JPS63299219A - 軟磁性薄膜 - Google Patents
軟磁性薄膜Info
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 111
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 48
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001337 iron nitride Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 13
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910021481 rutherfordium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 22
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 9
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 5
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 B. Mg Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWKWDCOTNGQLID-UHFFFAOYSA-N [N].[Ar] Chemical compound [N].[Ar] PWKWDCOTNGQLID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000013475 authorization Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、軟磁性薄膜に関し、特に高密度記録に好適な
性能を発揮する磁気ヘッドのコア等として使用される軟
磁性ill!に関する。
性能を発揮する磁気ヘッドのコア等として使用される軟
磁性ill!に関する。
本発明は、磁気ヘッドのコア等として使用される軟磁性
rII膜において、窒化鉄に0.5〜7.5%の第三の
元素を添加した軟磁性′FR膜を単独あるいは非磁性窒
化物膜と積層して用いることにより、高飽和磁束密度、
低保磁力、高透磁率の緒特性を有し、かつこれら緒特性
が熱処理により大きく劣化しない軟磁性薄膜を提供する
ものである。
rII膜において、窒化鉄に0.5〜7.5%の第三の
元素を添加した軟磁性′FR膜を単独あるいは非磁性窒
化物膜と積層して用いることにより、高飽和磁束密度、
低保磁力、高透磁率の緒特性を有し、かつこれら緒特性
が熱処理により大きく劣化しない軟磁性薄膜を提供する
ものである。
たとえばオーディオテープレコーダやVTR(ビデオテ
ープレコーダ)等の磁気記録再生装置においては、記録
信号の高密度化や高品質化が進行しており、鉄等の強磁
性金属粉末を磁性粉とするいわゆるメタルテープや、強
磁性金属材料を真空薄膜形成技術によりベースフィルム
上に直接波゛ 着した、いわゆる蒸着テープ等が実用化
されている。
ープレコーダ)等の磁気記録再生装置においては、記録
信号の高密度化や高品質化が進行しており、鉄等の強磁
性金属粉末を磁性粉とするいわゆるメタルテープや、強
磁性金属材料を真空薄膜形成技術によりベースフィルム
上に直接波゛ 着した、いわゆる蒸着テープ等が実用化
されている。
ところで、このような高保磁力を有する磁気縁媒体の特
性を十分に活かして良好な記録再生を行うためには、磁
気ヘッドのコア材料の特性として、高い飽和磁束密度を
有するとともに、同一の磁気ヘッドで再生を行おうとす
る場合においては、高透磁率を併せて有することが要求
される。
性を十分に活かして良好な記録再生を行うためには、磁
気ヘッドのコア材料の特性として、高い飽和磁束密度を
有するとともに、同一の磁気ヘッドで再生を行おうとす
る場合においては、高透磁率を併せて有することが要求
