JPS6334993A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS6334993A JPS6334993A JP17946486A JP17946486A JPS6334993A JP S6334993 A JPS6334993 A JP S6334993A JP 17946486 A JP17946486 A JP 17946486A JP 17946486 A JP17946486 A JP 17946486A JP S6334993 A JPS6334993 A JP S6334993A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 abstract 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、有機金属熱分解気相成長法（以下ＭＯＶＰＥ
と略記する）を用いて作られる高出力で信頼性の高い窓
構造型の半導体レーザ装置に関する。
と略記する）を用いて作られる高出力で信頼性の高い窓
構造型の半導体レーザ装置に関する。
（従来の技術）
ＡＩＧａＡｓ 系短波長牛導体レーザの高出力化を阻ん
でいる最大の原因は、端面部での光吸収による端面破壊
（ＣＯＤ）の９１象である。このＣＯＤレベルを上げる
試みとして、活性層の薄膜化、非対称コーティング等に
より端面の光密度を低減することが行われている。しか
し本質的にＣＯＤを防ぐためには、端面部を発振光の吸
収のない窓構造とするのが理想的である。このような窓
構造を有する半導体レーザの構造として、従来は第３図
に示すようなものが提案されていた。図において１２は
ｐ型ＧａＡｓ基板、１３はｎ型ＧａＡｓブロック層、１
４はＩ） Ｗ Ａ ｌ Ｏ，４１Ｇａｏ、ｓｏり２ラド
層、１５はＡｌ ｏ、ｏ６ ＧａＯ，Ｂ Ａｓ活性層、
１６はｎ型Ａ １６Ａ ｔＧａｏｓｏＡｓクラッド層、
１７はｎ型Ｇａ Ａｓ電極層、８はｎ型電極、９はｐ型
電極をそれぞれ示す、この構造では基板１２に形成する
溝が発光部で深く、端面部で浅くなっておシ、従って活
性層は発光部で窪み端面部で平担となる。この結果第４
図（ａ）の断面図が示すように発光部と端面部で活性層
の位置が異なることにより、発振光は光吸収のないクラ
ッド層１４を透過して端面に到シ、ＣＯＤフリーな高出
力な特性が得られる（アプライド フィジックス レタ
ー Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ。
でいる最大の原因は、端面部での光吸収による端面破壊
（ＣＯＤ）の９１象である。このＣＯＤレベルを上げる
試みとして、活性層の薄膜化、非対称コーティング等に
より端面の光密度を低減することが行われている。しか
し本質的にＣＯＤを防ぐためには、端面部を発振光の吸
収のない窓構造とするのが理想的である。このような窓
構造を有する半導体レーザの構造として、従来は第３図
に示すようなものが提案されていた。図において１２は
ｐ型ＧａＡｓ基板、１３はｎ型ＧａＡｓブロック層、１
４はＩ） Ｗ Ａ ｌ Ｏ，４１Ｇａｏ、ｓｏり２ラド
層、１５はＡｌ ｏ、ｏ６ ＧａＯ，Ｂ Ａｓ活性層、
１６はｎ型Ａ １６Ａ ｔＧａｏｓｏＡｓクラッド層、
１７はｎ型Ｇａ Ａｓ電極層、８はｎ型電極、９はｐ型
電極をそれぞれ示す、この構造では基板１２に形成する
溝が発光部で深く、端面部で浅くなっておシ、従って活
性層は発光部で窪み端面部で平担となる。この結果第４
図（ａ）の断面図が示すように発光部と端面部で活性層
の位置が異なることにより、発振光は光吸収のないクラ
ッド層１４を透過して端面に到シ、ＣＯＤフリーな高出
力な特性が得られる（アプライド フィジックス レタ
ー Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ。
Ｌｅｔｔ、４２ （５）、Ｉ Ｍａｒｃｈ １９８３
ｐ４０６−４０８）。
ｐ４０６−４０８）。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし従来の構造では、発振光は端面部で光導波機構の
