JPS6343366A - 赤外検知装置 - Google Patents

赤外検知装置

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Publication number
JPS6343366A
JPS6343366A JP61187508A JP18750886A JPS6343366A JP S6343366 A JPS6343366 A JP S6343366A JP 61187508 A JP61187508 A JP 61187508A JP 18750886 A JP18750886 A JP 18750886A JP S6343366 A JPS6343366 A JP S6343366A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
infrared
crystal
absorption layer
cadmium
hgcdte
Prior art date
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Pending
Application number
JP61187508A
Other languages
English (en)
Inventor
Soichiro Hikita
匹田 聡一郎
Toru Maekawa
前川 通
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6343366A publication Critical patent/JPS6343366A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14649Infrared imagers

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 この発明は、背面入射型赤外検知装置の各画素間に生ず
るクロストークを防止するために、カドミウム・テルル
基板(以後CdTe基板と記す)と水銀・カドミウム・
テルル結晶(以後HgCdTe結晶と記す)間に赤外吸
収領域を設けである。
〔産業上の利用分野〕
この発明は、赤外検知装置に係り、特に水銀・カドミウ
ム・テルル結晶を用いた背面入射型の赤外検知装置に関
するものである。
物体の温度を測定するのに赤外検知装置が広く用いられ
ている。特に、物体の温度分布を測定する赤外検知装置
は、多素子化されたものを使用している。この多素子化
された各画素の密度は益々高密度化が図られている。
〔従来の技術〕
従来の背面入射型赤外検知装置は、第2図及び第2図の
面線に沿った断面を示す第3図のように構成されている
。即ち、第2図に示すように、CdTe基板1の上に第
1の導電型例えば、P−HgCdTe結晶2を形成し、
このP−HgCdTe結晶2の表面に所要間隔を隔てて
画素3−1〜3−nの第1の導電型の逆の導電型、N型
領域を形成しである。
この背面入射型赤外検知装置は、第3図の矢印方向から
赤外光を受光する。この赤外光をCdTe基板1を介し
て受光したP−t1gcdTe結晶2は、光電変換を行
い、キャリアが発生する。このキャリアは・PN接合部
に集められ、光電流となることで赤外光検知を行う。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記した従来の赤外検知装置は、隣接した画素間に入射
された赤外光によって発生するキャリアは、画素を高密
度に構成すればする程、キャリアの拡散長さが画素ピッ
チに比して長くなり、複数のPN接合部即ち、複数の画
素にキャリアが流れ込み、クコストークを生ずると云う
問題があり、高密度化を阻害することになる。
この発明は、以上のような従来の状況から、クロストー
クが少なく、高密度化の行える赤外検知装置の提供を目
的とするものである。
〔問題点を解決するための手段〕 この発明では、CdTe基板とHgCdTe結晶の間で
、画素の所要間隔の領域に赤外光吸収層を設けて、赤外
検知装置を構成しである。
〔作用] 各画素間に入射される赤外光は、赤外吸収領域に吸収さ
れて、キャリアを発生せず、従ってクコストークを生じ
ない。又キャリア拡散長に匹敵する程度にまで所要間隔
を狭めて、画素の高密度化を可能とする。
〔実施例〕
第1図は本発明の赤外検知装置の要部断面図であり、第
2図と同一符号を用いる。CdTe基板1とエピタキシ
アル成長厚さ10μmをもつP−t1gcdTe結晶2
との間に赤外光吸収層4として、厚さ1μmのIIg+
−xCdx T+3 (但しX=0.15)を形成しで
ある。
なお、この赤外光吸収層4は、図に示すように画素3−
1 と3−2との所要間隔20μmに対応する位置に設
ける。この赤外光吸収層4は、Hg+−xCdx Te
(但しX=0.15)にかえてPoLy−3i等の赤外
層吸収層であっても同等支障されない。
赤外光を受光したP−t1gcdTe結品2のキャリア
拡散長は、15μmであるので、赤外光吸収層4以外か
ら入射される赤外光によるキャリアは、隣接画素に到達
することなく、再結合をしてしまい、クロストークを生
ずることもない。
〔効果〕
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、ク
ロストークが防止されるとともに、赤外検知装置を多素
子化する上できわめて有効な効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の赤外検知装置の要部断面図、第2図は
従来の背面入射型赤外検知装置の斜視図、 第3図は第2図のAA線に沿った断面を示す断面図であ
る。 図において、1はCdTe基板、2はP−1)gcdT
e結晶、第1図 冨2図f)AA’纜1;沿、r;断面と示可断面図第3

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 カドミウム・テルル基板(1)の表面に第1の導電型の
    水銀・カドミウム・テルル結晶(2)を形成してなり、
    該水銀・カドミウム・テルル結晶(2)の表面上に所要
    間隔を隔てて複数の第1の導電型と逆の導電型の領域(
    3−1〜3−n)を形成してなる背面入射型赤外検知装
    置において、 前記カドミウム・テルル基板(1)と水銀・カドミウム
    ・テルル結晶(2)の間で前記所要間隔の領域に赤外光
    吸収層(4)を選択的に設けたことを特徴とする赤外検
    知装置。
JP61187508A 1986-08-08 1986-08-08 赤外検知装置 Pending JPS6343366A (ja)

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