JPS63291864A - 光学セラミックスの製造方法 - Google Patents
光学セラミックスの製造方法Info
- Publication number
- JPS63291864A JPS63291864A JP62127209A JP12720987A JPS63291864A JP S63291864 A JPS63291864 A JP S63291864A JP 62127209 A JP62127209 A JP 62127209A JP 12720987 A JP12720987 A JP 12720987A JP S63291864 A JPS63291864 A JP S63291864A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- hafnium
- calcined
- plht
- mixture solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 6
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 18
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 13
- 241000588731 Hafnia Species 0.000 abstract description 12
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- FLVFLHZPYDNHJE-UHFFFAOYSA-N chloro hypochlorite;hafnium Chemical compound [Hf].ClOCl FLVFLHZPYDNHJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract description 5
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 abstract description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);trinitrate Chemical compound [La+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- QDZRBIRIPNZRSG-UHFFFAOYSA-N titanium nitrate Chemical compound [O-][N+](=O)O[Ti](O[N+]([O-])=O)(O[N+]([O-])=O)O[N+]([O-])=O QDZRBIRIPNZRSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J hafnium tetrachloride Chemical compound Cl[Hf](Cl)(Cl)Cl PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- TZNXTUDMYCRCAP-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);tetranitrate Chemical compound [Hf+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O TZNXTUDMYCRCAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- VQEHIYWBGOJJDM-UHFFFAOYSA-H lanthanum(3+);trisulfate Chemical compound [La+3].[La+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O VQEHIYWBGOJJDM-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- ICAKDTKJOYSXGC-UHFFFAOYSA-K lanthanum(iii) chloride Chemical compound Cl[La](Cl)Cl ICAKDTKJOYSXGC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- RLJMLMKIBZAXJO-UHFFFAOYSA-N lead nitrate Chemical compound [O-][N+](=O)O[Pb]O[N+]([O-])=O RLJMLMKIBZAXJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L oxygen(2-);titanium(4+);sulfate Chemical compound [O-2].[Ti+4].[O-]S([O-])(=O)=O DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000348 titanium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光学（オプト）セラミックス、より詳しくはハ
フニウム・チタン酸鉛・ランタン（（Ｐｂ 、 Ｌａ）
（）Ｉｆ 、 Ｔｉ）Ｏｘ（以下、ＰＬＨＴと略記す
る）〕セラミックス（焼結体）の製造方法に関するもの
である。
フニウム・チタン酸鉛・ランタン（（Ｐｂ 、 Ｌａ）
（）Ｉｆ 、 Ｔｉ）Ｏｘ（以下、ＰＬＨＴと略記す
る）〕セラミックス（焼結体）の製造方法に関するもの
である。
ＰＬＯＴセラミックスは透光性と電気光学特性とを存し
ており、偏光素子、光シャフタ、画像記憶素子などの光
学セラミックスとして広範囲の応用が期待されている。
ており、偏光素子、光シャフタ、画像記憶素子などの光
学セラミックスとして広範囲の応用が期待されている。
光学セラミックスとしてのＰＬＨＴは、代表的には、シ
ルコア（ＺｒＯｚ）粉末、酸化鉛（ＰｂＯ）粉末、酸化
チタン（ＴｉＯｚ）、および酸化ランタン（ｔａｚｏｉ
）粉末を混合し、仮焼して得た原料粉末をホットプレス
（ＨＰ）や熱間静水圧プレス（ＨＩ Ｐ）などで焼結す
ることによって製造されている。
ルコア（ＺｒＯｚ）粉末、酸化鉛（ＰｂＯ）粉末、酸化
チタン（ＴｉＯｚ）、および酸化ランタン（ｔａｚｏｉ
）粉末を混合し、仮焼して得た原料粉末をホットプレス
（ＨＰ）や熱間静水圧プレス（ＨＩ Ｐ）などで焼結す
ることによって製造されている。
ＰＬＯＴの構成成分の原料粉末の中で、ハフニア原料粉
末は極めて凝集し易い。この様なハフニア原料粉末を使
用して乾式法でＰＬＯＴ原料粉末を作成しても平均粒径
は１〜２μｍ以上のものとなる。この程度の粒度のＰＬ
ＨＴ原料粉末を使用しても、高密度且つ透光性が高く光
学的に均一なＰＬＨＴセラミックスを得ることは難しい
。
末は極めて凝集し易い。この様なハフニア原料粉末を使
用して乾式法でＰＬＯＴ原料粉末を作成しても平均粒径
は１〜２μｍ以上のものとなる。この程度の粒度のＰＬ
ＨＴ原料粉末を使用しても、高密度且つ透光性が高く光
学的に均一なＰＬＨＴセラミックスを得ることは難しい
。
本発明は上記のＰＬＨＴの乾式法による合成における欠
点を解消すべくなされたもので、その目的は、分散性の
良いサブミクロン級の変成ハフニア原料粉末を作成し、
該粉末を用いて単なる乾式法によって易焼結性且つ高嵩
密度のＰＬＨＴ粉末を合成し、更にこの粉末を焼結して
高密度且つ透光性が高く光学的に均一なＰＬＨＴセラミ
ックスを製造する方法を提供することにある。
点を解消すべくなされたもので、その目的は、分散性の
良いサブミクロン級の変成ハフニア原料粉末を作成し、
該粉末を用いて単なる乾式法によって易焼結性且つ高嵩
密度のＰＬＨＴ粉末を合成し、更にこの粉末を焼結して
高密度且つ透光性が高く光学的に均一なＰＬＨＴセラミ
ックスを製造する方法を提供することにある。
本発明者らは前記目的を達成すべく鋭意研究の結果、一
般式（ｐｂ＋−ｘ Ｌａｗ ） （Ｈｆ ＋−ｙ ＴＩ
Ｆ ） ｌ−ｘ／ａＯｓ＋（０＜ ｘｌｏ、３ 、０／
ｙ／１．０）で示されるＰＬＨＴの乾式法による製造過
程において、ハフニウム以外の少なくとも一金属成分の
適量とハフニウムとを含有する混合溶液を作り、該混合
液に加水分解反応を行わせることによって生成したゾル
を、乾燥後に、７００〜１３００℃で仮焼すると、凝集
の極めて少ないサブミクロン級の粉末（変成ハフニア粉
末）と成し得ることが分った。これを原料とし、目的と
するＰＬＨＴ組成の残りの構成部分の化合物を乾式法に
よって混合すれば、サブミクロン級の粉末特性の優れた
原料粉末が容易に得られ、これを成形して焼結すると、
ＨＰやＨＩＰなどの操作を省略しても極めて高密度且つ
透光性が高く光学的に均一なＰＬＨＴセラミックスが容
易に得られることを究明し得た。
般式（ｐｂ＋−ｘ Ｌａｗ ） （Ｈｆ ＋−ｙ ＴＩ
Ｆ ） ｌ−ｘ／ａＯｓ＋（０＜ ｘｌｏ、３ 、０／
ｙ／１．０）で示されるＰＬＨＴの乾式法による製造過
程において、ハフニウム以外の少なくとも一金属成分の
適量とハフニウムとを含有する混合溶液を作り、該混合
液に加水分解反応を行わせることによって生成したゾル
を、乾燥後に、７００〜１３００℃で仮焼すると、凝集
の極めて少ないサブミクロン級の粉末（変成ハフニア粉
末）と成し得ることが分った。これを原料とし、目的と
するＰＬＨＴ組成の残りの構成部分の化合物を乾式法に
よって混合すれば、サブミクロン級の粉末特性の優れた
原料粉末が容易に得られ、これを成形して焼結すると、
ＨＰやＨＩＰなどの操作を省略しても極めて高密度且つ
透光性が高く光学的に均一なＰＬＨＴセラミックスが容
易に得られることを究明し得た。
これらの知見に基いて本発明を完成した。
本発明の要旨は、（ａ）ＰＬＨＴを構成することになる
ハフニウム以外の少なくとも一金属成分の適量と、ハフ
ニウムとを含有する混合液を作り、加水分解反応を行っ
て、ゾルを生成し、乾燥後に、７００〜１３００℃で仮
焼する工程、（ｂ）工程（ａ）で得られた仮焼物と、目
的とするＰＬＨＴ組成の残りの構成成分の化合物を混合
して５００〜１３００℃で仮焼する工程、および（Ｃ）
工程（ｂ）で得られた仮焼粉末を成形して１０００〜１
３００℃で焼結してＰＬＨＴ焼結体を得る工程、からな
ることを特徴とする光学セラミックスの製造方法にある
。
ハフニウム以外の少なくとも一金属成分の適量と、ハフ
ニウムとを含有する混合液を作り、加水分解反応を行っ
て、ゾルを生成し、乾燥後に、７００〜１３００℃で仮
焼する工程、（ｂ）工程（ａ）で得られた仮焼物と、目
的とするＰＬＨＴ組成の残りの構成成分の化合物を混合
して５００〜１３００℃で仮焼する工程、および（Ｃ）
工程（ｂ）で得られた仮焼粉末を成形して１０００〜１
３００℃で焼結してＰＬＨＴ焼結体を得る工程、からな
ることを特徴とする光学セラミックスの製造方法にある
。
混合溶液は水溶液又はアルコール溶液テアリ、ハフニウ
ム溶液と、ハフニウム以外の少なくとも一金属成分の溶
液とを混合するのが好ましい。ハフニウム溶液（水溶液
又はアルコール溶液）を作るために、オキシ塩化ハフニ
ウム、オキシ硝酸ハフニウム、塩化ハフニウム、硝酸ハ
フニウム、及び、金属ハフニウム等が用いられる。ハフ
ニウム以外の金属成分の溶液（水溶液又はアルコール溶
液）を作るために、硝酸鉛、硝酸チタン、塩化チタン、
硫酸チタン、硝酸ランタン、塩化ランタン、硫酸ランタ
ンなどが用いられる。これら溶液を別々に調製するのが
望ましいが、同一の溶媒に所定の成分金属ないしその化
合物を溶解させて調製してもよい。
