JPS63298335A - パタ−ン形成用コントラストエンハンスト材料 - Google Patents
パタ−ン形成用コントラストエンハンスト材料Info
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- JPS63298335A JPS63298335A JP13508887A JP13508887A JPS63298335A JP S63298335 A JPS63298335 A JP S63298335A JP 13508887 A JP13508887 A JP 13508887A JP 13508887 A JP13508887 A JP 13508887A JP S63298335 A JPS63298335 A JP S63298335A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はパターン形成用コントラストエンハンスト材料
に関し、特にエネルギー線特に300〜40onm光や
XeClエキシマレーザ−光に対する初期透過率が低く
、エネルギー線特に遠紫外線やエキシマレーザ−光に対
して漂白作用を付加させ完全に漂白した後の透過率が高
くなる〔横軸露光エネルギ(X)、縦軸透過率(Y)と
した特性式、Y=AX十Bとした場合Aが大で、Bが小
なる傾向〕性質を有し、レジスト上に塗布した後にこの
材料薄膜を介してレジストを露光することによって、従
来の露光方法に比べ解像上の向上を可能とする微細パタ
ーン形成用材料に関するものである。
に関し、特にエネルギー線特に300〜40onm光や
XeClエキシマレーザ−光に対する初期透過率が低く
、エネルギー線特に遠紫外線やエキシマレーザ−光に対
して漂白作用を付加させ完全に漂白した後の透過率が高
くなる〔横軸露光エネルギ(X)、縦軸透過率(Y)と
した特性式、Y=AX十Bとした場合Aが大で、Bが小
なる傾向〕性質を有し、レジスト上に塗布した後にこの
材料薄膜を介してレジストを露光することによって、従
来の露光方法に比べ解像上の向上を可能とする微細パタ
ーン形成用材料に関するものである。
従来の技術
半導体製造工程のフォトリングラフィにおいては、その
微細パターン形成技術が必要であり、その中のひとつと
してコントラストエンノーンストリングラフィの利用が
挙げられる。コントラストエンハンストリソグラフィは
B、 F、グリフイン他てよって提案されたものであり
(B、 F、Griffingetal、フイイーイー
イー −イーディー(IEEE−ED)、VOL、ED
L−4,41(1983))、光学系のコントラストを
増大させることによりレジストパターン形状の高γ化と
解像性の向上を達成することができる。
微細パターン形成技術が必要であり、その中のひとつと
してコントラストエンノーンストリングラフィの利用が
挙げられる。コントラストエンハンストリソグラフィは
B、 F、グリフイン他てよって提案されたものであり
(B、 F、Griffingetal、フイイーイー
イー −イーディー(IEEE−ED)、VOL、ED
L−4,41(1983))、光学系のコントラストを
増大させることによりレジストパターン形状の高γ化と
解像性の向上を達成することができる。
コントラストエンハンストリソグラフィはレジスト上に
塗布するコントラスト二ンノ1ンスト材料の露光による
光透過率の変化を利用することによる。即チ、コントラ
ストエンノ・ンスト材料は露光前には透過率が低く、露
光後には透過率が高くなるように設計することにより、
露光のコントラストを増大させることができる。
塗布するコントラスト二ンノ1ンスト材料の露光による
光透過率の変化を利用することによる。即チ、コントラ
ストエンノ・ンスト材料は露光前には透過率が低く、露
光後には透過率が高くなるように設計することにより、
露光のコントラストを増大させることができる。
なお、コントラストエンハンスト作用を示す係数は、
示され、コントラストエンハンスにはA値が大なる傾向
が望ましい。Aを大なる傾向にするにはd(膜厚)を薄
く、T(→(初期透過率)、T(@(最終透過率)の比
が大になることが必要である。
が望ましい。Aを大なる傾向にするにはd(膜厚)を薄
く、T(→(初期透過率)、T(@(最終透過率)の比
が大になることが必要である。
発明が解決しようとする問題点
しかし、従来のコントラスト・エンハンスト材料は43
6nmや365 nmや405 nmの紫外線に適した
材料であり、300〜400 nmや308nmのXe
Clエキシマ・レーザー光を用いた露光の際には、これ
らの波長にほとんど吸収感度を示さないことから、はと
んどコントラスト・エンハンスト作用を示さない。
6nmや365 nmや405 nmの紫外線に適した
材料であり、300〜400 nmや308nmのXe
Clエキシマ・レーザー光を用いた露光の際には、これ
らの波長にほとんど吸収感度を示さないことから、はと
んどコントラスト・エンハンスト作用を示さない。
即ち、もっとも300〜400 nm光に感度の高い従
来の385 nmに適したコントラストエンハンスト材
料を用いた場合でも水銀ランプによる3oO〜400n
m光によるA値(300〜400nm)における平均値
)は2程度であシ、又、XeClエキシマレーザ−によ
る場合はA値は1以下であった。
来の385 nmに適したコントラストエンハンスト材
料を用いた場合でも水銀ランプによる3oO〜400n
m光によるA値(300〜400nm)における平均値
)は2程度であシ、又、XeClエキシマレーザ−によ
る場合はA値は1以下であった。
このような低いA値を有する従来のコントラストエンハ
ンスト材料ヲ308 nmのエキシマレーザ−光による
露光に用いた場合のパターン形成方法について第4図に
より説明する。
ンスト材料ヲ308 nmのエキシマレーザ−光による
露光に用いた場合のパターン形成方法について第4図に
より説明する。
基板1上にレジスト(シプレー社MPS−1400)を
回転塗布しプリベーク後1.511m厚のレジスト膜2
を得た(第4図a)。次にレジスト膜2上に従来のコン
トラストエンノ・ンスト材料を塗布した(第4図b)。
回転塗布しプリベーク後1.511m厚のレジスト膜2
を得た(第4図a)。次にレジスト膜2上に従来のコン
トラストエンノ・ンスト材料を塗布した(第4図b)。
そして、縮小投影露光法により選択的にXeClエキシ
マレーザ−光4で露光する(第4図C)。このとき、レ
ジスト2の一部も選択露光される。そして最後に通常の
現像処理を族コシ水溶性コントラスト・エンハンスドレ
イヤーを除去すると同時にレジスト2のパターン形成を
行う(第4図d)。
マレーザ−光4で露光する(第4図C)。このとき、レ
ジスト2の一部も選択露光される。そして最後に通常の
現像処理を族コシ水溶性コントラスト・エンハンスドレ
イヤーを除去すると同時にレジスト2のパターン形成を
行う(第4図d)。
1、
しかし、全くコントラスト・二ンノ・ンスト作用を示さ
ず、レジストパターン2bは通常の場合の露光したパタ
ーンと相違はなかった。
ず、レジストパターン2bは通常の場合の露光したパタ
ーンと相違はなかった。
本発明は前記問題点を解決するために、308nmのエ
キシマ・レーザー露光や300〜400 n m光等に
おけるコントラスト・エンハンスト材料を提供するもの
である。
キシマ・レーザー露光や300〜400 n m光等に
おけるコントラスト・エンハンスト材料を提供するもの
である。
この材料はその光反応試薬の308nmや300〜40
0 nm光露光前後の透過変化の比が大であること及び
光反応の有無にかかわらず水系溶媒(たとえばレジスト
の現像液であるアルカリ水溶液)に可溶であることが求
められる。
0 nm光露光前後の透過変化の比が大であること及び
光反応の有無にかかわらず水系溶媒(たとえばレジスト
の現像液であるアルカリ水溶液)に可溶であることが求
められる。
問題点を解決するための手段
本発明は、以上の要求に応じるために、パターン形成用
コントラストエンハンスト材料として又は (R1−R4は置換基) 又は なる骨格を含む化合物とポリマーと溶媒を含み、光照射
の有無にかかわらず全て水系溶媒にて溶解可能な材料を
提供するものである。
コントラストエンハンスト材料として又は (R1−R4は置換基) 又は なる骨格を含む化合物とポリマーと溶媒を含み、光照射
の有無にかかわらず全て水系溶媒にて溶解可能な材料を
提供するものである。
作 用
上述したベンゼン環にN原子を含んだナフトキノンジア
ジド型の試薬は本発明者らの研究の結果、波長が300
〜400nm付近で光漂白特性を強く示すことを見出し
た。即ち、これらの化合物は、通常のナフトキノンジア
ジド化合物の吸収ピークを、反応にあずかるN2基以外
のベンゼン環に置換したN原子を含む置換基の作用によ
り、より低波長側である300〜400 nmに移動さ
せることができ(通常のナフトキノンジアジド化合物の
吸収ピークは350〜4sonm)、これにより300
〜400 nm光やxeClエキシマレーザ光に対する
露光前後の透過率の変化が大きくなる。
ジド型の試薬は本発明者らの研究の結果、波長が300
〜400nm付近で光漂白特性を強く示すことを見出し
た。即ち、これらの化合物は、通常のナフトキノンジア
ジド化合物の吸収ピークを、反応にあずかるN2基以外
のベンゼン環に置換したN原子を含む置換基の作用によ
り、より低波長側である300〜400 nmに移動さ
せることができ(通常のナフトキノンジアジド化合物の
吸収ピークは350〜4sonm)、これにより300
〜400 nm光やxeClエキシマレーザ光に対する
露光前後の透過率の変化が大きくなる。
このことは、即ちこれらの光に対するA値(コントラス
トエンハンスト効果)の増大を示唆している。
トエンハンスト効果)の増大を示唆している。
なお、これらの化合物は一般に非水溶性であるためにコ
ントラストエンハンスト材料としては有機溶媒(エチル
セルンルプアセテートやジエチレンクリコールジメチル
エーテルなど)および有機溶媒に可溶なポリマー(ノボ
ラック樹脂やマレイミド樹脂など)と共に混合して調整
する。
ントラストエンハンスト材料としては有機溶媒(エチル
セルンルプアセテートやジエチレンクリコールジメチル
エーテルなど)および有機溶媒に可溶なポリマー(ノボ
ラック樹脂やマレイミド樹脂など)と共に混合して調整
する。
又、これらの化合物に置換基として503H基やC0O
H基やピリジウム基などを付加させて水溶性とすれば、
溶媒として水、ポリマーとして水溶性ポリマー(プルラ
ン、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコールなど
)と共に混合してコントラストエンノ・ンスト材料とし
て調整する。なお、これらの水溶性ポリマーの混合物(
たとえばガス透過性の悪いプルランとガス透過性の良い
ポリビニルピロリドン)は露光時の下地レジストからの
N2ガスの発生による泡の発生を抑止することができる
。
H基やピリジウム基などを付加させて水溶性とすれば、
溶媒として水、ポリマーとして水溶性ポリマー(プルラ
ン、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコールなど
)と共に混合してコントラストエンノ・ンスト材料とし
て調整する。なお、これらの水溶性ポリマーの混合物(
たとえばガス透過性の悪いプルランとガス透過性の良い
ポリビニルピロリドン)は露光時の下地レジストからの
N2ガスの発生による泡の発生を抑止することができる
。
本発明のパターン形成コントラスト・エンハンスト材料
を308nmのXeClエキシマ・レーザー露光や30
0〜400 nm光の露光に用いることにより、コント
ラストの増大した微細レジストパターンを形成すること
ができる。
を308nmのXeClエキシマ・レーザー露光や30
0〜400 nm光の露光に用いることにより、コント
ラストの増大した微細レジストパターンを形成すること
ができる。
実施例
以下に本発明の実施例について説明する。
(その1)
以下の組成から成るパターン形成用コントラスト・エン
ハンスト材料を調整した。
ハンスト材料を調整した。
Nつ
プルラン(分子量4万;林原生物什学朋究所製)・・・
2.6y純水 ・・・・・・20.0yこのよ
うに調整されたパターン形成用コントラストエンハンス
ト材料はこれを膜としてパターン形成有機膜としたとき
、厚さ0.1271mで308nmのXeClエキシマ
・レーザー光での露光前後308 nmにおける透過率
の差が非常に大きくなり(第2図)、コントラストエン
ハンストの程度を示す係数Aは7.6を示した。
2.6y純水 ・・・・・・20.0yこのよ
うに調整されたパターン形成用コントラストエンハンス
ト材料はこれを膜としてパターン形成有機膜としたとき
、厚さ0.1271mで308nmのXeClエキシマ
・レーザー光での露光前後308 nmにおける透過率
の差が非常に大きくなり(第2図)、コントラストエン
ハンストの程度を示す係数Aは7.6を示した。
この本発明のパターン形成コントラストエンハンスト材
料を用いてレジストパターン形成を行ったリングラフィ
工程を第1図に示す。半導体等の基板1上にポジレジス
ト2を1.57zm厚に回転塗布する(第1図a)。
料を用いてレジストパターン形成を行ったリングラフィ
工程を第1図に示す。半導体等の基板1上にポジレジス
ト2を1.57zm厚に回転塗布する(第1図a)。
次に、本発明のパターン形成用材料の層3を厚さ約01
2+1mでレジスト上に回転塗布形成した。
2+1mでレジスト上に回転塗布形成した。
そして、縮小投影露光法(6:1縮小、NA=030)
によりマスク(図示せず)を介して選択的に308nm
XeClエキシマ・レーザー光4を露光する(第1図
C)。そして通常のアルカリ現像液によってコントラス
トエンハンストの層である本発明のパターン形成コント
ラストエンハンスト膜3を除去すると同時に下地レジス
ト2の露光部を現像除去してレジストパターン2aを形
成した(第1図d)。
によりマスク(図示せず)を介して選択的に308nm
XeClエキシマ・レーザー光4を露光する(第1図
C)。そして通常のアルカリ現像液によってコントラス
トエンハンストの層である本発明のパターン形成コント
ラストエンハンスト膜3を除去すると同時に下地レジス
ト2の露光部を現像除去してレジストパターン2aを形
成した(第1図d)。
このときレジストパターン2aはコントラストの向上し
た0、4μmのラインアンドスペースを現像できた。
た0、4μmのラインアンドスペースを現像できた。
(その2)
以下の組成から成るパターン形成用コントラストエンハ
ンスト材料を調整した。
ンスト材料を調整した。
ノボラック樹脂 ・・・・・・2.5y
エチルセルソルブアセテート ・・・20.0
jiEこのように調整されたパターン形成コントラスト
エン・・ンスト材料はこれを膜としてパターン形成有機
膜としたとき、厚さ0.121zmで300〜400n
m光での露光前後で300〜400 nmにおける透過
率の差の平均値が非常に大きくなり、コントラストエン
ノ・ンストの程度を示す係数Aは7.5を示した。
エチルセルソルブアセテート ・・・20.0
jiEこのように調整されたパターン形成コントラスト
エン・・ンスト材料はこれを膜としてパターン形成有機
膜としたとき、厚さ0.121zmで300〜400n
m光での露光前後で300〜400 nmにおける透過
率の差の平均値が非常に大きくなり、コントラストエン
ノ・ンストの程度を示す係数Aは7.5を示した。
この本発明のパターン形成コントラストエンノーンスト
材料を用いてレジストパターン形成を行ったりソゲラフ
イエ程を第3図に示す。
材料を用いてレジストパターン形成を行ったりソゲラフ
イエ程を第3図に示す。
半導体等の基板1上にレジスト2を1.5/Jm 厚に
回転塗布する(第3図a)。次にポジレジスト2上に水
溶性有機膜6、例えばプルランとポリビニルピロリドン
の混合溶液を塗布形成する。このときプルランとポリビ
ニルピロリドンの混合重量比は4:1であり、このとき
の膜厚はパターン形成に影響のないように0.1〜0.
3jiE程度とした。
回転塗布する(第3図a)。次にポジレジスト2上に水
溶性有機膜6、例えばプルランとポリビニルピロリドン
の混合溶液を塗布形成する。このときプルランとポリビ
ニルピロリドンの混合重量比は4:1であり、このとき
の膜厚はパターン形成に影響のないように0.1〜0.
3jiE程度とした。
なおこの中間層である水溶性有機膜は下層レジストと上
層パターン形成有機膜が混合しないように設けているこ
とは言うまでもない(第3図b)。
層パターン形成有機膜が混合しないように設けているこ
とは言うまでもない(第3図b)。
次に、本発明のパターン形成コントラストエンハンスト
材料の層3′を厚さ約0.127zmで回転塗布形成し
た。なお、ここで下層レジストと中間層水溶性有機膜、
水溶性有機膜と上層パターン形成有機膜は全く密着性良
く積層できた。そして、パーキンエルマー社製1:1プ
ロジェクションアライナ−により選択的にその主たる波
長である300〜400 nm光を含む紫外光4を露光
する(第3図C)。そして通常のアルカリ現像液によっ
てコントラストエンハンストの層である本発明のパター
ン形成コントラストエンハンスト3′および中間層であ
る水溶性有機膜5を同時に除去すると同時に下地レジス
ト2を現像してレジストパターン2&を形成した(第3
図d)。このときレジストパターン2aはコントラスト
の向上した0、6/jmのラインアンドスペースを解像
できた。
材料の層3′を厚さ約0.127zmで回転塗布形成し
た。なお、ここで下層レジストと中間層水溶性有機膜、
水溶性有機膜と上層パターン形成有機膜は全く密着性良
く積層できた。そして、パーキンエルマー社製1:1プ
ロジェクションアライナ−により選択的にその主たる波
長である300〜400 nm光を含む紫外光4を露光
する(第3図C)。そして通常のアルカリ現像液によっ
てコントラストエンハンストの層である本発明のパター
ン形成コントラストエンハンスト3′および中間層であ
る水溶性有機膜5を同時に除去すると同時に下地レジス
ト2を現像してレジストパターン2&を形成した(第3
図d)。このときレジストパターン2aはコントラスト
の向上した0、6/jmのラインアンドスペースを解像
できた。
(その3)
実施例その2で用いたパターン形成コントラストエンハ
ンスト材料の代わりに下記組成のパターン形成コントラ
ストエンノ・ンスト材料を用いる以外は実施例その1と
同様の実験を行った結果、A値は7.2となり、0.5
57tmの鮮明なレジストパターンが得られた。
ンスト材料の代わりに下記組成のパターン形成コントラ
ストエンノ・ンスト材料を用いる以外は実施例その1と
同様の実験を行った結果、A値は7.2となり、0.5
57tmの鮮明なレジストパターンが得られた。
ジエチルクリコールジメチルエーテル ・・・20.0
y(その4) 実施例その1で用いたパターン形成コントラストエンハ
ンスト材料の代わりに下記組成のパターン形成コントラ
ストエンノ・ンスト材料を用いた以外は実施例その1と
同様の実験を行った結果、A値は7.0となり、0.4
5z1mの鮮明なレジストパターンが得られた。
y(その4) 実施例その1で用いたパターン形成コントラストエンハ
ンスト材料の代わりに下記組成のパターン形成コントラ
ストエンノ・ンスト材料を用いた以外は実施例その1と
同様の実験を行った結果、A値は7.0となり、0.4
5z1mの鮮明なレジストパターンが得られた。
o3H
プルラン ・・・・・・2.61
ポリビニルピロリドン ・・・・・・1.5’
、F純 水 ・・・
2o、0り(その5) 実施例その1で用いたパターン形成コントラストエンハ
ンスト材料の代わりに下記組成のパターン形成コントラ
ストエンノ・ンスト材料を用いる以外は実施例その1と
同様の実験を行った結果、A値はS、Oとなり、0.4
/J mの鮮明なレジストパターンが得られた。
ポリビニルピロリドン ・・・・・・1.5’
、F純 水 ・・・
2o、0り(その5) 実施例その1で用いたパターン形成コントラストエンハ
ンスト材料の代わりに下記組成のパターン形成コントラ
ストエンノ・ンスト材料を用いる以外は実施例その1と
同様の実験を行った結果、A値はS、Oとなり、0.4
/J mの鮮明なレジストパターンが得られた。
OOH
ホリビニルアルコール ・・・・・・2.0ノポリ
ビニルピロリトン ・・・・・・0.51純
水 ・・・20.0fXe
Clエキシマレーザ−光による露光・現像に際してのレ
ジストパターン形成が高コントラスト。
ビニルピロリトン ・・・・・・0.51純
水 ・・・20.0fXe
Clエキシマレーザ−光による露光・現像に際してのレ
ジストパターン形成が高コントラスト。
高解像、高精度で行うことができ、結果として半導体素
子の微細化2歩留まり向上につながり、工業的価値が高
い。
子の微細化2歩留まり向上につながり、工業的価値が高
い。
第1図は本発明の一実施例のパターン形成コントラスト
エンノ・ンスト材料を用いたパターン形成方法の工程断
面図、第2図は本発明のパターン形成コントラストエン
ハンスト材料の紫外分光曲線図、第3図は本発明のコン
トラストエンノ・ンスト材料を用いたパターン形成方法
の工程断面図、第4図は従来のパターン形成方法の工程
断面図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・ポジレジスト、3
.3′・・・・・・本発明のパターン形成コントラスト
エンハンスト材料、4・・・・・・XeC7エキシマ・
レーf−光、4’・・・・・・3oo〜400 nm光
、6・・・・・・水溶性有機膜、2a、2b・・・・・
・レジストパターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名/−
−一基板 2−m−しシスト 111 jll−4 第2図 浪 長 (7171) /−−一基板 2−m−しシスト 6−−−やりにのコントラスト jjj jll−4
エンノ・ンスト材料を用いたパターン形成方法の工程断
面図、第2図は本発明のパターン形成コントラストエン
ハンスト材料の紫外分光曲線図、第3図は本発明のコン
トラストエンノ・ンスト材料を用いたパターン形成方法
の工程断面図、第4図は従来のパターン形成方法の工程
断面図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・ポジレジスト、3
.3′・・・・・・本発明のパターン形成コントラスト
エンハンスト材料、4・・・・・・XeC7エキシマ・
レーf−光、4’・・・・・・3oo〜400 nm光
、6・・・・・・水溶性有機膜、2a、2b・・・・・
・レジストパターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名/−
−一基板 2−m−しシスト 111 jll−4 第2図 浪 長 (7171) /−−一基板 2−m−しシスト 6−−−やりにのコントラスト jjj jll−4
Claims (5)
- (1)▲数式、化学式、表等があります▼ 又は ▲数式、化学式、表等があります▼(R_1〜R_4は
置換基) 又は ▲数式、化学式、表等があります▼ なる骨格を含む化合物とポリマーと溶媒を含み、光照射
の有無にかかわらず全て水系溶媒にて溶解可能なパター
ン形成用コントラストエンハンスト材料。 - (2)ポリマーが水溶性ポリマーである特許請求の範囲
第1項に記載のパターン形成用コントラストエンハンス
ト材料。 - (3)ポリマーが、プルラン、ポリビニルアルコール、
ポリビニルピロリドンのいずれか、またはそれらの中の
いくつかを混合した水溶性有機物である特許請求の範囲
第2項に記載のパターン形成用コントラストエンハンス
ト材料。 - (4)照射光が300nmから400nmの波長のいず
れかを有する特許請求の範囲第1項に記載のパターン形
成用コントラストエンハンスト材料。 - (5)照射光がXeClエキシマレーザから発振される
光である特許請求の範囲第4項に記載のパターン形成用
コントラストエンハンスト材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13508887A JPS63298335A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | パタ−ン形成用コントラストエンハンスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13508887A JPS63298335A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | パタ−ン形成用コントラストエンハンスト材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63298335A true JPS63298335A (ja) | 1988-12-06 |
Family
ID=15143549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13508887A Pending JPS63298335A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | パタ−ン形成用コントラストエンハンスト材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63298335A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08305024A (ja) * | 1995-05-08 | 1996-11-22 | Mitsubishi Chem Corp | リソグラフィーにおける性能向上用塗布組成物および当該塗布組成物を使用したパターン形成方法 |
US8080364B2 (en) | 2003-05-09 | 2011-12-20 | Panasonic Corporation | Pattern formation method |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP13508887A patent/JPS63298335A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08305024A (ja) * | 1995-05-08 | 1996-11-22 | Mitsubishi Chem Corp | リソグラフィーにおける性能向上用塗布組成物および当該塗布組成物を使用したパターン形成方法 |
US8080364B2 (en) | 2003-05-09 | 2011-12-20 | Panasonic Corporation | Pattern formation method |
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