される。
このような要求に応える軟磁性材料として、窒化鉄が知
られている。これは、窒素雰囲気中で鉄をターゲットと
してイオンビーム蒸着あるいはスパッタリングを行うこ
とにより薄膜状に形成され、飽和磁束密度が極めて高い
材料である。
られている。これは、窒素雰囲気中で鉄をターゲットと
してイオンビーム蒸着あるいはスパッタリングを行うこ
とにより薄膜状に形成され、飽和磁束密度が極めて高い
材料である。
また、上述のような窒化鉄の単層膜の代わりに、渦電流
損失を低減させる目的で、鉄を主体とする主磁性層と酸
化シリコン等の絶縁体を交互に積層した軟磁性積層膜も
開発されており、単層膜では得られなかった高い飽和磁
束密度と高い透磁率とを両立させることに成功している
。
損失を低減させる目的で、鉄を主体とする主磁性層と酸
化シリコン等の絶縁体を交互に積層した軟磁性積層膜も
開発されており、単層膜では得られなかった高い飽和磁
束密度と高い透磁率とを両立させることに成功している
。
ところで、磁気ヘッドの製造工程においては高融点ガラ
スを用いた融着工程が不可欠であり、この工程には高温
の熱処理を必要とする。しかし、従来開発されている2
0 kGを越えるほどの極めて高い飽和磁束密度を有す
る軟磁性薄膜は、成膜が終了した段階では十分に保磁力
が低くならず、さらに400℃程度の熱処理によっても
保磁力が上昇し、良好な軟磁気特性を示すとはいえなか
った。
スを用いた融着工程が不可欠であり、この工程には高温
の熱処理を必要とする。しかし、従来開発されている2
0 kGを越えるほどの極めて高い飽和磁束密度を有す
る軟磁性薄膜は、成膜が終了した段階では十分に保磁力
が低くならず、さらに400℃程度の熱処理によっても
保磁力が上昇し、良好な軟磁気特性を示すとはいえなか
った。
積層型の軟磁性薄膜においても、その主磁性層となる軟
磁性薄膜の軟磁気特性を向上させることが特性改善の基
本となる。
磁性薄膜の軟磁気特性を向上させることが特性改善の基
本となる。
そこで本発明は、熱処理を経ても軟磁気特性が劣化しな
い軟磁性fi)IIの提供を目的とする。
い軟磁性fi)IIの提供を目的とする。
本発明の軟磁性薄膜は、上述の従来の目的を達成すべく
提案されたものであり、Fe IINVAll(ただし
、X+ L+ Zは各々組成比を原子%として表し、A
はSt、 AI、 Ta、 B、 Mg、 Ca、 S
r。
提案されたものであり、Fe IINVAll(ただし
、X+ L+ Zは各々組成比を原子%として表し、A
はSt、 AI、 Ta、 B、 Mg、 Ca、 S
r。
Ba、Cr、Mn、Zr、Nb、Ti、Mo、V。
W、Hf、Ga、Ge、希土類元素の少なくとも1種を
表す、)なる組成式で示され、その組成範囲が0.5≦
y≦2.5.0.5≦2≦7.5. x+y+z−10
0であることを特徴とするものである。
表す、)なる組成式で示され、その組成範囲が0.5≦
y≦2.5.0.5≦2≦7.5. x+y+z−10
0であることを特徴とするものである。
さらに、本発明の軟磁性薄膜は、Fe8NyAg(ただ
し、L Y+ 2は各々組成比を原子%として表し、A
はSi、 AI、 Ta、 B、 Mg、 Ca。
し、L Y+ 2は各々組成比を原子%として表し、A
はSi、 AI、 Ta、 B、 Mg、 Ca。
Sr、Ba、Cr、Mn、Zr、Nb、Ti、Mo。
V、W、Hr、Ga、Ge、希土類元素の少なくとも1
種を表す、)なる組成式で示され、その組成範囲が0.
5≦y≦2.5.0.5≦2≦7.5.x+y+z=1
00である主磁性層と、非磁性窒化物膜とを積層したこ
とを特徴とするものである。
種を表す、)なる組成式で示され、その組成範囲が0.
5≦y≦2.5.0.5≦2≦7.5.x+y+z=1
00である主磁性層と、非磁性窒化物膜とを積層したこ
とを特徴とするものである。
本発明にかかる軟磁性′gl膜あるいは積層型の軟磁性
薄膜の主磁性層は、窒化鉄に上述のような種々の元素を
0.5〜7.5原子%の割合で添加したものであるが、
添加元素を2種以上組み合わせることも可能である0本
