JPS61243925A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS61243925A JPS61243925A JP60084518A JP8451885A JPS61243925A JP S61243925 A JPS61243925 A JP S61243925A JP 60084518 A JP60084518 A JP 60084518A JP 8451885 A JP8451885 A JP 8451885A JP S61243925 A JPS61243925 A JP S61243925A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- thin film
- film
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- Compounds Of Iron (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技揉衾更
本発明は、垂直磁気記録に用いることができる磁気記録
媒体に関する。
媒体に関する。
災米夏艮権
従来、磁気記録は、プラスチックフィルムのような非磁
性支持体上に、酸化鉄などの強磁性体微粉末および樹脂
バインダーを主成分とする磁性層を形成し、磁性層の面
方向と平行方向に磁化を行う方法が一般に用いられてき
た。しかし、このような面内磁気記録において記録密度
を大きくしようとすると、磁性層内の減磁界が増加する
ため、記録密度の向上には限界があった。
性支持体上に、酸化鉄などの強磁性体微粉末および樹脂
バインダーを主成分とする磁性層を形成し、磁性層の面
方向と平行方向に磁化を行う方法が一般に用いられてき
た。しかし、このような面内磁気記録において記録密度
を大きくしようとすると、磁性層内の減磁界が増加する
ため、記録密度の向上には限界があった。
近年、この面内記録方式の欠点を解決するものとして、
磁性層の面方向に対して垂直方向に磁化容易軸をもつ磁
性層を用い、垂直方向に磁化を行う垂直磁気記録方式が
提案された。この方式は、記録密度が高まるほど磁性層
内の減磁界が減少するので、本質的に高密度記録に適し
ており、多くの研究が行われている。
磁性層の面方向に対して垂直方向に磁化容易軸をもつ磁
性層を用い、垂直方向に磁化を行う垂直磁気記録方式が
提案された。この方式は、記録密度が高まるほど磁性層
内の減磁界が減少するので、本質的に高密度記録に適し
ており、多くの研究が行われている。
垂直方向に磁化容易軸をもつ磁性層としては。
たとえばスパッタリング法や蒸着法で形成されたＧｏ−
Ｃｒ、Ｃｏ−０，Ｇｏ−Ｐｔ、Ｇｏ−Ｐｒ。
Ｃｒ、Ｃｏ−０，Ｇｏ−Ｐｔ、Ｇｏ−Ｐｒ。
Ｆ ｅ、０４． Ｂ ａ Ｆ ｅ、２０□、、 Ｃｏ
Ｆ ｅ２０４薄膜が検討されている。また、その他のも
のとして、無電解メッキ法によるＣ ｏ −Ｎ ｉ −
Ｐ ｔ （Ｒｈ ）や、塗布法によってＢａＦｅ１ｔｏ
ｓ９Ｉγ−Ｆ ｅｚ Ｏ３ｅＣｒｙ、などの強磁性体微
粉末を結合剤とともに支持体上に付着せしめ、磁場配向
によって磁化容易軸を垂直方向に揃える方法も検討され
ている。
Ｆ ｅ２０４薄膜が検討されている。また、その他のも
のとして、無電解メッキ法によるＣ ｏ −Ｎ ｉ −
Ｐ ｔ （Ｒｈ ）や、塗布法によってＢａＦｅ１ｔｏ
ｓ９Ｉγ−Ｆ ｅｚ Ｏ３ｅＣｒｙ、などの強磁性体微
粉末を結合剤とともに支持体上に付着せしめ、磁場配向
によって磁化容易軸を垂直方向に揃える方法も検討され
ている。
しかしながら、塗布法によるものは結合剤を用いるため
に磁性層の磁化量が減少するので、記録密度の向上のた
めにはスパッタリング法、蒸着法等のＰＶＤ法によるも
のや、メッキ法の方が好ましい。
に磁性層の磁化量が減少するので、記録密度の向上のた
めにはスパッタリング法、蒸着法等のＰＶＤ法によるも
のや、メッキ法の方が好ましい。
垂直磁化材料の中でも、六方晶最密充填構造のマグネト
ブランバイト型バリウムフェライトは、磁気異方性が大
きいこと、化学的に安定であること、さらにはコストが
安いことなどの理由から多くの研究がなされてきた。
ブランバイト型バリウムフェライトは、磁気異方性が大
きいこと、化学的に安定であること、さらにはコストが
安いことなどの理由から多くの研究がなされてきた。
しかしながら、垂直配向したマグネトブランバイト型六
方品フェライト磁性膜を形成するには、Ｃ面配向したＺ
ｎ○薄膜などのエピタキシャル成長のための下地層を設
け、かつ支持体温度を５００℃以上にして成膜する必要
があった。
方品フェライト磁性膜を形成するには、Ｃ面配向したＺ
ｎ○薄膜などのエピタキシャル成長のための下地層を設
け、かつ支持体温度を５００℃以上にして成膜する必要
があった。
下地層を設けないとＣ面配向性の悪い磁性層となり垂直
磁化膜としての使用上問題がある。また、５００℃より
低い温度で成膜するとアモルファス膜となり磁性を示さ
ない。そのため、基板としてはシリコンウェハー等の耐
熱性を有する基板を用いる必要゛があった。しかし、現
在５００℃以上で熱変形しないプラスチックフィルムが
ないため、マグネトブランバイト型六方品フェライトの
強磁性酸化物薄膜を用いた連続磁性膜を得ることは困難
であった。
磁化膜としての使用上問題がある。また、５００℃より
低い温度で成膜するとアモルファス膜となり磁性を示さ
ない。そのため、基板としてはシリコンウェハー等の耐
熱性を有する基板を用いる必要゛があった。しかし、現
在５００℃以上で熱変形しないプラスチックフィルムが
ないため、マグネトブランバイト型六方品フェライトの
強磁性酸化物薄膜を用いた連続磁性膜を得ることは困難
であった。
見匪夏且敗
本発明は、垂直配向性に優れ、しかも、低温条件で製造
することも可能な磁気記録媒体を提供することを目的と
する。
することも可能な磁気記録媒体を提供することを目的と
する。
見更ム璽遺
本発明の磁気記録媒体は、Ａｕ層と接して一般式（Ｉ）
％式％（Ｉ）
（式中、Ｍｅ、Ｍａ、ｘ、ｎは次の通りである。
Ｍｅ ： Ｂａｙ Ｐｂ、ＳｒおよびＳｃから選ばれる
少なくとも１種の元素 Ｍａ：Ｆｅと置換可能な金属元素 ｘ：０≦Ｘ≦１ ｎ：５≦ｎ≦６） で表わされた強磁性酸化物からなる磁性体層を有するこ
とを特徴とする。
少なくとも１種の元素 Ｍａ：Ｆｅと置換可能な金属元素 ｘ：０≦Ｘ≦１ ｎ：５≦ｎ≦６） で表わされた強磁性酸化物からなる磁性体層を有するこ
とを特徴とする。
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
第１図は本発明の磁気記録媒体の構造例を示す断面図で
あり、支持体１１上にＡｕ層１３が形成され、さらに、
このＡ ｕ （金）の薄膜１３の上に強磁性酸化物から
なる磁性体薄膜層１５が形成されている。
あり、支持体１１上にＡｕ層１３が形成され、さらに、
このＡ ｕ （金）の薄膜１３の上に強磁性酸化物から
なる磁性体薄膜層１５が形成されている。
Ａｕ層１３の薄膜は１００〜１０，０００人の範囲が適
当であり、特に２００〜２，０００人が好ましい。Ａｕ
層１３の形成方法としては′、真空蒸着法、イオンブレ
ーティング法、スパッタリング法などのＰＶＤ法（物理
的気相成長法）やその他の薄應形成方法が使用できる。
当であり、特に２００〜２，０００人が好ましい。Ａｕ
層１３の形成方法としては′、真空蒸着法、イオンブレ
ーティング法、スパッタリング法などのＰＶＤ法（物理
