JPS5979249A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS5979249A JPS5979249A JP57190545A JP19054582A JPS5979249A JP S5979249 A JPS5979249 A JP S5979249A JP 57190545 A JP57190545 A JP 57190545A JP 19054582 A JP19054582 A JP 19054582A JP S5979249 A JPS5979249 A JP S5979249A
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- JP
- Japan
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- positive
- pattern
- negative
- forming
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はパターン形成方法に関し、さらに詳しくは、相
異なる２種類の放射線に感応し、かつ一方の放射線照射
では現像液に溶解せず、他方の放射線照射では現像液に
溶解することによるか、又は紫外線照射量の多少によっ
てネガ型及びポジ型双方のパターンが形成可能なレジス
トのパターン形成方法に関するものである。
異なる２種類の放射線に感応し、かつ一方の放射線照射
では現像液に溶解せず、他方の放射線照射では現像液に
溶解することによるか、又は紫外線照射量の多少によっ
てネガ型及びポジ型双方のパターンが形成可能なレジス
トのパターン形成方法に関するものである。
近年、半導体集積回路の微細化や高集積化などに伴い、
微細加工技術もますます高度化、複雑化され、それに用
いる材料も従来にない厳しい特性やあるいは新しい機能
や特性などが要求されつつある。例えばリソグラフィー
に用いるレジストにおいては、適用される放射線の種類
が紫外線から遠紫外線、電子線あるいはＸ線へと広はん
にわたり、まだ適用される工程が湿式から乾式へと開発
。
微細加工技術もますます高度化、複雑化され、それに用
いる材料も従来にない厳しい特性やあるいは新しい機能
や特性などが要求されつつある。例えばリソグラフィー
に用いるレジストにおいては、適用される放射線の種類
が紫外線から遠紫外線、電子線あるいはＸ線へと広はん
にわたり、まだ適用される工程が湿式から乾式へと開発
。
実用化されるにつれて、要求される性質や特性も感度、
解像力、純度、接着性などの従来の項目のみでは不十分
となシ、別に耐プラズマ性、耐熱性。
解像力、純度、接着性などの従来の項目のみでは不十分
となシ、別に耐プラズマ性、耐熱性。
耐溶剤性など新しい項目や従来問題とならなかった項目
が要求されるようになシ、これらの要求を渦した新規な
物質や新しい組成を有する材料、あるいはそのパターン
形成方法などの開発が要求されている。
が要求されるようになシ、これらの要求を渦した新規な
物質や新しい組成を有する材料、あるいはそのパターン
形成方法などの開発が要求されている。
本発明者らは、このような事情に鑑み、新しい機能や性
質を有する優れたレジストやそのパターン形成方法を開
発すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成するに至
った。
質を有する優れたレジストやそのパターン形成方法を開
発すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成するに至
った。
すなわち、本発明は、相異なる２種類の放射線照射に感
応１−１かつ一方の放射線照射では現像液に溶解せず、
他方の放射線照射では現像液に溶解することによるか、
又は紫外線照射量の多少によってネガ型及びポジ型双方
のパターンが形成可能なレジストのパターンを形成する
に当シ、先ずネガ型レジストパターンを形成しうる放射
線を用いて放射線パターンを照射し１次いでポジ型レジ
ストパターンを形成しうる放射線を全面照射したのち、
現像を行うことによってネガ型しジスしくターンを形成
することを特徴とするノーターン形成方法、及び前記の
ネガ型及びポジ型双方のパターンが形成可能なレジスト
のパターンを形成するに当シ、先ずポジ型レジストパタ
ーンを形成しうる放射線を選択的に照射したのち現像し
、さらにネガ型レジストパターンを形成しうる放射線を
