JPS6347689A - 放射線写真用の像検出装置を製造する方法 - Google Patents

放射線写真用の像検出装置を製造する方法

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JPS6347689A JP62197987A JP19798787A JPS6347689A JP S6347689 A JPS6347689 A JP S6347689A JP 62197987 A JP62197987 A JP 62197987A JP 19798787 A JP19798787 A JP 19798787A JP S6347689 A JPS6347689 A JP S6347689A
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メインダート・ヨハーンネス・マーリア・ベイアーラーガー
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 九」 本発明は、少なくとも像記録素子の行列から成るマトリ
ックスが半導体物質の基板に形成された像記録装置、を
製造するだめの方法に関する。
ｆｆ 放射線写真法において、米国特許第４，１７９゜１００
号から知られているように、線状配置の多数の像記録素
子から成る像記録装置に対し平らで扇状のＸ線放射ビー
ムが被検体を介して向けられる。このプロセスにおいて
、各像記録素子は、被検体の対応部分を透過したその放
射線（これは更に処理されてもされなくてもよい）を受
ける。後続の処理として、その放射線は、像記録装置が
これを受は取る前に、例えば、Ｘ線検出器において可視
光に変換される。
線状に配置されていてしかも寸法が例えば０、ＩＸｏ、
１ｍｍ２の多数の像記録素子から成る像記録装置におい
て、各像記録素子の露出時間は、被検体の通常の走査速
度に対しては極めて短い。
その結果、得られる像の信号／雑音比は非常に悪くなる
か、さもなければ良好な信号／雑音比を得るためにソー
ス負荷を望ましくない程高いレベルにまで上げなければ
ならない。比較的低いソース負荷で満足な信号／雑音比
を得るためには、１像記録素子よりも大きくない厚みの
扇状ビームで可能となるよりも一層効率的にＸ線ソース
を使用することが必要である。
米国特許第４，３８３，３２７号から知られているよう
に、像記録素子の行列を有するマトリックスから成る像
記録装置が使用され、これにおいて、電荷が、所与の像
記録素子にて所与の期間の間にこの期間にその素子が受
ける放射線の結果として発生され、そして読出期間の間
に隣接の関連した垂直シフトレジスタへ転送される。こ
れは、各行内の全ての像記録素子についてその読出期間
の間に生ずる。これと同時に、それら連続した期間の合
間で、被検体と像記録装置との間に相対移動がもたらさ
れ、それによって次の期間の間に、被検体のそれと同一
の部分、即ち被検体の同一行の像点が次の行の像記録素
子上に結像されるようにする。また、放射線を電荷に変
換する機能と電荷を垂直ＣＣＤシフトレジスタ内で輸送
する機能とを組み合わせることは、それ自体周知の方法
で可能である。
このシフトレジスタ内の電荷は、この方法で電荷が列内
の連続した像記録素子により連続した期間の間に関連し
たシフトレジスタ内で累積されるように運ばれる。この
累積電荷は、その連続した期間の間に被検体の特定の部
分く像点）を通過した電荷の合計である。水平シフトレ
ジスタは諸列の一端に取り付けて、隣接した諸列の情報
を連続的に読出して出力端子へ順番に送るようにできる
。
従って、この情報は、ある像点について諸列の各々にお
ける像記録素子上てからの情報の合計を常に表している
。
この走査方法は、ＴＤＩ（時間遅延及び積分）と呼ばれ
、これは、Ｘ線放射による体の検査に特に良好に応用で
きることが判っており、各像記録素子それ自体は受ける
放射線に応答して非常に少量の電荷しか発生しないにも
かかわらず、使用可能な像を形成することが可能である
。このＴＤＩ厚理についての包括的な説明については、
米国特許第４．３８３．３２７号を参照されたい。
像記録装置への入射Ｘ線放射を可視光（この可視光はホ
トダイオードで検出でき、そしてこれによって検出した
光量従って入射Ｘ線放射に対応した電気信号へ変換でき
る）に変換するためには、ＣｓＩをそれ自体知られた方
法で使用でき、このＣｓＩは、像記録装置の表面にその
像記録素子のマトリックス上に蒸気堆積（ｖａｐｏｕｒ
　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって層状に適用される。
Ｘ線放射は半導体即ちホトダイオードの特性に逆影響を
与えるため、Ｃｓｌの層が好ましくは、ホトダイオード
