JPS6343346A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS6343346A JPS6343346A JP18751486A JP18751486A JPS6343346A JP S6343346 A JPS6343346 A JP S6343346A JP 18751486 A JP18751486 A JP 18751486A JP 18751486 A JP18751486 A JP 18751486A JP S6343346 A JPS6343346 A JP S6343346A
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- Japan
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- wiring layer
- wiring
- current flows
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- integrated circuit
- Prior art date
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- Granted
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 2
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体集積回路素子上の配線層において、高電流が流れ
る第一の配線層から低電流が流れる第二の配線層への分
岐点を前記配線層より幅広くした半導体集積回路装置。
る第一の配線層から低電流が流れる第二の配線層への分
岐点を前記配線層より幅広くした半導体集積回路装置。
本発明は、半導体装置の配線構造に関するものである。
半導体装置の配線層にはアルミニウム等の種々の材料が
用いられているが、高電流が流れる配線層から低電流が
流れる配線層が分岐する構造となっている部分があると
、この分岐点で電気的断線か発生−」るごとかある。種
々の祠FJの配線層の内、特にアルミニウムにおいてこ
のような電気的断線を防止する配線構造が要求されてい
る。
用いられているが、高電流が流れる配線層から低電流が
流れる配線層が分岐する構造となっている部分があると
、この分岐点で電気的断線か発生−」るごとかある。種
々の祠FJの配線層の内、特にアルミニウムにおいてこ
のような電気的断線を防止する配線構造が要求されてい
る。
従来の半導体装置の配線構造は、第3図に示すように高
電流が流れる第一の配線層(1)から低電流が流れる第
二の配′ft1AJ!(2)が分岐する構造の場合でも
、同じ程度の電流が流れる配線層が分岐する構造の場合
と同様に、分岐点(3)は前記配線層と等しい配線幅の
配線が用いられている。
電流が流れる第一の配線層(1)から低電流が流れる第
二の配′ft1AJ!(2)が分岐する構造の場合でも
、同じ程度の電流が流れる配線層が分岐する構造の場合
と同様に、分岐点(3)は前記配線層と等しい配線幅の
配線が用いられている。
以上説明の従来の半導体装置の配線構造で問題となるの
は、高電流が流れる第一の配線層から低1並流が流れる
第二の配51.゛シロがチト岐する桿)造に、zlって
いる部分があると、高電流が流れる第一の配線層と低電
流が流れる第二の配線層の発熱による熱膨張の差、及び
高1七流が流れる第一の配線層内を移・)Jlする電子
のΦj1きによりエレクトI7・75イゲ1./−ンヨ
ンが起ごリアルミニウムの原子か(多動−Jるために、
アルミニウムの結晶粒(以下グレインと略称する)の境
界面で分断が発生し、この分岐点に電気的断線が発生す
ることである。
は、高電流が流れる第一の配線層から低1並流が流れる
第二の配51.゛シロがチト岐する桿)造に、zlって
いる部分があると、高電流が流れる第一の配線層と低電
流が流れる第二の配線層の発熱による熱膨張の差、及び
高1七流が流れる第一の配線層内を移・)Jlする電子
のΦj1きによりエレクトI7・75イゲ1./−ンヨ
ンが起ごリアルミニウムの原子か(多動−Jるために、
アルミニウムの結晶粒(以下グレインと略称する)の境
界面で分断が発生し、この分岐点に電気的断線が発生す
ることである。
本発明は以上のような状況から高電流が流れる第一の配
線層から低電流が流れる第二の配線層が分岐する場合で
も、電気的断線が起こらない配線構造を持つ半導体集積
回路装置の提供を目的とするものである。
線層から低電流が流れる第二の配線層が分岐する場合で
も、電気的断線が起こらない配線構造を持つ半導体集積
回路装置の提供を目的とするものである。
c問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、高電流が流れる第一の配線層から低電流
が流れる第二の配線層が分岐する分岐点の配線幅を広く
する本発明による半導体集積回路装置によって解決され
る。
が流れる第二の配線層が分岐する分岐点の配線幅を広く
する本発明による半導体集積回路装置によって解決され
る。
5作用〕
即ら本発明においては、高電流が流れる第一の配線層か
ら低電流が流れる第二の配線層が分岐する分岐点の配線
幅を広くしであるので、発熱による熱膨張の差、及び高
電流が流れる第一の配、腺層内をT多動する電子の動き
によるエレクトロ・マイグレーションのために、アルミ
ニウムのグレインの境界面で分断が部分的に発生しても
、完全な分断に至らないので配線の電気的断線は起こら
ない。
ら低電流が流れる第二の配線層が分岐する分岐点の配線
幅を広くしであるので、発熱による熱膨張の差、及び高
電流が流れる第一の配、腺層内をT多動する電子の動き
によるエレクトロ・マイグレーションのために、アルミ
ニウムのグレインの境界面で分断が部分的に発生しても
、完全な分断に至らないので配線の電気的断線は起こら
ない。
以下第1図〜第2図について本発明の一実施例を説明す
る。
る。
第1図において、高電流が流れる第一の配線層1から低
電流が流れる第二の配線層2が分岐する分岐点3に三角
形の部分が増加したパターンとなっており、発熱による
熱膨張の差、及び高電流が流れる第一の配線層内を移動
する電子の動きによるエレクトロ・マイグレーションの
ために、アルミニウムのグレインの境界面で分断が部分
的に発生しても、完全な分断に至らないので配線の電気
的断線は起こらない。
電流が流れる第二の配線層2が分岐する分岐点3に三角
形の部分が増加したパターンとなっており、発熱による
熱膨張の差、及び高電流が流れる第一の配線層内を移動
する電子の動きによるエレクトロ・マイグレーションの
ために、アルミニウムのグレインの境界面で分断が部分
的に発生しても、完全な分断に至らないので配線の電気
的断線は起こらない。
分岐点3の形状は以上の外に、第2図に示すような三角
形の長辺が円弧となった形状とすることも可能である。
形の長辺が円弧となった形状とすることも可能である。
以上説明したように本発明によれば、極めて簡単なアル
ミニウム配線層のパターンの変更により、アルミニウム
配線の分岐点で発生していた電気的断線を防止できるの
で、工業的に極めて存用である。
ミニウム配線層のパターンの変更により、アルミニウム
配線の分岐点で発生していた電気的断線を防止できるの
で、工業的に極めて存用である。
第1図は本発明による一実施例の半導体集積回路装置の
配線構造を示す平面図、 第2図は本発明による他の実施例の半導体集積回路装置
の配線構造を示す平面図、 第3図は従来の半導体集積回路装置の配線構造を示す平
面図である。 図において、 ■は高電流が流れる第一の配線層、 2は低電流が流れる第二の配線層、 3は分岐点、 である。
配線構造を示す平面図、 第2図は本発明による他の実施例の半導体集積回路装置
の配線構造を示す平面図、 第3図は従来の半導体集積回路装置の配線構造を示す平
面図である。 図において、 ■は高電流が流れる第一の配線層、 2は低電流が流れる第二の配線層、 3は分岐点、 である。
Claims (1)
- 半導体集積回路素子上に設ける配線層において、高電流
が流れる第一の配線層(1)から低電流が流れる第二の
配線層(2)への分岐点(3)を前記配線層より幅広く
した配線構造を有することを特徴とする半導体集積回路
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61187514A JP2650133B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61187514A JP2650133B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6343346A true JPS6343346A (ja) | 1988-02-24 |
JP2650133B2 JP2650133B2 (ja) | 1997-09-03 |
Family
ID=16207403
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61187514A Expired - Lifetime JP2650133B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2650133B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52135279A (en) * | 1976-05-07 | 1977-11-12 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit |
JPS5844743A (ja) * | 1981-09-10 | 1983-03-15 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
JPS60242643A (ja) * | 1985-03-22 | 1985-12-02 | Hitachi Ltd | 電子部品の配線 |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP61187514A patent/JP2650133B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52135279A (en) * | 1976-05-07 | 1977-11-12 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit |
JPS5844743A (ja) * | 1981-09-10 | 1983-03-15 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
JPS60242643A (ja) * | 1985-03-22 | 1985-12-02 | Hitachi Ltd | 電子部品の配線 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2650133B2 (ja) | 1997-09-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |