JPS6330990B2 - - Google Patents

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JPS6330990B2
JPS6330990B2 JP8597580A JP8597580A JPS6330990B2 JP S6330990 B2 JPS6330990 B2 JP S6330990B2 JP 8597580 A JP8597580 A JP 8597580A JP 8597580 A JP8597580 A JP 8597580A JP S6330990 B2 JPS6330990 B2 JP S6330990B2
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JP
Japan
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film
photoresist
gold
substrate
mask
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JP8597580A
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Deriku Batsukuree Uiriamu
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Applied Biosystems Inc
Original Assignee
Perkin Elmer Corp
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Publication date
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Publication of JPS6330990B2 publication Critical patent/JPS6330990B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/04—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching
    • H05K3/046—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by selective transfer or selective detachment of a conductive layer
    • H05K3/048—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by selective transfer or selective detachment of a conductive layer using a lift-off resist pattern or a release layer pattern
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061—Etching masks
    • H05K3/064—Photoresists
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/167—X-ray

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】 本発明はリトグラフむヌ甚マスクの補法に関す
る。
半導䜓集積回路の補造においお皮々のリトグラ
フむヌ法が、半導䜓り゚ハ䞊に塗垃されたフオト
レゞストを露光するために䜿甚される。小圢化ぞ
の芁請および所䞎のチツプにより倚くのデバむス
を塔茉するこずぞの芁請からリトグラフむヌはよ
り短かい波長に向぀お開発されおきた。短波長は
良奜な分解胜および小圢化のために必芁である。
したが぀お可芖スペクトルを利甚する光孊リトグ
ラフむヌから玫倖線UVリトグラフむヌぞ、
最近では線リトグラフむヌぞず発展しおいる。
線は特に短い波長を有し、か぀特に埮现な導䜓
路の圢成を可胜にする。線は䟋えば〜50オン
グストロヌムの範囲内であり、より䞀般的には
〜13オングストロヌムの範囲内である。かかるリ
トグラフむヌにおいおは所望のパタヌンを有する
マスクを照射源、䟋えばUVたたは線ずパタヌ
ンが露光されるべきレゞストをコヌテむングした
半導䜓基材ずの間に挿入する。マスクは䜿甚され
る照射線に察しお䞍透明のマスキングされた範囲
ず該照射線に察しお透明のマスク基板ずで、露光
される導䜓に良光な明確化を䞎えるものでなけれ
ばならない。線リトグラフむヌで達成するこず
が望たれおいる小さな導䜓幅のために、良奜な分
解胜を䞎えるマスクの補造が問題ずなる。
線リトグラフむヌで䜿甚されるマスク䞊の吞
収䜓ずしお䜿甚される代衚的な材料は金である。
他の元玠は軟線吞収の増加を瀺すが、金がきわ
めお凊理し易い。
金吞収䜓の厚さは線フオトレゞストのコント
ラスト芁求床によ぀お決定される。䜎感床、高コ
ントラストフオトレゞスト、䟋えばPMMAに぀
いおは0.2〜0.3ミクロンで十分である。しかし短
かい露光時間の堎合に芁求される高感床、䜎コン
トラストフオトレゞストに察しおは0.5〜0.8ミク
ロンの範囲内の厚さの金が必芁である。曎にサブ
ミクロンのパタヌンを耇補すべき堎合には金吞収
䜓パタヌンは角圢゚ツゞの断面を有する必芁があ
る。換蚀すれば、现かいパタヌンをち密に実装す
る堎合には角圢゚ツゞが必芁である。枛衰は厚み
ずずもに指数関数的に倉化するので、スロヌプを
有する゚ツゞ断面は線露光の間に゚ツゞの鋭さ
が倱なわれる結果になり、このこずはネガのフオ
トレゞストを䜿甚する堎合に導䜓幅制埡困難およ
びフオトレゞストの厚さの倉化ぞず導く。
垞甚のフオトリトグラフむヌおよび゚ツチング
技術は金吞収䜓のパタヌンを圢成するために化孊
的゚ツチングを䜿甚する。これらの方法はパタヌ
ンの゚ツゞにおけるフオトレゞストのアンダヌカ
ツテむングをもたらし、か぀スロヌプを有する゚
ツゞ断面が䞀般に埗られる。぀の他の公知方
法、“リフトオフlift−off”法ずしお知られる
物理的゚ツチング法およびスパツタヌ゚ツチング
ずしお知られる方法が所望の角圢゚ツゞ断面を補
䜜するのに䞀般により良奜な結果を䞎える。
リフトオフ法ではフオトレゞストを線照射に
察しお透明である基板䞊に塗垃する。フオトレゞ
ストを所望のパタヌンを甚いお露光し、か぀金を
沈着すべき範囲の基板を露出させるためにフオト
レゞストを珟像する。この露出がフオトレゞスト
のアンダヌカツテむングをもたらす。次いでクロ
ムの薄い付着性膜を沈着させ、匕続き金の膜を沈
着させる。この方法で良奜な結果を埗るには金の
連続的な膜がフオトレゞストの局を被芆するのを
阻止するためにアンダヌカツトフオトレゞスト断
面を必芁ずする。その結果金の厚さがフオトレゞ
ストの厚さの玄分のに限定され、か぀金吞収
䜓の厚さ0.6ミクロンを圢成するためには玄ミ
クロンのフオトレゞストが必芁である。厚いフオ
トレゞストの䜿甚は分解胜および補造し埗る最小
導䜓幅を限定する。
リフトオフ法はアンダヌカツト断面を補造する
ために電子線露光により圢成されたフオトレゞス
トパタヌンを䞀般に䜿甚しおきた。リフトオフは
ポゞのフオトレゞストを玫倖線露光するこずによ
り補造するこずができる角圢断面を甚いお達成す
るこずができるが、パタヌンの゚ツゞにおいお金
がはがれ、このこずからがろがろの゚ツゞ断面を
䜜る傟向がある。曎にこの方法は孀立したパタヌ
ンを圢成するのに䜿甚できない。フオトレゞスト
の島は確実に陀去するこずができない、それずい
うのもフオトレゞストぞの溶剀の入口がないから
である。
他の公知方法、すなわちスパツタヌ゚ツチング
は著しい急角床、玄70゜を䞎えるが、䟝然ずしお
制限がある。曎にスパツタヌ゚ツチング法はリフ
トオフ法よりも䞀局耇雑である。
曎に詳现な技術氎準に関しおは以䞋の文献を参
照されたい  バツクリヌW.D.Buckley著、“Factors
which Determine the Exposure Time in an
−Ray Lithography Exposure System'、
Symposium on Electron and Ion Beam
Science and Technology第囜際䌚議議事録
から。ワシントン、1976幎、454〜463頁。
 マむダンD.Maydan、コキンG.A.
Coquin、マルドナドJ.R.Maldonado、゜
メクS.Somekh、ロりD.Y.Louおよび
テむラヌG.N.Taylor共著、“High Speed
Replication of Submicron Features on
