JPS6341017A - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
- Publication number
- JPS6341017A JPS6341017A JP18574286A JP18574286A JPS6341017A JP S6341017 A JPS6341017 A JP S6341017A JP 18574286 A JP18574286 A JP 18574286A JP 18574286 A JP18574286 A JP 18574286A JP S6341017 A JPS6341017 A JP S6341017A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- gas
- reaction gas
- pipe
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 9
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 10
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、効率のよい気相成長方法に関するものであ
る。
る。
第2図は、例えばU、 S、 Patent4.368
゜098号明細書に示された有機金属化学成長方法での
結晶成長に用いられる気相結晶成長装置の反応管付近を
示す図である。この図において、1は反応ガスの入口、
3は反応管、4はその上に結晶を成長させるための基板
、5は前記基板4の保持台、6は前記基板4を加熱する
ための高周波コイルまたはヒータ、7は反応後の反応ガ
スの出口である。
゜098号明細書に示された有機金属化学成長方法での
結晶成長に用いられる気相結晶成長装置の反応管付近を
示す図である。この図において、1は反応ガスの入口、
3は反応管、4はその上に結晶を成長させるための基板
、5は前記基板4の保持台、6は前記基板4を加熱する
ための高周波コイルまたはヒータ、7は反応後の反応ガ
スの出口である。
次に動作について説明する。
反応ガスの入口1から反応管3内に導入された反応ガス
は、熱分解、化学反応して、高周波コイルまたはヒータ
6により加熱された基板4の上に固体として析出する。
は、熱分解、化学反応して、高周波コイルまたはヒータ
6により加熱された基板4の上に固体として析出する。
この際、必要な反応ガスは反応ガスの入口1から常に供
給されるとともに、過剰な反応ガスは反応ガスの出ロア
より排出されている。この時、反応管3内の圧力は大気
圧もしくは減圧状態に保たれている。
給されるとともに、過剰な反応ガスは反応ガスの出ロア
より排出されている。この時、反応管3内の圧力は大気
圧もしくは減圧状態に保たれている。
上記のような従来の気相成長方法では、反応管3に開管
を用いており、例えばGaAsを有機金属法で1μm成
長させる場合、反応ガスとしてトリメチルガリウム20
ee/man、アルシン70 ee/m1npを15
分間流していたたため、その総使用量は1350ccに
なっていた。そして、猛毒な反応ガスを大量に流すため
に公害防止および安全上の問題から、これらの反応ガス
の処理装置に多額の投資が必要であり、製品のコスト高
につながっていた。
を用いており、例えばGaAsを有機金属法で1μm成
長させる場合、反応ガスとしてトリメチルガリウム20
ee/man、アルシン70 ee/m1npを15
分間流していたたため、その総使用量は1350ccに
なっていた。そして、猛毒な反応ガスを大量に流すため
に公害防止および安全上の問題から、これらの反応ガス
の処理装置に多額の投資が必要であり、製品のコスト高
につながっていた。
また、これらの反応ガスには高価なものが多く、この点
からも製品のコスト高につながるという問題点があった
。
からも製品のコスト高につながるという問題点があった
。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、使用する反応ガスの量を極力減らすことによって
、排気ガスの処理を容易にするとともに、ガスの材料費
の低減を図って製品のコストを下げろことが可能な気相
成長方法を得ることを目的とする。
ので、使用する反応ガスの量を極力減らすことによって
、排気ガスの処理を容易にするとともに、ガスの材料費
の低減を図って製品のコストを下げろことが可能な気相
成長方法を得ることを目的とする。
この発明に係る気相成長方法は、反応管からの反応ガス
の排気量をその供給量より少なくするか、または反応管
を密閉した状態で成長を行うものである。
の排気量をその供給量より少なくするか、または反応管
を密閉した状態で成長を行うものである。
この発明においては、反応管からの反応ガスの排気量が
その供給量より少ないか、または排気を行わない状態で
成長を行い、反応ガスをほぼ完全に分解する。
その供給量より少ないか、または排気を行わない状態で
成長を行い、反応ガスをほぼ完全に分解する。
第1図はこの発明の気相成長方法の一実施例を説明する
ための図である。この図において、第2図と同一符号は
同一部分を示し、2は吸気弁、8は排気弁である。
ための図である。この図において、第2図と同一符号は
同一部分を示し、2は吸気弁、8は排気弁である。
次に動作について説明する。
吸気弁2を開いたま1で一定量の反応ガスを反応管3内
に供給(7、一方、排気弁3を少し開いて反応管3から
の反応ガスの排気量をその供給量より少なくした場合、
反応管3内の圧力は、通常の気相成長を行う場合に比べ
て高く、例えば780〜790nusHgとなる。次に
、この状態に保ったままで基板4を高周波コイルまたは
ヒータ6により加熱すれば、反応ガスの熱分解、化学反
応によって基板4上に結晶を成長させることができる。
に供給(7、一方、排気弁3を少し開いて反応管3から
の反応ガスの排気量をその供給量より少なくした場合、
反応管3内の圧力は、通常の気相成長を行う場合に比べ
て高く、例えば780〜790nusHgとなる。次に
、この状態に保ったままで基板4を高周波コイルまたは
ヒータ6により加熱すれば、反応ガスの熱分解、化学反
応によって基板4上に結晶を成長させることができる。
そして、この方法によってGaAsを1μm成長させた
場合、トリメチルガリウム1 ee/++++npアル
シン5 ee/mat。の条件で15分間で成長させる
ことができ、その総使用量を90ccと大幅に少なくす
ることができた。
場合、トリメチルガリウム1 ee/++++npアル
シン5 ee/mat。の条件で15分間で成長させる
ことができ、その総使用量を90ccと大幅に少なくす
ることができた。
また、吸気弁2.排気弁8を開けて反応ガスを所定量流
した後、排気弁8.吸気弁2を閉じて反応管3を密閉す
る場合にも、反応ガスの熱分解。
した後、排気弁8.吸気弁2を閉じて反応管3を密閉す
る場合にも、反応ガスの熱分解。
化学反応によって同様に基板4上に結晶が析出する。し
かし、この場合その分だけ反応管3内の圧力が減少する
ので、吸気弁2を開けて反応ガスを供給して反応管3内
の圧力が所定の値に達した後、吸気弁2を閉じて再び結
晶成長を行う必要がある。
かし、この場合その分だけ反応管3内の圧力が減少する
ので、吸気弁2を開けて反応ガスを供給して反応管3内
の圧力が所定の値に達した後、吸気弁2を閉じて再び結
晶成長を行う必要がある。
この工程を繰り返し行うことによって、所望の結晶成長
を行うことができる。
を行うことができる。
なお、上記実施例では、結晶を成長させる場合について
述べたが、基板4の上にアモルファス材を生成すること
も可能である。
述べたが、基板4の上にアモルファス材を生成すること
も可能である。
この発明は以上説明したとおり、反応管からの反応ガス
の排気量をその供給量より少なくするか、または反応管
を密閉した状態で成長を行うので、使用する反応ガスの
量を非常に少なくすることができ、排気された反応ガス
の処理が容易となるうえ、使用ガスの材料費が少なくな
り、製品のコストを下げろことが可能になるという効果
がある。
の排気量をその供給量より少なくするか、または反応管
を密閉した状態で成長を行うので、使用する反応ガスの
量を非常に少なくすることができ、排気された反応ガス
の処理が容易となるうえ、使用ガスの材料費が少なくな
り、製品のコストを下げろことが可能になるという効果
がある。
第1図はこの発明の気相成長方法の一実施例を説明する
ための図、第2図は従来の気相結晶成長装置の反応管付
近を示す図である。 図において、1は反応ガスの入口、2は吸気弁、3は反
応管、4は基板、5は保持台、6は高周波コイルまたは
ヒータ、7は反応ガスの出口、8は排気弁である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 第2図 手続補正書(自発) 昭和 6毎 3月20日 特許庁長官数 昏Σ1、事件
の表示 特願昭61−185742号2、発明の名
称 気相成長方法 3、補正をする者 代表者志岐守哉 4、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号三
菱電機株式会社内 5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1) 明細書第4頁9行の「排気弁3」を、「排気
弁8」と補正する。 (2)同じ〈第4頁17行〜第5頁1行の「そして、・
・・・・・ることができた。」の箇所を削除する。 (3)同じ〈第5頁11行と12行の間に下記を挿入す
る。 「そして、この方法によってGaAsをlpm成長させ
た場合、トリメチルガリウムIOC/sin+アルシン
5cc/aBnの条件で15分間で成長させることがで
き、その総使用量を90ccと大幅に少なくすることが
できた。」 以上
ための図、第2図は従来の気相結晶成長装置の反応管付
近を示す図である。 図において、1は反応ガスの入口、2は吸気弁、3は反
応管、4は基板、5は保持台、6は高周波コイルまたは
ヒータ、7は反応ガスの出口、8は排気弁である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 第2図 手続補正書(自発) 昭和 6毎 3月20日 特許庁長官数 昏Σ1、事件
の表示 特願昭61−185742号2、発明の名
称 気相成長方法 3、補正をする者 代表者志岐守哉 4、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号三
菱電機株式会社内 5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1) 明細書第4頁9行の「排気弁3」を、「排気
弁8」と補正する。 (2)同じ〈第4頁17行〜第5頁1行の「そして、・
・・・・・ることができた。」の箇所を削除する。 (3)同じ〈第5頁11行と12行の間に下記を挿入す
る。 「そして、この方法によってGaAsをlpm成長させ
た場合、トリメチルガリウムIOC/sin+アルシン
5cc/aBnの条件で15分間で成長させることがで
き、その総使用量を90ccと大幅に少なくすることが
できた。」 以上
Claims (1)
- 反応管内で成長を行う気相成長方法において、前記反応
管からの反応ガスの排気量をその供給量より少なくする
か、または前記反応管を密閉した状態で前記成長を行う
ことを特徴とする気相成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18574286A JPS6341017A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18574286A JPS6341017A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 気相成長方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6341017A true JPS6341017A (ja) | 1988-02-22 |
Family
ID=16176065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18574286A Pending JPS6341017A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6341017A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017005016A (ja) * | 2015-06-05 | 2017-01-05 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
-
1986
- 1986-08-06 JP JP18574286A patent/JPS6341017A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017005016A (ja) * | 2015-06-05 | 2017-01-05 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2580928Y2 (ja) | 気相成長装置 | |
JPS6311598A (ja) | 有機金属気相成長用シリンダ− | |
JPH0260210B2 (ja) | ||
JPS6341017A (ja) | 気相成長方法 | |
JPS5839373B2 (ja) | 半導体製造装置の排気処理法 | |
JPS58115816A (ja) | 化合物半導体気相成長装置 | |
JPH0383898A (ja) | 逆流防止機構付き有機金属原料供給装置 | |
JP2533582B2 (ja) | 微粉処理方法 | |
JPH0574717A (ja) | 化合物半導体結晶成長方法 | |
JPS5934628A (ja) | 半導体薄膜製造法 | |
JPS6325294A (ja) | 有機金属化学気相成長方法 | |
JPH02268433A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6273619A (ja) | 揮発性物質の気化装置 | |
JPH03196524A (ja) | シリコン窒化膜の形成方法 | |
JPH01319929A (ja) | 結晶成長装置 | |
JP2905126B2 (ja) | 気相成長装置 | |
JPS6322173B2 (ja) | ||
JPH08306623A (ja) | 気相成長装置 | |
JPS63119521A (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
JPH078758B2 (ja) | 気相エピタキシャル成長装置の排気方法 | |
JP2518283Y2 (ja) | 排気ガス処理装置 | |
JPH02116120A (ja) | 結晶成長方法 | |
JPH04139096A (ja) | 有機金属気相成長法 | |
JPS63156316A (ja) | 減圧mocvd装置 | |
JPS6285422A (ja) | 縦型有機金属熱分解気相成長装置 |