にまで貫通するＸ線放射を最小にするため出来る限り厚
く加えられる。これは、出来るだけ多くの放射線がその
Ｃｓｌに吸収され、その放射線が従って信号に寄与する
、という別の利点を持っている。しかしながら、この厚
い層のＣｓｌの結果、形成された可視光の大きい拡散が
この層で起こり、この結果ＭＴＦ（変調伝達関数）従っ
てまた検出Ｘ線像が相当悪化してしまう。
発明の説明 本発明の目的は上述の問題を解決することであり、この
目的のため、保護層を本発明に従って像記録装置の表面
に設け、これにおいて、層溝をせいぜいその層の厚さに
等しい深さでその後設け、これら溝を像記録素子の行列
の間に延在するようにし、この後、ＣｓＩの層を蒸気堆
積にてその保護層の表面に施す。それらの溝は、周知の
技法、例えばプラズマエツチング、ホトエツチング、イ
オンエツチング等の技法によりそれ自体知られた形式で
施すことができる。
この像記録装置の表面にそのスクラッチ層を加えそして
この層に溝を施すことにより、特にその保護層の物質の
島が像記録装置の各ホトダイオードの上に形成される。
ＣｓＩがその後蒸気堆積によって加えられると、ＣｓＩ
結晶が驚くほど現れて、その島を介して、異なった結晶
方位を持つ隣桜島上の結晶を形成する。この蒸気堆積プ
ロセスを続行しそしてそのＣｓ１層が厚くなるにつれ、
隣接した島の上のそれらＣｓＩ層は事実土工いの方向に
成長するように見える。何故なら、厚さが増すと、それ
らの寸法もまた像記録装置の表面に平行に増すからであ
るが、しかし隣接島上のＣｓＩの異なった結晶方位のた
め互いの方向に成長しない。
この蒸気堆積プロセスの終わりに、上述の方法で製作し
た像記録装置をテストすると、保護層の隣接島上のＣｓ
１層の諸部分の間には最小の光のやり取りしかなく、そ
の結果、像記録装置のＭＴＦは相当向上する。
保護層のだめの適当な材料は、例えば、Ｓｉｎ、。
Ｓｉ、Ｎいまたは酸化ケイ素窒化物の名称で知られてい
るＳ　ｉ　Ｏ２とＳｉ、Ｎ、との混合物である。
Ｓｉ、Ｎ、が好ましく、その理由は、これがＣｓＩの屈
折率に非常に近い屈折率を持っているからであり、それ
によってＣｓＩからその下のホトダイオードへの光の移
動は最適となる。
保護層に導入した溝については、１０ないし２０マイク
ロメートルの幅、及び同じく１０ないし２０マイクロメ
ートルの深さが、保護層の隣接島上に蒸気堆積によって
加えられたＣｓＩの異なった結晶方位の所望の効果を得
るためには、非常に適していると思われる。
ＴＤＩ応用においては多数の行及び多数の列から成るマ
トリックス像記録素子が使用されるが、その他の放射線
写真応用、特に高ソース負荷に不利益がない時には、次
々に配置された像記録素子の１行から成るマトリックス
であって各像記録素子が「列」を形成するマトリックス
を使用することも可能である。そのような１つの行から
成るマトリックスを用いる本発明の方法の利点は、いく
つかの行から成るマトリックスを用いるものと同じであ
る。
し外４６ノ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）少なくとも像記録素子の行列から成るマトリック
    スが半導体物質の表面に形成された像記録装置を製造す
    る方法において、保護層が前記像記録素子のマトリック
    スの表面に与えられ、その後、この層においてせいぜい
    前記保護層の厚さに等しい深さの溝が設けられ、これら
    の溝は像記録素子の前記行及び列の間に延在し、その後
    、ＣｓＩの層が蒸気堆積によって前記保護層の上側に与
    えられること、を特徴とする像記録装置を製造する方法
    。
  2. （２）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前記
    保護層の材料は、Ｓｉ＿３Ｎ＿４であること、を特徴と
    する方法。
  3. （３）特許請求の範囲第１項または第２項に記載の方法
    において、前記溝は、１０ないし２０マイクロメートル
    の幅と深さとを有していること、を特徴とする方法。
JP62197987A 1986-08-07 1987-08-07 放射線写真用の像検出装置を製造する方法 Pending JPS6347689A (ja)

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DE (1) DE3762176D1 (ja)
IL (1) IL83428A (ja)
IN (1) IN165686B (ja)
NL (1) NL8602021A (ja)

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