JPS63295498A - ３−ｖ族化合物半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
３−ｖ族化合物半導体単結晶の製造方法Info
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- JPS63295498A JPS63295498A JP13102487A JP13102487A JPS63295498A JP S63295498 A JPS63295498 A JP S63295498A JP 13102487 A JP13102487 A JP 13102487A JP 13102487 A JP13102487 A JP 13102487A JP S63295498 A JPS63295498 A JP S63295498A
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- melt
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ｍ−ｖ族化合物半導体単結晶を液体封止チｅ
クラルスキー法により製造する方法に関する。
クラルスキー法により製造する方法に関する。
［従来技術］
液体封止チークラルスキー法（以下ＬＥＣ法という）を
用いて高品質な、例えばＧａＡｓ結晶を得る技術として
特開昭［１Ｏ−４Ｇ９９８号公報に示されるように、複
数個のヒーターを用いて結晶成長領域及び結晶冷却領域
の温度環境を最適化させる方法を提案した。
用いて高品質な、例えばＧａＡｓ結晶を得る技術として
特開昭［１Ｏ−４Ｇ９９８号公報に示されるように、複
数個のヒーターを用いて結晶成長領域及び結晶冷却領域
の温度環境を最適化させる方法を提案した。
［発明が解決しよとする問題点］
前記方法では、結晶成長の進行と共に、複数個ヒーター
の温度の調整、成長速度や結晶回転数、るつぼ回転数な
どを変化させて時々刻々の最適条件を得ようとする。し
かしながら、るつぼ内の融液量は結晶成長が進むにつれ
て減少し、従って融液の対流も変化する。そのため、固
液界面の環境を上記手段のみにて常に最適に保つことは
難しく、単結晶化条件が（ずれて途中から多結晶化し、
良品結晶歩留を低下させる原因となっていた。
の温度の調整、成長速度や結晶回転数、るつぼ回転数な
どを変化させて時々刻々の最適条件を得ようとする。し
かしながら、るつぼ内の融液量は結晶成長が進むにつれ
て減少し、従って融液の対流も変化する。そのため、固
液界面の環境を上記手段のみにて常に最適に保つことは
難しく、単結晶化条件が（ずれて途中から多結晶化し、
良品結晶歩留を低下させる原因となっていた。
［問題を解決するための手段］
るつぼを浮かべ、いわゆる２重るつぼを用い、内外るつ
ぼの融液面を封止剤で封止して内側るつぼ内の融液から
結晶を成長させる２ｆｆｉるつぼＬＥＣ法は知られてい
るところである。
ぼの融液面を封止剤で封止して内側るつぼ内の融液から
結晶を成長させる２ｆｆｉるつぼＬＥＣ法は知られてい
るところである。
この方法によるとき、結晶成長につれて外るつぼ内の融
液量は変化する。しかし、実際に結晶が成長する内るつ
ぼ内の融液量は変らない。従って本発明は、内るつぼの
位置がほぼ一定位置にあり、変化しないように調整し、
内るつぼ近辺の温度環境が一定になるように加熱、その
他の条件をも調整すると内るつぼ内融液の対流も変化せ
ず、このため、結晶成長各段階での成長環境は殆んど変
らない。従って結晶内品質は安定しており、かつ結晶欠
陥も入りにくい。結晶長が長くなる程この効果は大きい
。
液量は変化する。しかし、実際に結晶が成長する内るつ
ぼ内の融液量は変らない。従って本発明は、内るつぼの
位置がほぼ一定位置にあり、変化しないように調整し、
内るつぼ近辺の温度環境が一定になるように加熱、その
他の条件をも調整すると内るつぼ内融液の対流も変化せ
ず、このため、結晶成長各段階での成長環境は殆んど変
らない。従って結晶内品質は安定しており、かつ結晶欠
陥も入りにくい。結晶長が長くなる程この効果は大きい
。
第１図は本発明を実施する装置を部分的に示しボンヒー
ターが環状に配置され、その内側に外るつぼ１、更にそ
の内側に底部に流通孔３を有する内るつぼ２が配置され
る。内るっぽ２の上端部でるつぼ支持具４により支持さ
れる。結晶６が示されているが、結晶８の上端および外
るっぽ１は図示していないが、昇降でき、回転できる上
軸及び下軸に連結されている。
ターが環状に配置され、その内側に外るつぼ１、更にそ
の内側に底部に流通孔３を有する内るつぼ２が配置され
る。内るっぽ２の上端部でるつぼ支持具４により支持さ
れる。結晶６が示されているが、結晶８の上端および外
るっぽ１は図示していないが、昇降でき、回転できる上
軸及び下軸に連結されている。
外るつぼ２としてＰＢＮ製るつぼを内るっぽ１として底
部に流通孔３を存するＰＢＮ製るつぼを用意する。
部に流通孔３を存するＰＢＮ製るつぼを用意する。
まず外るつぼｌ内に高純度ＧａＡｓ多結晶約２ ｋｇと
十分脱水されたＢ２Ｏ３約２００ ｇを収容した。これ
を外側のカーボンヒーターにより約１２７０℃まで加熱
すると、ＧａＡｓ融液５と溶融Ｂ２Ｏ３が生成した。
十分脱水されたＢ２Ｏ３約２００ ｇを収容した。これ
を外側のカーボンヒーターにより約１２７０℃まで加熱
すると、ＧａＡｓ融液５と溶融Ｂ２Ｏ３が生成した。
次の内るつぼ２を図の位置まで降下させ、内るつぼ２内
に約１５０ｇのＧａＡｓ融液５を充たした。
に約１５０ｇのＧａＡｓ融液５を充たした。
次に徐々に１２５０℃程度まで温度を下げ、上軸（図示
していない）に取り付けたＧａＡｓ単結晶シードを回転
させなからＢ２Ｏ３融液層を通して成長中、内るつぼ２
はるつぼ支持具４によりほぼ同位置に保持し、内るつぼ
２内融液量が常に一定葺、この場合的１５０ｇになるよ
うに外るつぼ１の位置を連続的に調整した。
していない）に取り付けたＧａＡｓ単結晶シードを回転
させなからＢ２Ｏ３融液層を通して成長中、内るつぼ２
はるつぼ支持具４によりほぼ同位置に保持し、内るつぼ
２内融液量が常に一定葺、この場合的１５０ｇになるよ
うに外るつぼ１の位置を連続的に調整した。
このような状態を維持して成長を続けたところ、良品歩
留６３％という高い値を示した。これは従来技術である
単一るつぼ法による平均良品歩留４０％と比べて改善効
果が顕著であった。
留６３％という高い値を示した。これは従来技術である
単一るつぼ法による平均良品歩留４０％と比べて改善効
果が顕著であった。
以上、ＧａＡｓ単結晶の製造について説明したが、不純
物無添加のＧａＰ＋ ＩｎＰ＋ ＩｎＡｓ等ｍ−ｖ族化
合物半導体単結晶の製造に使用できることは明らかであ
る。
物無添加のＧａＰ＋ ＩｎＰ＋ ＩｎＡｓ等ｍ−ｖ族化
合物半導体単結晶の製造に使用できることは明らかであ
る。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の方法を用いれば、成長界面
を常に最適条件に保つことができるため、結晶の高歩留
化、低コスト化の効果がある。
を常に最適条件に保つことができるため、結晶の高歩留
化、低コスト化の効果がある。
第１図は本発明を実施する装置の一部概略である。
１・・・外るつぼ、２・・・内るつぼ、３・・・流通孔
、４・・・るつぼ支持具、５・・・ＧａＡｓ融液、θ・
・・結晶、７・・・ＧａＡｓ単結晶シード。 賽 １ 図
、４・・・るつぼ支持具、５・・・ＧａＡｓ融液、θ・
・・結晶、７・・・ＧａＡｓ単結晶シード。 賽 １ 図
Claims (1)
- （１）内るつぼの位置が変化しないようにして外るつぼ
位置を調整し、内るつぼ内の融液を一定量に保ちながら
、液体封止チョクラルスキー法により単結晶を成長させ
ることを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体単結晶の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13102487A JPS63295498A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | ３−ｖ族化合物半導体単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13102487A JPS63295498A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | ３−ｖ族化合物半導体単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63295498A true JPS63295498A (ja) | 1988-12-01 |
Family
ID=15048223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13102487A Pending JPS63295498A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | ３−ｖ族化合物半導体単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63295498A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006068062A1 (ja) * | 2004-12-22 | 2006-06-29 | Tokuyama Corporation | フッ化金属単結晶体の引上げ装置および該装置を用いたフッ化金属単結晶体の製造方法 |
| JP2006199577A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-08-03 | Tokuyama Corp | フッ化金属単結晶体製造用引上げ装置および該装置を用いたフッ化金属単結晶体の製造方法 |
| JP2007297222A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Tokuyama Corp | フッ化金属単結晶体の引上げ装置およびフッ化金属単結晶体の製造方法 |
-
1987
- 1987-05-27 JP JP13102487A patent/JPS63295498A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006068062A1 (ja) * | 2004-12-22 | 2006-06-29 | Tokuyama Corporation | フッ化金属単結晶体の引上げ装置および該装置を用いたフッ化金属単結晶体の製造方法 |
| JP2006199577A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-08-03 | Tokuyama Corp | フッ化金属単結晶体製造用引上げ装置および該装置を用いたフッ化金属単結晶体の製造方法 |
| US8016942B2 (en) | 2004-12-22 | 2011-09-13 | Tokuyama Corporation | Process for producing metal fluoride single crystal |
| JP2007297222A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Tokuyama Corp | フッ化金属単結晶体の引上げ装置およびフッ化金属単結晶体の製造方法 |
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