全面照射するととを特徴とするパターン形成方法を提供
するものである。
応１−１かつ一方の放射線照射では現像液に溶解せず、
他方の放射線照射では現像液に溶解することによるか、
又は紫外線照射量の多少によってネガ型及びポジ型双方
のパターンが形成可能なレジストのパターンを形成する
に当シ、先ずネガ型レジストパターンを形成しうる放射
線を用いて放射線パターンを照射し１次いでポジ型レジ
ストパターンを形成しうる放射線を全面照射したのち、
現像を行うことによってネガ型しジスしくターンを形成
することを特徴とするノーターン形成方法、及び前記の
ネガ型及びポジ型双方のパターンが形成可能なレジスト
のパターンを形成するに当シ、先ずポジ型レジストパタ
ーンを形成しうる放射線を選択的に照射したのち現像し
、さらにネガ型レジストパターンを形成しうる放射線を
全面照射するととを特徴とするパターン形成方法を提供
するものである。
本発明方法において用いるレジストとしては。
一般式
（式中（７） 、Ａはｏ、ｓ、ｓ２．ｓｏ２又１ｄ：
ＣＨ２ノ腺了又は置換基、Ｘは水素原子又は塩素原子で
ある）で表わされるビスアジド化合物及びＯ−ナフトキ
ノンジアジド系ポジ型レジストを実質的Ｃて含有する感
光性組成物を好ましく挙げることができる。
ＣＨ２ノ腺了又は置換基、Ｘは水素原子又は塩素原子で
ある）で表わされるビスアジド化合物及びＯ−ナフトキ
ノンジアジド系ポジ型レジストを実質的Ｃて含有する感
光性組成物を好ましく挙げることができる。
前記の一般式（１）で示されるビスアジド化合物（ハ。
分光波長２００〜３３０ｎｍの遠紫外線（Ｄｅｅｐ Ｕ
Ｖ）照射で感光する架橋性化合物であって、例えば、４
．４′−ジアジドジフェニルエーテル、４．４’−ジア
ジドジフェニルスルフィド、 ４．４’−ジアジドジ
フェニルスルホニ／、 ３．３’−ジアジドジフェニ
ル哀ルホン、４．４’−ジアジドジフェニルメタン、３
．３’−ジクロロ−４，４仁ジアジドジフエニルメタン
。
Ｖ）照射で感光する架橋性化合物であって、例えば、４
．４′−ジアジドジフェニルエーテル、４．４’−ジア
ジドジフェニルスルフィド、 ４．４’−ジアジドジ
フェニルスルホニ／、 ３．３’−ジアジドジフェニ
ル哀ルホン、４．４’−ジアジドジフェニルメタン、３
．３’−ジクロロ−４，４仁ジアジドジフエニルメタン
。
４．４′−ジアジドジフェニルジスルフィドなどを挙げ
ることができ、これらは単独で用いてもよいし、あるい
は２種以−Ｌ混合して用いてもよい。まだ。
ることができ、これらは単独で用いてもよいし、あるい
は２種以−Ｌ混合して用いてもよい。まだ。
ＡｉＪ 記のビスアジド化合物の中で特に４，４′−ジ
アジドジフェニルスルフィドが、ネガ型として感度が高
くて、γ饋や解像度が［１ている点で好適である。
アジドジフェニルスルフィドが、ネガ型として感度が高
くて、γ饋や解像度が［１ている点で好適である。
まだ、前記の感光性組成物に含廟されるＯ−ナフトキノ
ンジアジド系ポジ型レジストは、ホルムアルデヒドとフ
ェノール類から得られるノボラック樹脂などと、Ｏ−ナ
フトキノンジアジド誘導体とから製造され、分光波長２
００〜５００ｎｍの紫外線（ＵＶ）によって感光、可溶
化するポジ型レジストであって、市販のもの、例えば０
ＦＰＲシリーズ（東京応化工業（株）製）、ＡＺシリー
ズ（ヘキスト社製）、ＫＰＲシリーズ（コダック社製）
、ＨＰＲシリーズ（）・ントケミカル社製）、マイクロ
ポジット（シプレー社製）などを利用することができる
。
ンジアジド系ポジ型レジストは、ホルムアルデヒドとフ
ェノール類から得られるノボラック樹脂などと、Ｏ−ナ
フトキノンジアジド誘導体とから製造され、分光波長２
００〜５００ｎｍの紫外線（ＵＶ）によって感光、可溶
化するポジ型レジストであって、市販のもの、例えば０
ＦＰＲシリーズ（東京応化工業（株）製）、ＡＺシリー
ズ（ヘキスト社製）、ＫＰＲシリーズ（コダック社製）
、ＨＰＲシリーズ（）・ントケミカル社製）、マイクロ
ポジット（シプレー社製）などを利用することができる
。
とのＯ−ナフトキノンジアジド系ポジ型レジストと前記
の一般式ｍで表わされるビスアジド化合物との混合割合
は、使用目的や性能などを考慮して選択されるが１通常
Ｏ−ナフトキノンジアジド系ポジ型レジストの固形分１
００重量部に対して、ビスアジド化合物が０．１〜５０
重量部の範囲であることが望ましく、さらに好ましくは
１０〜２０重量部の範囲である。
の一般式ｍで表わされるビスアジド化合物との混合割合
