JPS633432A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS633432A JPS633432A JP14851586A JP14851586A JPS633432A JP S633432 A JPS633432 A JP S633432A JP 14851586 A JP14851586 A JP 14851586A JP 14851586 A JP14851586 A JP 14851586A JP S633432 A JPS633432 A JP S633432A
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- fuse
- energy
- insulating film
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Links
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Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザビームにより不良セルを冗長回路と切
り換えるレーザヒユーズを有する半導体装置に関し、特
にレーザヒユーズ部に於ける構造に関する。
り換えるレーザヒユーズを有する半導体装置に関し、特
にレーザヒユーズ部に於ける構造に関する。
従来の半導体装置に於けるレーザヒユーズ部について図
面を用いて説明する。第４図ないし第６図は従来例を説
明するための縦断面図である。第４図に示すように、レ
ーザヒユーズ１１は、半導体基板１３上に形成された酸
化膜１２上に形成されている。不良セルと冗長回路との
切り換えは、レーザビーム１４によりヒユーズ１１を切
断することにより行なわれる。第５図、第６図は、ヒユ
ーズ切断後で、第５図は適切なレーザーパワーで切断さ
れた場合である、ヒユーズ１１は完全に切断され、酸化
膜１２はレーザビーム１４が照射された部分で多少凹に
なっている。第６図はレーザパワーが大きい場合で、ヒ
ユーズ１１だけでなく酸化膜１２を貫抜き半導体基板１
３に穴１５を開けている。
面を用いて説明する。第４図ないし第６図は従来例を説
明するための縦断面図である。第４図に示すように、レ
ーザヒユーズ１１は、半導体基板１３上に形成された酸
化膜１２上に形成されている。不良セルと冗長回路との
切り換えは、レーザビーム１４によりヒユーズ１１を切
断することにより行なわれる。第５図、第６図は、ヒユ
ーズ切断後で、第５図は適切なレーザーパワーで切断さ
れた場合である、ヒユーズ１１は完全に切断され、酸化
膜１２はレーザビーム１４が照射された部分で多少凹に
なっている。第６図はレーザパワーが大きい場合で、ヒ
ユーズ１１だけでなく酸化膜１２を貫抜き半導体基板１
３に穴１５を開けている。
上述した従来の半導体装置に於けるレーザヒユーズでは
、ヒユーズ切断に用いるレーザ装置にエネルギーのバラ
ツキがあり、大きなエネルギーがレーザヒユーズに照射
された場合ヒユーズ下の絶縁用酸化膜を破壊し、半導体
基板にまで穴を開けてしまう、そのため、ヒユーズを切
断したにもかかわらず、半導体装置使用中にこの部分で
リーク電流が流れ所定の性能が得られないという欠点が
あった。
、ヒユーズ切断に用いるレーザ装置にエネルギーのバラ
ツキがあり、大きなエネルギーがレーザヒユーズに照射
された場合ヒユーズ下の絶縁用酸化膜を破壊し、半導体
基板にまで穴を開けてしまう、そのため、ヒユーズを切
断したにもかかわらず、半導体装置使用中にこの部分で
リーク電流が流れ所定の性能が得られないという欠点が
あった。
また、半導体基板に穴を開けないためにはエネルギーの
バラツキの少ないレーザ装置を用いる必要がある。この
ため、レーザの価格が高くなってしまい、このレーザを
用いてヒユーズ切断を行なった半導体装置の価格が高く
なるという欠点があった。
バラツキの少ないレーザ装置を用いる必要がある。この
ため、レーザの価格が高くなってしまい、このレーザを
用いてヒユーズ切断を行なった半導体装置の価格が高く
なるという欠点があった。
本発明の半導体装置は、レーザ装置のエネルギーのバラ
ツキが大きく、過大なエネルギーを持つレーザビームが
ヒユーズに照射されてもヒユーズ下の絶縁性が確保され
ると同時にエネルギーバラツキの大きな安価なレーザ装
置を用いることが可能で安価に生産できる半導体装置を
提供することにある。
ツキが大きく、過大なエネルギーを持つレーザビームが
ヒユーズに照射されてもヒユーズ下の絶縁性が確保され
ると同時にエネルギーバラツキの大きな安価なレーザ装
置を用いることが可能で安価に生産できる半導体装置を
提供することにある。
本発明の半導体装置は、レーザビームにより不良セルを
冗長回路と切り換えるレーザヒユーズを有する半導体装
