JPS6340756A - 錫を含む物理蒸着用酸化インジウム焼結体 - Google Patents
錫を含む物理蒸着用酸化インジウム焼結体Info
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- JPS6340756A JPS6340756A JP61184207A JP18420786A JPS6340756A JP S6340756 A JPS6340756 A JP S6340756A JP 61184207 A JP61184207 A JP 61184207A JP 18420786 A JP18420786 A JP 18420786A JP S6340756 A JPS6340756 A JP S6340756A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、真空蒸着用ＩＴＯタブレットやスパッタリン
グ用ＩＴＯターゲットなどとして使用される錫を含む物
理蒸着用酸化インジウム焼結体に関するものである。
グ用ＩＴＯターゲットなどとして使用される錫を含む物
理蒸着用酸化インジウム焼結体に関するものである。
［従来の技術］
従来から錫を含む酸化インジウム焼結体（以下ＩＴＯ焼
結体と略す）を用いて、電子ビーム加熱蒸着法、スパッ
タリング法などの物理蒸着法により錫を含む酸化インジ
ウム膜（以下ＩＴＯ膜と略す）を形成することが試みら
れており、高温に加熱した基板上に条件を選んで蒸着す
れば、比抵抗２．３Ｘ １０−４ΩＣ１程度のＩＴＯ膜
が得られることは知られている。
結体と略す）を用いて、電子ビーム加熱蒸着法、スパッ
タリング法などの物理蒸着法により錫を含む酸化インジ
ウム膜（以下ＩＴＯ膜と略す）を形成することが試みら
れており、高温に加熱した基板上に条件を選んで蒸着す
れば、比抵抗２．３Ｘ １０−４ΩＣ１程度のＩＴＯ膜
が得られることは知られている。
一般に、このＩＴＯ焼結体の形成方法としては、種々の
方法が知られているが、基本的には、酸化インジウム（
１１１２０３）粉体と酸化錫（ＳｉＯ２）粉体を適当な
量だけ混合し、成型し、次いでこれを仮焼成して粉砕し
、再び粉末とした後、もう−変成型焼結するという方法
がとられてきた。しかし、従来よりも、比抵抗の小さい
錫を含む酸化インジウム膜（以下ＩＴＯ膜と略す）、例
えば２ Ｘ １０−４Ωｃｍ以下の比抵抗を持つＩＴＯ
膜を得るという目的には、酸化状態の制御という点で、
これまでのような物理蒸着用のＩＴＯ焼結体では不十分
であった。
方法が知られているが、基本的には、酸化インジウム（
１１１２０３）粉体と酸化錫（ＳｉＯ２）粉体を適当な
量だけ混合し、成型し、次いでこれを仮焼成して粉砕し
、再び粉末とした後、もう−変成型焼結するという方法
がとられてきた。しかし、従来よりも、比抵抗の小さい
錫を含む酸化インジウム膜（以下ＩＴＯ膜と略す）、例
えば２ Ｘ １０−４Ωｃｍ以下の比抵抗を持つＩＴＯ
膜を得るという目的には、酸化状態の制御という点で、
これまでのような物理蒸着用のＩＴＯ焼結体では不十分
であった。
［発明の解決しようとする問題点］
、 本発明の目的は、従来の物理蒸着用のＩＴＯ焼結体
が有していた欠点を解消し、これまで得られている比抵
抗２ Ｘ １０−”ΩｃｍのＩＴＯ膜の特性を大幅に上
回る低抵抗のＩＴＯ膜を得ることかできる物理蒸着用の
ＩＴＯ焼結体を提供しようとするものである。従来の物
理蒸着用のＩＴＯ焼結体、特に真空薄着用タブレットや
スパッタリング用ターゲットの問題点は、Ｉｎ２Ｏ３粉
体と５ｎ０２粉体を出発原料としているところにあり、
すなわち基板上への錫を含む酸化インジウム（以下ＩＴ
Ｏと略す）の形成、とりわけＩｎ２０３の形成は、電子
ビーム加熱あるいは、スパッタリングにより原料中の１
１１２０３が還元分解し、それが基板上に達し雰囲気中
の酸素によって再び酸化され、ＩＴＯ膜となる過程をと
る。