発明にかかる軟磁性薄膜は、窒素を含む雰囲気中でのス
パッタリングにより作成され、このとき、上述の元素の
添加方法としては、まず目的の元素と鉄との合金を調製
し、該合金をターゲットとして使用する方法が考えられ
る。
薄膜の主磁性層は、窒化鉄に上述のような種々の元素を
0.5〜7.5原子%の割合で添加したものであるが、
添加元素を2種以上組み合わせることも可能である0本
発明にかかる軟磁性薄膜は、窒素を含む雰囲気中でのス
パッタリングにより作成され、このとき、上述の元素の
添加方法としては、まず目的の元素と鉄との合金を調製
し、該合金をターゲットとして使用する方法が考えられ
る。
しかし、アルカリ土類金属等の鉄と固溶しない金属・に
ついてはチップを作成し、該チップを鉄ターゲツト上に
置いてスパッタリングを行う。
ついてはチップを作成し、該チップを鉄ターゲツト上に
置いてスパッタリングを行う。
また、上述の軟磁性薄膜を主磁性層とし、これを他の非
磁性窒化物膜と積層する場合、使用できる非磁性窒化物
には、S 1iNa、BN、AI N。
磁性窒化物膜と積層する場合、使用できる非磁性窒化物
には、S 1iNa、BN、AI N。
TaN、ZrN、NbN、T iN、GaN、MgN。
MoN、VN等がある。これらの窒化物は2種以上ン琵
合しても良い。
合しても良い。
上述のような材料を使用した積層型の軟磁性薄膜におい
て、非磁性窒化物膜は主磁性層と同様にスパッタリング
により成膜される。このとき、主磁性層および非磁性窒
化物膜の膜厚は所望の特性により適宜設定すれば良いが
、まず主磁性層の1層あたりの膜厚は磁気特性の観点か
ら100〜1.000μmが望ましい。また、非磁性窒
化物膜の111あたりの膜厚は3〜500人の範囲とす
ることが望ましい、膜厚が3人未満では均一な成膜が困
難な上、積層膜とする意味が無く、また上記の範囲以上
では飽和磁束密度が低下する。また、上記主磁性層と非
磁性窒化物膜の積層枚数も、適宜選択して良い。
て、非磁性窒化物膜は主磁性層と同様にスパッタリング
により成膜される。このとき、主磁性層および非磁性窒
化物膜の膜厚は所望の特性により適宜設定すれば良いが
、まず主磁性層の1層あたりの膜厚は磁気特性の観点か
ら100〜1.000μmが望ましい。また、非磁性窒
化物膜の111あたりの膜厚は3〜500人の範囲とす
ることが望ましい、膜厚が3人未満では均一な成膜が困
難な上、積層膜とする意味が無く、また上記の範囲以上
では飽和磁束密度が低下する。また、上記主磁性層と非
磁性窒化物膜の積層枚数も、適宜選択して良い。
本発明にかかる軟磁性薄膜においては、窒化鉄に種々の
元素が添加されることにより、高飽和磁束密度および高
透磁率が達成されている。添加されたこれら種々の元素
は窒化鉄の膜中で安定な窒化物を形成するため、高温下
でも窒化鉄膜中から窒素を脱離させない、したがって磁
気ヘッドの製造工程においてガラス融着のための熱処理
を経ても保磁力が大幅には上昇せず、良好な軟磁気特性
を維持することが可能となる。
元素が添加されることにより、高飽和磁束密度および高
透磁率が達成されている。添加されたこれら種々の元素
は窒化鉄の膜中で安定な窒化物を形成するため、高温下
でも窒化鉄膜中から窒素を脱離させない、したがって磁
気ヘッドの製造工程においてガラス融着のための熱処理
を経ても保磁力が大幅には上昇せず、良好な軟磁気特性
を維持することが可能となる。
また、上述の軟磁性薄膜を非磁性窒化物膜と積層した積
層型の軟磁性薄膜においては、熱処理を経た後にかえっ
て保磁力が低減され、より一層の軟磁気特性の改善効果
が期待できる。
層型の軟磁性薄膜においては、熱処理を経た後にかえっ
て保磁力が低減され、より一層の軟磁気特性の改善効果
が期待できる。
以下、本発明の好適な実施例を実験結果にもとづいて説
明する。
明する。
第1の実施例
本実施例は、添加元素としてアルミニウム、タリウムお
よびケイ素を使用した単層膜としての軟磁性薄膜の例で
ある。
よびケイ素を使用した単層膜としての軟磁性薄膜の例で
ある。
F e qqA l !+ F e !?
T a 3+ およびF e *tS l
s(数値はいずれも原子%)の組成を有する鉄合金ター
ゲットを調製し、2.5モル%の窒素を含有するアルゴ
ン雰囲気中、ガス圧3 mTorr、出力300Wの条
件にて高周波マグネトロン・スパッタリングを行い、ア
ルミニウム含有窒化鉄薄膜(夏)、タリウム含有窒化鉄
薄膜(I[)、およびケイ素含有窒化鉄薄膜(I[I)
をそれぞれ作成′した。これらの各窒化鉄薄膜について
550°Cで1時間アニールを行った後、保磁力を測定
し、アニール前の保磁力と比較した。この結果を第1表
にまとめた。
T a 3+ およびF e *tS l
s(数値はいずれも原子%)の組成を有する鉄合金ター
ゲットを調製し、2.5モル%の窒素を含有するアルゴ
ン雰囲気中、ガス圧3 mTorr、出力300Wの条
件にて高周波マグネトロン・スパッタリングを行い、ア
ルミニウム含有窒化鉄薄膜(夏)、タリウム含有窒化鉄
薄膜(I[)、およびケイ素含有窒化鉄薄膜(I[I)
をそれぞれ作成′した。これらの各窒化鉄薄膜について
550°Cで1時間アニールを行った後、保磁力を測定
し、アニール前の保磁力と比較した。この結果を第1表
にまとめた。
この第1表によると、すべての窒化鉄薄膜について、ア
ニール後においてはアニール前に比べてやや保磁力が上
昇してはいるものの、従来の軟磁第1表 性情膜よりは遥かに優れた熱安定性を有することがわか
った。また、飽和磁束密度は、いずれの軟磁性薄膜の場
合も20 kG前後と掻めて高い値を示した。
ニール後においてはアニール前に比べてやや保磁力が上
昇してはいるものの、従来の軟磁第1表 性情膜よりは遥かに優れた熱安定性を有することがわか
った。また、飽和磁束密度は、いずれの軟磁性薄膜の場
合も20 kG前後と掻めて高い値を示した。
なお、本実施例で採用した高周波マグネトロン・スパッ
タリングの条件は上述の条件に限定されるものではなく
、たとえば窒素含量を0.5〜5モル%の範囲で、また
ガス圧を1.0〜5 aTorrの範囲で変化させても
差支えない、これらの条件は得られる窒化鉄の組成に影
響を及ぼすので、所望の軟磁気特性に応じて適宜選択す
れば良い。
タリングの条件は上述の条件に限定されるものではなく
、たとえば窒素含量を0.5〜5モル%の範囲で、また
ガス圧を1.0〜5 aTorrの範囲で変化させても
差支えない、これらの条件は得られる窒化鉄の組成に影
響を及ぼすので、所望の軟磁気特性に応じて適宜選択す
れば良い。
また、スパッタリング方法も上記高周波マグネトロン・
スパッタリングに限定されるものではない、たとえば、
直流スパッタリング、対向ターゲット・スパッタリング
、イオンビーム・スパッタリング等も使用可能であり、
やはり窒素−アルゴン雰囲気中、窒素含量0.5〜5モ
ル%の条件で行われる。このときのガス圧を例示すると
、直流スパッタリングの場合1.0〜5 mTorrs
対向ターゲット・スパッタリングの場合0.2〜5 m
Torr、イオンビーム・スパッタリングの場合0.1
〜1.0mTorr程度である。
スパッタリングに限定されるものではない、たとえば、
直流スパッタリング、対向ターゲット・スパッタリング
、イオンビーム・スパッタリング等も使用可能であり、
やはり窒素−アルゴン雰囲気中、窒素含量0.5〜5モ
ル%の条件で行われる。このときのガス圧を例示すると
、直流スパッタリングの場合1.0〜5 mTorrs
対向ターゲット・スパッタリングの場合0.2〜5 m
Torr、イオンビーム・スパッタリングの場合0.1
〜1.0mTorr程度である。
比較例
上述の実験に対する比較例として、元素の添加量が本発
明において限定される範囲の外にある例を示す、まず、
元素の添加量が上記範囲より少ない例として、添加元素
を使用せず、純鉄をターゲットとして同様の条件にて窒
化鉄薄Wa(IV)を作成し、同様に保磁力を測定した
。また、元素の添加量が多い例として、F ems、s
s t+4.5 (原子%)の組成を有する鉄合金をタ
ーゲットとして同様の条件にてケイ素含有窒化鉄薄膜(
V)を作成し、同様に保磁力を測定した。この結果を第
2表に示この表をみると、作成された窒化鉄mHの保磁
力は、いずれの場合も前述の第1表に示した各軟磁性薄
膜よりも高く、軟磁気特性は劣っていることがわがつつ
た。
明において限定される範囲の外にある例を示す、まず、
元素の添加量が上記範囲より少ない例として、添加元素