ないクラッド層１４を通過することになυ、発振光が端
面で反射し発光部に再び入射する率が低下する。これは
共振器の反射率が低下したことと等価となシ、発振閾値
の上昇、効率の低下をもたらす、さらにこの構造では端
面部にも屈折率の高い活性Ｉ橿１５があるから、発振光
の一部がこの活性層１５で導波され、発光近視野像がふ
たつのスポットに分離しやすい。こうした発振閾値の上
昇、効率の低下、発光スポットの分離が従来の構造の問
題点であった。
ないクラッド層１４を通過することになυ、発振光が端
面で反射し発光部に再び入射する率が低下する。これは
共振器の反射率が低下したことと等価となシ、発振閾値
の上昇、効率の低下をもたらす、さらにこの構造では端
面部にも屈折率の高い活性Ｉ橿１５があるから、発振光
の一部がこの活性層１５で導波され、発光近視野像がふ
たつのスポットに分離しやすい。こうした発振閾値の上
昇、効率の低下、発光スポットの分離が従来の構造の問
題点であった。
（問題点を解決するだめの手段）
前述の問題点を解決するために本発明が提供する半導体
装置は、発光部となる主部と端面近傍の副部とから成り
、前記主部が形成された部分の基板は前記副部が形成さ
れた部分の基板より高く、前記主部部分と前記副部部分
との境界において前記基板は段差を有し、その段差は（
１１１）Ｂ面でなシ、第一導電型の第一半導体層、活性
層、第二導電型の第二半導体層、第二導電型の第三半導
体層および第二導電型の第四半導体層が前記基板上に順
次に形成してあシ、前記第三半導体層の屈折率は前記第
一、二及び四半導体層の屈折率より大きく、前記主部の
前記活性層と前記副部の前記第三半導体層とは高さ方向
の位置が一致していることを特徴とする。
装置は、発光部となる主部と端面近傍の副部とから成り
、前記主部が形成された部分の基板は前記副部が形成さ
れた部分の基板より高く、前記主部部分と前記副部部分
との境界において前記基板は段差を有し、その段差は（
１１１）Ｂ面でなシ、第一導電型の第一半導体層、活性
層、第二導電型の第二半導体層、第二導電型の第三半導
体層および第二導電型の第四半導体層が前記基板上に順
次に形成してあシ、前記第三半導体層の屈折率は前記第
一、二及び四半導体層の屈折率より大きく、前記主部の
前記活性層と前記副部の前記第三半導体層とは高さ方向
の位置が一致していることを特徴とする。
（作用）
有機金属熱分解気相成長法（ＭＯＶＰＥ）により結晶成
長を行う場合（１１１）Ｂ面の結晶成長速度は、他の結
晶面に比べて極端に遅くほとんどゼロである。このため
（Ｌ １１） Ｂ面を段差面にもつ凸凹基板上にＭＯｖ
ＰＥにより結晶成長を行うとその段差が埋ってしまうま
では成長居は段差面でとぎれ基板底面に平行な層構造が
得られる。従って、本発明の構造では、基板が低くなっ
ている端面部において発光部の活性層３の位置に第三半
導体層（光ガイド層５）が位置し、かつ上述の成長効果
により、発光部の活性層３が、他の層をほとんど介さず
直接第三半導体層と結合するので共振器の反射率の等測
的な低下をもたらすことなく、端面での光吸収のないＣ
ＯＤフリーな高出力特性が得られる。さらに端面部の第
三半導体層は周囲を屈折率の低い第二、四半導体層（ｐ
型クラッド層４，６）で囲まれているから、端面部にも
完全な光導波機構が存在することになり、光利用率が高
く低閾値で高効率な特性が期待できる。また端面部の第
三半導体層は端面部の活性ｆｉ、４３から第二半導体層
（ｐ型クラッド層４）を介して分離しているから、発振
光が端面部の活性層３に導波することなく単一な光ビー
ムを得ることが出来る。
長を行う場合（１１１）Ｂ面の結晶成長速度は、他の結
晶面に比べて極端に遅くほとんどゼロである。このため
（Ｌ １１） Ｂ面を段差面にもつ凸凹基板上にＭＯｖ
ＰＥにより結晶成長を行うとその段差が埋ってしまうま
では成長居は段差面でとぎれ基板底面に平行な層構造が
得られる。従って、本発明の構造では、基板が低くなっ
ている端面部において発光部の活性層３の位置に第三半