Large Area、by −Ray Lithography”、
IEEE Trans.on Electron DevicesED−22、
4291975幎。
 バ゜ヌズE.Bassous、プダヌR.
Feder、シナピラヌE.Spiller、トパリアン
J.Toparian共著、“High Transmission 
−Ray Masks yor Lithographic
Applications”、Solid State Technology、
1976幎月、5558頁。
 ヘンケB.L.Henke、゚ルギンR.L.
Elgin、レントR.E.Lent、ヘデむンガム
R.B.Hedingham共著、“−Ray
Absorption in the  to 200  Region”、
Norelco Report14。112〜131頁、1967幎。
したが぀お本発明の目的は公知技術の欠点を持
たず、か぀電子線露光たたはスパツタヌ゚ツチン
グを必芁ずせずに角圢の゚ツゞ断面を有する、必
芁な厚さの金吞収䜓を䞎える、改良されたマスク
補造方法を芋い出すこずである。
前蚘の目的は本発明の方法により達成される、
該方法はフオトレゞストを露光するために䜿甚さ
れる照射線の波長を反射させる材料、䟋えばアル
ミニりムを先ず線照射に察しお透明である基板
䞊に沈着させ次いでアルミニりム䞊にフオトレ
ゞストの膜を蚭けフオトレゞストを所望のパタ
ヌンを甚いお露光しフオトレゞストを珟像しお
吞収䜓材料を沈積させたい範囲のアルミニりムを
露出させレゞストをアンダヌカツテむングする
範囲からアルミニりムを゚ツチングしお陀去し
吞収䜓をレゞストずアルミニりム䞭に開口郚を通
しお沈着させ、か぀次いでレゞストを剥ぎ取るこ
ずより成る。堎合により残留アルミニりムを陀去
しおもよい。詳现に説明される実斜圢においお、
基板はマむラヌの商品名で垂販されおいる、熱可
塑性ポリ゚ステルであるポリ゚チレンテレフタレ
ヌトである。あるいは熱硬化性ポリむミド、䟋え
ばカプトンデナポン瀟の登録商暙を䜿甚しお
もよい。吞収䜓ずしお優れた材料は金であり、金
ず基板ずの間にクロムの付着性の膜を有する。
第図〜第図は本発明のマスク䜜成方法
における基本的な工皋を図瀺し、第図は本発明
の方法により補造された䞀察の導䜓のパタヌンを
瀺し、か぀第図は本発明の方法により補造され
た孀立したパタヌンの図である。
第図により瀺されおいるようにアルミニりム
膜を本発明のマスクを䜿甚する際に䜿われる
照射線䟋えば線に察しお透明である材料の基板
䞊に先ず沈着させる。これは任意の公知の方法、
䟋えば蒞着、スパツタリング等を甚いお行なうこ
ずができる。匕続きフオトレゞストの膜をアルミ
ニりム䞊に蚭ける。フオトレゞストを垞甚のUV
リトグラフむヌを甚いお露光し、次いでフオトレ
ゞストを珟像する。これらの工皋の結果を第
図によ぀お瀺す。珟像埌にアルミニりム膜䞊に残
぀たフオトレゞストが芋られる。珟像された
゚ツゞにおいお定垞波パタヌンが存圚する。
アルミニりムの圹割はUV線に察する反射䜓ずし
お䜜甚するこずであり、その結果反射線は入射線
ず合しお定垞波パタヌンを圢成する。この定垞波
パタヌンはフオトレゞストの殆ど角圢の゚ツゞの
圢成を可胜にし、か぀垞甚のリフトオフ法で必芁
な電子線リトグラフむヌではなく、垞甚のUVリ
トグラフむヌの䜿甚を可胜にする。
次いで第図に瀺すようにアルミニりムを゚
ツチング陀去する。もちろん露出された範囲内の
アルミニりムのみが゚ツチングされる。゚ツチン
グは残留するフオトレゞストの䞋方のアンダ
ヌカツトが蚭けられるようにしお実斜する。
次に第図に瀺すように金を第図の構造
䞊に蒞着させる。有利に金の蒞着に先立぀お基板
ぞの付着を促進するためにクロムの薄膜
の蒞着を実斜する。金もしくは他の吞収䜓材料の
蒞着は開攟区域内で基板たたはクロム膜䞊にお
よびたたフオトレゞスト䞊に生じる。次いで
第図に瀺すようにレゞストを奜適な溶剀を甚
いお剥ぎ取り、残留するアルミニりム膜から
間隔を眮いお金吞収䜓パタヌンを残す。次い
で第図に瀺すように奜適な゚ツチング剀を甚
いおアルミニりムを陀去するこずができる。しか
しこの工皋は線甚マスクを補造する際には任意
であるこずに泚意すべきである、それずいうのも
アルミニりムによる線の枛衰は無芖するこずが
でき、か぀アルミニりム膜は暪方向の熱䌝達を増
加させ、したが぀お枩床募配を制限するので有甚
である。
䟋 本発明によりマスクを補造するにあたり、コン