置に於いて、該レーザヒユーズ下にレーザエネルギー吸
収層を有することにより構成される。
冗長回路と切り換えるレーザヒユーズを有する半導体装
置に於いて、該レーザヒユーズ下にレーザエネルギー吸
収層を有することにより構成される。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図、第２図、第３図は本発明の一実施例の縦段面
図である。第１図において、半導体基板５上には絶縁膜
４が形成されており、絶縁膜４上にレーザエネルギー吸
収層３が形成されている。レーザエネルギー吸収層３上
には絶縁膜２が形成され、その上にレーザヒユーズ１が
作られ・ている、レーザエネルギー吸収層３の材質はレ
ーザヒユーズ１の材質によって適宜選択され、例えばレ
ーザヒユーズ１が多結晶シリコンであればレーザエネル
ギー吸収層３は多結晶シリコンあるいはアルミニウム、
レーザヒユーズ１がアルミニウムであればレーザエネル
ギー吸収層３はアルミニウムが適している。ただし、レ
ーザヒユーズ１゜レーザエネルギー吸収層３とも材質は
限定されるものではない。不良セルと冗長回路との切り
換えはレーザビーム６をヒユーズ１に照射し、切断する
ことにより行なわれる。
。第１図、第２図、第３図は本発明の一実施例の縦段面
図である。第１図において、半導体基板５上には絶縁膜
４が形成されており、絶縁膜４上にレーザエネルギー吸
収層３が形成されている。レーザエネルギー吸収層３上
には絶縁膜２が形成され、その上にレーザヒユーズ１が
作られ・ている、レーザエネルギー吸収層３の材質はレ
ーザヒユーズ１の材質によって適宜選択され、例えばレ
ーザヒユーズ１が多結晶シリコンであればレーザエネル
ギー吸収層３は多結晶シリコンあるいはアルミニウム、
レーザヒユーズ１がアルミニウムであればレーザエネル
ギー吸収層３はアルミニウムが適している。ただし、レ
ーザヒユーズ１゜レーザエネルギー吸収層３とも材質は
限定されるものではない。不良セルと冗長回路との切り
換えはレーザビーム６をヒユーズ１に照射し、切断する
ことにより行なわれる。
第２図、第３図はヒユーズ切断後で、第２図は適切なレ
ーザパワーで切断された場合である。ヒユーズ１は完全
に切断され、絶縁膜２はレーザビーム６が照射された部
分で多少口になっている。
ーザパワーで切断された場合である。ヒユーズ１は完全
に切断され、絶縁膜２はレーザビーム６が照射された部
分で多少口になっている。
第３図はレーザパワーが大きい場合で、ヒユーズ１だけ
でなく絶縁膜２をも貫いている。ところが絶縁膜２下の
レーザエネルギー吸収層３で余分なレーザエネルギーは
吸収され、絶縁膜４は何らダメージを受けていない。さ
らに大きなレーザパワーを照射した場合、レーザエネル
ギー吸収層３を破壊する可能性はあるが、その場合、吸
収層３の材質、膜厚等適切な条件を決定すれば絶縁膜４
はダメージを受けない。
でなく絶縁膜２をも貫いている。ところが絶縁膜２下の
レーザエネルギー吸収層３で余分なレーザエネルギーは
吸収され、絶縁膜４は何らダメージを受けていない。さ
らに大きなレーザパワーを照射した場合、レーザエネル
ギー吸収層３を破壊する可能性はあるが、その場合、吸
収層３の材質、膜厚等適切な条件を決定すれば絶縁膜４
はダメージを受けない。
ここで絶縁膜２．絶縁Ｍ４は絶縁性のある材質であれば
ＳｉＯ２，ＰＳＧ等何でもかまわず、また例えば絶縁膜
２絶縁膜４はそれぞれＰＳＧ膜とＳｉＮ膜との２層膜と
いった多層膜構造でもかまわない。
ＳｉＯ２，ＰＳＧ等何でもかまわず、また例えば絶縁膜
２絶縁膜４はそれぞれＰＳＧ膜とＳｉＮ膜との２層膜と
いった多層膜構造でもかまわない。
なお、上記した大きなレーザパワーを照射し導電性の吸
収層が露出したとき吸収層と非破壊部のヒユーズとの絶
縁はヒユーズより絶縁膜２が破壊されにくいので絶縁膜
２により十分に保つことが出来る。 ２ 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明はヒユーズ下にレーザエネル
ギー吸収層を有することにより、レーザ装置のエネルギ
ーのバラツキが大きく、過大なエネルギーを持つレーザ
ビームがヒユーズに照射されても、ヒユーズ下の絶縁性
が確保されると同時に、エネルギーバラツキの大きな安
価なレーザー装置を用いることが可能で、半導体装置が
安価に提供できるという効果がある。
収層が露出したとき吸収層と非破壊部のヒユーズとの絶
縁はヒユーズより絶縁膜２が破壊されにくいので絶縁膜
２により十分に保つことが出来る。 ２ 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明はヒユーズ下にレーザエネル
ギー吸収層を有することにより、レーザ装置のエネルギ
ーのバラツキが大きく、過大なエネルギーを持つレーザ
ビームがヒユーズに照射されても、ヒユーズ下の絶縁性