的気相成長法）やその他の薄應形成方法が使用できる。
磁性体層１５は、以下の一般式（Ｉ）で表わされる強磁
性酸化物からなる。
性酸化物からなる。
ＭｅＯ−ｎ（ＭａＸＦｅ２−ｘＯ，） （Ｉ）（式
中、Ｍｅ、Ｍ６．Ｘ、ｎは次の通りである。
中、Ｍｅ、Ｍ６．Ｘ、ｎは次の通りである。
Ｍｅ：Ｂａｙ ｐｂ、ＳｒおよびＳｃから選ばれる少な
くとも１種の元素 Ｍａ：Ｆｅと置換可能な金属元素 ｘ：０≦Ｘ≦１ ｎ：５≦ｎ≦６） ここで、Ｆｅと置換可能な金属元素Ｍａとしては、たと
えば、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｎ。
くとも１種の元素 Ｍａ：Ｆｅと置換可能な金属元素 ｘ：０≦Ｘ≦１ ｎ：５≦ｎ≦６） ここで、Ｆｅと置換可能な金属元素Ｍａとしては、たと
えば、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｎ。
Ａ １ ｐ Ｓ ｎ ｅ Ｃｕ ｇ Ｃｒ ｙ Ｍ ｇ
ｙ Ｃａ ＋ Ｂ ｉなどが挙げられ、これらの一種
または二種以上で置換することができる。これらの元素
で置換することにより、保磁力、垂直異方性、キューリ
一温度などの特性を制御することができる。一般式（Ｉ
）における置換数又は０．１〜０．７の範囲が適当であ
り、好ましくは０．２〜０．５である。
ｙ Ｃａ ＋ Ｂ ｉなどが挙げられ、これらの一種
または二種以上で置換することができる。これらの元素
で置換することにより、保磁力、垂直異方性、キューリ
一温度などの特性を制御することができる。一般式（Ｉ
）における置換数又は０．１〜０．７の範囲が適当であ
り、好ましくは０．２〜０．５である。
磁性体薄膜層１５の厚さはｏ、ｏｉ〜５μｍの範囲が適
当であり、好ましくは０．２〜１μｍの範囲である。磁
性体薄膜層は、真空蒸着法、イオンブレーティング法、
スパッタリング法などのＰＶＤ法や他の薄膜形成方法な
どにより形成する駒とができる。
当であり、好ましくは０．２〜１μｍの範囲である。磁
性体薄膜層は、真空蒸着法、イオンブレーティング法、
スパッタリング法などのＰＶＤ法や他の薄膜形成方法な
どにより形成する駒とができる。
支持体１１としては、Ａｕ層１３および磁性体薄膜層１
５を支持しうるちのであればいずれもが使用可能である
が、後記のような耐熱性に乏しい支持体を使用しうろこ
とが１本発明の有利な点である。このような支持体とし
ては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルサルホン
などの耐熱性プラスチックは勿論のこと、ポリエチレン
テレフタレート、ポリ塩化ビニル、三酢酸セルロース、
ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートの如きプ
ラスチックも使用できる。
５を支持しうるちのであればいずれもが使用可能である
が、後記のような耐熱性に乏しい支持体を使用しうろこ
とが１本発明の有利な点である。このような支持体とし
ては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルサルホン
などの耐熱性プラスチックは勿論のこと、ポリエチレン
テレフタレート、ポリ塩化ビニル、三酢酸セルロース、
ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートの如きプ
ラスチックも使用できる。
これらのプラスチックはフィルム状にするのが好適であ
るが、用途に応じ種々の形態をとることができる。また
、シリコンウェハーやガラスなどのセラミックス、金属
支持体などの比較的可撓性のない支持体や耐熱性に富む
支持体も使用できる。
