JPS6329489A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPS6329489A JPS6329489A JP61172298A JP17229886A JPS6329489A JP S6329489 A JPS6329489 A JP S6329489A JP 61172298 A JP61172298 A JP 61172298A JP 17229886 A JP17229886 A JP 17229886A JP S6329489 A JPS6329489 A JP S6329489A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電子加速層と励起発光層を分離した機能分
離型の薄膜ＥＬ：ｉ子に関する。
離型の薄膜ＥＬ：ｉ子に関する。
一般に、薄膜ＥＬ素子としては第３図に示すように、透
明なガラス基板１１に密着させた透明電極１２と対向配
置させた背面電極１６との間に発光体として螢光体層１
４を介存させている。即ち、ＺｎＳ ： Ｍｎ 螢光体
１４を電子ビーム蒸着、スパッタ等）こより薄膜形成し
た螢光体ノ＠１４を、Ｙ２Ｏ，。
明なガラス基板１１に密着させた透明電極１２と対向配
置させた背面電極１６との間に発光体として螢光体層１
４を介存させている。即ち、ＺｎＳ ： Ｍｎ 螢光体
１４を電子ビーム蒸着、スパッタ等）こより薄膜形成し
た螢光体ノ＠１４を、Ｙ２Ｏ，。
Ａｔ、Ｏ，、Ｔａ、 ０５． ＢｕＴｉＯ，、ＰｂＴｉ
０． 、５ｒＴｉＯ，等の誘電薄膜層１３．１５で両側
から挾んだ、所謂二重絶縁構造にしたものが広く知られ
ている。
０． 、５ｒＴｉＯ，等の誘電薄膜層１３．１５で両側
から挾んだ、所謂二重絶縁構造にしたものが広く知られ
ている。
この薄膜ＥＬ素子の発光メカニズムζゴ、ミ工う−（Ｇ
、０ 、 Ｍｉｉｌｌｅｒ 、 Ｐｈｙｓｊｃａ ５ｔ
ａｔｕｓ ８ｏ１ｉｄｉ （ａ）１、・ より供給される電子が、外部より印加さｎていざ〈 電界の助ｆ″ｊを借りて、螢光体層１４内で矢印Ａの如
く電子で加速さｎ十分なエネルギーを得た後、螢光体層
１４の発光センターＢを励起し、発光を生じさせるもの
であると理解されている。
、０ 、 Ｍｉｉｌｌｅｒ 、 Ｐｈｙｓｊｃａ ５ｔ
ａｔｕｓ ８ｏ１ｉｄｉ （ａ）１、・ より供給される電子が、外部より印加さｎていざ〈 電界の助ｆ″ｊを借りて、螢光体層１４内で矢印Ａの如
く電子で加速さｎ十分なエネルギーを得た後、螢光体層
１４の発光センターＢを励起し、発光を生じさせるもの
であると理解されている。
このような発光メカニズム及びその製造法による制約等
に起因して、薄膜ＥＬ素子に適する螢光体としては、上
記ＺｎＳ：Ｍｎの他１こＺｎＳ：Ｔｂ−？ＺｎＳ：ＲＥ
（ＢＥは希土類）とかＳ ｒ Ｓ ： ＣｅＣ２やＯａ
Ｓ ：Ｅｕ等が実用に用いられたり、実験検討用して用
いられており、ここらは、例ｎも母体が、電子供給、電
子加速の点から硫化物ｌこかたよっている。
に起因して、薄膜ＥＬ素子に適する螢光体としては、上
記ＺｎＳ：Ｍｎの他１こＺｎＳ：Ｔｂ−？ＺｎＳ：ＲＥ
（ＢＥは希土類）とかＳ ｒ Ｓ ： ＣｅＣ２やＯａ
Ｓ ：Ｅｕ等が実用に用いられたり、実験検討用して用
いられており、ここらは、例ｎも母体が、電子供給、電
子加速の点から硫化物ｌこかたよっている。
現在用いられている薄膜ＥＬ素子の螢光体が硫化物にか
たよっている事から、ＣＲＴ用、紫外線励起ランプ用、
低速電子線用等の高輝度でしかも種々の色を必要とする
螢光体が、薄膜ＥＬ素子用の螢光体としては十分に利用
されていなかった。
たよっている事から、ＣＲＴ用、紫外線励起ランプ用、
