み合わせることは、それ自体周知の方法
で可能である。
に、像記録素子の行列を有するマトリックスから成る像
記録装置が使用され、これにおいて、電荷が、所与の像
記録素子にて所与の期間の間にこの期間にその素子が受
ける放射線の結果として発生され、そして読出期間の間
に隣接の関連した垂直シフトレジスタへ転送される。こ
れは、各行内の全ての像記録素子についてその読出期間
の間に生ずる。これと同時に、それら連続した期間の合
間で、被検体と像記録装置との間に相対移動がもたらさ
れ、それによって次の期間の間に、被検体のそれと同一
の部分、即ち被検体の同一行の像点が次の行の像記録素
子上に結像されるようにする。また、放射線を電荷に変
換する機能と電荷を垂直CCDシフトレジスタ内で輸送
する機能とを組み合わせることは、それ自体周知の方法
で可能である。
このシフトレジスタ内の電荷は、この方法で電荷が列内
の連続した像記録素子により連続した期間の間に関連し
たシフトレジスタ内で累積されるように運ばれる。この
累積電荷は、その連続した期間の間に被検体の特定の部
分く像点)を通過した電荷の合計である。水平シフトレ
ジスタは諸列の一端に取り付けて、隣接した諸列の情報
を連続的に読出して出力端子へ順番に送るようにできる
。
の連続した像記録素子により連続した期間の間に関連し
たシフトレジスタ内で累積されるように運ばれる。この
累積電荷は、その連続した期間の間に被検体の特定の部
分く像点)を通過した電荷の合計である。水平シフトレ
ジスタは諸列の一端に取り付けて、隣接した諸列の情報
を連続的に読出して出力端子へ順番に送るようにできる
。
従って、この情報は、ある像点について諸列の各々にお
ける像記録素子上てからの情報の合計を常に表している
。
ける像記録素子上てからの情報の合計を常に表している
。
この走査方法は、TDI(時間遅延及び積分)と呼ばれ
、これは、X線放射による体の検査に特に良好に応用で
きることが判っており、各像記録素子それ自体は受ける
放射線に応答して非常に少量の電荷しか発生しないにも
かかわらず、使用可能な像を形成することが可能である
。このTDI厚理についての包括的な説明については、
米国特許第4.383.327号を参照されたい。
、これは、X線放射による体の検査に特に良好に応用で
きることが判っており、各像記録素子それ自体は受ける
放射線に応答して非常に少量の電荷しか発生しないにも
かかわらず、使用可能な像を形成することが可能である
。このTDI厚理についての包括的な説明については、
米国特許第4.383.327号を参照されたい。
像記録装置への入射X線放射を可視光(この可視光はホ
トダイオードで検出でき、そしてこれによって検出した
光量従って入射X線放射に対応した電気信号へ変換でき
る)に変換するためには、CsIをそれ自体知られた方
法で使用でき、このCsIは、像記録装置の表面にその
像記録素子のマトリックス上に蒸気堆積(vapour
deposition)によって層状に適用される。
トダイオードで検出でき、そしてこれによって検出した
光量従って入射X線放射に対応した電気信号へ変換でき
る)に変換するためには、CsIをそれ自体知られた方
法で使用でき、このCsIは、像記録装置の表面にその
像記録素子のマトリックス上に蒸気堆積(vapour
deposition)によって層状に適用される。
X線放射は半導体即ちホトダイオードの特性に逆影響を
与えるため、Cslの層が好ましくは、ホトダイオード
にまで貫通するX線放射を最小にするため出来る限り厚
く加えられる。これは、出来るだけ多くの放射線がその
Cslに吸収され、その放射線が従って信号に寄与する
、という別の利点を持っている。しかしながら、この厚
い層のCslの結果、形成された可視光の大きい拡散が
この層で起こり、この結果MTF(変調伝達関数)従っ
てまた検出X線像が相当悪化してしまう。
与えるため、Cslの層が好ましくは、ホトダイオード
にまで貫通するX線放射を最小にするため出来る限り厚
く加えられる。これは、出来るだけ多くの放射線がその
Cslに吸収され、その放射線が従って信号に寄与する
、という別の利点を持っている。しかしながら、この厚
い層のCslの結果、形成された可視光の大きい拡散が
この層で起こり、この結果MTF(変調伝達関数)従っ
てまた検出X線像が相当悪化してしまう。
発明の説明
本発明の目的は上述の問題を解決することであり、この
目的のため、保護層を本発明に従って像記録装置の表面
に設け、これにおいて、層溝をせいぜいその層の厚さに
等しい深さでその後設け、これら溝を像記録素子の行列
の間に延在するようにし、この後、CsIの層を蒸気堆
積にてその保護層の表面に施す。それらの溝は、周知の
技法、例えばプラズマエツチング、ホトエツチング、イ
オンエツチング等の技法によりそれ自体知られた形式で
施すことができる。
目的のため、保護層を本発明に従って像記録装置の表面
に設け、これにおいて、層溝をせいぜいその層の厚さに
等しい深さでその後設け、これら溝を像記録素子の行列
の間に延在するようにし、この後、CsIの層を蒸気堆
積にてその保護層の表面に施す。それらの溝は、周知の
技法、例えばプラズマエツチング、ホトエツチング、イ
オンエツチング等の技法によりそれ自体知られた形式で
施すことができる。
この像記録装置の表面にそのスクラッチ層を加えそして
この層に溝を施すことにより、特にその保護層の物質の
島が像記録装置の各ホトダイオードの上に形成される。
この層に溝を施すことにより、特にその保護層の物質の
島が像記録装置の各ホトダイオードの上に形成される。
