JPS63306690A - 酸化物セラミックス系超電導体を用いたハイブリッドic配線回路 - Google Patents
酸化物セラミックス系超電導体を用いたハイブリッドic配線回路Info
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- JPS63306690A JPS63306690A JP62142853A JP14285387A JPS63306690A JP S63306690 A JPS63306690 A JP S63306690A JP 62142853 A JP62142853 A JP 62142853A JP 14285387 A JP14285387 A JP 14285387A JP S63306690 A JPS63306690 A JP S63306690A
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Landscapes
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、ハイブリッドICとくに厚MIC配線回路の
改良に関するものである。
改良に関するものである。
[従来の技術と問題点]
高密度実装を可能とし、しかも高出力、大容量の回路を
得るために、ハイブリッドIC配線回路が広く適用され
ていることは周知の通りである。
得るために、ハイブリッドIC配線回路が広く適用され
ていることは周知の通りである。
そして、そのような目的に対応して主力となっているの
がいわゆる厚pAICである。
がいわゆる厚pAICである。
従来、この種の厚[ICは、セラミックスあるいはホー
ロ絶縁金属板などのチップ基板の上に、A g / P
dなどの貴金属よりなる導体をペースト状とじたもの
および必要に応じRu O2系などの抵抗体をペースト
状としたものを、ガラス絶縁材などと共にスクリーン印
刷法によりパターン化し、これを高温で焼成して配線回
路としていた。しかし、最近では、信号周波数の高周波
化にともない、上記導体では抵抗が大きいため、信号伝
播の高速化に不十分であるところから、高周波抵抗の少
ないCu導体が使用されるようになったにのようなCu
導体の焼成は、酸化雰囲気中で行なうことができず、N
2などの非酸化性雰囲気中で焼成しなければならないが
、この非酸化性雰囲気中では前記Ru’02が分壊して
しまうため、同時焼成ができず、それぞれ別個の焼成工
程を二重に必要とし、全体に複雑化し経済性も悪化する
ことは否めなかった。さらにまた、焼成したCu導体は
バルクのCuに比較すれば抵抗値が大きく、信号伝播の
高速化には自から限界があり、最近の一層の高速化の要
請にともない新たな材料を求める声が強かった。
ロ絶縁金属板などのチップ基板の上に、A g / P
dなどの貴金属よりなる導体をペースト状とじたもの
および必要に応じRu O2系などの抵抗体をペースト
状としたものを、ガラス絶縁材などと共にスクリーン印
刷法によりパターン化し、これを高温で焼成して配線回
路としていた。しかし、最近では、信号周波数の高周波
化にともない、上記導体では抵抗が大きいため、信号伝
播の高速化に不十分であるところから、高周波抵抗の少
ないCu導体が使用されるようになったにのようなCu
導体の焼成は、酸化雰囲気中で行なうことができず、N
2などの非酸化性雰囲気中で焼成しなければならないが
、この非酸化性雰囲気中では前記Ru’02が分壊して
しまうため、同時焼成ができず、それぞれ別個の焼成工
程を二重に必要とし、全体に複雑化し経済性も悪化する
ことは否めなかった。さらにまた、焼成したCu導体は
バルクのCuに比較すれば抵抗値が大きく、信号伝播の
高速化には自から限界があり、最近の一層の高速化の要
請にともない新たな材料を求める声が強かった。
[発明の目的]
本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであ
り、前記二重工程によらず同一条件の一つの工程で製造
することができ、しかも高い信頼性をもって高周波領域
までの信号伝播を大巾に高速化せしめることを可能とし
た厚膜ハイブリッドIC配線回路を提供しようとするも
のである。
り、前記二重工程によらず同一条件の一つの工程で製造
することができ、しかも高い信頼性をもって高周波領域
までの信号伝播を大巾に高速化せしめることを可能とし
た厚膜ハイブリッドIC配線回路を提供しようとするも
のである。
[発明の概要]
すなわち、本発明の要旨は、ハイブリッドIC配線回路
の導体として、液体窒素温度以上であって組成によって
は常温に近い臨界温度を有する酸化物セラミックス系超
電導物質を使用したことにあり、それにより導体の電気
抵抗がゼロとなり、高周波領域までの信号伝播を大巾に
高速化せしめることを可能ならしめたばかりでなく、一
工程での焼成をも可能ならしめたものである。
の導体として、液体窒素温度以上であって組成によって