低速電子線用等の高輝度でしかも種々の色を必要とする
螢光体が、薄膜ＥＬ素子用の螢光体としては十分に利用
されていなかった。
この発明は、上記の問題を解決するため、電子加速層と
発光励起層を分離した機能分離型の構造にする事により
、多くの材料を高輝度ｔよ螢光体として使用する事ので
きる薄膜ＥＬ累子を提供する事を目的とする。
発光励起層を分離した機能分離型の構造にする事により
、多くの材料を高輝度ｔよ螢光体として使用する事ので
きる薄膜ＥＬ累子を提供する事を目的とする。
この薄膜ＥＬ索子は、螢光体層部分を電子加速層及び発
光励起層に分離した構造となる事１こより、誘電体層よ
り供給さｎる電子を電子加速層で十分に加速した後、発
光励起層に侵入させ、発光センターを励起させると云う
機能分離型の構造をとっている。
光励起層に分離した構造となる事１こより、誘電体層よ
り供給さｎる電子を電子加速層で十分に加速した後、発
光励起層に侵入させ、発光センターを励起させると云う
機能分離型の構造をとっている。
以下この発明の一実施例を図面を参照しつつ説明する。
第１図は、透明なガラス基板１の上に透明電極２そ配設
し、この透明電極２の上に絶縁材として第１の誘電体層
３を配設している。
し、この透明電極２の上に絶縁材として第１の誘電体層
３を配設している。
上記誘電体層３の上には、先ず第１の・を子加速層７ａ
を配設し、この加速層７ａと組をなす第１の発光励起層
８ａをその上に配設している。
を配設し、この加速層７ａと組をなす第１の発光励起層
８ａをその上に配設している。
これら一対の電子加速層７ａと発光励起層８ａの上に、
更に第２の電子加速Ｊｆｉ７ｂと第２の発光励起層８ｂ
を重ねた多重層構造としている。
更に第２の電子加速Ｊｆｉ７ｂと第２の発光励起層８ｂ
を重ねた多重層構造としている。
上記第２の発光励起層８ｂの上（こ、更に第３の電子加
速層７Ｃを配設した後、第２の誘電体層５を介して背面
電極６を設けて薄膜ＥＬ素子を形成している。
速層７Ｃを配設した後、第２の誘電体層５を介して背面
電極６を設けて薄膜ＥＬ素子を形成している。
このように構成した薄膜ＥＬ索子の一対の電極２．６間
に所定のｔ圧を印加すると、第２図に示すように、電子
の供給は第１の誘電体Ｎ３と第１の電子加速層７ａとの
界面準位９で（ごく一部は、第１の電子加速層７ａ内ま
たは第１の発光励起層８ａと第２の電子加速層７ｂの界
面準位で行う）行う。この供給された電子を第１．第２
の電子加速層７ａ、７ｂで十分加速１０した後、紺１．
第２ （７）発光励起層８ａ、８ｂに侵入させ、励起／
ｉ８ａ、８ｂ内の発光センター１１ａ、ｌｌｂと衝突し
て励起しＥＬ発光させる。
に所定のｔ圧を印加すると、第２図に示すように、電子
の供給は第１の誘電体Ｎ３と第１の電子加速層７ａとの
界面準位９で（ごく一部は、第１の電子加速層７ａ内ま
たは第１の発光励起層８ａと第２の電子加速層７ｂの界
面準位で行う）行う。この供給された電子を第１．第２
の電子加速層７ａ、７ｂで十分加速１０した後、紺１．
第２ （７）発光励起層８ａ、８ｂに侵入させ、励起／
ｉ８ａ、８ｂ内の発光センター１１ａ、ｌｌｂと衝突し
て励起しＥＬ発光させる。
このように、供給される電子を加速専門の層と、電子を
衝突させて発光センターの励起専門の層と云うように機
能を分離させる事により高輝度な発光を得るものである
。
衝突させて発光センターの励起専門の層と云うように機
能を分離させる事により高輝度な発光を得るものである
。
電子加速層の材料としては、ＺｎＳ 、 ＣｄＳ 、（
Ｚｎ、Ｃ！ｄ）Ｓ 、 Ｚｎ５ｅ、 （Ｚｎ、Ｃ！ｄ）
Ｓｅ 、 ＣｄＳｅ、 （Ｚｎ、ｃｄ）ＳｘＳｅｌ−。