が確保されると同時に、エネルギーバラツキの大きな安
価なレーザー装置を用いることが可能で、半導体装置が
安価に提供できるという効果がある。
第１図、第２図及び第３図は本発明の一実施例の縦断面
図、第４図、第５図及び第６図は従来例の縦断面図であ
る。 １・・・レーザヒユーズ、２・・・絶縁膜、３・・・レ
ーザエネルギー吸収層、４・・・絶縁膜、５・・・半導
体基板、６・・・レーザビーム、１１・・・レーザヒユ
ーズ、１２・・・酸化膜、１３・・・半導体基板、１４
・・・レーザビーム、１５・・・穴。 第 １ 面 寮 Ｚ 必 察 ３Ｔｆ１
図、第４図、第５図及び第６図は従来例の縦断面図であ
る。 １・・・レーザヒユーズ、２・・・絶縁膜、３・・・レ
ーザエネルギー吸収層、４・・・絶縁膜、５・・・半導
体基板、６・・・レーザビーム、１１・・・レーザヒユ
ーズ、１２・・・酸化膜、１３・・・半導体基板、１４
・・・レーザビーム、１５・・・穴。 第 １ 面 寮 Ｚ 必 察 ３Ｔｆ１
Claims (1)
- レーザ・ビームにより不良セルを冗長回路と切り換え
るレーザヒューズを有する半導体装置に於いて、該レー
ザヒューズ下にレーザエネルギー吸収層を有することを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14851586A JPS633432A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14851586A JPS633432A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS633432A true JPS633432A (ja) | 1988-01-08 |
Family
ID=15454494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14851586A Pending JPS633432A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS633432A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03292418A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-24 | Toyota Motor Corp | 等速自在継手の外方部材の製造方法 |
| US5321300A (en) * | 1990-05-08 | 1994-06-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Laser-broken fuse |
| US7115966B2 (en) | 2002-10-29 | 2006-10-03 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5775442A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-12 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS6076140A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-06-24 JP JP14851586A patent/JPS633432A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5775442A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-12 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS6076140A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03292418A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-24 | Toyota Motor Corp | 等速自在継手の外方部材の製造方法 |
| US5321300A (en) * | 1990-05-08 | 1994-06-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Laser-broken fuse |
| US7115966B2 (en) | 2002-10-29 | 2006-10-03 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
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