JPS63305608A - 弾性振動を用いた圧電性薄膜複合共振子及びフィルタ - Google Patents
弾性振動を用いた圧電性薄膜複合共振子及びフィルタInfo
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- JPS63305608A JPS63305608A JP14190487A JP14190487A JPS63305608A JP S63305608 A JPS63305608 A JP S63305608A JP 14190487 A JP14190487 A JP 14190487A JP 14190487 A JP14190487 A JP 14190487A JP S63305608 A JPS63305608 A JP S63305608A
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Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は弾性振動を用いた圧電薄膜複合共振Ｆ＆びフ
ィルタの作製法に関する。
ィルタの作製法に関する。
シリンコンウェハーの異方性化学エツチングを用いるこ
とにより部分的に薄くしたダイヤフラムを形成した後Ｚ
ｎＯなどの圧電体膜を形成したダイヤフラム構造の複合
共振子が、中村、清水（音響学会講演論文集２−６−１
０，１２７ページ（１９８０））、グルンドコフスキー
ら（アプライド・フィジックス・レター３７．９９３ベ
ージ（１９ＳＯ））、シーキンら（アプライド・フィジ
ックス・レター、３８．１２７ページ（＋９８０））に
より発表されている。また、シリコンウェハーをＧａＡ
ｓに置き換えたダイヤフラム構造の複合共振子がシーキ
ンら（アメリカ電子通信学会・１９８３ウルトラソニツ
ク・シンポジウム・ブロシーデインダス、４９５ページ
）によって発表されている。これらはいずれも異方性化
学エツチング基板が必要である。一方、シリコンウェハ
ーの上に、振動部分に空隙をもたせたＳ ｉＯｔ／金属
電極／ Ｚ ｎ Ｏ／金属電極／５ｉｆｔの複合共振子
が佐藤ら（第３９回アニュアル・フリケンシー・シンポ
ジウム（１９８５））により発表されている。
とにより部分的に薄くしたダイヤフラムを形成した後Ｚ
ｎＯなどの圧電体膜を形成したダイヤフラム構造の複合
共振子が、中村、清水（音響学会講演論文集２−６−１
０，１２７ページ（１９８０））、グルンドコフスキー
ら（アプライド・フィジックス・レター３７．９９３ベ
ージ（１９ＳＯ））、シーキンら（アプライド・フィジ
ックス・レター、３８．１２７ページ（＋９８０））に
より発表されている。また、シリコンウェハーをＧａＡ
ｓに置き換えたダイヤフラム構造の複合共振子がシーキ
ンら（アメリカ電子通信学会・１９８３ウルトラソニツ
ク・シンポジウム・ブロシーデインダス、４９５ページ
）によって発表されている。これらはいずれも異方性化
学エツチング基板が必要である。一方、シリコンウェハ
ーの上に、振動部分に空隙をもたせたＳ ｉＯｔ／金属
電極／ Ｚ ｎ Ｏ／金属電極／５ｉｆｔの複合共振子
が佐藤ら（第３９回アニュアル・フリケンシー・シンポ
ジウム（１９８５））により発表されている。
しかし、この空隙を持たせた共振子では、共振子を基板
面に支持する方法として、５ｉＯｙ／金属／ Ｚ ｎ
Ｏ／金属膜 Ｓ ！ Ｏｔなどで固く機械的に結合させ
ているため、共振子部分に大きな残留歪力を生じ、特性
を劣化させるばかりでなく、共振子部にクラックが入り
共振子を破壊させることもある。従って、共振子の作製
に当たり細心の注意が必要である。また歩Ｘ留まりも悪
いと考えられる。
面に支持する方法として、５ｉＯｙ／金属／ Ｚ ｎ
Ｏ／金属膜 Ｓ ！ Ｏｔなどで固く機械的に結合させ
ているため、共振子部分に大きな残留歪力を生じ、特性
を劣化させるばかりでなく、共振子部にクラックが入り
共振子を破壊させることもある。従って、共振子の作製
に当たり細心の注意が必要である。また歩Ｘ留まりも悪
いと考えられる。
本発明はそれらの欠点を取り除いた新しい圧電性薄膜複
合共振子及びフィルタに関するものである。
合共振子及びフィルタに関するものである。
本発明の詳細を第１図を用いて説明する。まず、基板１
の上部にエツチング可能な薄膜２）例えばＺｎＯなどを
付着させる。次に、適当な面積にわたって誘電体膜３を
付着させ、その上に同じか、わずかに狭い面積にわたっ
て金属膜４、更にその上に圧電性薄膜５、更にその上に
金属膜６、その」ユに誘電体膜７を付着させて共振子及
びフィルタ部を作製する。次に基板面上にあるエツチン
グ可能な薄膜２の共振子及びフィルタ部以外の一部或い
は全部を取り除いた後、第２図（ａ）のように金属膜８
を基板ｌと共振子及びフィルタの一部とに架橋するよう
に付着させる。この架橋した電極の本数は１本、第２図
（ｂ）のような２本、或いは数本、或いはほとんど全体
の部分にわたっても良い。この金属膜８は外部への取り
出し電極を兼ねることができる。この場合、金属膜８の
上或いは金属膜以外の部分に、共振子と基板との支持部
の強化のため誘電体膜９を付着させてもよい。以上の膜
８．９を付着させた後、エツチングによって共振子及び
フィルタ部３〜７及び８．９の下部にあるエツチング可
能な物質２の全部或いはほとんどの部分を取り除くこと
により、目的とする空隙をもつ圧電性薄膜複合共振子が
得られる。
の上部にエツチング可能な薄膜２）例えばＺｎＯなどを
付着させる。次に、適当な面積にわたって誘電体膜３を
付着させ、その上に同じか、わずかに狭い面積にわたっ
て金属膜４、更にその上に圧電性薄膜５、更にその上に
金属膜６、その」ユに誘電体膜７を付着させて共振子及
びフィルタ部を作製する。次に基板面上にあるエツチン
グ可能な薄膜２の共振子及びフィルタ部以外の一部或い
は全部を取り除いた後、第２図（ａ）のように金属膜８
を基板ｌと共振子及びフィルタの一部とに架橋するよう
に付着させる。この架橋した電極の本数は１本、第２図
（ｂ）のような２本、或いは数本、或いはほとんど全体
の部分にわたっても良い。この金属膜８は外部への取り
出し電極を兼ねることができる。この場合、金属膜８の
上或いは金属膜以外の部分に、共振子と基板との支持部
の強化のため誘電体膜９を付着させてもよい。以上の膜
８．９を付着させた後、エツチングによって共振子及び
フィルタ部３〜７及び８．９の下部にあるエツチング可
能な物質２の全部或いはほとんどの部分を取り除くこと
により、目的とする空隙をもつ圧電性薄膜複合共振子が
得られる。
以上の発明では、空隙を得るためにエツチング可能な物
質を用いたがこれはりフトオフ可能なレノストなどでも
