JPS6343002B2 - - Google Patents
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- JPS6343002B2 JPS6343002B2 JP57011454A JP1145482A JPS6343002B2 JP S6343002 B2 JPS6343002 B2 JP S6343002B2 JP 57011454 A JP57011454 A JP 57011454A JP 1145482 A JP1145482 A JP 1145482A JP S6343002 B2 JPS6343002 B2 JP S6343002B2
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- Japan
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- signal
- output
- sweep signal
- control
- input
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Links
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- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 16
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- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B23/00—Generation of oscillations periodically swept over a predetermined frequency range
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
- H03B19/16—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source using uncontrolled rectifying devices, e.g. rectifying diodes or Schottky diodes
- H03B19/18—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source using uncontrolled rectifying devices, e.g. rectifying diodes or Schottky diodes and elements comprising distributed inductance and capacitance
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0225—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances
- H03B2201/0241—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances the element being a magnetically variable element, e.g. an Yttrium Iron Garnet
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は掃引信号発生器に関し、特にマイクロ
波掃引信号発生器において使用される同調可能な
フイルタ回路に関する。掃引信号発生器が、ラジ
オ周波帯およびマイクロ波帯の通信装置を試験す
るために使用されている。通信装置は広い周波数
帯域にわたつているので、掃引信号発生器も広帯
域な必要がある。
波掃引信号発生器において使用される同調可能な
フイルタ回路に関する。掃引信号発生器が、ラジ
オ周波帯およびマイクロ波帯の通信装置を試験す
るために使用されている。通信装置は広い周波数
帯域にわたつているので、掃引信号発生器も広帯
域な必要がある。
従来の掃引信号発生器は、複数の隣接する帯域
にわたつて掃引することによつて広い周波数帯域
をカバーしている(例えばHewlett―Packard
Journal 1975年3月号の1〜14ページ参照)。最
も低い周波数帯域は一般に、信号発生器内の掃引
発振器の基本周波数、例えば2から6GHzである。
そしてこの周波数はステツプリカバリダイオード
等から成る周波数逓倍器によつて逓倍され、例え
ば6から12GHz、12から18GHz等の高周波に変換
される。
にわたつて掃引することによつて広い周波数帯域
をカバーしている(例えばHewlett―Packard
Journal 1975年3月号の1〜14ページ参照)。最
も低い周波数帯域は一般に、信号発生器内の掃引
発振器の基本周波数、例えば2から6GHzである。
そしてこの周波数はステツプリカバリダイオード
等から成る周波数逓倍器によつて逓倍され、例え
ば6から12GHz、12から18GHz等の高周波に変換
される。
同時に、周波数逓倍器からは多数の異なる次数
の高調波が出力されるので、所望の信号を選択出
力するために周波数逓倍器の出力部にフイルタを
必要とする。多帯域掃引信号発生器に使用される
フイルタとしては、同調可能な共鳴素子であるイ
ツトリウム―鉄―ガーネツト(YIG)球を使つた
トラツキングバンドパスフイルタが最適である。
このフイルタは通称YIGフイルタと呼ばれる。掃
引信号発生器には、2GHz以下、場合によつては
数MHzの出力信号が必要とされる。そこで従来の
掃引信号発生器は上述の低周波域をもカバーする
ために、独立の低周波信号発生器および扱いにく
い上に損失の生じる電気機械的な広帯域スイツチ
を設け、前記スイツチで低周波信号発生器の出力
とYIGフイルタの出力とを切換える構成としてい
た。
の高調波が出力されるので、所望の信号を選択出
力するために周波数逓倍器の出力部にフイルタを
必要とする。多帯域掃引信号発生器に使用される
フイルタとしては、同調可能な共鳴素子であるイ
ツトリウム―鉄―ガーネツト(YIG)球を使つた
トラツキングバンドパスフイルタが最適である。
このフイルタは通称YIGフイルタと呼ばれる。掃
引信号発生器には、2GHz以下、場合によつては
数MHzの出力信号が必要とされる。そこで従来の
掃引信号発生器は上述の低周波域をもカバーする
ために、独立の低周波信号発生器および扱いにく
い上に損失の生じる電気機械的な広帯域スイツチ
を設け、前記スイツチで低周波信号発生器の出力
とYIGフイルタの出力とを切換える構成としてい
た。
前記の電気機械的スイツチの切換わり速度は、
マイクロ波通信回路を試験する際の掃引速度に比
べ遅いので、数MHzから18GHz、あるいはそれ以
上の周波数域にわたつて連続的に掃引することは
困難であつた。たとえ、掃引速度を前記スイツチ
の切換わり速度に適応させたとしても、スイツチ
の切換わりのくり返しによつてスイツチが摩耗す
るという欠点を有していた。
マイクロ波通信回路を試験する際の掃引速度に比
べ遅いので、数MHzから18GHz、あるいはそれ以
上の周波数域にわたつて連続的に掃引することは
困難であつた。たとえ、掃引速度を前記スイツチ
の切換わり速度に適応させたとしても、スイツチ
の切換わりのくり返しによつてスイツチが摩耗す
るという欠点を有していた。
本発明は上記欠点に鑑みなされたもので、純電
気的なスイツチを使用することにより簡単な構成
で、スイツチの切換わり速度が速く又、低周波帯
域の信号と高周波帯域の信号との干渉がない広帯
域な掃引信号発生器を提供することを目的とす
る。
気的なスイツチを使用することにより簡単な構成
で、スイツチの切換わり速度が速く又、低周波帯
域の信号と高周波帯域の信号との干渉がない広帯
域な掃引信号発生器を提供することを目的とす
る。
以下本発明の一実施例を用いて説明する。
第1図は本発明の掃引信号発生器のブロツク図
である。第1図において、YIGフイルタ11は
YIG球10、入力結合環線12、出力結合環線1
4および電磁石16から成つている(YIGフイル
タの構造及び動作は上述のHewlett―Packard
Journal参照)。
である。第1図において、YIGフイルタ11は
YIG球10、入力結合環線12、出力結合環線1
4および電磁石16から成つている(YIGフイル
タの構造及び動作は上述のHewlett―Packard
Journal参照)。
ステツプリカバリダイオード18は入力結合環
線12の一端に接続されており、入力結合環線1
2の他端は接地されている。ステツプリカバリー
ダイオード18は整合回路22を介して高周波掃
引信号源20によつて駆動される。高周波掃引信
号源20は、本実施例では2から6.7GHzまで同
調するYIG同調発振器である。
線12の一端に接続されており、入力結合環線1
2の他端は接地されている。ステツプリカバリー
ダイオード18は整合回路22を介して高周波掃
引信号源20によつて駆動される。高周波掃引信
号源20は、本実施例では2から6.7GHzまで同
調するYIG同調発振器である。
YIG同調発振器2は分割器25、変調器4、増
幅器6およびアイソレータ8を介して整合回路2
2に接続されている。整合回路22は誘導性およ
び容量性のはしご形回路網から成り、ステツプリ
カバリダイオード18の入力インピーダンスと高
周波掃引信号源20の出力インピーダンスとを整
合させている。出力結合環線14の一端は、出力
端子24に接続されており又、他端はPINダイオ
ード等で成るスイツチングダイオード26のアノ
ードに接続され、結節点15を形成している。
幅器6およびアイソレータ8を介して整合回路2
2に接続されている。整合回路22は誘導性およ
び容量性のはしご形回路網から成り、ステツプリ
カバリダイオード18の入力インピーダンスと高
周波掃引信号源20の出力インピーダンスとを整
合させている。出力結合環線14の一端は、出力
端子24に接続されており又、他端はPINダイオ
ード等で成るスイツチングダイオード26のアノ
ードに接続され、結節点15を形成している。
スイツチングダイオード26のアノードは低周
波掃引信号源28の出力部に接続されている。低
周波掃引信号源28は分割器25を介してYIG同
調発振器2の出力部に又、変調器5を介して2G
Hzの信号を出力する固定発振器3の出力部にそれ
ぞれ接続されたミクサ1を有している。ミクサ1
の出力は低域フイルタ7、増幅器9および振幅制
限器13を介して出力される。YIG同調発振器2
を2.01から4.5GHzまで掃引させれば、低周波掃引
信号源28の出力信号は10MHzから2.5GHzまで
掃引される。スイツチングダイオード26のカソ
ードはコンデンサ30および制御線32に接続さ
れている。制御線32を介してスイツチングダイ
オード26に順方向の直流バイアスが印加される
と、スイツチングダイオード26は導通するの
で、結節点15はコンデンサ30を介して交流的
に接地される。コンデンサ30は高周波掃引信号
源20の出力周波数域において短絡となる様な値
に設定され又、低周波掃引信号源28の周波数域
においては、高周波域での不要な直列共振が発生
しない様にできる限り低リアクタンスを有する値
に設定されている。スイツチングダイオード26
は低い直列抵抗、例えば5Ω以下の抵抗値を有す
る様に選ばれる。
波掃引信号源28の出力部に接続されている。低
周波掃引信号源28は分割器25を介してYIG同
調発振器2の出力部に又、変調器5を介して2G
Hzの信号を出力する固定発振器3の出力部にそれ
ぞれ接続されたミクサ1を有している。ミクサ1
の出力は低域フイルタ7、増幅器9および振幅制
限器13を介して出力される。YIG同調発振器2
を2.01から4.5GHzまで掃引させれば、低周波掃引
信号源28の出力信号は10MHzから2.5GHzまで
掃引される。スイツチングダイオード26のカソ
ードはコンデンサ30および制御線32に接続さ
れている。制御線32を介してスイツチングダイ
オード26に順方向の直流バイアスが印加される
と、スイツチングダイオード26は導通するの
で、結節点15はコンデンサ30を介して交流的
に接地される。コンデンサ30は高周波掃引信号
源20の出力周波数域において短絡となる様な値
に設定され又、低周波掃引信号源28の周波数域
においては、高周波域での不要な直列共振が発生
しない様にできる限り低リアクタンスを有する値
に設定されている。スイツチングダイオード26
は低い直列抵抗、例えば5Ω以下の抵抗値を有す
る様に選ばれる。
直流電流の経路はスイツチングダイオード2
6、制御線32、同軸伝送線路34、抵抗36に
よつて構成されている。抵抗36は低周波掃引信
号源28の出力回路の一部を成している。負電位
が制御線32に印加されると、スイツチングダイ
オード26は順方向にバイアスされ導通する。
6、制御線32、同軸伝送線路34、抵抗36に
よつて構成されている。抵抗36は低周波掃引信
号源28の出力回路の一部を成している。負電位
が制御線32に印加されると、スイツチングダイ
オード26は順方向にバイアスされ導通する。
この時、YIGフイルタ11は通常のYIGフイル
タとして動作する。同調用電流源38から電磁石
16へ適当な制御電流が印加されると、YIG球1
0は制御電流に対応した周波数で共鳴し、ステツ
プリカバリダイオード18によつて発生する高周
波掃引信号源20の高調波の1つを選択出力す
る。
タとして動作する。同調用電流源38から電磁石
16へ適当な制御電流が印加されると、YIG球1
0は制御電流に対応した周波数で共鳴し、ステツ
プリカバリダイオード18によつて発生する高周
波掃引信号源20の高調波の1つを選択出力す
る。
出力結合環線14の一方の端子はスイツチング
ダイオード26によつて接地されているので、上
述の如くして選択された高調波は出力端子24に
出力される。
ダイオード26によつて接地されているので、上
述の如くして選択された高調波は出力端子24に
出力される。
次に、制御線32に正の電位が印加されると、
スイツチングダイオード26は逆バイアスされ、
非導通状態となる。この状態では低周波掃引信号