導体層（光ガイド層５）が位置し、かつ上述の成長効果
により、発光部の活性層３が、他の層をほとんど介さず
直接第三半導体層と結合するので共振器の反射率の等測
的な低下をもたらすことなく、端面での光吸収のないＣ
ＯＤフリーな高出力特性が得られる。さらに端面部の第
三半導体層は周囲を屈折率の低い第二、四半導体層（ｐ
型クラッド層４，６）で囲まれているから、端面部にも
完全な光導波機構が存在することになり、光利用率が高
く低閾値で高効率な特性が期待できる。また端面部の第
三半導体層は端面部の活性ｆｉ、４３から第二半導体層
（ｐ型クラッド層４）を介して分離しているから、発振
光が端面部の活性層３に導波することなく単一な光ビー
ムを得ることが出来る。
（実施例）
次に実施例を挙げて本発明を一層詳しく説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図（ａ）
は７ｆｇ １図のＡ−Ａ’矢視断面図、第２図（ｂ）は
第１図のＢ−Ｂ’矢視断面図、第２図（ｃ）は第１図Ｃ
−Ｃ’矢視断面図である。但し、第１図はおいて破断面
を示す直線Ａ −Ａ’、 Ｂ−Ｂ’及びＣＣ／はいずれ
もｐ型電極１０上に接するものとする。これら図に於て
、１はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡＩ０，４１ Ｇａ
ｏ、ｓｏ Ａｓクラッド層、３はＡｌ＠ｏａＧａａｌＨ
Ａ８活性層、４はｐ型Ａｌｏ４１ Ｇａａ、Ｂ Ａｓ第
１クラッド層、５はｐ型Ａ ｌ ｏｌｇｏ Ｇ ａ Ｏ
，？ＯＡ ｓ光ガイド層、６はｐ型ＡＩＱ４１ Ｇａｏ
、ｓｏ Ａｓ第２クラッド層、７はｎ型ＧａＡｓｆＫ極
層、８はＰ拡散層、９はｎ型電極、１０はｐ型電極、１
１は（ｔ ｔ Ｌ） Ｂ面をそれぞれ示す。
は７ｆｇ １図のＡ−Ａ’矢視断面図、第２図（ｂ）は
第１図のＢ−Ｂ’矢視断面図、第２図（ｃ）は第１図Ｃ
−Ｃ’矢視断面図である。但し、第１図はおいて破断面
を示す直線Ａ −Ａ’、 Ｂ−Ｂ’及びＣＣ／はいずれ
もｐ型電極１０上に接するものとする。これら図に於て
、１はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡＩ０，４１ Ｇａ
ｏ、ｓｏ Ａｓクラッド層、３はＡｌ＠ｏａＧａａｌＨ
Ａ８活性層、４はｐ型Ａｌｏ４１ Ｇａａ、Ｂ Ａｓ第
１クラッド層、５はｐ型Ａ ｌ ｏｌｇｏ Ｇ ａ Ｏ
，？ＯＡ ｓ光ガイド層、６はｐ型ＡＩＱ４１ Ｇａｏ
、ｓｏ Ａｓ第２クラッド層、７はｎ型ＧａＡｓｆＫ極
層、８はＰ拡散層、９はｎ型電極、１０はｐ型電極、１
１は（ｔ ｔ Ｌ） Ｂ面をそれぞれ示す。
この実施例の製造においては、まずフォトレジストヲマ
スクとして化学エツチングにより、基板１上に幅３００
μｍ１高さ１．６μｍで段差面が（１１１）Ｂ面でなる
メサストライプを形成する。
スクとして化学エツチングにより、基板１上に幅３００
μｍ１高さ１．６μｍで段差面が（１１１）Ｂ面でなる
メサストライプを形成する。
次にＭＯＶ Ｐ Ｅを用いて半導体層２． ３． ４．
５゜６．７を順次成長する。原料物質として、トリメ
チルガリウム（ＣｕＩ２） ３ Ｇａ、 ）リメチルア
ルミニウム（ＣＨｓ） ｓ Ａ １ ｚアルシン、Ａｓ
ｈｓ、ｐ型ドーパントのジメチル亜鉛（ＣＨ３） ２
ｚｎ、 ｎ型ドーパントのセレン化水素Ｈｏ５ｅを用い
た。成長条件は、成長温度７５０℃、成長圧力９３３０
Ｐａ、Ｖ族原料気体と■族原料気体（２種以上のときは
その合計）のモル比を３０／１１キヤリアガス（Ｈｌ）
の総流量５Ｌ／ｍｉｎとした。それぞれの層厚は順に１
．０．０．１． Ｌ、０．０．３． Ｌ、０．０．
７／ｊｍとする。この成長ではメサの高さと同じ厚みの
結晶層が成長するまでは先に述べた成長効果でメサ上面
、および底面に平行な結晶膜が成長する。このとき形成
される新しい段差面は（ｔ ｔ １）Ｂ面ではなく、こ
のだめそれ以降形成される結晶膜は、この新しい段差面
にも成長し始める。しかしながら（１１１） Ｂ面が消
失してから光ガイド層５までの眉は薄いから、発光部の
活性層３は、他の層を１−２とんど介さず直接光ガイド