Ｚｎ、Ｃ！ｄ）Ｓ 、 Ｚｎ５ｅ、 （Ｚｎ、Ｃ！ｄ）
Ｓｅ 、 ＣｄＳｅ、 （Ｚｎ、ｃｄ）ＳｘＳｅｌ−。
工、ＣａＳ、ＯｒＳ、ＺｎＯ等が適している。これらの
材料は、完全導体ではなく、半導性を持つものが多く、
そのため外部電界を印加した際、適度ｉこ全素子に対し
て分配電圧を有することにより加速電界を得ることがで
きる。また、この加速電界の助けて借り、その比較的高
いｔ子易動度により電子を加速する事が可能となるから
である。
材料は、完全導体ではなく、半導性を持つものが多く、
そのため外部電界を印加した際、適度ｉこ全素子に対し
て分配電圧を有することにより加速電界を得ることがで
きる。また、この加速電界の助けて借り、その比較的高
いｔ子易動度により電子を加速する事が可能となるから
である。
なお、これら電子加速ノーは、抵抗加熱蒸着法、電子ビ
ーム蒸着法、スパッタリング法、ＭＯＧ￥Ｄ法ｈｔＢＥ
法、 ＡＬＥ法およびクライスターイオンビーム法等の
成膜手法により形成する。
ーム蒸着法、スパッタリング法、ＭＯＧ￥Ｄ法ｈｔＢＥ
法、 ＡＬＥ法およびクライスターイオンビーム法等の
成膜手法により形成する。
一方、発光励起層に用いられる螢光体としては、ＣＲＴ
用、紫外線励起ランプ用および低速電子線用１こ用いら
ｎてきた高発光効率のものが幅広く利用することができ
る。
用、紫外線励起ランプ用および低速電子線用１こ用いら
ｎてきた高発光効率のものが幅広く利用することができ
る。
具体的には、比較的高抵抗なＺｎ、Ｓｉｎ、 ：Ｍｎ
（緑）。
（緑）。
Ｙ、Ｓ ｉＯ，：Ｏｅ （育） 、 Ｚｎ、 （ＰＯ，
）、 ：Ｍｎ（赤） 、’ＣａＸへ０４：Ｗ（青紫）
、 ＭｇＳｉＯ３：Ｍｎ（赤）、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ（赤
）。
）、 ：Ｍｎ（赤） 、’ＣａＸへ０４：Ｗ（青紫）
、 ＭｇＳｉＯ３：Ｍｎ（赤）、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ（赤
）。
Ｙ２０ｚＳ ： Ｅｕ （赤） 、 Ｃ）ｄ、０．Ｓ
： Ｔｂ （緑）、Ｌａ２０．Ｓ：Ｔｂ（緑） 、 （
Ｙ、Ｕｄ） ０．Ｓ ： Ｔｂ （白） 、 Ｙ、Ａ１
５０１ ｙ ： Ｃｅ （緑）。
： Ｔｂ （緑）、Ｌａ２０．Ｓ：Ｔｂ（緑） 、 （
Ｙ、Ｕｄ） ０．Ｓ ： Ｔｂ （白） 、 Ｙ、Ａ１
５０１ ｙ ： Ｃｅ （緑）。
ＣａＳｉＯ３：Ｐｂ ：Ｍｎ （赤）、Ｂａ２Ｍｇ
Ｓｉ、Ｏ，： Ｅｕ” （青緑）。
Ｓｉ、Ｏ，： Ｅｕ” （青緑）。
Ｙ２Ｏ，Ｓ ： Ｐｒ （緑） 、 ＹＶＯ，： Ｅｕ
（赤）２よびＢａＦＢｒ：Ｅｌｌ（赤）等をこの発明
のような構造（ζすることによりＥＬ素子用の発光励起
層として用いることができる。
（赤）２よびＢａＦＢｒ：Ｅｌｌ（赤）等をこの発明
のような構造（ζすることによりＥＬ素子用の発光励起
層として用いることができる。
また、半導性のＺｎ８：Ｍｎ（末１） 、 ＺｎＳ ：
ＲＥ（ＲＥ ｉ；！希土類により各色を発光する）
、Ｃａｂ：Ｅｕ （赤）。
ＲＥ（ＲＥ ｉ；！希土類により各色を発光する）
、Ｃａｂ：Ｅｕ （赤）。
Ｓｒ８：Ｏｅ、Ｃｊ（赤）、（乙ｕ 、ｃｄ ）Ｓ ：
Ａｇ （赤）１゜ＺｎＳ ： Ｃｕ 、Ａｔ （緑）
、 ＺｎＳ ： Ｃｕ、Ｉ （青） 、 （Ｚｎ、Ｃｄ
）Ｓ ：ＡｕＡｊ （黄緑）、Ｚｎ８ ： Ａｕ、Ａｔ
（黄緑） 、 ＺｎＳ ： Ａｇ（”りおよびＺｎ（
Ｓ、Ｓｅ）：Ａｇ（緑）等の材料を発光励起層とするこ
とも可能で、この場合は、より発光開始電圧が低下する
と共に高輝度の発光を示している。
Ａｇ （赤）１゜ＺｎＳ ： Ｃｕ 、Ａｔ （緑）
、 ＺｎＳ ： Ｃｕ、Ｉ （青） 、 （Ｚｎ、Ｃｄ
）Ｓ ：ＡｕＡｊ （黄緑）、Ｚｎ８ ： Ａｕ、Ａｔ
（黄緑） 、 ＺｎＳ ： Ａｇ（”りおよびＺｎ（
Ｓ、Ｓｅ）：Ａｇ（緑）等の材料を発光励起層とするこ
とも可能で、この場合は、より発光開始電圧が低下する
と共に高輝度の発光を示している。
なお、発光励起層も上記電子加速層と同様な成膜手法に
より形成する。
より形成する。
誘電体層の材質は、従来用いられていたＹ２Ｏ，。
Ａｔ１０． 、 Ｔａ２Ｏ，、Ｂａ’ｒｉ０３ 、 Ｐ
ｂ’ｆ’ｉ０． 、５ｒＴｉＯ，、Ｓｉ、Ｎ、。
ｂ’ｆ’ｉ０． 、５ｒＴｉＯ，、Ｓｉ、Ｎ、。
Ｇｅｍ、 、 Ｓ １ＯｘＮｙ 、 Ａ１０ｘＮｙ 、
８ ｉＡＩ！ＯＮ 、 Ｔｉｅ、等のものが適してお
り、その膜厚は２００〜８００ ｎｍが好ましい０ この実施例では、誘電体層を第１と第２と云うように二
重絶縁タイプ多こなっているが、誘電体層が透明を極側
だけに設けたＭＩＳタイプ構造のものであってもよい。
８ ｉＡＩ！ＯＮ 、 Ｔｉｅ、等のものが適してお
り、その膜厚は２００〜８００ ｎｍが好ましい０ この実施例では、誘電体層を第１と第２と云うように二
重絶縁タイプ多こなっているが、誘電体層が透明を極側
だけに設けたＭＩＳタイプ構造のものであってもよい。
また、電子加速層と発光励起層の組み合せ層は、好まし
くは二つ以上二十以下の積層とする。積層数が一つだと
、電子加速層で加速された電子で、発光励起層の発光セ
ンターを１００ ％励起したとしても、発光センターの
数が不足し、十分な発光輝度が得らｎない。積層数が二
十を起えると、各電子加速層、発光励起層の厚さを極め
て薄くしなけｎばならず、結晶が十分に成長せず易動度
あるいは付活剤の母体へめ適切な固溶、拡散をはかるこ
とが大変難しくなる。
くは二つ以上二十以下の積層とする。積層数が一つだと
、電子加速層で加速された電子で、発光励起層の発光セ
ンターを１００ ％励起したとしても、発光センターの
数が不足し、十分な発光輝度が得らｎない。積層数が二
十を起えると、各電子加速層、発光励起層の厚さを極め
て薄くしなけｎばならず、結晶が十分に成長せず易動度
あるいは付活剤の母体へめ適切な固溶、拡散をはかるこ
とが大変難しくなる。
なお、単一の電子加速層、発光励起層の厚さは、各々の
材質、成膜法、積層数１こよっても異なって来るが、実
験の結果からも電子加速層は６ト３００ｎｍ 、発光
励起層は５〜１１００ｎのものが好ましく、特に高抵抗
螢光体の場合は、電子加速層１２０〜３００ｎｍ、発光
励起層５〜５０ｎｍ と云うように発光励起層を薄り、
電子加速層を厚くするのが望ましい。
材質、成膜法、積層数１こよっても異なって来るが、実
験の結果からも電子加速層は６ト３００ｎｍ 、発光
励起層は５〜１１００ｎのものが好ましく、特に高抵抗
螢光体の場合は、電子加速層１２０〜３００ｎｍ、発光
励起層５〜５０ｎｍ と云うように発光励起層を薄り、
電子加速層を厚くするのが望ましい。
〔第１実施例および比較例〕
７０ン蒸気で洗浄されたガラス基板（コーニング７０５
９）上にＩＴＯを蒸着後、第１誘電体層としてＴａ１Ｏ
，をスパッタ法で４００ ｎ ｍの厚さ１こ形成した。
９）上にＩＴＯを蒸着後、第１誘電体層としてＴａ１Ｏ
，をスパッタ法で４００ ｎ ｍの厚さ１こ形成した。
続いて緑色発光を示す粉末螢光体Ｇｄ、Ｏ，Ｓ：Ｔｂを
石英シャーレに入ｎ１一方のスパッタタゲートとし、加
圧成形した焦付１Ｚｎｓをもう一方のターゲットとして
交互に二元スパッタを実施した。スパッタ圧は２Ｘ１０
Ｔｏｒｒで各々実施し、パワーは１５０〜■であっ
た。
石英シャーレに入ｎ１一方のスパッタタゲートとし、加