が有していた欠点を解消し、これまで得られている比抵
抗２ Ｘ １０−”ΩｃｍのＩＴＯ膜の特性を大幅に上
回る低抵抗のＩＴＯ膜を得ることかできる物理蒸着用の
ＩＴＯ焼結体を提供しようとするものである。従来の物
理蒸着用のＩＴＯ焼結体、特に真空薄着用タブレットや
スパッタリング用ターゲットの問題点は、Ｉｎ２Ｏ３粉
体と５ｎ０２粉体を出発原料としているところにあり、
すなわち基板上への錫を含む酸化インジウム（以下ＩＴ
Ｏと略す）の形成、とりわけＩｎ２０３の形成は、電子
ビーム加熱あるいは、スパッタリングにより原料中の１
１１２０３が還元分解し、それが基板上に達し雰囲気中
の酸素によって再び酸化され、ＩＴＯ膜となる過程をと
る。
したがって、ＩＴＯ膜の特性は、電子ビーム加熱あるい
は、スパッタリングによる還元作用と雰囲気ガスの酸素
分圧、蒸着速度に強く依存する。しかし、これだけでは
Ｉｎ２Ｏ３の還元は十分でない上に、環元作用と蒸着速
度とは、独立に制御できないために酸素空孔によるキャ
リア濃度の増大は期待するほど増大できないという欠点
がある。
は、スパッタリングによる還元作用と雰囲気ガスの酸素
分圧、蒸着速度に強く依存する。しかし、これだけでは
Ｉｎ２Ｏ３の還元は十分でない上に、環元作用と蒸着速
度とは、独立に制御できないために酸素空孔によるキャ
リア濃度の増大は期待するほど増大できないという欠点
がある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、酸化インジウム（Ｉｎ２０３）の高温下における還
元処理によって形成されたインジウム低級酸化物（Ｉｎ
Ｏｘ ；０．５（Ｘ（１，５）の粉体と酸化錫の粉体を
適当な量だけ均一に混合し、高密度に焼結させた物理蒸
着用の酸化インジウム焼結体、とりわけ真空蒸着用ＩＴ
Ｏタブレットやスパッタリング用ＩＴＯターゲットを提
供するものである。
り、酸化インジウム（Ｉｎ２０３）の高温下における還
元処理によって形成されたインジウム低級酸化物（Ｉｎ
Ｏｘ ；０．５（Ｘ（１，５）の粉体と酸化錫の粉体を
適当な量だけ均一に混合し、高密度に焼結させた物理蒸
着用の酸化インジウム焼結体、とりわけ真空蒸着用ＩＴ
Ｏタブレットやスパッタリング用ＩＴＯターゲットを提
供するものである。
本発明において高温下における還元処理によってインジ
ウム低級酸化物を製造する具体的な方法としては、酸化
インジウム（Ｉｎ２０３）を高温の真空中、Ｈ２、Ｈ２
＋Ａｒ、あるいはＨ２＋ Ｎ２混合ガス中などの還元雰
囲気中で処理する方法や、又は、還元作用を付与するた
めのＩｎ金属粉と酸化インジウム（Ｉｎ２０３）を適当
量混合し、高温で焼成する方法などが採用される。かか
る高温処理の温度としては１０００℃〜１５００℃程度
が好ましい０本発明のＩＴＯ焼結体を製造するに当って
は、この様にして得られた酸化度の低いインジウム酸化
物（ＩｎＯｘ；０．５＜ｘ弓、５）の粉体と酸化錫（Ｓ
ｎＯ７）の粉体とを目的に応じた組成で均一に混合した
のち、成型焼結するインジウム低級酸化物の粉末と酸化
錫（ＳｎＯ２）の粉体との混合割合は、重量比で９８：
２〜８０：２０が適当である。さらに必要であれば、高
密度の焼結体を得るために再び粉砕し、粉末とした後、
もう一度所定のダレット形状；あるいはターゲット形状
に成型し、焼結するという工程を加えると、蒸着、ある
いはスパッタリングの工程の安定化という点で好ましい
。このようにして、形成された高密度ＩＴＯ焼結体は、
より酸化度の低いインジウム酸化物と少量の酸化錫（Ｓ
ｎＯ２）とから成っているが、蒸着の高速度化、ＩＴＯ
膜の高透明化、あるいは低抵抗化等の種々の目的に応じ
て、焼結体の製造条件を設定し、インジウム酸化物の酸
化度を制御することも可能である。
ウム低級酸化物を製造する具体的な方法としては、酸化
インジウム（Ｉｎ２０３）を高温の真空中、Ｈ２、Ｈ２
＋Ａｒ、あるいはＨ２＋ Ｎ２混合ガス中などの還元雰
囲気中で処理する方法や、又は、還元作用を付与するた
