JPS63318529A - 光集積回路 - Google Patents
光集積回路Info
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- JPS63318529A JPS63318529A JP15464487A JP15464487A JPS63318529A JP S63318529 A JPS63318529 A JP S63318529A JP 15464487 A JP15464487 A JP 15464487A JP 15464487 A JP15464487 A JP 15464487A JP S63318529 A JPS63318529 A JP S63318529A
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- JP
- Japan
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- optical
- signal
- light emitting
- optical waveguide
- switch
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- Granted
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光通信および光情報処理分野における光集積
回路に関するものである。
回路に関するものである。
従来の技術
近年、光情報処理の分野において大容量、高速通信シス
テムの必要性が高まってきている。なかでもコヒーレン
ト通信方法は有望なものとしてその実現に期待が集まっ
ている。この方法は送られてきた微小シグナルを、局発
信号とミキシングし、それらを光検出器に導入すること
により、送信側信号を光のビートシグナルとして読み出
そうとするものである。
テムの必要性が高まってきている。なかでもコヒーレン
ト通信方法は有望なものとしてその実現に期待が集まっ
ている。この方法は送られてきた微小シグナルを、局発
信号とミキシングし、それらを光検出器に導入すること
により、送信側信号を光のビートシグナルとして読み出
そうとするものである。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、これらを実現するためには多くの光学コ
ンポーネントを必要とし、かつ精度よくかつ安定なアラ
イメントが不可欠となる。これらの問題が、コヒーレン
ト通信を実現する上で１つの大きな障害となっている。
ンポーネントを必要とし、かつ精度よくかつ安定なアラ
イメントが不可欠となる。これらの問題が、コヒーレン
ト通信を実現する上で１つの大きな障害となっている。
問題点を解決するための手段
そこで本発明の光集積回路では、このような問題点を解
決するため、半導体基板上に、一端が高反射率を有する
よう構成されたストライプ状に発光する発光部と前記発
光部から発した光がなめらかにつながるように構成され
た３次元光導波路と、前記３次元光導波路を１つの入力
ポートとするような２×２光スイッチを配置する。さら
に、前記光スイッチの出力ポートのうち一方が高反射率
を有するよう終端し、他方は前記半導体基板の一端から
入射した受信光を導波し得る３次元光導波路と合流する
形で、前記半導体基板上の一部に形成された第１の光検
出器に導びかれるよう配置する。
決するため、半導体基板上に、一端が高反射率を有する
よう構成されたストライプ状に発光する発光部と前記発
光部から発した光がなめらかにつながるように構成され
た３次元光導波路と、前記３次元光導波路を１つの入力
ポートとするような２×２光スイッチを配置する。さら
に、前記光スイッチの出力ポートのうち一方が高反射率
を有するよう終端し、他方は前記半導体基板の一端から
入射した受信光を導波し得る３次元光導波路と合流する
形で、前記半導体基板上の一部に形成された第１の光検
出器に導びかれるよう配置する。
また、前記元スイッチの１つの入力ポートは、前記半導
体基板上の一部に形成された第２の光検出器に接続され
ている。
体基板上の一部に形成された第２の光検出器に接続され
ている。
さらには、前記光スイッチの１つの出力ポートに設けら
れた高反射率を有するものとして、回折波長可変の回折
格子を備えるものであってもよい。
れた高反射率を有するものとして、回折波長可変の回折
格子を備えるものであってもよい。
作用
上述のような構成において、発光部端面と、光スイッチ
の出力ポートの高反射率端面の間で、外部共振器レーザ
が構成され、これが局部発振器として機能する。この局
部発振器の周波数を受信号の周波数近傍に設定すること
によシ、このレーザ光の一部と外部からの光信号を、導
波路内でミキシングした後、第１の光検出器に導入する
ことによシ、送信側の情報をヘテロダイン検波すること
が可能となる。
の出力ポートの高反射率端面の間で、外部共振器レーザ
が構成され、これが局部発振器として機能する。この局
部発振器の周波数を受信号の周波数近傍に設定すること
によシ、このレーザ光の一部と外部からの光信号を、導
波路内でミキシングした後、第１の光検出器に導入する
ことによシ、送信側の情報をヘテロダイン検波すること
が可能となる。
また第２の光検出器の設置によシ、局発光のモニタも容
易に行なうことができ、局発光のムＰＣ動作が可能とな
る。
易に行なうことができ、局発光のムＰＣ動作が可能とな
る。
実施例
図は本発明の光集積回路の第１の実施例を示すもので、
１は半導体基板、２は発光部、３は３次元光導波路、４
は２×２光スイッチ、６および７は光検出器、６は反射
膜、８は外部からの信号を光検出器５に導くための３次
元光導波路である。
１は半導体基板、２は発光部、３は３次元光導波路、４
は２×２光スイッチ、６および７は光検出器、６は反射
膜、８は外部からの信号を光検出器５に導くための３次
元光導波路である。
ここで、構成材料はＧａＡｓｔ、 ＩｎＰ又はＺｎＳ等
の■−Ｖもしくは■−■の化合物半導体が望ましいが、
３次元光導波路３等のパッシブな部分に関しては上述の
半導体材料に限定するものではない。これらのことは以
下の実施例についても同様である。
の■−Ｖもしくは■−■の化合物半導体が望ましいが、
３次元光導波路３等のパッシブな部分に関しては上述の
半導体材料に限定するものではない。これらのことは以
下の実施例についても同様である。
発光部２にて発した光は３次元光導波路３を通り、光ス
イッチ４をへて反射膜６で反射され、活性部（発光部）
２に帰還され、これが外部共振器型レーザとして動作す
る。この光の一部を光スイッチ４によりとシ出し、３次
元光導波路８によシ導入された受信光と合波し、光検出
器５に導びくことにより外部からの信号を読み出すもの
である。
イッチ４をへて反射膜６で反射され、活性部（発光部）
２に帰還され、これが外部共振器型レーザとして動作す
る。この光の一部を光スイッチ４によりとシ出し、３次
元光導波路８によシ導入された受信光と合波し、光検出
器５に導びくことにより外部からの信号を読み出すもの
である。
また反射膜６のかわシに、回折波長可変の回折格子を配
置することによシ、局部発振光の周波数を制御すること
によりヘテロダイン受信時の周波数帯に自由度をもたせ
ることが可能となる。
置することによシ、局部発振光の周波数を制御すること
によりヘテロダイン受信時の周波数帯に自由度をもたせ
ることが可能となる。
また、光検出器７により局部発振用のパワーをモニタす
ることが可能となり、精度よい受信が行なわれる。