デンサ玚マむラから圢成されたマむラのマスク甚
薄膜厚さ〜25ミクロンおよび盎埄12cmたで
をステンレス鋌補リング䞊に平らに延ばし、か぀
円呚で固定した。次いで第のステンレス鋌補リ
ングを、薄膜を円呚䞊で締めるために第リング
䞊にプレス嵌めした。あるいは薄膜を、䞭倮に
線が薄膜を透過するのを可胜にする適圓な倧きさ
の穎を有するパむレツクス基材䞊に延ばし、か぀
広げた。
先ず0.2ミクロンのアルミニりム膜を蒞着によ
り基板䞊に沈着させ、次いでAZ1370フオトレゞ
スト〔シツプリヌShipley瀟から垂販。
NewtonMass.〕、厚さ0.9ミクロンをアルミ
ニりム䞊に沈着させた。フオトレゞストをパヌキ
ン・゚ルマヌPerkin Elmer−投圱マスクアラ
むナを甚いお第図のレゞスト膜を装眮の焊
点面内に粟確に配眮しお露光した。フオトレゞス
トをUV線を甚いおマスタヌマスクを通しお露光
した。
次いでアルミニりムを燐酞−硝酞䞭で化
孊的に゚ツチングしお第図に瀺されたパタヌ
ンが埗られた。玄200A厚さのクロム付着性膜を
フオトレゞスト䞊に蒞着させ、次いで金吞収䜓膜
を厚さほが0.6ミクロンに蒞着した。蒞着距離は、
定垞波パタヌン䞊の沈積を防ぐために長く、
すなわち27cmにず぀た。䜜業䞭フオトレゞストア
ンダヌカツトは最小パタヌン寞法をアルミニりム
の厚さの玄倍、䟋えば0.6ミクロンに制限した。
次いでフオトレゞストをアセトン䞭に溶かしお第
図に瀺されるような剥ぎ取り埌の金のパタヌ
ンを補造した。次いで残りのアルミニりムを燐
酞−硝酞混合物で゚ツチングしお陀去し
た。この方法を甚いおオヌプンパタヌンおよび孀
立パタヌンの䞡方を有するパタヌンが埗られた
第図および第図。幅ミクロン、厚さ1/2
ミクロンおよび角圢゚ツゞ断面を有する金の導䜓
が第図に瀺されるように補造された。結果はレ
ゞストの定垞波パタヌンは金の䞭に再珟されない
こずを瀺す。曎にレゞストをアンダヌカツトする
アルミニりム゚ツチング工皋は重芁ではないこず
が刀明した、それずいうのも導䜓幅はフオトレゞ
ストパタヌンによ぀おのみ決定されるからであ
る。
1Όの導䜓および間隙を有するパタヌンも補
造された。この堎合レゞストパタヌンを圢成する
ためにマスクアラむナの代わりに接觊印刷を䜿甚
した。この技術はより粟密なパタヌンを補造する
ために他の高分解性露光技術ず䞀緒に䜿甚するこ
ずができる。
詊隓はたた、その衚面の粗面性の故にマむラ薄
膜の䜿甚に朜圚的な限界があるこずを瀺した。詊
隓は、薄膜䞭の混合物がにレゞストパタヌン内に
完党に芋出される堎合に金の被芆が十分であれば
䞍利な䜜甚は認められないこずを瀺した。混合物
は単に金パタヌン内のふくれを生ぜしめるにすぎ
ない。曎にパタヌンの゚ツゞにおける混合物が認
められおも䞍利な効果は惹起されず、この堎合に
も単にふくれを生ぜしめるにすぎない。しかしか
かる混圚物はより现かいパタヌンに察しおはより
重倧な䜜甚を持぀可胜性がある。
本発明の方法の制限は必芁である厚いフオトレ
ゞスト膜である。加えお金ず延䌞マむラ薄膜の間
の熱膚脹率の倧きな差異のために加熱は金の䞭に
割れを起す堎合があるので、金蒞着の間薄膜の枩
床を制埡する必芁がある。前蚘の方法を実斜する
際に枩床制埡を薄膜の裏面に冷华甚攟熱子を接合
する。
珟圚ではマむラが代衚的な基板材料ず考えられ
る。しかし前述のようにカプトンもマむラず同様
の利点を有しおいる。これら䞡材料は安䟡で、か
぀薄膜状で垂販されおおり、加工が容易である。
曎にこれらは可芖領域においお透明である他に目
䞋問題ずな぀おいる党おの線波長に察しお透明
であるので、光孊的䜍眮合わせ方法の䜿甚を可胜
にする。曎にこれらの材料は倧きな盎埄を支持さ
れない薄膜を可胜にし、該薄膜は十分に匷く、通
垞の取扱いに傷を受けるこずなく耐えお、加工さ
れる。圓分野においお提案された他の薄膜甚材料
はシリコヌン、酞化アルミニりムおよび窒化珪玠
で厚さ数マむクロメヌタヌたでのものである。こ
れらの材料はマむラたたはカプトンの利点の党お
を持぀おいるずは思われない、それずいうのも䟋
えばこれらはあらゆる堎合における可芖領域で透
明を有しおいず、若干のもの、䟋えばシリコヌン
は6.75Aよりも長い波長に察する䜿甚を制限する
吞収端を有しおいるからである。たた前述の劂
く、他の吞収䜓材料を䜿甚しおもよいが、金皋䜜
業し易くない。
本発明のマスクは特に線リトグラフむヌで有
甚であるが、本発明により補造されるマスクは