源28の出力端子は接地されていないので、出力
結合環線14を介して低周波掃引信号源28の出
力が出力端子24に得られる。同時に、出力結合
環線14の一端は接地されていないので、YIGフ
イルタ11の出力結合環線14の分路インピーダ
ンスは増加する、例えば略1Ωから略50Ωに増加
する。
スイツチングダイオード26は逆バイアスされ、
非導通状態となる。この状態では低周波掃引信号
源28の出力端子は接地されていないので、出力
結合環線14を介して低周波掃引信号源28の出
力が出力端子24に得られる。同時に、出力結合
環線14の一端は接地されていないので、YIGフ
イルタ11の出力結合環線14の分路インピーダ
ンスは増加する、例えば略1Ωから略50Ωに増加
する。
よつてステツプリカバリダイオード18からの
信号の大部分はYIG球10内へ反射される。さら
に、流れる電流およびステツプリカバリダイオー
ド18によつて生じる高調波を減少させるので、
ステツプリカバリダイオード18と接地間に直列
抵抗が挿入されたのと同一の効果が発生する。
信号の大部分はYIG球10内へ反射される。さら
に、流れる電流およびステツプリカバリダイオー
ド18によつて生じる高調波を減少させるので、
ステツプリカバリダイオード18と接地間に直列
抵抗が挿入されたのと同一の効果が発生する。
上述の如くスイツチングダイオード26への印
加バイアスを切換えることによつて高周波掃引信
号源20の高調波出力から低周波掃引信号源28
の出力へ容易に切換えることができる。しかしな
がら、ある周波数において、低周波および高周波
掃引信号源28,20の分離が完全に行なわれな
い。これは、以下述べるようにして解決できる。
即ち、一方の掃引信号源からの信号がYIGフイル
タ11を介して出力されている間、他方の掃引信
号源からの信号を減少または遮断させることによ
つて両信号を分離させることができる。
加バイアスを切換えることによつて高周波掃引信
号源20の高調波出力から低周波掃引信号源28
の出力へ容易に切換えることができる。しかしな
がら、ある周波数において、低周波および高周波
掃引信号源28,20の分離が完全に行なわれな
い。これは、以下述べるようにして解決できる。
即ち、一方の掃引信号源からの信号がYIGフイル
タ11を介して出力されている間、他方の掃引信
号源からの信号を減少または遮断させることによ
つて両信号を分離させることができる。
たとえば、スイツチングダイオード26が順方
向にバイアスされている時、低周波掃引信号源2
8からの信号を変調器5によつて数十分の1に減
衰させる。
向にバイアスされている時、低周波掃引信号源2
8からの信号を変調器5によつて数十分の1に減
衰させる。
上述の変調器5は固定発振器3の出力部に分路
手段として単一の若しくは複数のPINダイオード
を設ける構成でよい。
手段として単一の若しくは複数のPINダイオード
を設ける構成でよい。
これらのPINダイオードが順バイアスされると
固定発振器3の出力は遮断される。さらに増幅器
9、振幅制限器13は低周波掃引信号源28の出
力を減衰させるために遮断される。同様に、スイ
ツチングダイオード26が逆バイアスされると
YIG同調発振器2の出力信号は変調器4によつて
遮断され又、増幅器6も遮断される。
固定発振器3の出力は遮断される。さらに増幅器
9、振幅制限器13は低周波掃引信号源28の出
力を減衰させるために遮断される。同様に、スイ
ツチングダイオード26が逆バイアスされると
YIG同調発振器2の出力信号は変調器4によつて
遮断され又、増幅器6も遮断される。
各変調器4,5はPINダイオードにより構成さ
れているので、スイツチ35から供給されるバイ
アスに応じて素早いスイツチ動作を行なうことが
できる。その結果、低周波掃引信号源28の出力
時と高周波掃引信号源20の出力時に各変調器
4,5の素早いON,OFF動作が可能となり、両
出力が干渉しあうのを防止できる。
れているので、スイツチ35から供給されるバイ
アスに応じて素早いスイツチ動作を行なうことが
できる。その結果、低周波掃引信号源28の出力
時と高周波掃引信号源20の出力時に各変調器
4,5の素早いON,OFF動作が可能となり、両
出力が干渉しあうのを防止できる。
上述のスイツチ35は、前記Hewlett―
Packard―Journalに掲載されている様に、周波
数制御回路によつて制御された簡単なフリツプ―
フロツプ回路で構成される。
Packard―Journalに掲載されている様に、周波
数制御回路によつて制御された簡単なフリツプ―
フロツプ回路で構成される。
スイツチングダイオード26およびコンデンサ
30は、図示した順序で結合されていれば直列イ
ンダクタンスは最小になり又、高周波特性は最良
になるが、相互に置換しても同様の特性を得るこ