は常温に近い臨界温度を有する酸化物セラミックス系超
電導物質を使用したことにあり、それにより導体の電気
抵抗がゼロとなり、高周波領域までの信号伝播を大巾に
高速化せしめることを可能ならしめたばかりでなく、一
工程での焼成をも可能ならしめたものである。
[実施例]
以下に、本発明について実施例をもって説明する。
第1図は、本発明に係るハイブリッドIC配線回路の実
施例の−を示す説明図であって、基板5として焼結AΩ
203を用いた例を示している。
施例の−を示す説明図であって、基板5として焼結AΩ
203を用いた例を示している。
導体1としては、液体窒素温度(77°K)から常温近
傍までの高温の臨界温度を有するものとして、今日世界
的に注目を集めている酸化物セラミックス系超電導物質
を使用したことに大きな特徴がある。
傍までの高温の臨界温度を有するものとして、今日世界
的に注目を集めている酸化物セラミックス系超電導物質
を使用したことに大きな特徴がある。
発明者らが実験した導体1の具体的組成として、Y
Ba CuO3なる超電導物質を使用し0.4
0.6 た。しかし、このことは組成を上記のものに限定するこ
とを意味するものではない。今日開発が進められている
様々な組成の酸化物セラミックス系超電導物質を対象と
するものであることは勿論であるが、本発明の技術思想
はこれらとは異なる組成であって同様な高温の臨界温度
を有する超電導物質にすべて適用可能なものである。
Ba CuO3なる超電導物質を使用し0.4
0.6 た。しかし、このことは組成を上記のものに限定するこ
とを意味するものではない。今日開発が進められている
様々な組成の酸化物セラミックス系超電導物質を対象と
するものであることは勿論であるが、本発明の技術思想
はこれらとは異なる組成であって同様な高温の臨界温度
を有する超電導物質にすべて適用可能なものである。
導体1、ガラス絶縁体3およびRu 02系抵抗体4は
、いずれもぺ′−スト状としたものを、スクリーン印刷
法によりパターン化した。これを炉内に通過せしめ、9
00〜1100℃にて数時間焼成し、第1図に示すよう
な厚膜ハイブリッドIC配線回路を作製した。ここにお
いて、導体1、絶縁体3、抵抗体4はいずれも酸化物で
あるから、酸化性雰囲気中で一工程で焼成することがで
き、前記Cu導体の場合のように別工程の焼成をする必
要がなく、製造上の経済性を大巾に改善することができ
たのである。
、いずれもぺ′−スト状としたものを、スクリーン印刷
法によりパターン化した。これを炉内に通過せしめ、9
00〜1100℃にて数時間焼成し、第1図に示すよう
な厚膜ハイブリッドIC配線回路を作製した。ここにお
いて、導体1、絶縁体3、抵抗体4はいずれも酸化物で
あるから、酸化性雰囲気中で一工程で焼成することがで
き、前記Cu導体の場合のように別工程の焼成をする必
要がなく、製造上の経済性を大巾に改善することができ
たのである。
さらにまた、絶縁体3を導体1と類似系統の組成のもの
に選べば、導体1が最高の特性を発揮する焼結温度で焼
成することができることも判明した。
に選べば、導体1が最高の特性を発揮する焼結温度で焼
成することができることも判明した。
なお、第1図中2は上記厚膜導体1と同じ組成のY
B a Cu O3を薄膜技術により付加0.4
0.6 したものであり、それにより配線回路の一層の高密度化
を図ったものである。すなわち、すでに説明した工程に
よって完成された厚膜ハイブリッド配線回路のガラス絶
縁体3の上に、ホトレジスト法によるマスクを用い、電
子ビーム蒸着法によりパターンを作成したものである。
B a Cu O3を薄膜技術により付加0.4
0.6 したものであり、それにより配線回路の一層の高密度化
を図ったものである。すなわち、すでに説明した工程に
よって完成された厚膜ハイブリッド配線回路のガラス絶
縁体3の上に、ホトレジスト法によるマスクを用い、電
子ビーム蒸着法によりパターンを作成したものである。
このように薄膜技術を併せ利用することにより、厚@r
cのみではどうしてもMill約されてしまう集積度を
向上せしめ、より高密度化せしめると共に、厚膜本来の
高出力、大容量をも達成せしめることができる。
cのみではどうしてもMill約されてしまう集積度を
向上せしめ、より高密度化せしめると共に、厚膜本来の
高出力、大容量をも達成せしめることができる。
第2図は、基板としてホーロ6により絶縁された金属板
7を使用した例を示す説明断面図である。
7を使用した例を示す説明断面図である。
基板材料が異るのみ七′、その他は上記第1図について
説明したところと変りはない。
説明したところと変りはない。
上記のように構成される本発明に係る配線回路によれ、
ば、臨界温度が高温であるため、入手し易く安価な液体
窒素による冷却が可能となり、さらに常温に近い臨界温
度を有する林料であれば、フロン等による常用されてい
る冷却装置を適用でき、大巾に省力化される上、大容量