CsIがその後蒸気堆積によって加えられると、CsI
結晶が驚くほど現れて、その島を介して、異なった結晶
方位を持つ隣桜島上の結晶を形成する。この蒸気堆積プ
ロセスを続行しそしてそのCs1層が厚くなるにつれ、
隣接した島の上のそれらCsI層は事実土工いの方向に
成長するように見える。何故なら、厚さが増すと、それ
らの寸法もまた像記録装置の表面に平行に増すからであ
るが、しかし隣接島上のCsIの異なった結晶方位のた
め互いの方向に成長しない。
結晶が驚くほど現れて、その島を介して、異なった結晶
方位を持つ隣桜島上の結晶を形成する。この蒸気堆積プ
ロセスを続行しそしてそのCs1層が厚くなるにつれ、
隣接した島の上のそれらCsI層は事実土工いの方向に
成長するように見える。何故なら、厚さが増すと、それ
らの寸法もまた像記録装置の表面に平行に増すからであ
るが、しかし隣接島上のCsIの異なった結晶方位のた
め互いの方向に成長しない。
この蒸気堆積プロセスの終わりに、上述の方法で製作し
た像記録装置をテストすると、保護層の隣接島上のCs
1層の諸部分の間には最小の光のやり取りしかなく、そ
の結果、像記録装置のMTFは相当向上する。
た像記録装置をテストすると、保護層の隣接島上のCs
1層の諸部分の間には最小の光のやり取りしかなく、そ
の結果、像記録装置のMTFは相当向上する。
保護層のだめの適当な材料は、例えば、Sin、。
Si、Nいまたは酸化ケイ素窒化物の名称で知られてい
るS i O2とSi、N、との混合物である。
るS i O2とSi、N、との混合物である。
Si、N、が好ましく、その理由は、これがCsIの屈
折率に非常に近い屈折率を持っているからであり、それ
によってCsIからその下のホトダイオードへの光の移
動は最適となる。
折率に非常に近い屈折率を持っているからであり、それ
によってCsIからその下のホトダイオードへの光の移
動は最適となる。
保護層に導入した溝については、10ないし20マイク
ロメートルの幅、及び同じく10ないし20マイクロメ
ートルの深さが、保護層の隣接島上に蒸気堆積によって
加えられたCsIの異なった結晶方位の所望の効果を得
るためには、非常に適していると思われる。
ロメートルの幅、及び同じく10ないし20マイクロメ
ートルの深さが、保護層の隣接島上に蒸気堆積によって
加えられたCsIの異なった結晶方位の所望の効果を得
るためには、非常に適していると思われる。
TDI応用においては多数の行及び多数の列から成るマ
トリックス像記録素子が使用されるが、その他の放射線
写真応用、特に高ソース負荷に不利益がない時には、次
々に配置された像記録素子の1行から成るマトリックス
であって各像記録素子が「列」を形成するマトリックス
を使用することも可能である。そのような1つの行から
成るマトリックスを用いる本発明の方法の利点は、いく
つかの行から成るマトリックスを用いるものと同じであ
る。
トリックス像記録素子が使用されるが、その他の放射線
写真応用、特に高ソース負荷に不利益がない時には、次
々に配置された像記録素子の1行から成るマトリックス
であって各像記録素子が「列」を形成するマトリックス
を使用することも可能である。そのような1つの行から
成るマトリックスを用いる本発明の方法の利点は、いく
つかの行から成るマトリックスを用いるものと同じであ
る。
し外46ノ
Claims (3)
- (1)少なくとも像記録素子の行列から成るマトリック
スが半導体物質の表面に形成された像記録装置を製造す
る方法において、保護層が前記像記録素子のマトリック
スの表面に与えられ、その後、この層においてせいぜい
前記保護層の厚さに等しい深さの溝が設けられ、これら
の溝は像記録素子の前記行及び列の間に延在し、その後
、CsIの層が蒸気堆積によって前記保護層の上側に与
えられること、を特徴とする像記録装置を製造する方法
。 - (2)特許請求の範囲第1項記載の方法において、前記
保護層の材料は、Si_3N_4であること、を特徴と
する方法。 - (3)特許請求の範囲第1項または第2項に記載の方法
において、前記溝は、10ないし20マイクロメートル
の幅と深さとを有していること、を特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8602021 | 1986-08-07 | ||
NL8602021A NL8602021A (nl) | 1986-08-07 | 1986-08-07 | Werkwijze voor het vervaardigen van een beeldopneeminrichting voor radiografische toepassingen. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6347689A true JPS6347689A (ja) | 1988-02-29 |
Family
ID=19848383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62197987A Pending JPS6347689A (ja) | 1986-08-07 | 1987-08-07 | 放射線写真用の像検出装置を製造する方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4746619A (ja) |
EP (1) | EP0257678B1 (ja) |
JP (1) | JPS6347689A (ja) |
KR (1) | KR880003430A (ja) |