圧成形した焦付１Ｚｎｓをもう一方のターゲットとして
交互に二元スパッタを実施した。スパッタ圧は２Ｘ１０
Ｔｏｒｒで各々実施し、パワーは１５０〜■であっ
た。
まず、’ｆ’ａ２０．の上にＺｎＳ、ｆｌを１５０ｎｍ
ｌこ形成し、２０ｗＡｒ レーザーで表面を走査し、
レーザーアニールした後、Ｇａ、Ｏ，Ｓ ： ’ｌ’ｂ
層を３０ｎｍに形成し、ここも上記と同様レーザーアニ
ールした。
ｌこ形成し、２０ｗＡｒ レーザーで表面を走査し、
レーザーアニールした後、Ｇａ、Ｏ，Ｓ ： ’ｌ’ｂ
層を３０ｎｍに形成し、ここも上記と同様レーザーアニ
ールした。
この成膜を繰り返し行い、最終的には３０ｎｍのＧｄ、
０２Ｓ ： ＴｂＪｍｅ ４ ／ｆｆ形成し、１２０ｎ
ｍのＺｎ８層を５層形成した後、第２訪電体としてＳｉ
、ＶＯＮを３００ｎｍの厚さに形成し、最後にＡ／背面
電啄そ蒸着してＥＬ素子を形成した。
０２Ｓ ： ＴｂＪｍｅ ４ ／ｆｆ形成し、１２０ｎ
ｍのＺｎ８層を５層形成した後、第２訪電体としてＳｉ
、ＶＯＮを３００ｎｍの厚さに形成し、最後にＡ／背面
電啄そ蒸着してＥＬ素子を形成した。
なお、比較サンプルとして（）ｄ、０．Ｓ ： Ｔｂ
のみを上記の第１．第２誘電体に侠まこる形で７２０ｎ
ｍ１こスパッタしたものを作成した。
のみを上記の第１．第２誘電体に侠まこる形で７２０ｎ
ｍ１こスパッタしたものを作成した。
このようｆこ形成したサンプルを周波数５０１１Ｚの電
源でＯ■から昇圧しながら発光テストを行った所、比較
サンプルは２５０Ｖまで上げても発光しなかった。一方
実施例サンプルｌ：１ｔ１５０Ｖ近辺で目視確認できる
発光があり、２００Ｖでは３０ｆｔ−Ｌの輝度を示した
。
源でＯ■から昇圧しながら発光テストを行った所、比較
サンプルは２５０Ｖまで上げても発光しなかった。一方
実施例サンプルｌ：１ｔ１５０Ｖ近辺で目視確認できる
発光があり、２００Ｖでは３０ｆｔ−Ｌの輝度を示した
。
〔第２実施例２よび比較例〕
第１実施例と同様のＩＴＯガラス上に、第１誘電体層と
してＰｂＴ１Ｃｓ％スバ、り法で５００ｎｍの厚さに形
成した。次いで、赤色発光するＺｎ５（ＰＯｔ）ｔ ：
ＭｎをＭｏ ボートに入ｎ一方の蒸発源とし、Ｚｎ（
Ｓ。
してＰｂＴ１Ｃｓ％スバ、り法で５００ｎｍの厚さに形
成した。次いで、赤色発光するＺｎ５（ＰＯｔ）ｔ ：
ＭｎをＭｏ ボートに入ｎ一方の蒸発源とし、Ｚｎ（
Ｓ。
Ｓｅ）をもう一方のＭＯボート１こ入れ、他方の蒸発源
としてシャッタ開閉法による二元真空蒸着した。
としてシャッタ開閉法による二元真空蒸着した。
真空度はｌＸｌ０−５Ｔｏｒｒで実施し、先ずｐｂ’ｒ
ｉｏ。
ｉｏ。
上にＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）のシャッタを開いて、Ｚｎ（Ｓ、
Ｓｅ）層を１７０ｎｍに形成し、レーザーアニールした
。
Ｓｅ）層を１７０ｎｍに形成し、レーザーアニールした
。
次いで、Ｚｆｆ（Ｓ、Ｓｅ）の’／ −ｙ ｙりを閉じ
、Ｚｎ５（ＰＯ４）。
、Ｚｎ５（ＰＯ４）。
：Ｍｔｚ層を２０ｎｍｌこ形成し、表面をレーザーアニ
ールした。
ールした。
この動作を繰り返し行い、最終的には２０ｎｍの厚さの
Ｚｎ５（ＰＯ，）、 ： Ｍｎ層を３層、１７０ｎｍの
厚さのＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）層ｆｉ−４層形成した後ＡＩ！
背面’ｔｉを蒸着してＥＬ素子を形成した。
Ｚｎ５（ＰＯ，）、 ： Ｍｎ層を３層、１７０ｎｍの
厚さのＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）層ｆｉ−４層形成した後ＡＩ！
背面’ｔｉを蒸着してＥＬ素子を形成した。
なお、比較サンプルとしては、Ｚη、 （ＰＯ，） ：
Ｍｎのみをｐｂ’ｒｉｏ、上に７４Ｑｎｍに蒸着した
ものを作成に周波数５０Ｈｚの１を源でＯ■から除々に
昇圧しながら発光テストを行ったところ、比較サンプル
は２５０Ｖまで全昇圧しても発光しなかった。
Ｍｎのみをｐｂ’ｒｉｏ、上に７４Ｑｎｍに蒸着した
ものを作成に周波数５０Ｈｚの１を源でＯ■から除々に
昇圧しながら発光テストを行ったところ、比較サンプル
は２５０Ｖまで全昇圧しても発光しなかった。
一方、実施例のＥＬ素子は１８０Ｖ近辺で目視確認でき
る発光が現われ、２００■では１５ｆｔ−Ｌの輝度を示
した。
る発光が現われ、２００■では１５ｆｔ−Ｌの輝度を示
した。
〔第３実施例２よび比較例〕
第１実施例と同様のＩＴＯガラス上に、第１誘電体層と
してＢａＴｉ０．をスパッタで３００ ｎｍの厚さに形
成した、次いで青色発色する８ｒＳ：Ｃｅ、Ｏ１！ペレ
ットをＥＢ蒸着ベレットハウスに入れ、一方の蒸着源と
し、（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓペレットをもう一方の蒸着源とし
、ハウス回転による二元ＥＢＢａｆ実施した０ この蒸着は、真空度Ｉ Ｘ １０ ”ｆ’ｏｒｒ甲で、
先ずＢａＴｉ０．上に（Ｚｎ、Ｃｄ）８ ／＊ｉ １５
０ｎｍに形成し、レーザーアニールする。ついでＳｒ８
： Ｃｅ 、Ｃｌ層’）１００ｎｍ形成し、レーザー
アニールした。
してＢａＴｉ０．をスパッタで３００ ｎｍの厚さに形
成した、次いで青色発色する８ｒＳ：Ｃｅ、Ｏ１！ペレ
ットをＥＢ蒸着ベレットハウスに入れ、一方の蒸着源と
し、（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓペレットをもう一方の蒸着源とし
、ハウス回転による二元ＥＢＢａｆ実施した０ この蒸着は、真空度Ｉ Ｘ １０ ”ｆ’ｏｒｒ甲で、
先ずＢａＴｉ０．上に（Ｚｎ、Ｃｄ）８ ／＊ｉ １５
０ｎｍに形成し、レーザーアニールする。ついでＳｒ８
： Ｃｅ 、Ｃｌ層’）１００ｎｍ形成し、レーザー
アニールした。
これを繰り返すことにより、１５０ｎｍの（Ｚｎ、Ｃｄ
）ＳＭｌｉｌ−３ノ＆＋１１００ｎのＳｒＳ：Ｃｅ、Ｃ
／層を２層形成後、 ’Ｉ’ａ２０．誘電体層をスパッ
タ法により３００ｎｍ蒸着した。そして最後にＡ／背面
電極を蒸着することにより、ＥＬ素子を形成した。
）ＳＭｌｉｌ−３ノ＆＋１１００ｎのＳｒＳ：Ｃｅ、Ｃ
／層を２層形成後、 ’Ｉ’ａ２０．誘電体層をスパッ
タ法により３００ｎｍ蒸着した。そして最後にＡ／背面
電極を蒸着することにより、ＥＬ素子を形成した。
なお、比較サンプルを周波数５０ Ｈｚの電源で除々に
昇圧しながら発光テストを行った所為比較サンプルは１
８０Ｖ近辺で発光が現わｎ、２００Ｖでは、１０ｆｔ−
Ｌの輝度を示したの（こ対し、実施例のＥＬ素子は１５
０Ｖ近辺で発光が始まり、２００Ｖでは７０ｆｔ−Ｌと
昼輝度な青色発光を示した。
昇圧しながら発光テストを行った所為比較サンプルは１
８０Ｖ近辺で発光が現わｎ、２００Ｖでは、１０ｆｔ−
Ｌの輝度を示したの（こ対し、実施例のＥＬ素子は１５
０Ｖ近辺で発光が始まり、２００Ｖでは７０ｆｔ−Ｌと
昼輝度な青色発光を示した。
Ｔよお、この実施例では電子の加速を透明電極の一方向
からのみ、説明しているか、電子加速層は発光励起／＠
１そ挾むようｌこして形成であるので、背面電極側から
電子を放出するときも必ず、電子加速層を介して発光励
起層に電子が到達するよう１こなっている。
からのみ、説明しているか、電子加速層は発光励起／＠