めのＩｎ金属粉と酸化インジウム（Ｉｎ２０３）を適当
量混合し、高温で焼成する方法などが採用される。かか
る高温処理の温度としては１０００℃〜１５００℃程度
が好ましい０本発明のＩＴＯ焼結体を製造するに当って
は、この様にして得られた酸化度の低いインジウム酸化
物（ＩｎＯｘ；０．５＜ｘ弓、５）の粉体と酸化錫（Ｓ
ｎＯ７）の粉体とを目的に応じた組成で均一に混合した
のち、成型焼結するインジウム低級酸化物の粉末と酸化
錫（ＳｎＯ２）の粉体との混合割合は、重量比で９８：
２〜８０：２０が適当である。さらに必要であれば、高
密度の焼結体を得るために再び粉砕し、粉末とした後、
もう一度所定のダレット形状；あるいはターゲット形状
に成型し、焼結するという工程を加えると、蒸着、ある
いはスパッタリングの工程の安定化という点で好ましい
。このようにして、形成された高密度ＩＴＯ焼結体は、
より酸化度の低いインジウム酸化物と少量の酸化錫（Ｓ
ｎＯ２）とから成っているが、蒸着の高速度化、ＩＴＯ
膜の高透明化、あるいは低抵抗化等の種々の目的に応じ
て、焼結体の製造条件を設定し、インジウム酸化物の酸
化度を制御することも可能である。
［作用］
従来の製法で製造されたＩＴＯ焼結体は出発原料がＩｎ
２Ｏ３、５ｎ０２とともに酸化度の高い粉体であるため
に、若干のインジウム低級酸化物あるいは、若干の錫低
級酸化物が含まれているものの、そのほとんどがＩｎ２
Ｏ３と少量の５ｎａ２から成っている。したがって、Ｉ
ＴＯ膜中に酸素空孔を増すための酸化インジウムの分解
は、電子ビーム加熱あるいはスパッタリングのみに依存
しているが、これのみでは、十分とはいえない。
２Ｏ３、５ｎ０２とともに酸化度の高い粉体であるため
に、若干のインジウム低級酸化物あるいは、若干の錫低
級酸化物が含まれているものの、そのほとんどがＩｎ２
Ｏ３と少量の５ｎａ２から成っている。したがって、Ｉ
ＴＯ膜中に酸素空孔を増すための酸化インジウムの分解
は、電子ビーム加熱あるいはスパッタリングのみに依存
しているが、これのみでは、十分とはいえない。
そこで本発明においては、出発原料にインジウム低級酸
化物（ＩｎＯｘ；０．５（ｘ（１，５）の粉体と少量の
酸化錫（ＳｎＯ２ ）の粉体を用いることにより、原料
となるＩＴＯ焼結体中のインジウム酸化物は、かなり還
元状態にあると考えられる。また、成膜時においては、
電子ビーム加熱、あるいはスパッタリングによって一層
還元分解反応が進む。このような状態で蒸発粒子は基板
に到達し、雰囲気中の酸素と反応しながら、基板上を動
きまわり、適当な位置に停止し、ＩＴＯ膜を形成すると
考えられる。この際に、本発明においては、原料自体が
十分に還元状態にあるため還元作用と蒸発速度とは、は
とんど独立に制御でき、蒸着速度、雰囲気ガス中の酸素
分圧条件の設定によって、従来以上に広い範囲でＩＴＯ
膜中の酸素空孔の数を制御でき、しいては、キャリア濃
度の増大が実現できる。また、蒸発粒子が基板上で動き
回る際には、従来に比べ低級酸化状態であるがために、
より動き易く、結晶成長がより進み易くなり、結品粒の
増大、移動度の増大が実現できると考えられる。
化物（ＩｎＯｘ；０．５（ｘ（１，５）の粉体と少量の
酸化錫（ＳｎＯ２ ）の粉体を用いることにより、原料
となるＩＴＯ焼結体中のインジウム酸化物は、かなり還
元状態にあると考えられる。また、成膜時においては、
電子ビーム加熱、あるいはスパッタリングによって一層
還元分解反応が進む。このような状態で蒸発粒子は基板
に到達し、雰囲気中の酸素と反応しながら、基板上を動
きまわり、適当な位置に停止し、ＩＴＯ膜を形成すると
考えられる。この際に、本発明においては、原料自体が
十分に還元状態にあるため還元作用と蒸発速度とは、は
とんど独立に制御でき、蒸着速度、雰囲気ガス中の酸素
分圧条件の設定によって、従来以上に広い範囲でＩＴＯ
膜中の酸素空孔の数を制御でき、しいては、キャリア濃
度の増大が実現できる。また、蒸発粒子が基板上で動き