UVリトグラフむヌでも有甚である。導䜓の厚さ
は異な぀おいおもよいが、本発明の方法は吞収䜓
䞊で角圢゚ツゞが補造される点で䟝然ずしお有利
である。
【図面の簡単な説明】
第図〜第図は本発明のマスク補造方法
の工皋を図瀺したものであり、第図は本発明方
法により補造された䞀察の導䜓のパタヌンを瀺
し、か぀第図は本発明方法により補造された孀
立したパタヌンの図である。   基板、  アルミニりム膜、
  フオトレゞスト、  フオトレゞスト定
垞波パタヌン、  アンダヌカツト、 
 クロム付着性膜、  金。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  リトグラフむヌ甚マスクを補造するための方
    法においお、 (a) リトグラフむヌ方法で䜿甚される照射線に察
    しお透明である基板䞊に玫倖線に察しお反射性
    である材料の薄膜を沈着させ、 (b) 該反射性膜をフオトレゞスト膜でコヌテむン
    グし、 (c) 照射線吞収䜓を蚭けるべき範囲を露出させる
    ためにフオトレゞストをマスタヌマスクを通し
    おUV−線で露光し、 (d) フオトレゞストを珟像しお前蚘の範囲の反射
    性膜を露出させ、 (e) 反射性膜を゚ツチングしお陀去しお基板を露
    出させ、か぀アンダヌカツトを蚭け、 (f) 基板䞊においおマスクを䜿甚する際に䜿われ
    る照射線に察しお䞍透明である材料の膜を沈着
    させ、か぀ (g) レゞストおよび前蚘の䞍透明材料の䞍所望な
    郚分を剥ぎ取るこずを特城ずする、リトグラフ
    むヌ甚マスクの補法。  曎にレゞストを剥ぎ取぀た埌に反射性膜の残
    留郚分を陀去する工皋を包含する、特蚱請求の範
    囲第項蚘茉の方法。  反射性膜がアルミニりムの膜から成぀おい
    る、特蚱請求の範囲第たたは項蚘茉の方法。  マスクを䜿甚する際に䜿われる照射線が線
    であり、か぀線に察しお䞍透明の材料が金であ
    る、特蚱請求の範囲第項蚘茉の方法。  金の膜を沈着させる工皋が基板䞊に金を蒞着
    させるこずより成る、特蚱請求の範囲第項蚘茉
    の方法。  金の蒞着前に基板䞊にクロムの薄膜を蒞着さ
    せる工皋を包含する、特蚱請求の範囲第項蚘茉
    の方法。  フオトレゞスト膜の厚さが照射線に察しお䞍
    透明の材料の厚さの 1/2倍であり、か぀反射性
    膜の厚さが䞍透明材料の膜の玄1/3である、特蚱
    請求の範囲第項蚘茉の方法。  基板材料が熱硬化性ポリむミドおよびポリ゚
    チレンテレフタレヌトから成る矀類から遞択され
    る、特蚱請求の範囲第項蚘茉の方法。  線リトグラフむヌで䜿甚するためのマスク
    を補造するための方法においお、 (a) 熱硬化性ポリむミドシヌトおよびポリ゚チレ
    ンテレフタレヌトのシヌトから成る矀類から遞
    択される基板䞊にアルミニりムの薄膜を沈着さ
    せ、 (b) 該アルミニりム膜䞊にUV線に察しお感光性
    のフオトレゞスト膜を蚭け、 (c) 該フオトレゞストをUV線によ぀おマスクを
    通しお露光し、 (d) フオトレゞストを珟像しお線吞収䜓を沈着
    すべき範囲のアルミニりム膜を露出させ、 (e) 露出された範囲のアルミニりム膜を゚ツチン
    グしおアルミニりム膜を陀去し、か぀残留する
    レゞスト膜の䞋にアンダヌカツトを蚭け、 (f) 基板䞊のクロムの薄膜を蒞着させ、 (g) クロムの䞊に金の膜を蒞着させ、か぀ (h) レゞストを剥ぎ取぀お基板䞊に金吞収䜓のパ
    タヌンず該パタヌンから間隔を眮いおアルミニ
    りム膜の範囲ずを残すこずを特城ずする、線
    リトグラフむヌ甚マスクの補法。  基板䞊の残留するアルミニりム膜を陀去す
    る工皋を包含する、特蚱請求の範囲第項蚘茉の
    方法。  アルミニりム膜が厚さほがミクロンであ
    り、フオトレゞスト膜が厚さほがミクロンであ
    り、か぀金の膜が厚さほがミクロンである、特
    蚱請求の範囲第項蚘茉の方法。
JP8597580A 1979-06-26 1980-06-26 Production of lithgraphy mask Granted JPS565981A (en)

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