ム溶液と、ハフニウム以外の少なくとも一金属成分の溶
液とを混合するのが好ましい。ハフニウム溶液（水溶液
又はアルコール溶液）を作るために、オキシ塩化ハフニ
ウム、オキシ硝酸ハフニウム、塩化ハフニウム、硝酸ハ
フニウム、及び、金属ハフニウム等が用いられる。ハフ
ニウム以外の金属成分の溶液（水溶液又はアルコール溶
液）を作るために、硝酸鉛、硝酸チタン、塩化チタン、
硫酸チタン、硝酸ランタン、塩化ランタン、硫酸ランタ
ンなどが用いられる。これら溶液を別々に調製するのが
望ましいが、同一の溶媒に所定の成分金属ないしその化
合物を溶解させて調製してもよい。
混合溶液に溶解するＰＬＨＴのハフニウム以外の構成成
分の種類とその量は、該構成成分の添加によって最終的
に得られるハフニア粉末の凝集を抑制し得る範囲が好ま
しい。
分の種類とその量は、該構成成分の添加によって最終的
に得られるハフニア粉末の凝集を抑制し得る範囲が好ま
しい。
加水分解反応は加熱状態で行なわせ、得られたゾルはろ
過および洗浄によって回収される。
過および洗浄によって回収される。
得られたゾルの乾燥物の仮焼温度は、７００〜１３００
℃である。７００℃より低いと凝集が顕著に起り、１３
００℃を超えると粒子が粗大化する傾向がある。この様
にして得られたものに、ハフニウム以外の構成成分の不
足分を加えて混合する。勿論、ハフニアに添加した成分
の不足分も補充する必要がある。この場合、いずれの化
合物粉末（主として酸化物）の粒度もサブミクロン級の
ものを使用する。ただし、酸化鉛粉末は粗大粒径のもの
を使用しても、得られるＰＬ）ＩＴ粉末の特性に殆んど
影響を与えない。
℃である。７００℃より低いと凝集が顕著に起り、１３
００℃を超えると粒子が粗大化する傾向がある。この様
にして得られたものに、ハフニウム以外の構成成分の不
足分を加えて混合する。勿論、ハフニアに添加した成分
の不足分も補充する必要がある。この場合、いずれの化
合物粉末（主として酸化物）の粒度もサブミクロン級の
ものを使用する。ただし、酸化鉛粉末は粗大粒径のもの
を使用しても、得られるＰＬ）ＩＴ粉末の特性に殆んど
影響を与えない。
これら混合物の仮焼温度は、Ｔｔを含む場合、Ｌａを含
む場合、ＴｉとＬａを含む場合とで、５００〜１３００
℃の範囲で大幅に変化する。要は固相反応がほぼまたは
完全に完了する最低温度以上で、顕著な粒子成長が生じ
ない最高温度範囲内であることが必要であり、５００〜
１３００℃の範囲がよい。
む場合、ＴｉとＬａを含む場合とで、５００〜１３００
℃の範囲で大幅に変化する。要は固相反応がほぼまたは
完全に完了する最低温度以上で、顕著な粒子成長が生じ
ない最高温度範囲内であることが必要であり、５００〜
１３００℃の範囲がよい。
この様にして得られた粉末を成形する。焼結温度は上記
の混合物の仮焼温度と同様にその構成成分の種類によっ
て異なるが、一般に１０００〜１３００℃の範囲である
。１０００℃より低いと焼結が不十分で高密度が得られ
ず、１３００℃を超えると粒子が粗大化したり、あるい
はＰｂの揮発が促進される。焼結方法は、従来法におけ
るようにＨＰやＨＩＰである必要はなく、単純な焼結法
によって光学セラミックスとして優れた特性を有するＰ
ＬＨＴ焼結体くセラミックス）を得ることができる。
の混合物の仮焼温度と同様にその構成成分の種類によっ
て異なるが、一般に１０００〜１３００℃の範囲である
。１０００℃より低いと焼結が不十分で高密度が得られ
ず、１３００℃を超えると粒子が粗大化したり、あるい
はＰｂの揮発が促進される。焼結方法は、従来法におけ
るようにＨＰやＨＩＰである必要はなく、単純な焼結法
によって光学セラミックスとして優れた特性を有するＰ
ＬＨＴ焼結体くセラミックス）を得ることができる。
以下、本発明に係る実施例および比較例によって本発明
の詳細な説明する。
の詳細な説明する。
１上班上
四塩化チタン水溶液（１，２５０１／ｍｏｌ濃度＞ ４
０．０ｃｃとオキシ塩化ハフニウム水溶液（１，２５０
ｊ！ ／ｍｏｌ濃度）１６０．０ｃｃを混合した。この
混合水溶液を１００℃で１００時間保持することによっ
て加水分解反応を行いＴｉ’＋とＨｆ’“を含むゾルを
得た。これをろ過、洗浄、乾燥した後に、１１００℃で
仮焼して（Ｈｆｏ、 ５Ｔｉｏ、 １）０！粉末を作成
した。この粉末の平均粒径は０．３２μｍであった。
０．０ｃｃとオキシ塩化ハフニウム水溶液（１，２５０
ｊ！ ／ｍｏｌ濃度）１６０．０ｃｃを混合した。この
混合水溶液を１００℃で１００時間保持することによっ
て加水分解反応を行いＴｉ’＋とＨｆ’“を含むゾルを
得た。これをろ過、洗浄、乾燥した後に、１１００℃で
仮焼して（Ｈｆｏ、 ５Ｔｉｏ、 １）０！粉末を作成
した。この粉末の平均粒径は０．３２μｍであった。
この得られた粉末１４．６４ｇｒと、市販のＴｉ０ｚｆ
ｆｉ粉末１．４６ｇｒと、ＰｂＯ粉末（平均粒径１５
ｐ ｍ）２０．３１ｇｒと、Ｌａｇ’ｓ １粉末１．４
７ｇｒとを、ボールミルで一昼夜混合した後、８５０℃
で２時間仮焼して（Ｐｂｏ、ｑ＋Ｌａｏ、 ６９） （
Ｈｆｏ、 １ｓＴｉｏ、 ｓｓ） ｏ、 ＊ｔｓ０３粉
末を得た。その平均粒径は０．３２μｍであった。
ｆｉ粉末１．４６ｇｒと、ＰｂＯ粉末（平均粒径１５
ｐ ｍ）２０．３１ｇｒと、Ｌａｇ’ｓ １粉末１．４
７ｇｒとを、ボールミルで一昼夜混合した後、８５０℃
で２時間仮焼して（Ｐｂｏ、ｑ＋Ｌａｏ、 ６９） （
Ｈｆｏ、 １ｓＴｉｏ、 ｓｓ） ｏ、 ＊ｔｓ０３粉
末を得た。その平均粒径は０．３２μｍであった。
この仮焼粉末を１ｔｏｎ／−で成形したタブレットを、
鉛蒸気、酸素ガス共存雰囲気下、１２００℃で１０時間
焼結した。得られたＰＬＨＴセラミックスの密度は７．
８４に達し、透光率は波長６００ｎｍを用いサンプル厚
み２．５ ｍの場合約４５％であった。
鉛蒸気、酸素ガス共存雰囲気下、１２００℃で１０時間
焼結した。得られたＰＬＨＴセラミックスの密度は７．
８４に達し、透光率は波長６００ｎｍを用いサンプル厚
み２．５ ｍの場合約４５％であった。
１隻１
四塩化−ｆ−’）７水溶液（１，２５０ｊ’ ／１ｄｏ
ｌ 濃度）４０．００ｃｃ、硝酸ランタン水溶液（１，
２５０１／＋ｗｏｌ ｔａ度）１０．５３ｃｃとオキシ
塩化ハフニウム水溶液（１，２５０１／ＩＩｏ１濃度）
７４．３２ｃｃを混合した。この混合水溶液を１００℃
で１００時間保持することによって加水分解反応を行な
い、Ｌａ’・とＴｉ’・とＨｆ”を含むゾ″を得た・こ
れをろ過、洗浄、乾燥した後に、１１００℃で仮焼して
Ｌａｏ、 ｏｑ（Ｈｆｏ、 ｈｓＴｉｏ、 ３％） ０
． ｑｔｓＯ□、。、粉末を作成した。この粉末の平均
粒径は０．３２μｍであった。
ｌ 濃度）４０．００ｃｃ、硝酸ランタン水溶液（１，
２５０１／＋ｗｏｌ ｔａ度）１０．５３ｃｃとオキシ
塩化ハフニウム水溶液（１，２５０１／ＩＩｏ１濃度）
７４．３２ｃｃを混合した。この混合水溶液を１００℃
で１００時間保持することによって加水分解反応を行な
い、Ｌａ’・とＴｉ’・とＨｆ”を含むゾ″を得た・こ
れをろ過、洗浄、乾燥した後に、１１００℃で仮焼して
Ｌａｏ、 ｏｑ（Ｈｆｏ、 ｈｓＴｉｏ、 ３％） ０
． ｑｔｓＯ□、。、粉末を作成した。この粉末の平均
粒径は０．３２μｍであった。
この得られた粉末１７５．７４ｇｒと、市販のＬａｚＯ
＋ ａ粉末８．１８９ｇｒと、ＰｂＯ粉末（平均粒径１
５μｍ）２０３．１１ｇｒとをボールミルで一昼夜混合
した後、８５０℃で２時間仮焼して（Ｐｂｏ、 ｑ＋Ｌ
ａｏ、 ｏＪ （Ｈｆｏ、 ｈｓＴｉｏ、 ：ｌＳ）
Ｏ，ｑｑｓＯｚ粉末を得た。その平均粒径は０．３５μ
ｍであった。
＋ ａ粉末８．１８９ｇｒと、ＰｂＯ粉末（平均粒径１
５μｍ）２０３．１１ｇｒとをボールミルで一昼夜混合
した後、８５０℃で２時間仮焼して（Ｐｂｏ、 ｑ＋Ｌ
ａｏ、 ｏＪ （Ｈｆｏ、 ｈｓＴｉｏ、 ：ｌＳ）
Ｏ，ｑｑｓＯｚ粉末を得た。その平均粒径は０．３５μ
ｍであった。
この仮焼粉末を１ｔｏｎ／ａＪで成形したタブレットを
、鉛蒸気、酸素ガス共存雰囲気下、１２００℃で１０時
間焼結した。得られたＰＬ）ＩＴセラミックスの密度は
７．８１に達し、透光率は波長６００ｎｍを用いサンプ
ル厚み２．５Ｈの場合約４０％であった。
、鉛蒸気、酸素ガス共存雰囲気下、１２００℃で１０時
間焼結した。得られたＰＬ）ＩＴセラミックスの密度は
７．８１に達し、透光率は波長６００ｎｍを用いサンプ
ル厚み２．５Ｈの場合約４０％であった。
裏隻皿ｌ
硝酸ランタン水溶液（１，２５０１／ｍｏｌ濃度’）２
２．６７ｃｃとオキシ塩化ハフニウム水溶液（１，２５
０１／ ｍｏｌ濃度）１６０ｃｃを混合した。この混合
水溶液を１００℃で１００時間保持することによって加
水分解反応を行ない、Ｌａ”とＨｆ’“を含むゾルを得
た。これをろ過、洗浄、乾燥した後１１００℃で仮焼し
てＬａｏ、 ｏＪｆｏ、 ｈｓｓｏｌ、 ４を粉末を得
た。この粉末の平均粒径は０．３２μｍであった。
２．６７ｃｃとオキシ塩化ハフニウム水溶液（１，２５
０１／ ｍｏｌ濃度）１６０ｃｃを混合した。この混合
水溶液を１００℃で１００時間保持することによって加
水分解反応を行ない、Ｌａ”とＨｆ’“を含むゾルを得
た。これをろ過、洗浄、乾燥した後１１００℃で仮焼し
てＬａｏ、 ｏＪｆｏ、 ｈｓｓｏｌ、 ４を粉末を得
た。この粉末の平均粒径は０．３２μｍであった。
この得られた粉末１４８．４１ｇｒと、市販のＴｉ１ｔ
微粉末、２７．３３ｇｒと、ＰｂＯ粉末（平均粒径１５
μｍ）２０３．１１ｇｒとをボールミルで一昼夜混合し
た後、８５０℃で２時間仮焼して（Ｐｂｏ、 ｗ＋Ｌａ
ｏ、 ０９） （）Ｉｆｏ、 ｂｓＴｉｏ、 ｓｓ）。
微粉末、２７．３３ｇｒと、ＰｂＯ粉末（平均粒径１５
μｍ）２０３．１１ｇｒとをボールミルで一昼夜混合し
た後、８５０℃で２時間仮焼して（Ｐｂｏ、 ｗ＋Ｌａ
ｏ、 ０９） （）Ｉｆｏ、 ｂｓＴｉｏ、 ｓｓ）。
、 ｖ’ｒｅｏｓ粉末を得た。その平均粒径は０．４１
μｍであった。
μｍであった。
この仮焼粉末をｌ ｔｏｎ／ａｄで形成したタブレット
を、鉛蒸気、酸素ガス共存雰囲気下、１２００℃で１０
時間焼結した。得られたＰＬ）ｌ↑セラミックスの密度
は７．８０に達し、透光率は波長６００ｎｍを用いサン
プル厚み２．５ｍの場合約３６％であった。
を、鉛蒸気、酸素ガス共存雰囲気下、１２００℃で１０
時間焼結した。得られたＰＬ）ｌ↑セラミックスの密度
は７．８０に達し、透光率は波長６００ｎｍを用いサン
プル厚み２．５ｍの場合約３６％であった。
止較炭
市販のＰｂＯ粉末、ＴｉＯ□粉末、）ＩｆＯ□粉末およ
びＬａ２Ｏ３粉末を（Ｐｂｏ、 ｖ＋Ｌａｏ、 ０９）
（Ｈｆｏ、 １ｓＴｉｏ、 ３％） Ｏ，＊ｔｓ０３
の組成になるように配合し、ボールミルで１昼夜部合し
た後９００℃で２時間仮焼した。この粉末を１ｔｏｎ／
ａｄで成形し、実施例１，２．３と同じ条件下で焼結し
た。
びＬａ２Ｏ３粉末を（Ｐｂｏ、 ｖ＋Ｌａｏ、 ０９）
（Ｈｆｏ、 １ｓＴｉｏ、 ３％） Ｏ，＊ｔｓ０３
の組成になるように配合し、ボールミルで１昼夜部合し
た後９００℃で２時間仮焼した。この粉末を１ｔｏｎ／
ａｄで成形し、実施例１，２．３と同じ条件下で焼結し
た。
得られたＰＬＨＴセラミックスの密度は７．６程度であ
ったが、透明な焼結体にならなかった。なお仮焼時の粉
末の平均粒径は２．８μｍであった。
ったが、透明な焼結体にならなかった。なお仮焼時の粉
末の平均粒径は２．８μｍであった。
本発明の方法によると、加水分解を利用した湿式法によ
るＰＬＨＴの構成成分の一種以上を含むハフニア粉末（
変成ハフニア粉末）は、二次粒子の極めて少ないサブミ
クロン粒子となし得、これを使用することによって、以
後単なる乾式法によって、容易にサブミクロン級のＰＬ
ＨＴ原料粉末が得られ、更にこれを原料として透光性が
良く高密度のＰＬ）ＩＴセラミックスが得られる、とい
う優れた効果が奏せられる。そのほか次のような効果が
ある。
るＰＬＨＴの構成成分の一種以上を含むハフニア粉末（
変成ハフニア粉末）は、二次粒子の極めて少ないサブミ
クロン粒子となし得、これを使用することによって、以
後単なる乾式法によって、容易にサブミクロン級のＰＬ
ＨＴ原料粉末が得られ、更にこれを原料として透光性が
良く高密度のＰＬ）ＩＴセラミックスが得られる、とい
う優れた効果が奏せられる。そのほか次のような効果が
ある。
（１）仮焼によって得られる変成ハフニア粉末が十分分
散されたものが得られるため、仮焼物の粉砕工程を特に
必要としないで、原料粉末として供給し得られる。
散されたものが得られるため、仮焼物の粉砕工程を特に
必要としないで、原料粉末として供給し得られる。
（２）該仮焼変成ハフニア粉末から乾式法で得られるＰ
ＬＨＴ粉末も単分散状態で得られ、従って粉砕工程を除
いても十分易焼結性且つ高密度の特性を有する。
ＬＨＴ粉末も単分散状態で得られ、従って粉砕工程を除
いても十分易焼結性且つ高密度の特性を有する。
（３）極めて高密度且つ光学的高均一性を要求されるオ
プトエレクトロニクス用ＰＬＨＴセラミックスをホント
プレスやＨＩＰなどの操作を省略して単なる同相焼結に
よって、理論密度に極めて近い高密度で得ることができ
る。
プトエレクトロニクス用ＰＬＨＴセラミックスをホント
プレスやＨＩＰなどの操作を省略して単なる同相焼結に
よって、理論密度に極めて近い高密度で得ることができ
る。
（４）優れた粉末特性を有する変成ハフニア粉末を大量
生産することによって、任意の組成のＰＬＨＴを極めて
安価に供給し得る。
生産することによって、任意の組成のＰＬＨＴを極めて
安価に供給し得る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａ）ハフニウム・チタン酸鉛・ランタンを構成す
ることになるハフニウム以外の少なくとも一金属成分の
適量と、ハフニウムとを含有する混合液を作り、加水分
解反応を行って、ゾルを生成し、乾燥後に、７００〜１
３００℃で仮焼する工程、 （ｂ）工程（ａ）で得られた仮焼物と、目的とするハフ
ニウム・チタン酸鉛・ランタン組成の残りの構成成分の
化合物を混合して５００〜１３００℃で仮焼する工程、
および （ｃ）工程（ｂ）で得られた仮焼粉末を成形して１００
０〜１３００℃で焼結してハフニウム・チタン酸鉛・ラ
ンタン焼結体を得る工程、からなることを特徴とする光
学セラミックスの製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62127209A JP2607520B2 (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 光学セラミックスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62127209A JP2607520B2 (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 光学セラミックスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63291864A true JPS63291864A (ja) | 1988-11-29 |