るが、用途に応じ種々の形態をとることができる。また
、シリコンウェハーやガラスなどのセラミックス、金属
支持体などの比較的可撓性のない支持体や耐熱性に富む
支持体も使用できる。
また、支持体の形状としては、シート状、カード状、デ
ィスク状、ドラム状、長尺テープ状など任意の形態をと
ることができる。
ィスク状、ドラム状、長尺テープ状など任意の形態をと
ることができる。
さらに支持体１１とＡｕ層１３との間、あるいは磁性体
薄膜層上などには、必要に応じ任意の機能層やガイドト
ラックなどを形成することができる。これら機能層の具
体例としては支持体１１とＡｕ層１３との間に設けられ
る断熱層や高透磁率層、磁性体薄膜層の上に設けられる
潤滑層、透明誘電体層、反射層などが例示される。
薄膜層上などには、必要に応じ任意の機能層やガイドト
ラックなどを形成することができる。これら機能層の具
体例としては支持体１１とＡｕ層１３との間に設けられ
る断熱層や高透磁率層、磁性体薄膜層の上に設けられる
潤滑層、透明誘電体層、反射層などが例示される。
本発明の磁気記録媒体は、適当な支持体上にＡｕ層を形
成し、このＡｕ層の上に直接磁性体薄膜層を形成するこ
とにより得ることができる。
成し、このＡｕ層の上に直接磁性体薄膜層を形成するこ
とにより得ることができる。
磁性体薄膜層の形成条件は特に問わないが、５００℃未
満、好ましくは４００℃以下、特に好ましくは３５０℃
以下の温度範囲で磁性体薄膜層を形成できる。
満、好ましくは４００℃以下、特に好ましくは３５０℃
以下の温度範囲で磁性体薄膜層を形成できる。
Ａｕ層の格子型は面心立方格子であり、Ａｕの格子定数
は４ 、０７０人である。Ａｕ層と接して金属酸化物か
らなる磁性層を形成することにより、垂直方向に磁化し
た磁性層が得られる理由については必ずしも明らかでな
いが、Ａｕ（金）が電気陰性度の大きな物質であり、か
つ、格子定数が一般式（Ｉ）で表わされる磁性体に近い
ためであると考えられる。Ａｕ層上に磁性層を形成する
場合と比較して、１００℃程度、あるいはそれ以上低い
支持体温度で、支持体上に垂直異方性が良好な磁性層を
形成することができる。
は４ 、０７０人である。Ａｕ層と接して金属酸化物か
らなる磁性層を形成することにより、垂直方向に磁化し
た磁性層が得られる理由については必ずしも明らかでな
いが、Ａｕ（金）が電気陰性度の大きな物質であり、か
つ、格子定数が一般式（Ｉ）で表わされる磁性体に近い
ためであると考えられる。Ａｕ層上に磁性層を形成する
場合と比較して、１００℃程度、あるいはそれ以上低い
支持体温度で、支持体上に垂直異方性が良好な磁性層を
形成することができる。
見所立羞来
本発明によれば、Ａｕ層と接して前記一般式（Ｉ）で表
わされる磁性体層を設けた構造とすることにより、低温
条件下にＣ面配向が良好で高密度記録可能な垂直磁気記
録媒体を得ることができる。支持体として比較的耐熱性
に乏しい材料を使用することができるので、プラスチッ
クフィルム等を用いて連続磁性層を形成することができ
る。
わされる磁性体層を設けた構造とすることにより、低温
条件下にＣ面配向が良好で高密度記録可能な垂直磁気記
録媒体を得ることができる。支持体として比較的耐熱性
に乏しい材料を使用することができるので、プラスチッ
クフィルム等を用いて連続磁性層を形成することができ
る。
本発明の磁気記録媒体は、たとえば、記録、再生用のト
ランスデユーサ−として補助磁極励磁型垂直ヘッドを用
い、直接媒体に記録、再生を行うこともできるし、光磁
気記録とよばれているような、磁界と熱を用いて記録し
、磁気光学効果を利用して再生する記録、再生方式に応
用することも可能である。
ランスデユーサ−として補助磁極励磁型垂直ヘッドを用