を使用せず、純鉄をターゲットとして同様の条件にて窒
化鉄薄Wa(IV)を作成し、同様に保磁力を測定した
。また、元素の添加量が多い例として、F ems、s
s t+4.5 (原子%)の組成を有する鉄合金をタ
ーゲットとして同様の条件にてケイ素含有窒化鉄薄膜(
V)を作成し、同様に保磁力を測定した。この結果を第
2表に示この表をみると、作成された窒化鉄mHの保磁
力は、いずれの場合も前述の第1表に示した各軟磁性薄
膜よりも高く、軟磁気特性は劣っていることがわがつつ
た。
第2の実施例
本実施例は、主磁性膜の添加元素としてケイ素またはタ
リウムを使用し、非磁性窒化物膜として窒化ケイ素を使
用し、この両者をいわゆる同時二元スパッタリングによ
り積層した軟磁性薄膜(以下、軟磁性積層膜と称する。
リウムを使用し、非磁性窒化物膜として窒化ケイ素を使
用し、この両者をいわゆる同時二元スパッタリングによ
り積層した軟磁性薄膜(以下、軟磁性積層膜と称する。
)の例である。
まず、添加元素としてケイ素を使用する場合について説
明する。
明する。
はじめに、チャンバー内にターゲットとなるFe*tS
ls (原子%)および5iiNaを並置した。
ls (原子%)および5iiNaを並置した。
次に、これらのターゲットのいずれか一方と対向するよ
うに、結晶化ガラス等の基板を可動型の載置台に載置し
た。続いてチャンバー内を脱気した後、2.5モル%の
窒素を含有するアルゴンを封入し、ガス圧を2.5 w
Torrとした。
うに、結晶化ガラス等の基板を可動型の載置台に載置し
た。続いてチャンバー内を脱気した後、2.5モル%の
窒素を含有するアルゴンを封入し、ガス圧を2.5 w
Torrとした。
上記基板を回転させながら、出力300−にてスパッタ
リングを行い、第1図に示すような膜厚的1 、000
人の主磁性層であるF e*h、ss itN+、s膜
(1)と膜厚約9人の非磁性窒化物膜である5isN−
11! (2)とを交互に積層し、軟磁性績N膜(■)
を作成した。
リングを行い、第1図に示すような膜厚的1 、000
人の主磁性層であるF e*h、ss itN+、s膜
(1)と膜厚約9人の非磁性窒化物膜である5isN−
11! (2)とを交互に積層し、軟磁性績N膜(■)
を作成した。
添加元素としてタリウムを使用する場合も、ターゲット
としてFewtTas (原子%)を使用すること以
外は上記のケイ素を使用する場合と同様に行い、主磁性
層としてF e qh、 sT a tN 1. s膜
を含む軟磁性槽1m(■)を得た。
としてFewtTas (原子%)を使用すること以
外は上記のケイ素を使用する場合と同様に行い、主磁性
層としてF e qh、 sT a tN 1. s膜
を含む軟磁性槽1m(■)を得た。
このようにして作成された軟磁性積層膜(■)。
(■)について、550°Cで1時間アニール処理を行
った後、保磁力および5 MHzにおける透磁率を測定
し、アニール前の保磁力および透磁率と比較した。この
結果を第3表に示す。
った後、保磁力および5 MHzにおける透磁率を測定
し、アニール前の保磁力および透磁率と比較した。この
結果を第3表に示す。
この第3表によると、いずれの軟磁性槽Fillllに
おいてもアニール後においてはアニール前よりも保磁力
が低減されていた。また透磁率は、ケイ素第3表 を添加元素とした場合は若干の低下を、またタリウムを
添加元素とした場合は若干の上昇を示しているが、いず
れにおいても実用上は極めて良好な軟磁気特性が達成さ
れている。
おいてもアニール後においてはアニール前よりも保磁力
が低減されていた。また透磁率は、ケイ素第3表 を添加元素とした場合は若干の低下を、またタリウムを
添加元素とした場合は若干の上昇を示しているが、いず
れにおいても実用上は極めて良好な軟磁気特性が達成さ
れている。
これらの良好な軟磁気特性を示すデータの一例として、
第2図(A)および第2図(B)に軟磁性積層膜(’1
ll)のヒステリシス曲線を示した。第2図(A)はア
ニール前、第2図(B)はアニール後のヒステリシス曲
線をそれぞれ表す、これらの図から、アニール後におい
てはアニール前に比べて飽和磁束密度は20 kGとほ
とんど変化していないが保磁力が0.1(Oe)低くな
り、ヒステリシス曲線の横方向の幅が狭まっていること
がわかる。
第2図(A)および第2図(B)に軟磁性積層膜(’1
ll)のヒステリシス曲線を示した。第2図(A)はア