は、使用目的や性能などを考慮して選択されるが１通常
Ｏ−ナフトキノンジアジド系ポジ型レジストの固形分１
００重量部に対して、ビスアジド化合物が０．１〜５０
重量部の範囲であることが望ましく、さらに好ましくは
１０〜２０重量部の範囲である。
本発明方法において用いる感光性組成物ｆｄ：、通常の
紫外線露光ではポジ型の性質を示すが、過剰の紫外線露
光ではネガ型の性質を示し、一方遠紫外線露光では極め
て高感度のネガ型レジストとなる。
紫外線露光ではポジ型の性質を示すが、過剰の紫外線露
光ではネガ型の性質を示し、一方遠紫外線露光では極め
て高感度のネガ型レジストとなる。
とのＬうな性質の具体的な１例として、０−ナフトキノ
ンジアジド−ノボラック系ポジ型レジスト溶液から成る
０ＦＰＲ−８００（東京応化工業■製）に、その固形分
に対し４．４′−ジアジドジフェニルスルフィド０重量
％（Ａ）、５重量％（Ｂ）、１ｏ重量％（Ｃ）、１５重
量多（Ｄ）又は２０重量係（Ｅ）をそれぞれ溶解した本
発明の感光性組成物に、次のようにして紫外線及び遠紫
外線を露光して得られた感度曲線を第１図及び第２図に
示す。すなわち、前記の感光性組成物をスピンナーを用
いてシリコンウエノ・−上に塗布したのち、乾燥器で８
５℃の温度において３０分間プレベークして膜厚的１．
３μｍのレジスト膜を形成し、その上に紫外線露光の場
合はガラス製ステップタブレットを介してＰＬＡ−５０
０Ｆ露光機（キャノン（株）製）により露光ｊ７たのち
、遠紫外線露光の場合は石英製ステップタブレットを用
いてＰＬＡ−５２０Ｆ露光機（キャノン（株）製）によ
り露光し、さらに紫外線で全面露光したのち、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液から成る０ＦＰＲ
−８００用現像液ＮＭＩ）−３（東京応化工業（株）製
）を用いて２３℃の温度で１分間現像し、各ステップの
残存膜率を測定して感度曲線を得だ。
ンジアジド−ノボラック系ポジ型レジスト溶液から成る
０ＦＰＲ−８００（東京応化工業■製）に、その固形分
に対し４．４′−ジアジドジフェニルスルフィド０重量
％（Ａ）、５重量％（Ｂ）、１ｏ重量％（Ｃ）、１５重
量多（Ｄ）又は２０重量係（Ｅ）をそれぞれ溶解した本
発明の感光性組成物に、次のようにして紫外線及び遠紫
外線を露光して得られた感度曲線を第１図及び第２図に
示す。すなわち、前記の感光性組成物をスピンナーを用
いてシリコンウエノ・−上に塗布したのち、乾燥器で８
５℃の温度において３０分間プレベークして膜厚的１．
３μｍのレジスト膜を形成し、その上に紫外線露光の場
合はガラス製ステップタブレットを介してＰＬＡ−５０
０Ｆ露光機（キャノン（株）製）により露光ｊ７たのち
、遠紫外線露光の場合は石英製ステップタブレットを用
いてＰＬＡ−５２０Ｆ露光機（キャノン（株）製）によ
り露光し、さらに紫外線で全面露光したのち、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液から成る０ＦＰＲ
−８００用現像液ＮＭＩ）−３（東京応化工業（株）製
）を用いて２３℃の温度で１分間現像し、各ステップの
残存膜率を測定して感度曲線を得だ。
これらの図から判るように、本発明に使用される感光性
組成物は、通常の紫外線露光では先ずＪｆジ型パターン
を形成し、過剰の紫外線露光ではネガ型パターンを形成
する。一方遠紫外線露光ではネガ型パターンを形成する
。これは、ポジ型であるナフトキノンジアジド系レジス
トの分光感度波長が２００〜５００ｎｍ 、ネガ型であ
るビスアジド化合物のそれが２００〜３３０ｎｍである
のに対し、紫外線露光の照射波長が２８０〜６００ｎｍ
１遠紫外線露光のそれが２００〜３３０ｎｍ １石英
及びガラスの透過波長がそれぞれ１５０〜１１０００ｎ
及び３００〜１１０００ｎであって、紫外線に対してポ
ジ型のナフトキノンジアジド系レジストの感度が十分ｋ
（高しへのに対し、ネガ型であるビスアジド化合物の感
度が極めて低いこと、一方遠紫外線に対してはポジ型の
ナフトキノンジアジド系レジストの感度が十分に低く、
ネガ型であるビスアジド化合物の感度が十分に高いとと
に起因する。
組成物は、通常の紫外線露光では先ずＪｆジ型パターン
を形成し、過剰の紫外線露光ではネガ型パターンを形成
する。一方遠紫外線露光ではネガ型パターンを形成する
。これは、ポジ型であるナフトキノンジアジド系レジス
トの分光感度波長が２００〜５００ｎｍ 、ネガ型であ
るビスアジド化合物のそれが２００〜３３０ｎｍである
のに対し、紫外線露光の照射波長が２８０〜６００ｎｍ
１遠紫外線露光のそれが２００〜３３０ｎｍ １石英
及びガラスの透過波長がそれぞれ１５０〜１１０００ｎ
及び３００〜１１０００ｎであって、紫外線に対してポ
ジ型のナフトキノンジアジド系レジストの感度が十分ｋ
（高しへのに対し、ネガ型であるビスアジド化合物の感
度が極めて低いこと、一方遠紫外線に対してはポジ型の
ナフトキノンジアジド系レジストの感度が十分に低く、
ネガ型であるビスアジド化合物の感度が十分に高いとと
に起因する。
次に本発明のパターン形成法についてその実施態様の１
例を示すと、先ずスピンナーなどを用いてンリコンウエ
ノ・−のような基板−トに前記の感光性組成物を塗布し
たのち、乾燥して厚さ０．１〜２μｍのレジスト膜を形
成する。
例を示すと、先ずスピンナーなどを用いてンリコンウエ
ノ・−のような基板−トに前記の感光性組成物を塗布し
たのち、乾燥して厚さ０．１〜２μｍのレジスト膜を形
成する。
次に、ポジ型レジストパターンを形成する場合には、こ
のレジスト膜上にガラス製マスクなどを介して紫外線を
照射して像形成露光を行ったのち、無機アルカリ水溶液
又は有機アルカリ水溶液から成る通常のポジ型レジスト
用現像液で現像してポジ型レジストパターンを得５次い
で遠紫外線で全面露光して架橋させることによって耐熱
性、耐溶剤性のあるポジ型レジストパターンを形成する
。
のレジスト膜上にガラス製マスクなどを介して紫外線を
照射して像形成露光を行ったのち、無機アルカリ水溶液
又は有機アルカリ水溶液から成る通常のポジ型レジスト
用現像液で現像してポジ型レジストパターンを得５次い
で遠紫外線で全面露光して架橋させることによって耐熱
性、耐溶剤性のあるポジ型レジストパターンを形成する
。
一方、ネガ型レジストパターンを形成する場合には、前
記のレジスト膜上に石英マスクなどを介して遠紫ｌＡ線
を照射して露光を行ったのち、紫外線でポジ型となる露
光量を全面に照射し、次いで前記のポジ型レジスト用の
現像液で現像すると、遠紫外、腺と紫外線の両方を露光
した部分は現像液に溶解せず、遠紫線に未露光で紫外線
のみ照射された部分は溶解してネガ型レジストパターン
が形成される。
記のレジスト膜上に石英マスクなどを介して遠紫ｌＡ線
を照射して露光を行ったのち、紫外線でポジ型となる露
光量を全面に照射し、次いで前記のポジ型レジスト用の
現像液で現像すると、遠紫外、腺と紫外線の両方を露光
した部分は現像液に溶解せず、遠紫線に未露光で紫外線
のみ照射された部分は溶解してネガ型レジストパターン
が形成される。
また、ネガ型レジストパターンを形成する別の方法とし
て、前記のレジスト膜上にマスクを介して紫外線照射で
ネガ型に々る程度の多量の紫外線を照射して露光を行゛
りたのち、紫外線でポジ型となるような照射量を全面露
光し、次いで前記のポジ型レジスト用現像液で現像する
ことによっても。
て、前記のレジスト膜上にマスクを介して紫外線照射で
ネガ型に々る程度の多量の紫外線を照射して露光を行゛
りたのち、紫外線でポジ型となるような照射量を全面露
光し、次いで前記のポジ型レジスト用現像液で現像する
ことによっても。
ネガ型レジストパターンを形成しうる。
本発明のパターン形成方法によれば、耐熱性や耐溶剤性
に優れだポジ型又はネガ型の倒れか、若しくはその双方
のレジストパターンを形成することができる。
に優れだポジ型又はネガ型の倒れか、若しくはその双方
のレジストパターンを形成することができる。
次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
実施例１
ナフトキノンジアジド−ノボラック系レジスト溶液から
成るｏＦｐＲ−ｓｏｏ （東京応化工業（株）製）に、
その固形分に対し、４．４’−ジアジドジフェニルスル
フィド１５重量係を添加して溶解したのち、孔径０，２
μｍのフィルターでろ過して感光性組成物を調製した。
成るｏＦｐＲ−ｓｏｏ （東京応化工業（株）製）に、
その固形分に対し、４．４’−ジアジドジフェニルスル
フィド１５重量係を添加して溶解したのち、孔径０，２
μｍのフィルターでろ過して感光性組成物を調製した。
この組成物をスピンナーを用いてシリコンウェハー上に
塗布し、乾燥器で８５℃、３０分間ブレベークして膜厚
約１．３μｍのレジスト層を形成した。このシリコンウ
ェハーにガラス基板のクロムテストチャートを介し、キ
ャノン（株）製ＰＬＡ−５００Ｆ露光機を扇いて紫外線
を１０秒間露光１〜だのち、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液から成る０ＦＰＲ−８００用現像液
ＮＭＤ−３（東京応化工業（株）製）を用いて２３℃、
１分間現像した。この結果テストチャートに忠実なポジ
型レジストパターンが得られ、０．５μｍまで解像でき
た。
塗布し、乾燥器で８５℃、３０分間ブレベークして膜厚
約１．３μｍのレジスト層を形成した。このシリコンウ
ェハーにガラス基板のクロムテストチャートを介し、キ
ャノン（株）製ＰＬＡ−５００Ｆ露光機を扇いて紫外線
を１０秒間露光１〜だのち、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液から成る０ＦＰＲ−８００用現像液
ＮＭＤ−３（東京応化工業（株）製）を用いて２３℃、
１分間現像した。この結果テストチャートに忠実なポジ
型レジストパターンが得られ、０．５μｍまで解像でき
た。
実施例２
実施例１と同様にしてレジスト層を形成したシリコンウ
ェハーに、石英基板のクロムテストチャートを介し、キ
ャノン（株）製ＰＬＡ−５００Ｆ露光機を用いて遠紫外
線を１〜２秒間露光したのち、まったくパターンのない
ガラス基板を介して紫外線をｉｏ秒間全面露光した。次
いで実施例１と同様の方法で現像したところ、０．７５
μｍまで解像したネガ型レジストパターンが得られた。
ェハーに、石英基板のクロムテストチャートを介し、キ
ャノン（株）製ＰＬＡ−５００Ｆ露光機を用いて遠紫外
線を１〜２秒間露光したのち、まったくパターンのない
ガラス基板を介して紫外線をｉｏ秒間全面露光した。次
いで実施例１と同様の方法で現像したところ、０．７５
μｍまで解像したネガ型レジストパターンが得られた。
実施例３
実施例１と同様に露光、現像処理してパターニングした
シリコンウェハー２枚を準備し、１枚のみを遠紫外線で
１０秒間全面露光した。これとは別ニ、ビスアジド化合
物を含まない０ＦＰＲ−８００で２枚パターニングし、
その１枚のみ遠紫外線を１０秒間全面露光した。この４
枚のシリコンウェハーを２５０℃のベーク炉で２０分間
ポストベークした。その結果を表に示す。
シリコンウェハー２枚を準備し、１枚のみを遠紫外線で
１０秒間全面露光した。これとは別ニ、ビスアジド化合
物を含まない０ＦＰＲ−８００で２枚パターニングし、
その１枚のみ遠紫外線を１０秒間全面露光した。この４
枚のシリコンウェハーを２５０℃のベーク炉で２０分間
ポストベークした。その結果を表に示す。
表
表から明らかなように、本発明の感光性組成物を用い、
後露光したパターンは極めて優れた耐熱性を示した。
後露光したパターンは極めて優れた耐熱性を示した。
実施例４
実施例】と同様にしてパターニングしたソリコンウニ・
・−に遠紫外線を１０秒間全面露光した。
・−に遠紫外線を１０秒間全面露光した。
このレジストパターンは０ＦＰＲ−８００のみを用いた
パターンよりもメチルエチルケトンなどの良溶剤に溶解
しにくくなり、耐溶剤性が向上していた。
パターンよりもメチルエチルケトンなどの良溶剤に溶解
しにくくなり、耐溶剤性が向上していた。
実施例５
実施例１と同様にして得たレジスト層に、線中２μｍの
ライン・アンド・スペースパターンを有スルガラス基板
のクロムテストチャー１を介して紫外線を３０秒間露光
した。次いでアライメント装置ｆｆ ＶＣよってシリコ
ーンウェハーを距離２μｍ−スらし、同じクロムテスト
チャートを介して紫外線を３０秒間露光１−た。その後
、実施例１と同様にして現像を行ったところ、１μｍの
ライン・アンド−スペースが得られた。
ライン・アンド・スペースパターンを有スルガラス基板
のクロムテストチャー１を介して紫外線を３０秒間露光
した。次いでアライメント装置ｆｆ ＶＣよってシリコ
ーンウェハーを距離２μｍ−スらし、同じクロムテスト
チャートを介して紫外線を３０秒間露光１−た。その後
、実施例１と同様にして現像を行ったところ、１μｍの
ライン・アンド−スペースが得られた。
第１図は本発ＢＡＫ用いた感光性組成物に紫外線を照射
したときの露光時間と残膜率との関係を示すグラフであ
見第２図は同じく遠紫外線を照射したときの露光時間と
残膜率との関係を示すグラフである。 特許出願人 東京応化工業株式会社 代理人 阿 形 明
したときの露光時間と残膜率との関係を示すグラフであ
見第２図は同じく遠紫外線を照射したときの露光時間と
残膜率との関係を示すグラフである。 特許出願人 東京応化工業株式会社 代理人 阿 形 明
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 相異なる２種類の放射線照射に感応し、かつ一方の
放射線照射では現像液に溶解せず、他方の放射線照射で
は現像液に溶解することによるか、又は紫外線照射量の
多少によってネガ型及びポジ型双方のパターンが形成可
能なレジストのパターンを形成するに当り、先ずネガ型
レジストパターンを形成しうる放射線を用いて放射線パ
ターンを照射し、次いでポジ型レジストパターンを形成
しうる放射線を全面照射したのち、現像を行うことによ
ってネガ型レジストパターンを形成することを特徴とす
るパターン形成方法。 ２ レジストが一般式 （式中のＡはｏ、ｓ、ｓ２．ｓｏ２又はＣＨ２の原子又
は置換基、又は水素原子又は塩素原子である）で表わさ
れるビスアジド化合物及びＯ−ナフトキノンジアジド系
ポジ型レジヌトを実質的に含有する感光性組成物である
特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３ ビスアジド化合物が４，４仙ジアジドジフエニルエ
ーテル、４．４’−ジアジドジフェニルスルフィド、４
．４’−ジアジドジフェニルスルホン、３．３’−ジア
ジドジフェニルスルホン、 ４．４’−ジアジドジフ
ェニルメタン％ ３，３Ｌジクロロ−４，４′−ジアジ
ドジフェニルメタン、 ４．４’−ジアジドジフェニ
ルジスルフィドから成る群の中から選ばれた少なくとも
１種の化合物である特許請求の範囲第２項記載の方法。 ４ 相異なる２種類の放射線照射に感応し、かつ一方の
放射線照射では現像液に溶解せず、他方の放射線照射で
は現像液に溶解することによるか。 又は紫外線照射量の多少によってネガ型及びポジ型双方
のパターンが形成可能なレジストのパターンを形成する
に当り、先ずポジ型レジストパターンを形成１〜うる放
射線を選択的に照射したのち現像し、さらにネガ型レジ
ストパターンを形成しうる放射線を全面照射することを
特徴とするパターン形成方法。 ５ レジストが一般式 Ｃ式中のＡはＯ、Ｓ 、 Ｓ２ 、 Ｓ０２又は０Ｈ２
Ｏ原子又は置換基、Ｘは水素原子又は塩素原子である）
で表わされるビスアジド化合物及び０−ナフトキノンジ
アジド系ポジ型レジストを実質的Ｋ 含有ｆる感光性組
成物である特許請求の範囲第４項記載の方法。 ６ ビスアジド化合物が４，４′−ジアジドジフェニル
エーテル＋４．４’−ジアジドジフェニルスルフィ）”
、 ４．４’−ジアジドジフェニルスルボン、 ３
．３’−ジアジドジフェニルスルホン、４．４’−ジア
ジドジフェニルメタン、３．３’−ジクロロ−４，４′
−ジアジドジフェニルメタン、４．４’−ジアジドジフ
ェニルジスルフィドから成る群の中から選ばれた少なく
とも１種である特許請求の範囲第５項記載の方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57190545A JPS5979249A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | パタ−ン形成方法 |
| DE19833337315 DE3337315A1 (de) | 1982-10-13 | 1983-10-13 | Zweifach-lichtempfindliche zusammensetzungen und verfahren zur erzeugung bildmustergemaesser photoresistschichten |
| US07/161,213 US4797348A (en) | 1982-10-13 | 1988-02-17 | Method of forming a positive resist pattern in photoresist of o-naphthoquinone diazide and bisazide with UV imaging exposure and far UV overall exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57190545A JPS5979249A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5979249A true JPS5979249A (ja) | 1984-05-08 |
| JPH0343614B2 JPH0343614B2 (ja) | 1991-07-03 |
Family
ID=16259859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57190545A Granted JPS5979249A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-29 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5979249A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60263143A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-26 | ローム アンド ハース コンパニー | 熱安定性重合体像及びその形成方法 |
| JPS62100751A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-11 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 自己整合パタ−ンの形成方法 |
| JPH01283555A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パターン形成材料 |
| JPH0285857A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-27 | Toshiba Corp | 感光性樹脂組成物 |
| JPH10104839A (ja) * | 1996-09-16 | 1998-04-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 低”ｋ”係数ハイブリッド・フォトレジスト |
| JP2005292160A (ja) * | 2003-03-26 | 2005-10-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53116145A (en) * | 1977-03-15 | 1978-10-11 | Agfa Gevaert Nv | Improvement of photoregist material |
| JPS5692536A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-27 | Fujitsu Ltd | Pattern formation method |
-
1982
- 1982-10-29 JP JP57190545A patent/JPS5979249A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53116145A (en) * | 1977-03-15 | 1978-10-11 | Agfa Gevaert Nv | Improvement of photoregist material |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS60263143A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-26 | ローム アンド ハース コンパニー | 熱安定性重合体像及びその形成方法 |
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| JPH10104839A (ja) * | 1996-09-16 | 1998-04-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 低”ｋ”係数ハイブリッド・フォトレジスト |
| JP2005292160A (ja) * | 2003-03-26 | 2005-10-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子 |
| JP4622282B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2011-02-02 | 住友ベークライト株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0343614B2 (ja) | 1991-07-03 |
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