い、直接媒体に記録、再生を行うこともできるし、光磁
気記録とよばれているような、磁界と熱を用いて記録し
、磁気光学効果を利用して再生する記録、再生方式に応
用することも可能である。
実施例
真空蒸着装置を用いて、下記条件によりポリイミドフィ
ルム（５０μｍ厚）上に１０００人のＡｕの薄膜を形成
した。
ルム（５０μｍ厚）上に１０００人のＡｕの薄膜を形成
した。
蒸発材料 Ａｕ
支持体温度 ３００℃
真空槽内の背圧 １０−’ ＴｏｒｒＢａＦｅ□、０
ｉ、の微粉末を焼結してターゲットを作成し、総ガス圧
６０ｍＴｏｒｒ、酸素分圧０．３ｍＴｏｒｒ、膜作成速
度２５人／分、支持体温度４００℃の条件で、Ａｕ薄膜
の上にスパッタリングし、厚さ０．３μｍの磁性体層を
形成した。
ｉ、の微粉末を焼結してターゲットを作成し、総ガス圧
６０ｍＴｏｒｒ、酸素分圧０．３ｍＴｏｒｒ、膜作成速
度２５人／分、支持体温度４００℃の条件で、Ａｕ薄膜
の上にスパッタリングし、厚さ０．３μｍの磁性体層を
形成した。
この磁性体層をＶＳＭで保磁力（Ｈｅ）、飽和磁化（Ｍ
ｓ）、異方性磁界（Ｈｋ）を測定した結果は次の通りで
あり、良好な垂直磁化膜であった。
ｓ）、異方性磁界（Ｈｋ）を測定した結果は次の通りで
あり、良好な垂直磁化膜であった。
Ｈｃ ＪＬ ＝ １．７Ｋ Ｏｅ
Ｈｃ ／＝０．３８Ｋ Ｏｅ
Ｍ ｓ ｆ ＝３４０ｅｍｕ／ｃｃ
Ｈｋ ＪＬ ＝１５Ｋ Ｏｅ
反磁界補正後の垂直方向に測定した角型比は１であった
。
。
さらに、この磁性体層にＸ線回折分析を行ったとごろ、
第２図に示すように（００６）、 （００８）の０面の
強い回折ピークがみられ、かつ、０面以外の回折ピーク
はみられず、Ｃ面配向膜となっていることが判った。
第２図に示すように（００６）、 （００８）の０面の
強い回折ピークがみられ、かつ、０面以外の回折ピーク
はみられず、Ｃ面配向膜となっていることが判った。
比較例
Ａｕ薄膜を形成しない以外は上記実施例と同様にしてス
パッタリング法で磁性体層を形成したところ、Ｘ線回折
ピークは現われず、磁気特性を示す膜は形成されなかっ
た。
パッタリング法で磁性体層を形成したところ、Ｘ線回折
ピークは現われず、磁気特性を示す膜は形成されなかっ
た。
また、実施例と同じポリイミドフィルムを使い、その上
に、ＤＣスパッタリング法により基板温度３００℃でＣ
面配向したＺｎＯ膜（厚さ０．４μｍ）を形成した。こ
のＺｎＯ膜上に、実施例１と同様にして支持体温度４０
０℃でスパッタリング法により磁性体層を形成しようと
したところ、得られた膜はアモルファス状で磁性を示さ
なかった。
に、ＤＣスパッタリング法により基板温度３００℃でＣ
面配向したＺｎＯ膜（厚さ０．４μｍ）を形成した。こ
のＺｎＯ膜上に、実施例１と同様にして支持体温度４０
０℃でスパッタリング法により磁性体層を形成しようと
したところ、得られた膜はアモルファス状で磁性を示さ
なかった。
第１図は本発明の磁気記録媒体の構成例を示す断面図で
ある。 第２図は、実施例で得られた磁性体層のＸ線回折スペク
トルである。 １１・・・支持体 １３・・・Ａｕ層 １５・・・
磁性体層ｍ１図 弔２図 ２（Ｅ）（ｄｅｇ） 手続補正書 昭和６０年６月１０日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 （６７４）株式会社リ コー 代表者 浜 １） 広 ４、代理人 東京都千代田区一番町１５番１号 一番町フェニックスビル 明の詳細な説明」の欄 ６．補正の内容 （Ｉ）特許請求の範囲を別紙の通りに補正する。 （２）明細書第４頁最終行および第６頁３行にｒＭ ｅ
Ｏ−ｎ （Ｍ ａ ｘＦ ｅ、−ＸＯ，）」とあるの
を、それぞれ、ｆｆ’Ｍ ｅ Ｏ−ｎ （Ｍ ａｘＦ
ｅ、−ｘｏ、）Ｊｌに補正する。 （３）第７頁４行に「る駒とができる。」とあるのを、