回る際には、従来に比べ低級酸化状態であるがために、
より動き易く、結晶成長がより進み易くなり、結品粒の
増大、移動度の増大が実現できると考えられる。
［実施例コ
実施例１
金属体と酸化インジウム（Ｉｎ２０３）粉体とをＩｎ：
０＝＝１ ： １にするように混合し、真空中１３００
℃で高温処理し、インジウム低級酸化物（ＩｎＯｘ ；
！＝１．２）の粉体を作り、これに酸化錫（Ｓｌ２Ｏ３
）の粉体を組成比？、５ｗｔ％で均一に混合したのち、
成型し、次いで仮焼成を行なった。さらにこれを粉砕し
て粉体状にし、これを２５ｍｍＸ ＬｏＩの大きさの真
空蒸石川タブレット形状に成型し、次いで真空中１３０
０℃で高温焼結させた。このようにして得られたタブレ
ットは、緻密で青味がかった黒灰色を呈した。これらの
タブレットを蒸発原料として電子ビーム加熱蒸着法によ
り、３５０℃に加熱したガラス基板上にＩＴＯ膜を形成
したところ、蒸着速度、酸素分圧を最適値に制御するこ
とによって、比抵抗が１．２〜１．３×１０−４ΩＣ墓
のＩＴＯ膜が得られた。
０＝＝１ ： １にするように混合し、真空中１３００
℃で高温処理し、インジウム低級酸化物（ＩｎＯｘ ；
！＝１．２）の粉体を作り、これに酸化錫（Ｓｌ２Ｏ３
）の粉体を組成比？、５ｗｔ％で均一に混合したのち、
成型し、次いで仮焼成を行なった。さらにこれを粉砕し
て粉体状にし、これを２５ｍｍＸ ＬｏＩの大きさの真
空蒸石川タブレット形状に成型し、次いで真空中１３０
０℃で高温焼結させた。このようにして得られたタブレ
ットは、緻密で青味がかった黒灰色を呈した。これらの
タブレットを蒸発原料として電子ビーム加熱蒸着法によ
り、３５０℃に加熱したガラス基板上にＩＴＯ膜を形成
したところ、蒸着速度、酸素分圧を最適値に制御するこ
とによって、比抵抗が１．２〜１．３×１０−４ΩＣ墓
のＩＴＯ膜が得られた。
実施例２
Ｉｎ金属粉と酸化インジウム（Ｉｎ２０＋）をＩｎ：０
−１＝１になるように混合し真空中１３００℃で高温処
理し、インジウム低級酸化物（ＩｎＯｘ；ｘ＝１．２）
の粉体を作り、これに酸化錫（ＳｎＯ２）の粉体を組成
比？、５ｗｔ％で均一に混合したのち、成型、仮焼成を
行なった。さらにこれを粉砕して再び粉体状にし、これ
を６インチφ×１０１１Ｉ１１の大きさに成型し、真空
中１３００℃高温焼結させた。
−１＝１になるように混合し真空中１３００℃で高温処
理し、インジウム低級酸化物（ＩｎＯｘ；ｘ＝１．２）
の粉体を作り、これに酸化錫（ＳｎＯ２）の粉体を組成
比？、５ｗｔ％で均一に混合したのち、成型、仮焼成を
行なった。さらにこれを粉砕して再び粉体状にし、これ
を６インチφ×１０１１Ｉ１１の大きさに成型し、真空
中１３００℃高温焼結させた。
このようにして得られたスパッタリング用ターゲットは
ｗＩ雀で青味がかった黒灰色を呈した。このターゲット
を出発原料としてスパッタリングにより、 ３５０℃に
加熱したガラス基板上に形成したところ、成膜速度、酸
素分圧を最適値に制御することによって、比抵抗が、１
．２〜１．３ Ｘ １０−４ΩｃｍのＩＴＯ膜が得ら
れた。
ｗＩ雀で青味がかった黒灰色を呈した。このターゲット
を出発原料としてスパッタリングにより、 ３５０℃に
加熱したガラス基板上に形成したところ、成膜速度、酸
素分圧を最適値に制御することによって、比抵抗が、１
．２〜１．３ Ｘ １０−４ΩｃｍのＩＴＯ膜が得ら
れた。
比較例１
酸化インジウム（１１１２０３）粉体と酸化錫（ＳｎＯ
２）粉体とを酸化錫の組成比が７．５ｗｔ％となる様に
均一に混合した後、成型し次いで仮焼成を行なった。さ
らに、これを粉砕して粉体状にし、これを２５＋ｍＸ
１０■の大きさのタブレット形状に成型し、次いで大気
中８００℃で焼結させた。この様にして得られたタブレ
ットを蒸発原料として電子ビーム加熱蒸着法により ３
５０℃に加熱したガラス基板上に実施例１と同様な条件
でＩＴＯ膜を形成したところ、実施例１により得られた
ＩＴＯ膜より比抵抗の高い３．ＯＸ １０−４ΩＣ１ｌ
のＩＴＯ膜が得られた。
２）粉体とを酸化錫の組成比が７．５ｗｔ％となる様に
均一に混合した後、成型し次いで仮焼成を行なった。さ
らに、これを粉砕して粉体状にし、これを２５＋ｍＸ
１０■の大きさのタブレット形状に成型し、次いで大気
中８００℃で焼結させた。この様にして得られたタブレ
ットを蒸発原料として電子ビーム加熱蒸着法により ３
５０℃に加熱したガラス基板上に実施例１と同様な条件
でＩＴＯ膜を形成したところ、実施例１により得られた
ＩＴＯ膜より比抵抗の高い３．ＯＸ １０−４ΩＣ１ｌ
のＩＴＯ膜が得られた。
比較例２
酸化インジウム（ｌ１１２０３ ）粉体と酸化錫（Ｓｎ
Ｏ２）粉体とを酸化錫の組成比が７．５ｗｔ％となる様
に均一に混合した後、成型し、次い〒仮焼成を行なった
。さらに、これを粉砕して粉体状にし、これを６インチ
φＸ ＬｏＩｌｍの大きさのターゲット形状に成型し、
次いで大気中８００℃で焼結させた。この様にして得ら
れたターゲットを出発原料としてスパッタリング法によ
り ３５０℃に加熱したガラス基板上に実施例２と同様
な条件でＩＴＯ膜を形成したところ、実施例２により得
られたＩＴＯ膜より比抵抗の高い２．５Ｘ１０−’Ωｃ
ｍのＩＴＯ膜が得られた。
Ｏ２）粉体とを酸化錫の組成比が７．５ｗｔ％となる様
に均一に混合した後、成型し、次い〒仮焼成を行なった
。さらに、これを粉砕して粉体状にし、これを６インチ
φＸ ＬｏＩｌｍの大きさのターゲット形状に成型し、
次いで大気中８００℃で焼結させた。この様にして得ら
れたターゲットを出発原料としてスパッタリング法によ
り ３５０℃に加熱したガラス基板上に実施例２と同様
な条件でＩＴＯ膜を形成したところ、実施例２により得
られたＩＴＯ膜より比抵抗の高い２．５Ｘ１０−’Ωｃ
ｍのＩＴＯ膜が得られた。
［発明の効果］
本発明は、前述したように、酸素空孔によるキャリア濃
度の増加、移動度の増大により、ＩＴＯ膜の低抵抗化と
いう優れた効果を有し、特にＩＴＯの還元作用と蒸発速
度とは、はとんど独立に制御できるために、蒸着速度、
雰囲気ガス中の酸素分圧、さらに原料の製作条件を低抵
抗化、高透明化、蒸発速度の高速化等の目的に応じて設
定することによって、従来以上に広い範囲でＩ Ｔ Ｏ
Ｉ＋！；！の特性を変化させることが可能となるという
効果もある。
度の増加、移動度の増大により、ＩＴＯ膜の低抵抗化と
いう優れた効果を有し、特にＩＴＯの還元作用と蒸発速
度とは、はとんど独立に制御できるために、蒸着速度、
雰囲気ガス中の酸素分圧、さらに原料の製作条件を低抵
抗化、高透明化、蒸発速度の高速化等の目的に応じて設
定することによって、従来以上に広い範囲でＩ Ｔ Ｏ
Ｉ＋！；！の特性を変化させることが可能となるという
効果もある。
Claims (1)
- （１）酸化インジウム（Ｉｎ＿２Ｏ＿３）の高温下にお
ける還元処理によって形成されたインジウム低 級酸化物（ＩｎＯ＿ｘ：０．５＜ｘ＜１．５）の粉体と
酸化錫（ＳｎＯ＿２）の粉体とを均一に混合し、高密度
に焼結させてなる錫を含む物理蒸着用酸化インジウム焼
結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61184207A JPS6340756A (ja) | 1986-08-07 | 1986-08-07 | 錫を含む物理蒸着用酸化インジウム焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61184207A JPS6340756A (ja) | 1986-08-07 | 1986-08-07 | 錫を含む物理蒸着用酸化インジウム焼結体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6340756A true JPS6340756A (ja) | 1988-02-22 |
Family