ニール前、第2図(B)はアニール後のヒステリシス曲
線をそれぞれ表す、これらの図から、アニール後におい
てはアニール前に比べて飽和磁束密度は20 kGとほ
とんど変化していないが保磁力が0.1(Oe)低くな
り、ヒステリシス曲線の横方向の幅が狭まっていること
がわかる。
また、第3図(A)および第3図(B)には、同じく軟
磁性積層III (V[)の透磁率の周波数依存性を示
す。第3図(A)はアニール前、第3図(B)はアニー
ル後の特性をそれぞれ示している。
磁性積層III (V[)の透磁率の周波数依存性を示
す。第3図(A)はアニール前、第3図(B)はアニー
ル後の特性をそれぞれ示している。
これらの図において、縦軸は透磁率、横軸は周波数をそ
れぞれ表す。これをみると、アニール後ではアニール前
に比べて測定した周波数帯域全般にわたってほぼ一様に
透磁率が若干低下したが、それでもなお実用上十分に高
い透磁率を有していることがわかった。
れぞれ表す。これをみると、アニール後ではアニール前
に比べて測定した周波数帯域全般にわたってほぼ一様に
透磁率が若干低下したが、それでもなお実用上十分に高
い透磁率を有していることがわかった。
以上の説明からも明らかなように、本発明の第1の発明
は、窒化鉄中に安定な窒化物を形成し得る元素を所定の
範囲内で添加することにより、磁気ヘッドの製造工程に
含まれる高温のアニール処理を経た後でも安定な軟磁気
特性を維持することを可能としたものである。したがっ
て、この軟磁性薄膜を使用することにより、従来問題と
なっていたアニール後の保磁力の上昇を低く抑えること
が可能である。
は、窒化鉄中に安定な窒化物を形成し得る元素を所定の
範囲内で添加することにより、磁気ヘッドの製造工程に
含まれる高温のアニール処理を経た後でも安定な軟磁気
特性を維持することを可能としたものである。したがっ
て、この軟磁性薄膜を使用することにより、従来問題と
なっていたアニール後の保磁力の上昇を低く抑えること
が可能である。
また、本発明の第2の発明においては、上記軟磁性薄膜
を非磁性窒化物膜と組み合わせて積層型の軟磁性薄膜と
しているので、アニール後にかえって保磁力が低減され
、より一層の改善効果を得ことができる。
を非磁性窒化物膜と組み合わせて積層型の軟磁性薄膜と
しているので、アニール後にかえって保磁力が低減され
、より一層の改善効果を得ことができる。
このように保磁力が十分に低い軟磁性薄膜を磁気ヘッド
に応用すれば、磁気ヘッドの帯磁が防止され、歪みが少
なくS/N比の高い良好な記録・再生が可能となる。
に応用すれば、磁気ヘッドの帯磁が防止され、歪みが少
なくS/N比の高い良好な記録・再生が可能となる。
第1図は本発明を適用した積層型の軟磁性薄膜の構成例
を模式的に示す断面図である。第2図(A)および第2
図(B)はケイ素を添加元素とした場合の軟磁性積層膜
のヒステリシス曲線を示す特性図であり、第2図(A)
はアニール前、第2図CB)はアニール後の特性をそれ
ぞれ表すものである。第3図(A)および第3図(B)
はケイ素を添加元素とした場合の軟磁性積層膜の透磁率
の周波数依存性を示す特性図であり、第3図(A)はア
ニール前、第3図(B)の特性をそれぞれ表すものであ
る。 1−・−F ewa、ss txN+、s膜2・・・5
isNn膜 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 見回 田村榮
− 同 佐藤 勝 第1図 第2図(A> 第2図(B)届じ反
数(MHz) 第3図(A’) 7、補正の内容 手続主甫正書(自発) 昭和62年7月10日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 1、事件の表示 昭和62年特許願第133996号 2、発明の名称 軟磁性薄膜 3、補正をする者 4、代理人 6、補正の対象 別紙 (1)明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり補正する
。 (2) 明細書第5頁第13行、および第6頁第2行
の「0.5≦y≦2.5」を「2.5≦y≦5.O」と
補正する。 特許請求の範囲 r(1) F e、INyA−(ただし、X+ L Z
は各々組成比を原子%として表し、AはSi、AI、T
a。 B、Mg、Ca、Sr、Ba、Cr、Mn、Zr。 Nb、T i、Mo、V、W、Hr、Ga、Ge。 希土類元素の少なくとも1種を表す。)なる組成式で示