とができる。
30は、図示した順序で結合されていれば直列イ
ンダクタンスは最小になり又、高周波特性は最良
になるが、相互に置換しても同様の特性を得るこ
とができる。
コンデンサ30とスイツチングダイオード26
を相互に置換すれば、抵抗36は不要となる。
又、コンデンサ30を除き、スイツチングダイオ
ード26のカソードを直接接地させ、バイアスを
抵抗36若しくは同軸伝送線路34の中心導体線
に接続されたコイルを介して供給するような回路
で構成することもできる。
を相互に置換すれば、抵抗36は不要となる。
又、コンデンサ30を除き、スイツチングダイオ
ード26のカソードを直接接地させ、バイアスを
抵抗36若しくは同軸伝送線路34の中心導体線
に接続されたコイルを介して供給するような回路
で構成することもできる。
第2図、第3図、第4図は本発明の掃引信号発
生器の実装配置図であり、第2図は平面図、第3
図は底面図、第4図は背面図を示す。第1図と同
一部分には同一番号を付す。第2図において、サ
フアイア基板40は穴42を有し、穴42には
YIG球10が装着されている。
生器の実装配置図であり、第2図は平面図、第3
図は底面図、第4図は背面図を示す。第1図と同
一部分には同一番号を付す。第2図において、サ
フアイア基板40は穴42を有し、穴42には
YIG球10が装着されている。
コンデンサ30はサフアイア基板40上に設け
られた導体に固着されており、スイツチングダイ
オード26はコンデンサ30の上部に直接固着さ
れている。金属性の線または帯で形成された出力
結合環線14の一端はスイツチングダイオード2
6に接続され、他端は導体44に固着されてお
り、円弧を描いてYIG球10を跨いでいる。同軸
伝送線路46の中心導体線45の一端は導体44
に固着され、他端は出力端子24に結合されてい
る。コンデンサ30が固着された導体は接地線4
8に結合され、コンデンサ30の上面には他の導
体50が固着されている。導体50は制御線32
に結合されている。第3図において、ステツプリ
カバリダイオード18はサフアイア基板40の底
面に装着されており又、金属性の線または帯で形
成された入力結合環線12はステツプリカバリダ
イオード18と接地線48との間に接続されてい
る。入力結合環線12は又、円弧を描いてYIG球
10を跨いでおり、出力結合環線14に対して直
交する位置にある。ステツプリカバリダイオード
18は通常コンデンサ52上に固着され、コンデ
ンサ52は整合回路22に接続された伝送線54
に接続されている。
られた導体に固着されており、スイツチングダイ
オード26はコンデンサ30の上部に直接固着さ
れている。金属性の線または帯で形成された出力
結合環線14の一端はスイツチングダイオード2
6に接続され、他端は導体44に固着されてお
り、円弧を描いてYIG球10を跨いでいる。同軸
伝送線路46の中心導体線45の一端は導体44
に固着され、他端は出力端子24に結合されてい
る。コンデンサ30が固着された導体は接地線4
8に結合され、コンデンサ30の上面には他の導
体50が固着されている。導体50は制御線32
に結合されている。第3図において、ステツプリ
カバリダイオード18はサフアイア基板40の底
面に装着されており又、金属性の線または帯で形
成された入力結合環線12はステツプリカバリダ
イオード18と接地線48との間に接続されてい
る。入力結合環線12は又、円弧を描いてYIG球
10を跨いでおり、出力結合環線14に対して直
交する位置にある。ステツプリカバリダイオード
18は通常コンデンサ52上に固着され、コンデ
ンサ52は整合回路22に接続された伝送線54
に接続されている。
第5図に電磁石16の断面図を示す。
第5図において、電磁石16は上部磁石56と
下部磁石58とで構成されている。上部磁石56
は上部ポール62に巻かれた上部コイル60を有
しており又、下部磁石58は下部ポール66に巻
かれた下部コイル64を有している。
下部磁石58とで構成されている。上部磁石56
は上部ポール62に巻かれた上部コイル60を有
しており又、下部磁石58は下部ポール66に巻
かれた下部コイル64を有している。
サフアイア基板40は上部磁石56と下部磁石
58との間に保持され、YIG球10は上部および
下部ポール62,66間の中心に配置されてい
る。
58との間に保持され、YIG球10は上部および
下部ポール62,66間の中心に配置されてい
る。
以上述べたように本発明によれば電気的スイツ
チを使用しているのでスイツチの切換え速度を高
速にでき、損失も生じない。
チを使用しているのでスイツチの切換え速度を高
速にでき、損失も生じない。
さらに、変調器および増幅器を制御することに
よつて高周波信号および低周波信号の相互干渉を
除去できる等の効果を有する。