「ることかできる。」に補正する。 （４）第９頁５行にｒＡｕ層」とあるのを、Ｆ ＺｎＯ
層」に補正する。 ７、添付書類の目録 別 紙 １通則
紙 特許請求の範囲 １、Ａｕ層と接して一般式（Ｉ） ％式％（） （式中、Ｍｅ、Ｍａ、ｘ、ｎは次の通りである。 Ｍｅ：Ｂａ、Ｐｂ、ＳｒおよびＳｃから選ばれる少なく
とも１種の元素 Ｍａ：Ｆｅと置換可能な金属元素 ｘ：０≦Ｘ≦１ ｎ：５≦ｎ≦６） で表わされた強磁性酸化物からなる磁性体層を有するこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
ある。 第２図は、実施例で得られた磁性体層のＸ線回折スペク
トルである。 １１・・・支持体 １３・・・Ａｕ層 １５・・・
磁性体層ｍ１図 弔２図 ２（Ｅ）（ｄｅｇ） 手続補正書 昭和６０年６月１０日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 （６７４）株式会社リ コー 代表者 浜 １） 広 ４、代理人 東京都千代田区一番町１５番１号 一番町フェニックスビル 明の詳細な説明」の欄 ６．補正の内容 （Ｉ）特許請求の範囲を別紙の通りに補正する。 （２）明細書第４頁最終行および第６頁３行にｒＭ ｅ
Ｏ−ｎ （Ｍ ａ ｘＦ ｅ、−ＸＯ，）」とあるの
を、それぞれ、ｆｆ’Ｍ ｅ Ｏ−ｎ （Ｍ ａｘＦ
ｅ、−ｘｏ、）Ｊｌに補正する。 （３）第７頁４行に「る駒とができる。」とあるのを、
「ることかできる。」に補正する。 （４）第９頁５行にｒＡｕ層」とあるのを、Ｆ ＺｎＯ
層」に補正する。 ７、添付書類の目録 別 紙 １通則
紙 特許請求の範囲 １、Ａｕ層と接して一般式（Ｉ） ％式％（） （式中、Ｍｅ、Ｍａ、ｘ、ｎは次の通りである。 Ｍｅ：Ｂａ、Ｐｂ、ＳｒおよびＳｃから選ばれる少なく
とも１種の元素 Ｍａ：Ｆｅと置換可能な金属元素 ｘ：０≦Ｘ≦１ ｎ：５≦ｎ≦６） で表わされた強磁性酸化物からなる磁性体層を有するこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ａｕ層と接して一般式（ I ） ＭｅＯ・ｎ（Ｍａ＿ｘＦｅ＿２＿−＿ｘＯ＿９）（ I
）（式中、Ｍｅ、Ｍａ、ｘ、ｎは次の通りである。 Ｍｅ：Ｂａ、Ｐｂ、ＳｒおよびＳｃから選 ばれる少なくとも１種の元素 Ｍａ：Ｆｅと置換可能な金属元素 ｘ：０≦ｘ≦１ ｎ：５≦ｎ≦６） で表わされた強磁性酸化物からなる磁性体層を有するこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60084518A JPS61243925A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60084518A JPS61243925A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61243925A true JPS61243925A (ja) | 1986-10-30 |
Family
ID=13832853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60084518A Pending JPS61243925A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61243925A (ja) |
-
1985
- 1985-04-22 JP JP60084518A patent/JPS61243925A/ja active Pending
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