| JP2607520B2 JP2607520B2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=14954423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62127209A Expired - Lifetime JP2607520B2 (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 光学セラミックスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2607520B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6291467A (ja) * | 1985-06-20 | 1987-04-25 | 東ソー株式会社 | 透光性ジルコニア焼結体の製造法 |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP62127209A patent/JP2607520B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6291467A (ja) * | 1985-06-20 | 1987-04-25 | 東ソー株式会社 | 透光性ジルコニア焼結体の製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2607520B2 (ja) | 1997-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ciftci et al. | Hydrothermal precipitation and characterization of nanocrystalline BaTiO3 particles | |
| AU601275B2 (en) | Stabilised metallic oxides | |
| JP2528043B2 (ja) | 焼結セラミック体及びその製造法 | |
| JPH05155659A (ja) | 透明セラミック及びその製造方法 | |
| JPS63291864A (ja) | 光学セラミックスの製造方法 | |
| JP2608558B2 (ja) | 光学セラミックスの製造方法 | |
| JP2607519B2 (ja) | 光学セラミックスの製造方法 | |
| JPS63288960A (ja) | （Ｐｂ，Ｂｉ）（Ｚｒ，Ｔｉ）０↓３の製造方法 | |
| JP2607518B2 (ja) | 光学セラミックスの製造方法 | |
| JPH0717447B2 (ja) | Ｐｌｚｔの製造方法 | |
| JPS63288961A (ja) | （Ｐｂ，Ｌａ）（Ｈｆ，Ｔｉ）０↓３の製造方法 | |
| JPS63291844A (ja) | 光学セラミックスの製造方法 | |
| JPH0678190B2 (ja) | チタン酸ジルコニウム系セラミツクスの製造方法 | |
| JPS63288962A (ja) | （Ｐｂ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ）０↓３の製造方法 | |
| JPH0478580B2 (ja) | ||
| US4832893A (en) | Method for producing a PLZT compound | |
| JP2607517B2 (ja) | ジルコニアセラミックスの製造方法 | |
| JPS6363512B2 (ja) | ||
| JPH0818867B2 (ja) | ジルコニウムを含むペロブスカイトセラミツクスの製造方法 | |
| JPS63288963A (ja) | （Ｐｂ，Ｂａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）０↓３の製造方法 | |
| JPH0784350B2 (ja) | ペロブスカイトセラミックスの製造方法 | |
| JPS60180959A (ja) | Ｐｌζｔ透明焼結体の製造法 | |
| JPH0678191B2 (ja) | チタン酸ジルコニウム系セラミツクスの製造方法 | |
| JPS63239119A (ja) | Ｐｌｚｔ粉末の製造方法 | |
| JPH0220586B2 (ja) |