ることが可能となり、精度よい受信が行なわれる。
発明の効果
上述のように本発明によれば、光信号を局部発信信号と
ミキシングし、ビート検出方法を実現するに必要な光学
的要素を同一基板上に集積化することにより、複雑なア
ライメント等の必要がなくなる。また回折格子の回折波
長を制御することによシ、送られてくる信号をヘテロダ
イン検出する時の周波数帯に自由度が得られる。
ミキシングし、ビート検出方法を実現するに必要な光学
的要素を同一基板上に集積化することにより、複雑なア
ライメント等の必要がなくなる。また回折格子の回折波
長を制御することによシ、送られてくる信号をヘテロダ
イン検出する時の周波数帯に自由度が得られる。
図は本発明の一実施例における光集積回路の構成を示す
上面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・発光部、３
・・・・・・３次元光導波路、４・・・・・・２×２光
スイッチ、５．７・・・・・・光検出器、６・・・・・
・反射膜、８・・・・・・３次元光導波路。
上面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・発光部、３
・・・・・・３次元光導波路、４・・・・・・２×２光
スイッチ、５．７・・・・・・光検出器、６・・・・・
・反射膜、８・・・・・・３次元光導波路。
Claims (2)
- （１）半導体基板に、一端が高反射率を有するよう構成
されたストライプ状に発光する発光部と前記発光部から
発した光がなめらかにつながるように構成された３次元
光導波路と、前記３次元光導波路を１つの入力ポートと
するような２×２光スイッチが配置され、前記光スイッ
チの出力ポートのうち一方が高反射率を有するもので終
端し、他方は前記半導体基板の一端から入射した受信光
を導波し得る３次元光導波路と合流する形で前記半導体
基板上の一部に形成された第１の光検出器に導びかれる
ように配置され、前記光スイッチの１つの入力ポートが
、前記半導体基板上の一部に形成された第２の光検出器
に接続されている光集積回路。 - （２）高反射率を有するものとして回折波長可変の回折
格子が配置されている特許請求の範囲第１項記載の光集
積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15464487A JP2523650B2 (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 光集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15464487A JP2523650B2 (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 光集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63318529A true JPS63318529A (ja) | 1988-12-27 |
| JP2523650B2 JP2523650B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=15588726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15464487A Expired - Fee Related JP2523650B2 (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 光集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2523650B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0617314A4 (en) * | 1992-09-10 | 1995-10-18 | Fujitsu Ltd | SYSTEM WITH OPTICAL SWITCHING AND ITS COMPONENTS. |
| WO1996018131A1 (en) * | 1994-12-08 | 1996-06-13 | Northern Telecom Limited | Optical waveguide cross-point switch |
| US6693736B1 (en) | 1992-09-10 | 2004-02-17 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and components of same |
| US7421002B2 (en) * | 2005-11-08 | 2008-09-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Laser-induced optical wiring apparatus |
-
1987
- 1987-06-22 JP JP15464487A patent/JP2523650B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0617314A4 (en) * | 1992-09-10 | 1995-10-18 | Fujitsu Ltd | SYSTEM WITH OPTICAL SWITCHING AND ITS COMPONENTS. |
| US6215585B1 (en) | 1992-09-10 | 2001-04-10 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and components of same technical field |
| US6693736B1 (en) | 1992-09-10 | 2004-02-17 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and components of same |
| WO1996018131A1 (en) * | 1994-12-08 | 1996-06-13 | Northern Telecom Limited | Optical waveguide cross-point switch |
| US7421002B2 (en) * | 2005-11-08 | 2008-09-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Laser-induced optical wiring apparatus |
| US7773657B2 (en) | 2005-11-08 | 2010-08-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Laser-induced optical wiring apparatus |
| US8000370B2 (en) | 2005-11-08 | 2011-08-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Laser-induced optical wiring apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2523650B2 (ja) | 1996-08-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |