JPS63316312A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS63316312A JPS63316312A JP15304587A JP15304587A JPS63316312A JP S63316312 A JPS63316312 A JP S63316312A JP 15304587 A JP15304587 A JP 15304587A JP 15304587 A JP15304587 A JP 15304587A JP S63316312 A JPS63316312 A JP S63316312A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- recording medium
- magnetic recording
- material layer
- magnetic layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 67
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 abstract 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- -1 Go Substances 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は垂直磁気記録に用いることができる磁気記録媒
体に関する。
体に関する。
従来、磁気記録は、プラスチックフィルムのような非磁
性支持体上に、酸化鉄などの強磁性体微粉末および樹脂
バインダーを主成分とする磁性体層を形成し、磁性体層
の面方向と平行方向に磁化を行う方法が一般に用いられ
てきた。
性支持体上に、酸化鉄などの強磁性体微粉末および樹脂
バインダーを主成分とする磁性体層を形成し、磁性体層
の面方向と平行方向に磁化を行う方法が一般に用いられ
てきた。
しかし、このような面内磁気記録において記録密度を大
きくしようとすると、磁性体層内の減磁界が増加するた
め、記録密度の向上には限界があった。
きくしようとすると、磁性体層内の減磁界が増加するた
め、記録密度の向上には限界があった。
近年、この面内記録方式の欠点を解決するものとして、
磁性体層の面方向に対して垂直方向に磁化容易軸をもつ
磁性体層を用い、垂直方向に磁化を行う垂直磁気記録方
式が提案された。
磁性体層の面方向に対して垂直方向に磁化容易軸をもつ
磁性体層を用い、垂直方向に磁化を行う垂直磁気記録方
式が提案された。
この方式は、記録密度が高まるほど磁性体層内の減磁界
が減少するので1本質的に高密度記録に適しており、多
くの研究が行われている。
が減少するので1本質的に高密度記録に適しており、多
くの研究が行われている。
垂直方向に磁化容易軸をもつ磁性層としては、たとえば
スパッタリング法や蒸着法で形成されたCo−Cr、G
o−0,Co−Pt、Fe、04゜B a F a、、
0.3. Co F O20,薄膜、N d −Fe−
Go、Pr−Feアモルファス薄膜、Bi置換ガーネッ
ト薄膜が検討されている。また、その他のものとして、
無電解メッキ法によるco−Ni−Pt(Re)や、塗
布法によってBaF e120Lll y F e、
03. Cr 02などの強磁性体微粉末を結合剤とと
もに支持体上に付着せしめ、磁場配向によって磁化容易
軸を垂直方向に揃える方法も検討されている。
スパッタリング法や蒸着法で形成されたCo−Cr、G
o−0,Co−Pt、Fe、04゜B a F a、、
0.3. Co F O20,薄膜、N d −Fe−
Go、Pr−Feアモルファス薄膜、Bi置換ガーネッ
ト薄膜が検討されている。また、その他のものとして、
無電解メッキ法によるco−Ni−Pt(Re)や、塗
布法によってBaF e120Lll y F e、
03. Cr 02などの強磁性体微粉末を結合剤とと
もに支持体上に付着せしめ、磁場配向によって磁化容易
軸を垂直方向に揃える方法も検討されている。
しかしながら、塗布法によるものは結合剤を用いるため
に磁性体層の磁化量が減少するので、記録密度の向上の
ためにはスパッタリング法、蒸着法等のPVD法による
ものや、メッキ法の方が好ましい。
に磁性体層の磁化量が減少するので、記録密度の向上の
ためにはスパッタリング法、蒸着法等のPVD法による
ものや、メッキ法の方が好ましい。
垂直磁化材料の中でも、六方晶最密充填(hcp)構造
のマグネトブランバイト型フェライトは、磁気異方性が
大きいこと、化学的に安定であること、さらにはコスト
が安いこと等の理由から多くの研究がなされてきた。
のマグネトブランバイト型フェライトは、磁気異方性が
大きいこと、化学的に安定であること、さらにはコスト
が安いこと等の理由から多くの研究がなされてきた。
しかしながら、垂直配向したマグネトブランバイト型六
方晶フェライト磁性体膜を形成するには、支持体温度を
500℃以上にして成膜する必要があった。500℃よ
り低い温度で成膜するとアモルファス膜となり磁性を示
さないため、基板としてはシリコンウェハー等の耐熱性
を有するものを用いる必要があった。現在、500℃以
上で熱変形しないプラスチックフィルムがないため、マ
グネトブランバイト型六方晶フェライトの強磁性酸化物
薄膜を用いた連続磁性体膜を得ることは困難であった。
方晶フェライト磁性体膜を形成するには、支持体温度を
500℃以上にして成膜する必要があった。500℃よ
り低い温度で成膜するとアモルファス膜となり磁性を示
さないため、基板としてはシリコンウェハー等の耐熱性
を有するものを用いる必要があった。現在、500℃以
上で熱変形しないプラスチックフィルムがないため、マ
グネトブランバイト型六方晶フェライトの強磁性酸化物
薄膜を用いた連続磁性体膜を得ることは困難であった。
また、垂直配向したマグネトブランバイト型六方晶フェ
ライト磁性体膜は、前にも述べたようにスパッタリング
法やイオンブレーティング法等で形成されるが、その0
面の配向性は必ずしも十分でなく、そのため垂直方向に
測定した磁気特性にも十分とはいえなかった。
ライト磁性体膜は、前にも述べたようにスパッタリング
法やイオンブレーティング法等で形成されるが、その0
面の配向性は必ずしも十分でなく、そのため垂直方向に
測定した磁気特性にも十分とはいえなかった。
本発明は比較的低温にて成膜でき、しかも高密度記録が
可能で、しかも連続磁性体層とすることができる配向性
に優れた垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする
ものである。
可能で、しかも連続磁性体層とすることができる配向性
に優れた垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする
ものである。
本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体上に一般式(1
) %式%(1) (式中、Me、Ma、x、nは次の通りである。
) %式%(1) (式中、Me、Ma、x、nは次の通りである。
Ma:Ba、Pb、Sr、CaおよびScから選ばれる
少なくとも1種の金属元素 Ma:Feと置換可能な1種または2種以上の金属元素 x:0≦X≦1 れ:5≦n≦6) で表わされる強磁性酸化物からなる磁性体層を設けた磁
気記録媒体中において、該磁性体層が5at%以下のO
sを含有したものであることを特徴とするものである。
少なくとも1種の金属元素 Ma:Feと置換可能な1種または2種以上の金属元素 x:0≦X≦1 れ:5≦n≦6) で表わされる強磁性酸化物からなる磁性体層を設けた磁
気記録媒体中において、該磁性体層が5at%以下のO
sを含有したものであることを特徴とするものである。
以下、添付図面に沿って本発明についてさらに詳細に説
明する。第1図は本発明の磁気記録媒体の構成例を示す
断面図であり、非磁性支持体11上に磁性体層13が形
成されている。
明する。第1図は本発明の磁気記録媒体の構成例を示す
断面図であり、非磁性支持体11上に磁性体層13が形
成されている。
磁性体層13は、以下の一般式(I)で表わされる強磁
性酸化物にO3を含有したものからなる。
性酸化物にO3を含有したものからなる。
MeO・ n(MazFe、−1○3)−(1)(式中
、Me、Ma、x、nは次の通りである。
、Me、Ma、x、nは次の通りである。
Me : Ba、Pb、Sr、CaおよびScから選ば
れる少なくとも1種の金属元素 Ma:Feと置換可能な1種または2種以上の金属元素 x:0≦x 751 n:5≦n≦6) ここで、Feと置換可能な金属元素Meとしては、Go
、Mn、Ni、Ti、Zn、Al。
れる少なくとも1種の金属元素 Ma:Feと置換可能な1種または2種以上の金属元素 x:0≦x 751 n:5≦n≦6) ここで、Feと置換可能な金属元素Meとしては、Go
、Mn、Ni、Ti、Zn、Al。
Sn、Cu、Cr、Mg等が挙げられ、これらの一種ま
たは二種以上で置換することができる。
たは二種以上で置換することができる。
これらの元素で置換することにより、保磁力、垂直異方
性、キューリ一温度などの特性を制御することができる
、一般式(1)における置換数又は0.1〜0.7の範
囲が好ましく、より好ましくは0.2〜0.5である。
性、キューリ一温度などの特性を制御することができる
、一般式(1)における置換数又は0.1〜0.7の範
囲が好ましく、より好ましくは0.2〜0.5である。
Osは前記強磁性酸化物中に5at%以下。
好ましくは0.1〜0.5at%以下の量で含有される
* 5 a t%を越えるOsが含まれると磁性体層1
3の飽和磁化が減少してしまう。
* 5 a t%を越えるOsが含まれると磁性体層1
3の飽和磁化が減少してしまう。
03は一般式(1)でMaで表わされる元素のように必
ずしも置換されて含有されるのではなく、例えば結晶粒
界中にFeとの化合物となって存在し、結晶成長を助け
るものと考えられる。
ずしも置換されて含有されるのではなく、例えば結晶粒
界中にFeとの化合物となって存在し、結晶成長を助け
るものと考えられる。
Osを含有せしめることより、C面配向性に優れた結晶
成長が得られ、優れた垂直磁気異方性を有する磁性体層
が実現できる。
成長が得られ、優れた垂直磁気異方性を有する磁性体層
が実現できる。
支持体11としては、ポリイミド、ポリアミド。
ポリエーテルサルホン等の耐熱性プラスチックは勿論の
こと、ポリエチレンテレフタレート。
こと、ポリエチレンテレフタレート。
ポリ塩化ビニル、三酢酸セルロース、ポリカーボネート
、ポリメチルメタクリレートの如きプラスチックも使用
できる。また、従来用いられていたシリコンウェハーや
ガラス等のセラミックス、金属支持体等も使用できる。
、ポリメチルメタクリレートの如きプラスチックも使用
できる。また、従来用いられていたシリコンウェハーや
ガラス等のセラミックス、金属支持体等も使用できる。
また、支持体の形状としては、シート状、カード状、デ
ィスク状、ドラム状、長尺テープ状等の任意の形状をと
ることができる。
ィスク状、ドラム状、長尺テープ状等の任意の形状をと
ることができる。
磁性体層の膜厚は0.01〜5μm以下が適当であり、
好ましくは0.1〜0.5μmである。
好ましくは0.1〜0.5μmである。
第2図は、本発明の磁気記録媒体の他の構成例を示す断
面図であり、非磁性支持体11と磁性体層13の間に下
地層17が設けられている。
面図であり、非磁性支持体11と磁性体層13の間に下
地層17が設けられている。
下地層17は、磁性体層13の配向をより簡便に。
例えばより低い成膜温度で、かつ、より配向性を向上さ
せて形成するための層であり、磁性体層材料と格子定数
が近い結晶面をもった非磁性材料が選ばれる。このよう
な材料としては、たとえばZnO,AIN、IjeO,
Al、O,などのhap構造のもの、ある、いはMgO
,Au。
せて形成するための層であり、磁性体層材料と格子定数
が近い結晶面をもった非磁性材料が選ばれる。このよう
な材料としては、たとえばZnO,AIN、IjeO,
Al、O,などのhap構造のもの、ある、いはMgO
,Au。
Fe、04などの面心立方構造(f、c、・C)のもの
を挙げることができる。これらの0面または(111)
面上に強磁性酸化物がエピタキシャル成長して配向する
。下地層13の膜厚は1μm以下が適当であり、好まし
くは0.1〜0.5μmである。
を挙げることができる。これらの0面または(111)
面上に強磁性酸化物がエピタキシャル成長して配向する
。下地層13の膜厚は1μm以下が適当であり、好まし
くは0.1〜0.5μmである。
下地層17を設けることにより、磁性体層13は、非磁
性支持体11面に対してその磁化容易軸を垂直に配向す
ることができる。
性支持体11面に対してその磁化容易軸を垂直に配向す
ることができる。
下地層17.磁性体層13の形成方法としては。
真空蒸着法、イオンブレーティング法、スパッタリング
法などのPVD法(物理的気相成長法)やその他の薄膜
形成方法が使用できる。
法などのPVD法(物理的気相成長法)やその他の薄膜
形成方法が使用できる。
また、磁性体層13の上には、目的に応じて保護層や潤
滑層や反射層などを設けたり、磁性体層の下に、抗磁力
が500e以下の軟磁性体層や。
滑層や反射層などを設けたり、磁性体層の下に、抗磁力
が500e以下の軟磁性体層や。
磁気光学効果をエンハンスするための誘導体層。
を設けることもできる。
本発明の磁気記録媒体によれば、一般式([)で示され
る強磁性酸化物からなる磁性体層中に、Osを含有せし
めることにより、C面配向性に優れた磁性体層が得られ
、良好な垂直磁気記録特性が実現できる。
る強磁性酸化物からなる磁性体層中に、Osを含有せし
めることにより、C面配向性に優れた磁性体層が得られ
、良好な垂直磁気記録特性が実現できる。
本発明の磁気記録媒体は、たとえば、記録。
再生用のトランデューサーとして補助磁極励磁−型垂直
ヘッドを用い、直接媒体に記録、再生を行うこともでき
るし、光磁気記録とよばれているような、磁界と熱を用
いて記録し、磁気光学効果を利用して再生する記録、再
生方法に応用することも可能である。
ヘッドを用い、直接媒体に記録、再生を行うこともでき
るし、光磁気記録とよばれているような、磁界と熱を用
いて記録し、磁気光学効果を利用して再生する記録、再
生方法に応用することも可能である。
実施例1
イオンブレーティング装置を用いて、シリコンウェハー
上に、下記の条件により下地層として厚さ3000人の
ZnOの薄膜を形成した。
上に、下記の条件により下地層として厚さ3000人の
ZnOの薄膜を形成した。
蒸発材料 ZnO
支持体温度 350℃
真空槽内の背圧 6×lO−“Torr酸素ガス
圧力 4 X 10−”Torr高周波電力
150W 蒸発源一基板間隔 27cm 得られたZnO薄膜をX線回折法で調べたところ、(0
02)面のΔθ、。は2.9度で、良好なC軸配向膜と
なっていた。
圧力 4 X 10−”Torr高周波電力
150W 蒸発源一基板間隔 27cm 得られたZnO薄膜をX線回折法で調べたところ、(0
02)面のΔθ、。は2.9度で、良好なC軸配向膜と
なっていた。
BaFe工20□9の微粉末と該Baフェライトに対し
て3モル%のOsの粉末を十分に混合し焼結してターゲ
ットを作成し、総ガス圧35mTorr、酸素分圧0.
3mTorr、膜作成速度25人/分、支持体温度60
0℃の条件でZnO膜の上にスパッタリングし、厚さ0
.3μmの磁性体層を形成した。
て3モル%のOsの粉末を十分に混合し焼結してターゲ
ットを作成し、総ガス圧35mTorr、酸素分圧0.
3mTorr、膜作成速度25人/分、支持体温度60
0℃の条件でZnO膜の上にスパッタリングし、厚さ0
.3μmの磁性体層を形成した。
この磁性体層のX線回折を行って(OOa)面のΔθ5
゜を調べたところ、2.0度であった。X線回折ではB
aフライトの垂直配向面以外は他のピークが見られなか
った。また、この磁性体層中には、2.4at%のO5
が混入されていた。
゜を調べたところ、2.0度であった。X線回折ではB
aフライトの垂直配向面以外は他のピークが見られなか
った。また、この磁性体層中には、2.4at%のO5
が混入されていた。
この磁性体層をVSMで、保持力(Hc)、飽和磁化(
Ms)、異方性磁界(Hk)、角型比(Sq)を測定し
た結果は次の通りであった。
Ms)、異方性磁界(Hk)、角型比(Sq)を測定し
た結果は次の通りであった。
Ha上=2.1KOe
Hc / =1800 e
Ms上=290e m u / c cHk上=13K
Oe Sq上=0.72 以上のようにして作製した磁気記録媒体を厚み0.2μ
mのパーマロイ薄膜をガラス板で狭んだものを主磁極と
し、M n −Z nフェライトを補助磁極とする補助
磁極励磁形垂直ヘッドを用いて記録再生を行ったところ
、 D、、、で82KBP工と高密度な記録ができた。
Oe Sq上=0.72 以上のようにして作製した磁気記録媒体を厚み0.2μ
mのパーマロイ薄膜をガラス板で狭んだものを主磁極と
し、M n −Z nフェライトを補助磁極とする補助
磁極励磁形垂直ヘッドを用いて記録再生を行ったところ
、 D、、、で82KBP工と高密度な記録ができた。
D、。は再生出力が低密度記録時の半分になる記録密度
である。
である。
比較例1
0sを加えない以外は、実施例1と全く同様にしてスパ
ッタリング法によりBaフェライトの磁性体層を作製し
た。測定結果は以下の通りであった。
ッタリング法によりBaフェライトの磁性体層を作製し
た。測定結果は以下の通りであった。
(008)面のΔθ5゜=2.6度
Hc上=1.6KOe
Hc / =3300 e
Ms上=255.e m u / c cHk上=10
KOe Sq上=0.62 D5゜=40K B P I
KOe Sq上=0.62 D5゜=40K B P I
第1図および第2図は、本発明の磁気記録媒体の構成例
を示す断面図である。 11・・・非磁性支持体 13・・・磁性体層17・
・・下地層 篤1 図 鳥2図
を示す断面図である。 11・・・非磁性支持体 13・・・磁性体層17・
・・下地層 篤1 図 鳥2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、非磁性支持体上に、一般式(1) MeO・n(Ma_xFe_2_−_xO_3)( I
)(式中、Me、Ma、x、nは次の通りである。 Me:Ba、Pb、Br、CaおよびSc から選ばれる少なくとも1種の金属 元素 Ma:Feと置換可能な1種または2種以 上の金属元素 x:0≦x≦1 n:5≦n≦6) で表わされる強磁性酸化物からなる磁性体層を設けた磁
気記録媒体において、該磁性体層が5at%以下のOs
を含有したものであることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15304587A JPS63316312A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15304587A JPS63316312A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63316312A true JPS63316312A (ja) | 1988-12-23 |
Family
ID=15553766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15304587A Pending JPS63316312A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63316312A (ja) |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP15304587A patent/JPS63316312A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA1315612C (en) | Perpendicular magnetic storage medium | |
KR20010085701A (ko) | 자기 기록 매체와 그의 제법 및 그것을 이용한 자기 기록장치 | |
JPH056738B2 (ja) | ||
Morisako et al. | Sputtered Mn-Al-Cu films for magnetic recording media | |
JPS63316312A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0418023B2 (ja) | ||
JPS62134817A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2508479B2 (ja) | 軟磁性フエライト薄膜 | |
JPS60187954A (ja) | 磁性薄膜記録媒体 | |
JPS62279517A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH0513323B2 (ja) | ||
JPH0230104A (ja) | 垂直磁化膜 | |
JPH0315245B2 (ja) | ||
JPH0483313A (ja) | 軟磁性薄膜並びに磁気ヘッド | |
JPS6255904A (ja) | 六方晶系フエライト磁性粉末 | |
JP2763913B2 (ja) | 磁性膜及びその製造方法 | |
JPH0719400B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH0380445A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPS59157829A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS6243820A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS63104243A (ja) | 光磁気記録素子 | |
JPS58114329A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS59157827A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS6189605A (ja) | 金属酸化物磁性体および磁性膜 | |
JPS61243925A (ja) | 磁気記録媒体 |