JPS6343346A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

Info

Publication number
JPS6343346A
JPS6343346A JP18751486A JP18751486A JPS6343346A JP S6343346 A JPS6343346 A JP S6343346A JP 18751486 A JP18751486 A JP 18751486A JP 18751486 A JP18751486 A JP 18751486A JP S6343346 A JPS6343346 A JP S6343346A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring layer
wiring
current flows
branch point
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP18751486A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2650133B2 (ja
Inventor
Hidehiko Shiraiwa
英彦 白岩
Tatsumi Tsutsui
立美 筒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP61187514A priority Critical patent/JP2650133B2/ja
Publication of JPS6343346A publication Critical patent/JPS6343346A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2650133B2 publication Critical patent/JP2650133B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体集積回路素子上の配線層において、高電流が流れ
る第一の配線層から低電流が流れる第二の配線層への分
岐点を前記配線層より幅広くした半導体集積回路装置。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の配線構造に関するものである。
半導体装置の配線層にはアルミニウム等の種々の材料が
用いられているが、高電流が流れる配線層から低電流が
流れる配線層が分岐する構造となっている部分があると
、この分岐点で電気的断線か発生−」るごとかある。種
々の祠FJの配線層の内、特にアルミニウムにおいてこ
のような電気的断線を防止する配線構造が要求されてい
る。
〔従来の技術〕
従来の半導体装置の配線構造は、第3図に示すように高
電流が流れる第一の配線層(1)から低電流が流れる第
二の配′ft1AJ!(2)が分岐する構造の場合でも
、同じ程度の電流が流れる配線層が分岐する構造の場合
と同様に、分岐点(3)は前記配線層と等しい配線幅の
配線が用いられている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
以上説明の従来の半導体装置の配線構造で問題となるの
は、高電流が流れる第一の配線層から低1並流が流れる
第二の配51.゛シロがチト岐する桿)造に、zlって
いる部分があると、高電流が流れる第一の配線層と低電
流が流れる第二の配線層の発熱による熱膨張の差、及び
高1七流が流れる第一の配線層内を移・)Jlする電子
のΦj1きによりエレクトI7・75イゲ1./−ンヨ
ンが起ごリアルミニウムの原子か(多動−Jるために、
アルミニウムの結晶粒(以下グレインと略称する)の境
界面で分断が発生し、この分岐点に電気的断線が発生す
ることである。
本発明は以上のような状況から高電流が流れる第一の配
線層から低電流が流れる第二の配線層が分岐する場合で
も、電気的断線が起こらない配線構造を持つ半導体集積
回路装置の提供を目的とするものである。
c問題点を解決するための手段〕 上記問題点は、高電流が流れる第一の配線層から低電流
が流れる第二の配線層が分岐する分岐点の配線幅を広く
する本発明による半導体集積回路装置によって解決され
る。
5作用〕 即ら本発明においては、高電流が流れる第一の配線層か
ら低電流が流れる第二の配線層が分岐する分岐点の配線
幅を広くしであるので、発熱による熱膨張の差、及び高
電流が流れる第一の配、腺層内をT多動する電子の動き
によるエレクトロ・マイグレーションのために、アルミ
ニウムのグレインの境界面で分断が部分的に発生しても
、完全な分断に至らないので配線の電気的断線は起こら
ない。
〔実施例〕
以下第1図〜第2図について本発明の一実施例を説明す
る。
第1図において、高電流が流れる第一の配線層1から低
電流が流れる第二の配線層2が分岐する分岐点3に三角
形の部分が増加したパターンとなっており、発熱による
熱膨張の差、及び高電流が流れる第一の配線層内を移動
する電子の動きによるエレクトロ・マイグレーションの
ために、アルミニウムのグレインの境界面で分断が部分
的に発生しても、完全な分断に至らないので配線の電気
的断線は起こらない。
分岐点3の形状は以上の外に、第2図に示すような三角
形の長辺が円弧となった形状とすることも可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、極めて簡単なアル
ミニウム配線層のパターンの変更により、アルミニウム
配線の分岐点で発生していた電気的断線を防止できるの
で、工業的に極めて存用である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による一実施例の半導体集積回路装置の
配線構造を示す平面図、 第2図は本発明による他の実施例の半導体集積回路装置
の配線構造を示す平面図、 第3図は従来の半導体集積回路装置の配線構造を示す平
面図である。 図において、 ■は高電流が流れる第一の配線層、 2は低電流が流れる第二の配線層、 3は分岐点、 である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体集積回路素子上に設ける配線層において、高電流
    が流れる第一の配線層(1)から低電流が流れる第二の
    配線層(2)への分岐点(3)を前記配線層より幅広く
    した配線構造を有することを特徴とする半導体集積回路
    装置。
JP61187514A 1986-08-08 1986-08-08 半導体集積回路装置 Expired - Lifetime JP2650133B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61187514A JP2650133B2 (ja) 1986-08-08 1986-08-08 半導体集積回路装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61187514A JP2650133B2 (ja) 1986-08-08 1986-08-08 半導体集積回路装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6343346A true JPS6343346A (ja) 1988-02-24
JP2650133B2 JP2650133B2 (ja) 1997-09-03

Family

ID=16207403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61187514A Expired - Lifetime JP2650133B2 (ja) 1986-08-08 1986-08-08 半導体集積回路装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2650133B2 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52135279A (en) * 1976-05-07 1977-11-12 Toshiba Corp Semiconductor integrated circuit
JPS5844743A (ja) * 1981-09-10 1983-03-15 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
JPS60242643A (ja) * 1985-03-22 1985-12-02 Hitachi Ltd 電子部品の配線

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52135279A (en) * 1976-05-07 1977-11-12 Toshiba Corp Semiconductor integrated circuit
JPS5844743A (ja) * 1981-09-10 1983-03-15 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
JPS60242643A (ja) * 1985-03-22 1985-12-02 Hitachi Ltd 電子部品の配線

Also Published As

Publication number Publication date
JP2650133B2 (ja) 1997-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4219827A (en) Integrated circuit with metal path for reducing parasitic effects
JPS6343346A (ja) 半導体集積回路装置
JP3455995B2 (ja) 高周波回路装置のエアブリッジ配線
JPH10294553A (ja) 回路基板
JPH0582937A (ja) 半導体装置
JP2504498B2 (ja) 半導体装置
JPS5911458Y2 (ja) 印刷配線板
JPH03192759A (ja) 半導体装置
JPH01154532A (ja) 半導体装置
JPS5914649A (ja) 半導体装置
JP2624374B2 (ja) 半導体装置
WO2021177874A1 (en) High-current semiconductor components and systems
JPH0377362A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH04206528A (ja) 半導体装置における配線構造
JPS62237747A (ja) 半導体集積回路
JPS63257268A (ja) 半導体集積回路
JPH06349845A (ja) 半導体集積回路及びその製造方法
JPS5858742A (ja) 半導体装置
JPH0442532A (ja) 半導体装置
JPS5927570A (ja) 半導体装置
JPS62285460A (ja) 入力保護回路
JPH0340433A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
JPS5914671A (ja) 増巾ゲ−トサイリスタ装置
JPH0227732A (ja) 低抵抗配線接続加工方法
JPS6037750A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term