ID=16149232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61184207A Pending JPS6340756A (ja) | 1986-08-07 | 1986-08-07 | 錫を含む物理蒸着用酸化インジウム焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6340756A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01290550A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Tosoh Corp | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造法 |
| JPH0344464A (ja) * | 1989-07-13 | 1991-02-26 | Nippon Mining Co Ltd | Ｉｔｏ透明導電膜用スパッタリングターゲット |
| JPH04285163A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-09 | Nikko Kyodo Co Ltd | Ｉｔｏスパッタリングタ−ゲット |
| JPH07310178A (ja) * | 1994-04-19 | 1995-11-28 | Leybold Ag | 基板コーティング装置 |
| WO2011118334A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物蒸着材と透明導電膜 |
| JP4864159B1 (ja) * | 2010-11-30 | 2012-02-01 | パナソニック株式会社 | 空気調和機 |
| JP2016023333A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-02-08 | 三菱マテリアル株式会社 | ニッケル酸リチウムスパッタリングターゲットの製造方法 |
-
1986
- 1986-08-07 JP JP61184207A patent/JPS6340756A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01290550A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Tosoh Corp | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造法 |
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| JP2011202246A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物蒸着材と透明導電膜 |
| CN102812150A (zh) * | 2010-03-26 | 2012-12-05 | 住友金属矿山株式会社 | 氧化物蒸镀材料和透明导电膜 |
| TWI422696B (zh) * | 2010-03-26 | 2014-01-11 | Sumitomo Metal Mining Co | 氧化物蒸鍍材與透明導電膜 |
| JP4864159B1 (ja) * | 2010-11-30 | 2012-02-01 | パナソニック株式会社 | 空気調和機 |
| JP2016023333A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-02-08 | 三菱マテリアル株式会社 | ニッケル酸リチウムスパッタリングターゲットの製造方法 |
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