よつて高周波信号および低周波信号の相互干渉を
除去できる等の効果を有する。
第1図は本発明の掃引信号発生器のブロツク
図。第2図、第3図、第4図は各々、本発明の掃
引信号発生器の実装平面図、底面図、背面図。第
5図は本発明の掃引信号発生器の電磁石の断面
図。 11:YIGフイルタ、16:電磁石、18:ス
テツプリカバリダイオード、20:高周波掃引信
号源、22:整合回路、26:スイツチングダイ
オード、28:低周波掃引信号源、35:スイツ
チ、38:同調用電流源。
図。第2図、第3図、第4図は各々、本発明の掃
引信号発生器の実装平面図、底面図、背面図。第
5図は本発明の掃引信号発生器の電磁石の断面
図。 11:YIGフイルタ、16:電磁石、18:ス
テツプリカバリダイオード、20:高周波掃引信
号源、22:整合回路、26:スイツチングダイ
オード、28:低周波掃引信号源、35:スイツ
チ、38:同調用電流源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 共鳴周波数が可変な電磁気的共鳴手段と、第
1の電磁信号が入力される第1の信号入力手段
と、前記第1の信号入力手段に接続され前記第1
の電磁信号の高調波信号を発生する高調波信号発
生手段、該高調波信号発生手段に接続されて記電
磁気的共鳴手段に前記高調波信号を供給する第1
の結合手段と、前記電磁気的共鳴手段から第2の
結合手段を介して出力信号を導出する出力部と、
第2の電磁信号を結節点を介して前記第2の結合
手段に供給する第2の信号入力手段と、制御入力
端子を有し、該制御入力端子に印加された第1の
制御信号に応じて前記結節点を接地へ短絡し、前
記制御入力端子に印加された第2の制御信号に応
じて前記結節点を前記接地から分離する電気的に
制御される短絡手段とから成り、前記第1の制御
信号が前記短絡手段の前記制御入力端子に入力さ
れたとき、前記電磁気的共鳴手段からの信号が前
記出力部に出力され、前記第2の制御信号が前記
短絡手段の前記制御入力端子に入力されたとき、
前記第2の信号入力手段からの信号が出力部に出
力されることを特徴とする掃引信号発生器。 2 前記電磁気的共鳴手段がYIG球で前記第1の
結合手段と前記第1の結合手段が直交するように
配置されて成る特許請求の範囲第1項記載の掃引
信号発生器。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/229,473 US4342008A (en) | 1981-01-29 | 1981-01-29 | Switched tuneable frequency multiplier |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57141106A JPS57141106A (en) | 1982-09-01 |
JPS6343002B2 true JPS6343002B2 (ja) | 1988-08-26 |
Family
ID=22861394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57011454A Granted JPS57141106A (en) | 1981-01-29 | 1982-01-27 | Sweep signal generator |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4342008A (ja) |
JP (1) | JPS57141106A (ja) |
DE (1) | DE3202329A1 (ja) |
GB (1) | GB2092402B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4554516A (en) * | 1982-04-23 | 1985-11-19 | Microsource, Inc. | Frequency source having YIG absorption/transmission filter |
US4450422A (en) * | 1982-09-28 | 1984-05-22 | Tektronix, Inc. | Electronic filter devices |
US4500858A (en) * | 1982-12-10 | 1985-02-19 | Eaton Corporation | Method for enhancing ferromagnetic coupling |
US5369373A (en) * | 1992-10-16 | 1994-11-29 | Unisys Corporation | Comb data generation |