、高出力、高速度の信号伝播を達成できるのである。
ば、臨界温度が高温であるため、入手し易く安価な液体
窒素による冷却が可能となり、さらに常温に近い臨界温
度を有する林料であれば、フロン等による常用されてい
る冷却装置を適用でき、大巾に省力化される上、大容量
、高出力、高速度の信号伝播を達成できるのである。
[発明の効果]
以上の通り、本発明に係るハイブリッド配線回路によれ
ば、つぎのようなすぐれた効果を期待することができる
。
ば、つぎのようなすぐれた効果を期待することができる
。
(1)導体として電気抵抗がゼロとなる超電導物質を使
用したから、従来のA g/P dやCuを導体として
いるものに比べ信号伝播を大巾に高速化でき、しかもハ
イブリッドIC特有の高出力、大容量化も併せ達成する
ことができる。
用したから、従来のA g/P dやCuを導体として
いるものに比べ信号伝播を大巾に高速化でき、しかもハ
イブリッドIC特有の高出力、大容量化も併せ達成する
ことができる。
(2)導体が酸化物であるから、従来の導体とりわけC
u導体の場合のように、二度の焼成工程をとる必要がな
く、製造コストを大巾に改善することができる。
u導体の場合のように、二度の焼成工程をとる必要がな
く、製造コストを大巾に改善することができる。
(3)導体と絶縁体の材料を類似系統のものに選択すれ
ば、導体が最高の超電導特性を示す焼結条件において焼
成することができる。
ば、導体が最高の超電導特性を示す焼結条件において焼
成することができる。
(4)同様組成の導体を別途薄膜技術により付加してや
る。ことができ、それによって高密度集積化を図ること
ができる。
る。ことができ、それによって高密度集積化を図ること
ができる。
第1図および第2図は本発明に係る配線回路の2様の実
施例を示す説明断面図である。 1:導体(厚膜)、 2:導体(薄膜)、 3:絶縁体、 4;抵抗体。
施例を示す説明断面図である。 1:導体(厚膜)、 2:導体(薄膜)、 3:絶縁体、 4;抵抗体。
Claims (2)
- (1)酸化物セラミックス系高温超電導体を導体とし、
これに絶縁体あるいは必要な抵抗体などを構成する材料
を組合せ、一体に焼結してなる酸化物セラミックス系超
電導体を用いたハイブリッドIC配線回路。 - (2)回路に酸化物セラミックス系超電導体をもってな
る薄膜導体を付加した特許請求の範囲第1項記載のハイ
ブリッドIC配線回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62142853A JPS63306690A (ja) | 1987-06-08 | 1987-06-08 | 酸化物セラミックス系超電導体を用いたハイブリッドic配線回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62142853A JPS63306690A (ja) | 1987-06-08 | 1987-06-08 | 酸化物セラミックス系超電導体を用いたハイブリッドic配線回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63306690A true JPS63306690A (ja) | 1988-12-14 |
Family
ID=15325139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62142853A Pending JPS63306690A (ja) | 1987-06-08 | 1987-06-08 | 酸化物セラミックス系超電導体を用いたハイブリッドic配線回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63306690A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH034584A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 混成集積回路装置 |
JPH034585A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 混成集積回路装置 |
-
1987
- 1987-06-08 JP JP62142853A patent/JPS63306690A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH034584A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 混成集積回路装置 |
JPH034585A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 混成集積回路装置 |
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