１そ挾むようｌこして形成であるので、背面電極側から
電子を放出するときも必ず、電子加速層を介して発光励
起層に電子が到達するよう１こなっている。
この発明によると、電子加速層２発光起層の各々の層を
別々にすること１こより、ＥＬ螢光体として用いられて
いた材料の他ｆこ、ＥＬ螢九体として用いる半が出来な
かった材料でも、発光励起層として用いる事により高輝
度、高効率のＥＬ発光が可能となり、青、縁、赤、白な
どの多色素足か容易（こ出来るようｆこなった。
別々にすること１こより、ＥＬ螢光体として用いられて
いた材料の他ｆこ、ＥＬ螢九体として用いる半が出来な
かった材料でも、発光励起層として用いる事により高輝
度、高効率のＥＬ発光が可能となり、青、縁、赤、白な
どの多色素足か容易（こ出来るようｆこなった。
また、積層する層の構成を変化させる事によりＥＬ発光
素子の発光電圧、輝度などを大巾１こ改良することも出
来る。
素子の発光電圧、輝度などを大巾１こ改良することも出
来る。
第１図は、この発明の一実施例を原理的に説明する図、
第２図は、同側の動作を説明するための図、第３図は、
従来の説明図、第４図（ま第３図の動作を説明するため
の図である。 １・・・・・ガラス基板 ２・・・・・透明′電極 ３．５・・・・・誘電体層 ？ａ、７ｂ、７ｃ ”電子加速層 ８ａ、８ｂ・・・・・発光励起層 壬ｑ厚ミ← 手続補正書 昭和６１年１２月４日 特許庁長官 黒 １）明 雄 殿 １、事件の表示 特願昭６１−１７２２９８号 １（″′き２、
発明の名称 薄膜ＥＬ素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （０３７） オリンパス光学工業株式会社４、代理人 住 所 東京都大田区西蒲Ｆ）１７丁目５０番３号田
村ビル３１借 〒１４４ 電話 ０３−７３８−９７７１６、補正の
対象 明ＭＡ書 ７、補正の内容 （１）本願明ａ書第２頁４行目の’ Ｂ ｕ Ｔ ｉＯ
３Ｊの部分を’ＢａＴｉＯ３」と訂正する。 （２）同明細書第２頁１９行目のｒＳｒＳ：ＣｅＣＩ」
の部分を’ＳｒＳ：Ｃｅ、ＣＩＪと訂正する。 （３）同明細書第３頁１行目の「例れも」の部分を「い
ずれも」と訂正する。 （４）同明細書第５頁１３行目のｒｃｒｓ」の部分を「
ＳｒＳ」と訂正する。 出願人 オリンパス光学工業株式会社χ′９；野士
第２図は、同側の動作を説明するための図、第３図は、
従来の説明図、第４図（ま第３図の動作を説明するため
の図である。 １・・・・・ガラス基板 ２・・・・・透明′電極 ３．５・・・・・誘電体層 ？ａ、７ｂ、７ｃ ”電子加速層 ８ａ、８ｂ・・・・・発光励起層 壬ｑ厚ミ← 手続補正書 昭和６１年１２月４日 特許庁長官 黒 １）明 雄 殿 １、事件の表示 特願昭６１−１７２２９８号 １（″′き２、
発明の名称 薄膜ＥＬ素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （０３７） オリンパス光学工業株式会社４、代理人 住 所 東京都大田区西蒲Ｆ）１７丁目５０番３号田
村ビル３１借 〒１４４ 電話 ０３−７３８−９７７１６、補正の
対象 明ＭＡ書 ７、補正の内容 （１）本願明ａ書第２頁４行目の’ Ｂ ｕ Ｔ ｉＯ
３Ｊの部分を’ＢａＴｉＯ３」と訂正する。 （２）同明細書第２頁１９行目のｒＳｒＳ：ＣｅＣＩ」
の部分を’ＳｒＳ：Ｃｅ、ＣＩＪと訂正する。 （３）同明細書第３頁１行目の「例れも」の部分を「い
ずれも」と訂正する。 （４）同明細書第５頁１３行目のｒｃｒｓ」の部分を「
ＳｒＳ」と訂正する。 出願人 オリンパス光学工業株式会社χ′９；野士
Claims (2)
- （１） 少くとも一方が透明電極よりなり、互に対向
して配設された一対の電極と、この透明電極に隣接し、
かつ他方の電極との間に設けられた誘電体層と、この誘
電体層と他方の電極間に、少とも電子加速層と発光励起
層よりなる組み合せ層を介存させた事を特徴とする薄模
ＥＬ素子。 - （２）上記組み合せ層は、発光励起層の両側に電子加
速層を有するようにした事を特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61172298A JPS6329489A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61172298A JPS6329489A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6329489A true JPS6329489A (ja) | 1988-02-08 |
Family
ID=15939333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61172298A Pending JPS6329489A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6329489A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210693A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Nec Corp | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH0414397U (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-05 | ||
| JPH0414398U (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-05 | ||
| JP2013243005A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 無機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに発光装置 |
-
1986
- 1986-07-21 JP JP61172298A patent/JPS6329489A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210693A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Nec Corp | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH0414397U (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-05 | ||
| JPH0414398U (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-05 | ||
| JP2013243005A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 無機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに発光装置 |
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