層５と結合する。この光ガイド層５は屈折率の低いｐ型
苗１１第２クラッド層４，６で囲まれているから、端面
まで完全な光導波機構が存在することになる。最後に、
発光領域のみＫＳｉ０２をマスクとしてストライプ状の
Ｐ拡散層８を形成し、ｎ型電極、ｐ型電極１０を形成し
て、本発明に係わる一実施例が形成される。
５゜６．７を順次成長する。原料物質として、トリメ
チルガリウム（ＣｕＩ２） ３ Ｇａ、 ）リメチルア
ルミニウム（ＣＨｓ） ｓ Ａ １ ｚアルシン、Ａｓ
ｈｓ、ｐ型ドーパントのジメチル亜鉛（ＣＨ３） ２
ｚｎ、 ｎ型ドーパントのセレン化水素Ｈｏ５ｅを用い
た。成長条件は、成長温度７５０℃、成長圧力９３３０
Ｐａ、Ｖ族原料気体と■族原料気体（２種以上のときは
その合計）のモル比を３０／１１キヤリアガス（Ｈｌ）
の総流量５Ｌ／ｍｉｎとした。それぞれの層厚は順に１
．０．０．１． Ｌ、０．０．３． Ｌ、０．０．
７／ｊｍとする。この成長ではメサの高さと同じ厚みの
結晶層が成長するまでは先に述べた成長効果でメサ上面
、および底面に平行な結晶膜が成長する。このとき形成
される新しい段差面は（ｔ ｔ １）Ｂ面ではなく、こ
のだめそれ以降形成される結晶膜は、この新しい段差面
にも成長し始める。しかしながら（１１１） Ｂ面が消
失してから光ガイド層５までの眉は薄いから、発光部の
活性層３は、他の層を１−２とんど介さず直接光ガイド
層５と結合する。この光ガイド層５は屈折率の低いｐ型
苗１１第２クラッド層４，６で囲まれているから、端面
まで完全な光導波機構が存在することになる。最後に、
発光領域のみＫＳｉ０２をマスクとしてストライプ状の
Ｐ拡散層８を形成し、ｎ型電極、ｐ型電極１０を形成し
て、本発明に係わる一実施例が形成される。
こうしてつくられた窓構造型半導体レーザは、同様の亜
鉛拡散ストライプ構造の、通常のダブルへテロ構造型半
導体レーザに比べて２０係程度量子効率が低下した。こ
れは従来の窓構造型半導体レーザの量子効率の低下が５
０チ程度であることを考えると、小さな効率の低下に抑
えられていることがわかる。また発光近視野保がふたつ
のスポットに分離する素子は全く無かった。
鉛拡散ストライプ構造の、通常のダブルへテロ構造型半
導体レーザに比べて２０係程度量子効率が低下した。こ
れは従来の窓構造型半導体レーザの量子効率の低下が５
０チ程度であることを考えると、小さな効率の低下に抑
えられていることがわかる。また発光近視野保がふたつ
のスポットに分離する素子は全く無かった。
以上に実施例を挙げてＡｌＧａＡｓ系について説明を行
ったが、ＧａＩｎＡｓＰ、ＡＩＧａＩｎＰ等の他の化合
物半導体に本発明を適用しても全く同様の効果がある。
ったが、ＧａＩｎＡｓＰ、ＡＩＧａＩｎＰ等の他の化合
物半導体に本発明を適用しても全く同様の効果がある。
また実施例では説明を容易にするために亜鉛拡散と言う
簡単な素子構造を用いたが、種々の横モード制御構造に
本発明を適用して高性能半導体レーザを作ることが出来
る。
簡単な素子構造を用いたが、種々の横モード制御構造に
本発明を適用して高性能半導体レーザを作ることが出来
る。
（発明の効果）
本発明の構造では、基板が低くなっている端面部では、
発光部の活性層３の位置に第三半導体層（光ガイド層５
）が他の屑をほとんど介さず位置するから、端面での反
射率の低下なしに端面での光吸収がないＣＯＤフリーな
高出力特性が得られる。さらに端面部の第三半導体層は
周囲を屈折率の低い第二、四半導体層（ｐ型クラッド層
４，６）で囲まれていをから、端面部にも完全な光導波
機構が存在することになシ、光利用率が高く低閾値で高
効率な特性が期待できる。また端面部の第三半導体層は
端面部の活性層３から第二半導体層（ｐ型クラッド、層
４）を介して分離しているから、発振光は端面部の活性
層３に導波されることがなく、従って単一な光ビームを
得ることが出来る。
発光部の活性層３の位置に第三半導体層（光ガイド層５
）が他の屑をほとんど介さず位置するから、端面での反
射率の低下なしに端面での光吸収がないＣＯＤフリーな