され、その組成範囲が 2.5≦ ≦5.0 0.5≦2°≦7.5 ”+3’+Z=100 であることを特徴とする軟磁性薄膜。 (2)Fe、NyA、(ただし、L V+ Zは各々組
成比を原子%として表し、AはSi、AI、Ta、B。 M g 、Ca + S r + B a 、Cr
+ M n + Z r + N b 。 Ti、Mo、V、W、Hf、Ga、Ge、希土類元素の
少なくとも1種を表す。)なる組成式で示され、その組
成範囲が 2.5≦≦5.0 0.5≦2≦7.5 x+y+z=100 である主磁性層と、非磁性窒化物膜とを積層したことを
特徴とする軟磁性薄膜。j 手続(甫正書(自発) 昭和62年7月14日 13事件の表示 昭和62年特許願第133996号 2、発明の名称 軟磁性薄膜 3、補正をする者 4、代理人 6、補正の対象 7、補正の内容 (1) 明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり補正
する。 (2) 明細書第5頁第13行、および第6頁第2行
に「0.5≦y≦2.5」とある記載を「0.5≦y≦
5.0」と補正する。 別紙 特許請求の範囲 r(1)FexN、A、(ただし、X+ Y+ 2は各
々組成比を原子%として表し、AはSi、Al、Ta。 B、Mg、Ca、Sr、Ba、Cr、Mn、Zr。 Nb、Ti、Mo、V、W、Hf、Ga、Ge。 希土類元素の少なくとも1種を表す、)なる組成式で示
され、その組成範囲が 0.5≦≦5.0 0.5≦2≧7.5 X+y+z=100 であることを特徴とする軟磁性薄膜。 (2) F e llN y A −(ただし、L V
+ zは各々組成比を原子%として表し、AはSi、A
I、Ta、B。 Mg、Ca、−3r、Ba、Cr、Mn、Zr、Nb。 Ti、 Mo、 V、 W、 Hf、 Ga、 Ge、
希土類元素の少なくとも1種を表す。)なる組成式で示
され、その組成範囲が 0.5≦ ≦5.0 0.5≦2≦7.5 x+y+z=]、OO
を模式的に示す断面図である。第2図(A)および第2
図(B)はケイ素を添加元素とした場合の軟磁性積層膜
のヒステリシス曲線を示す特性図であり、第2図(A)
はアニール前、第2図CB)はアニール後の特性をそれ
ぞれ表すものである。第3図(A)および第3図(B)
はケイ素を添加元素とした場合の軟磁性積層膜の透磁率
の周波数依存性を示す特性図であり、第3図(A)はア
ニール前、第3図(B)の特性をそれぞれ表すものであ
る。 1−・−F ewa、ss txN+、s膜2・・・5
isNn膜 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 見回 田村榮
− 同 佐藤 勝 第1図 第2図(A> 第2図(B)届じ反
数(MHz) 第3図(A’) 7、補正の内容 手続主甫正書(自発) 昭和62年7月10日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 1、事件の表示 昭和62年特許願第133996号 2、発明の名称 軟磁性薄膜 3、補正をする者 4、代理人 6、補正の対象 別紙 (1)明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり補正する
。 (2) 明細書第5頁第13行、および第6頁第2行
の「0.5≦y≦2.5」を「2.5≦y≦5.O」と
補正する。 特許請求の範囲 r(1) F e、INyA−(ただし、X+ L Z
は各々組成比を原子%として表し、AはSi、AI、T
a。 B、Mg、Ca、Sr、Ba、Cr、Mn、Zr。 Nb、T i、Mo、V、W、Hr、Ga、Ge。 希土類元素の少なくとも1種を表す。)なる組成式で示
され、その組成範囲が 2.5≦ ≦5.0 0.5≦2°≦7.5 ”+3’+Z=100 であることを特徴とする軟磁性薄膜。 (2)Fe、NyA、(ただし、L V+ Zは各々組
成比を原子%として表し、AはSi、AI、Ta、B。 M g 、Ca + S r + B a 、Cr
+ M n + Z r + N b 。 Ti、Mo、V、W、Hf、Ga、Ge、希土類元素の
少なくとも1種を表す。)なる組成式で示され、その組
成範囲が 2.5≦≦5.0 0.5≦2≦7.5 x+y+z=100 である主磁性層と、非磁性窒化物膜とを積層したことを