US5793309A (en) * | 1996-08-14 | 1998-08-11 | Lockheed Martin Corporation | Short range electromagnetic proximity detection |
US6124742A (en) * | 1998-01-26 | 2000-09-26 | Motorola, Inc. | Wide bandwidth frequency multiplier |
US6396431B1 (en) * | 1999-09-07 | 2002-05-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Precision microwave/millimeter wave modulated signal source |
WO2001036989A1 (fr) * | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Anritsu Corporation | Appareil d'analyse de signal dote d'un oscillateur yto |
US6297716B1 (en) * | 1999-12-16 | 2001-10-02 | Lockheed Martin Corporation | Q-switched cavity multiplier |
DE102004056263B4 (de) * | 2004-11-22 | 2007-12-06 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur differenzierten Einstellung des Magnetfeldes in einem YIG-Filter |
DE202013000496U1 (de) | 2013-01-17 | 2013-02-07 | Max Frank Gmbh & Co Kg | Deckenrandabschalung |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1021915A (en) * | 1962-09-11 | 1966-03-09 | Standard Telephones Cables Ltd | A frequency switching device |
GB1072312A (en) * | 1965-01-07 | 1967-06-14 | Marconi Instruments Ltd | Improvements in or relating to signal generators |
US3646426A (en) * | 1970-09-04 | 1972-02-29 | Loral Corp | Electronically tunable microwave frequency multiplier |
DE2047145C3 (de) * | 1970-09-24 | 1975-05-15 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Einrichtung zur Anschaltung mehrerer FrequenzvervieHacherstufen an einen gemeinsamen Generator für die Grundfrequenz |
-
1981
- 1981-01-29 US US06/229,473 patent/US4342008A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-12-11 GB GB8137413A patent/GB2092402B/en not_active Expired
-
1982
- 1982-01-26 DE DE19823202329 patent/DE3202329A1/de active Granted
- 1982-01-27 JP JP57011454A patent/JPS57141106A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2092402A (en) | 1982-08-11 |
GB2092402B (en) | 1984-06-13 |
JPS57141106A (en) | 1982-09-01 |
DE3202329A1 (de) | 1982-08-26 |
DE3202329C2 (ja) | 1993-05-19 |
US4342008A (en) | 1982-07-27 |
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