高出力特性が得られる。さらに端面部の第三半導体層は
周囲を屈折率の低い第二、四半導体層（ｐ型クラッド層
４，６）で囲まれていをから、端面部にも完全な光導波
機構が存在することになシ、光利用率が高く低閾値で高
効率な特性が期待できる。また端面部の第三半導体層は
端面部の活性層３から第二半導体層（ｐ型クラッド、層
４）を介して分離しているから、発振光は端面部の活性
層３に導波されることがなく、従って単一な光ビームを
得ることが出来る。
そこで、本発明によれば、低閾値、高効率、高出力で信
頼性の高い半導体レーザが実現できる。
頼性の高い半導体レーザが実現できる。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図（ａ）
、 （ｂ）及び（ｃ）は第１図の線Ａ −Ａ’。 Ｂ −Ｂ’及びＣ−Ｃ’における断面でそれぞれ見た矢
視断面図、第３図は従来の窓構造半導体レーザの斜視図
、第４図（ａ）及び（ｂ）は第３図の縮ＡＡ／及びＣ−
Ｃ’でそれぞれ見た矢視１所面図である。 これら図において、１１／′！、ｎ型ＧａＡｓ基板、２
はｎ型ＡＩ０，４１ Ｇａｏ、ｓｏ Ａｓクラッド層、
３はＡ１６Ｊ）ＢＧａｏ、ａｔ Ａｓ活性層、４はｐ型
Ａｌｏ、ｉｔ Ｇａｏ、、 Ａｓ第１クラッド層、５は
ｐ型Ａ １０．ｓｏ Ｇ ａ ［＋、ＴＯＡ Ｓ光ガイ
ド層、６はｐ型Ａ １ ａ４１ Ｇ ａｎ、ｓ ９Ａ
３ 第２クラッド層、７はｎ型ＧａＡｓ電極層、８はＰ
拡散層、９はｎ型電極、１０ばｐ型電極、１１は（Ｌ
Ｌ １） Ｂ面、１２はｎ型ＧａＡｓ基板、１３はｎ型
Ｇａ Ａｓブロック居、１４はｐ型ＡＩＱ、４１ Ｇａ
ｏ、ｓｏ Ａｓクラッド、′、Ｊ１ｌ５はＡｌｏ、ａｓ
Ｇａｏ、ｏｘ Ａｓ活性層、１６はｎ型ＡＩＱ４１Ｇ
ａＯ，５９Ａ３クラッド層、１７はｎ型ＧａＡｓ電極層
をそれぞれ示す。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介 ２： ｎ ９ＡＩ０．４１０ａｏ、ｓ、Ａｓ ７う・・
ド層３ ： Ａｆｏ、ｏｓＧａｏりｚＡｓテ占、 、
）Ｉ Ｉ＃４：ｐ型Ａ！ｏ、ａ＋Ｇａｏ、５９Ａｓｌｌ
７う・ＩＦ層５ ： ρ型Ａｆｏ３Ｇａｏ７Ａｓ ’
Ｌ Ｑ−イド／１６：ρ”ｉＡ！ｏ４＋Ｇａｏ、５ｉＡ
ｓ 第２７うば層７ ： ｎ ”ｉ ＧａＡｓ層 第１図 （ａ） 第２図 １４ ｐ−Ａｊｌｏ、ｚ＋Ｇａｏ、５ｓＡｓ ７
う、７ト層１５ Ａｊｌｏ、ｏａＧａｏ ９ｚＡｓ
；４＋）１層１５ ｎ−Ａｆｆｉｏ４＋Ｇａｏ、５
９Ａｓ ７う・７ド層ｔ、、７； ３図 （ａ＞ （ｂ） 第４図 手続補正 書（自発）
、 （ｂ）及び（ｃ）は第１図の線Ａ −Ａ’。 Ｂ −Ｂ’及びＣ−Ｃ’における断面でそれぞれ見た矢
視断面図、第３図は従来の窓構造半導体レーザの斜視図
、第４図（ａ）及び（ｂ）は第３図の縮ＡＡ／及びＣ−
Ｃ’でそれぞれ見た矢視１所面図である。 これら図において、１１／′！、ｎ型ＧａＡｓ基板、２
はｎ型ＡＩ０，４１ Ｇａｏ、ｓｏ Ａｓクラッド層、
３はＡ１６Ｊ）ＢＧａｏ、ａｔ Ａｓ活性層、４はｐ型
Ａｌｏ、ｉｔ Ｇａｏ、、 Ａｓ第１クラッド層、５は
ｐ型Ａ １０．ｓｏ Ｇ ａ ［＋、ＴＯＡ Ｓ光ガイ
ド層、６はｐ型Ａ １ ａ４１ Ｇ ａｎ、ｓ ９Ａ
３ 第２クラッド層、７はｎ型ＧａＡｓ電極層、８はＰ
拡散層、９はｎ型電極、１０ばｐ型電極、１１は（Ｌ
Ｌ １） Ｂ面、１２はｎ型ＧａＡｓ基板、１３はｎ型
Ｇａ Ａｓブロック居、１４はｐ型ＡＩＱ、４１ Ｇａ
ｏ、ｓｏ Ａｓクラッド、′、Ｊ１ｌ５はＡｌｏ、ａｓ
Ｇａｏ、ｏｘ Ａｓ活性層、１６はｎ型ＡＩＱ４１Ｇ
ａＯ，５９Ａ３クラッド層、１７はｎ型ＧａＡｓ電極層
をそれぞれ示す。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介 ２： ｎ ９ＡＩ０．４１０ａｏ、ｓ、Ａｓ ７う・・
ド層３ ： Ａｆｏ、ｏｓＧａｏりｚＡｓテ占、 、
）Ｉ Ｉ＃４：ｐ型Ａ！ｏ、ａ＋Ｇａｏ、５９Ａｓｌｌ
７う・ＩＦ層５ ： ρ型Ａｆｏ３Ｇａｏ７Ａｓ ’
Ｌ Ｑ−イド／１６：ρ”ｉＡ！ｏ４＋Ｇａｏ、５ｉＡ