特徴とする軟磁性薄膜。j 手続(甫正書(自発) 昭和62年7月14日 13事件の表示 昭和62年特許願第133996号 2、発明の名称 軟磁性薄膜 3、補正をする者 4、代理人 6、補正の対象 7、補正の内容 (1) 明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり補正
する。 (2) 明細書第5頁第13行、および第6頁第2行
に「0.5≦y≦2.5」とある記載を「0.5≦y≦
5.0」と補正する。 別紙 特許請求の範囲 r(1)FexN、A、(ただし、X+ Y+ 2は各
々組成比を原子%として表し、AはSi、Al、Ta。 B、Mg、Ca、Sr、Ba、Cr、Mn、Zr。 Nb、Ti、Mo、V、W、Hf、Ga、Ge。 希土類元素の少なくとも1種を表す、)なる組成式で示
され、その組成範囲が 0.5≦≦5.0 0.5≦2≧7.5 X+y+z=100 であることを特徴とする軟磁性薄膜。 (2) F e llN y A −(ただし、L V
+ zは各々組成比を原子%として表し、AはSi、A
I、Ta、B。 Mg、Ca、−3r、Ba、Cr、Mn、Zr、Nb。 Ti、 Mo、 V、 W、 Hf、 Ga、 Ge、
希土類元素の少なくとも1種を表す。)なる組成式で示
され、その組成範囲が 0.5≦ ≦5.0 0.5≦2≦7.5 x+y+z=]、OO
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)Fe_xN_yA_z(ただし、x、y、zは各
々組成比を原子%として表し、AはSi、Al、Ta、
B、Mg、Ca、Sr、Ba、Cr、Mn、Zr、Nb
、Ti、Mo、V、W、Hf、Ga、Ge、希土類元素
の少なくとも1種を表す。)なる組成式で示され、その
組成範囲が 0.5≦y≦2.5、 0.5≦z≦7.5 x+y+z=100 であることを特徴とする軟磁性薄膜。 (2)Fe_xN_yA_z(ただし、x、y、zは各
々組成比を原子%として表し、AはSi、Al、Ta、
B、Mg、Ca、Sr、Ba、Cr、Mn、Zr、Nb
、Ti、Mo、V、W、Hf、Ga、Ge、希土類元素
の少なくとも1種を表す。)なる組成式で示され、その
組成範囲が 0.5≦y≦2.5、 0.5≦z≦7.5 x+y+z=100 である主磁性層と、非磁性窒化物膜とを積層したことを
特徴とする軟磁性薄膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13399687A JP2550996B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 軟磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13399687A JP2550996B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 軟磁性薄膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63299219A true JPS63299219A (ja) | 1988-12-06 |
JP2550996B2 JP2550996B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=15117947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13399687A Expired - Fee Related JP2550996B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 軟磁性薄膜 |
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Country | Link |
---|---|
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- 1987-05-29 JP JP13399687A patent/JP2550996B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JP2550996B2 (ja) | 1996-11-06 |
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