DE (1) | DE3762176D1 (ja) |
IL (1) | IL83428A (ja) |
IN (1) | IN165686B (ja) |
NL (1) | NL8602021A (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5153438A (en) * | 1990-10-01 | 1992-10-06 | General Electric Company | Method of forming an x-ray imaging array and the array |
US5059800A (en) * | 1991-04-19 | 1991-10-22 | General Electric Company | Two dimensional mosaic scintillation detector |
US5208460A (en) * | 1991-09-23 | 1993-05-04 | General Electric Company | Photodetector scintillator radiation imager having high efficiency light collection |
US5463225A (en) * | 1992-06-01 | 1995-10-31 | General Electric Company | Solid state radiation imager with high integrity barrier layer and method of fabricating |
US5368882A (en) * | 1993-08-25 | 1994-11-29 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for forming a radiation detector |
US5401668A (en) * | 1993-09-02 | 1995-03-28 | General Electric Company | Method for fabrication solid state radiation imager having improved scintillator adhesion |
US5596198A (en) * | 1994-04-22 | 1997-01-21 | The Regents, University Of California | Gamma ray camera |
US7019301B2 (en) | 1997-02-14 | 2006-03-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detection device and method of making the same |
JP5031172B2 (ja) | 2000-09-11 | 2012-09-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネル、放射線イメージセンサおよびそれらの製造方法 |
EP1326093A4 (en) * | 2000-09-11 | 2006-11-15 | Hamamatsu Photonics Kk | SCINTILLATE PANEL, RADIATION IMAGE SENSOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
US6483115B1 (en) * | 2000-11-08 | 2002-11-19 | General Electric Company | Method for enhancing scintillator adhesion to digital x-ray detectors |
US6324249B1 (en) | 2001-03-21 | 2001-11-27 | Agilent Technologies, Inc. | Electronic planar laminography system and method |
US6707046B2 (en) * | 2002-01-03 | 2004-03-16 | General Electric Company | Optimized scintillator and pixilated photodiode detector array for multi-slice CT x-ray detector using backside illumination |
DE102010004890A1 (de) * | 2010-01-18 | 2011-07-21 | Siemens Aktiengesellschaft, 80333 | Photodiodenarray, Strahlendetektor und Verfahren zur Herstellung eines solchen Photodiodenarrays und eines solchen Strahlendetektors |
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US4234792A (en) * | 1977-09-29 | 1980-11-18 | Raytheon Company | Scintillator crystal radiation detector |
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