ｓ 第２７うば層７ ： ｎ ”ｉ ＧａＡｓ層 第１図 （ａ） 第２図 １４ ｐ−Ａｊｌｏ、ｚ＋Ｇａｏ、５ｓＡｓ ７
う、７ト層１５ Ａｊｌｏ、ｏａＧａｏ ９ｚＡｓ
；４＋）１層１５ ｎ−Ａｆｆｉｏ４＋Ｇａｏ、５
９Ａｓ ７う・７ド層ｔ、、７； ３図 （ａ＞ （ｂ） 第４図 手続補正 書（自発）
Claims (1)
- 発光部となる主部と端面近傍の副部とから成り、前記主
部が形成された部分の基板は前記副部が形成された部分
の基板より高く、前記主部部分と前記副部部分との境界
において前記基板は段差を有し、その段差（１１１）Ｂ
面でなり、第一導電型の第一半導体層、活性層、第二導
電型の第二半導体層、第二導電型の第三半導体層および
第二導電型の第四半導体層が前記基板上に順次に形成し
てあり、前記第三半導体層の屈折率は前記第一、二及び
四半導体層の屈折率より大きく、前記主部の前記活性層
と前記副部の前記第三半導体層とは高さ方向の位置が一
致していることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17946486A JPS6334993A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17946486A JPS6334993A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6334993A true JPS6334993A (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=16066308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17946486A Pending JPS6334993A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6334993A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0332723A1 (en) * | 1988-03-15 | 1989-09-20 | International Business Machines Corporation | High-power semiconductor diode laser |
| JPH0312981A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| JP2004140142A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザおよび光通信用素子 |
| JP2007095776A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光レーザ素子およびレーザアレイ |
-
1986
- 1986-07-29 JP JP17946486A patent/JPS6334993A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0332723A1 (en) * | 1988-03-15 | 1989-09-20 | International Business Machines Corporation | High-power semiconductor diode laser |
| JPH0312981A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| JP2004140142A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザおよび光通信用素子 |
| JP2007095776A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光レーザ素子およびレーザアレイ |
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