良い。また、基板上の薄膜機能素子として共振子及びフ
ィルタ以外の機能素子を作製し、本特許のような方法を
用いて空隙をもつ構造の機能素子を得る場合も本特許に
含まれる。
質を用いたがこれはりフトオフ可能なレノストなどでも
良い。また、基板上の薄膜機能素子として共振子及びフ
ィルタ以外の機能素子を作製し、本特許のような方法を
用いて空隙をもつ構造の機能素子を得る場合も本特許に
含まれる。
第１図は本特許の弾性振動を用いた圧電性薄膜複合共振
子及びフィルタの構造の断面図である。 ■・・・基板、２・・・エツチング可能な薄膜、３・・
・誘電体膜、４・・・金属膜、５・・・圧電性薄膜、６
・・・金属膜、７・・・誘電体膜
子及びフィルタの構造の断面図である。 ■・・・基板、２・・・エツチング可能な薄膜、３・・
・誘電体膜、４・・・金属膜、５・・・圧電性薄膜、６
・・・金属膜、７・・・誘電体膜
Claims (3)
- （１）基板面上に、エッチング可能な物質を付着させた
後、その上に、金属、圧電性材料、誘電体材料などを付
着させて共振子及びフィルタ部を作製した後、共振子及
びフィルタ部以外の部分の基板面上に付着したエッチン
グ可能な物質の一部或いは全部を、或いは共振子及びフ
ィルタの下部のエッチング可能な物質の一部をも含めて
基板上のエッチング可能な物質の一部或いは全部をエッ
チングで取り除いた後、共振子及びフィルタ部の一部と
基板面との間が架橋するように金属或いは誘電体材料を
付着させて、基板と共振子或いはフィルタ部の一部或い
はほとんど全体の部分にわたって機械的に結合させた後
、基板面に付着させた共振子及びフィルタ下部のエッチ
ング可能な物質の全部或いは一部を取り除いて得られる
基板と共振子及びフィルタとの間に空隙をもつ構造の基
板面上に作成された圧電性薄膜複合共振子及びフィルタ
。 - （２）特許請求の範囲第１項において、基板面上に付着
するエッチング可能な物質としてリフトオフ可能なレジ
ストなどを用いた圧電性薄膜複合共振子及びフィルタ。 - （３）特許請求の範囲第１項及び第２項において、基板
面上にエッチング或いはリフトオフ可能な物質を作製し
た後、その上に作製された機能素子において、機能素子
の一部或いはほとんど全体の部分と基板面とわたって、
スパッタ法、蒸着法などを用いて付着させた物質により
機能素子と基板とを機械的に結合した後、機能素子と基
板との間に存在したエッチング或いはリフトオフ可能な
物質の全部或いは一部を取り除いて得られる構造の空隙
を持たせた機能素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14190487A JPS63305608A (ja) | 1987-06-06 | 1987-06-06 | 弾性振動を用いた圧電性薄膜複合共振子及びフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14190487A JPS63305608A (ja) | 1987-06-06 | 1987-06-06 | 弾性振動を用いた圧電性薄膜複合共振子及びフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63305608A true JPS63305608A (ja) | 1988-12-13 |
Family
ID=15302867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14190487A Pending JPS63305608A (ja) | 1987-06-06 | 1987-06-06 | 弾性振動を用いた圧電性薄膜複合共振子及びフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63305608A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017964A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Hitachi Ltd | 弾性波素子の製造方法 |
| WO2006027873A1 (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電薄膜共振子 |
| JP2009111623A (ja) * | 2007-10-29 | 2009-05-21 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電振動装置 |
| WO2011048910A1 (ja) * | 2009-10-22 | 2011-04-28 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振子 |
-
1987
- 1987-06-06 JP JP14190487A patent/JPS63305608A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017964A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Hitachi Ltd | 弾性波素子の製造方法 |
| WO2006027873A1 (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電薄膜共振子 |
| US7327209B2 (en) | 2004-09-10 | 2008-02-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric thin film resonator |
| JP2009111623A (ja) * | 2007-10-29 | 2009-05-21 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電振動装置 |
| WO2011048910A1 (ja) * | 2009-10-22 | 2011-04-28 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振子 |
| US8450906B2 (en) | 2009-10-22 | 2013-05-28 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Piezoelectric thin-film resonator |
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